亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

一種偏置電流產(chǎn)生電路的制作方法

文檔序號:11690803閱讀:415來源:國知局
一種偏置電流產(chǎn)生電路的制造方法與工藝

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種偏置電流產(chǎn)生電路。



背景技術(shù):

偏置電流是模擬集成電路中的一種重要參考源,是系統(tǒng)中不可缺少的一部分。

傳統(tǒng)的偏置電流產(chǎn)生電路如圖1所示,包括:由第一pmos晶體管p1、第一nmos晶體管n1和第二nmos晶體管n2構(gòu)成的啟動電路以及第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4和電阻r1構(gòu)成的偏置電流電路;第一pmos晶體管p1的源極接電源,柵極和漏極相連并與第一nmos晶體管n1的漏極和第二nmos晶體管n2的柵極相接;第一nmos晶體管n1的源極接地,柵極與第四nmos晶體管n4的柵極相接;第二nmos晶體管n2的源極接地,漏極接電壓輸出端uout;第二pmos晶體管p2的源極接電源,柵極接第三pmos管p3的柵極,柵極和漏極都接到電壓輸出端uout;第三pmos晶體管p3的源極接電源,漏極接第四nmos晶體管n4的漏極,柵極接輸出uout;第三nmos晶體管n3的漏極接輸出電壓uout,源極接地,柵極接第四nmos晶體管n4的柵極;第四nmos晶體管n4的漏極和柵極相連,源極接電阻r1的一端,電阻r1的另一端接地。

該偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電流隨電源電壓的變化而具有較大變化。在很多精度要求高的集成電路模塊中,會要求一個隨電源電壓的變化盡可能小的偏置電流。傳統(tǒng)的偏置電流產(chǎn)生電路已經(jīng)不能滿足高精度系統(tǒng)的要求。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

為解決現(xiàn)有偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電流隨電源電壓變化大的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種抗電源噪聲能力強的偏置電流產(chǎn)生電路。

一種偏置電流產(chǎn)生電路,包括:由第一pmos晶體管p1、第一nmos晶體管n1和第二nmos晶體管n2構(gòu)成的啟動電路以及第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4和電阻r1構(gòu)成的具有負反饋環(huán)路的偏置電流電路;

第一pmos晶體管p1的源極接電源,柵極和漏極相連并與第一nmos晶體管n1的漏極和第二nmos晶體管n2的柵極相接;

第一nmos晶體管n1的源極接地,柵極與第四nmos晶體管n4的柵極相接;

第二nmos晶體管n2的源極接地,漏極接電壓輸出端uout;

第二pmos晶體管p2的源極接電源,柵極接第三pmos管p3的柵極,柵極和漏極都接到電壓輸出端uout;第三pmos晶體管p3的源極接電源,漏極接電阻r1的一端及第四nmos管n4的柵極;

第三nmos晶體管n3的漏極接輸出電壓uout,源極接地,柵極接第四nmos晶體管n4的漏極及電阻r1的另一端;

第四nmos晶體管n4的柵極接電阻r1的另一端,源極接地。

本發(fā)明的偏置電流產(chǎn)生電路中,第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4和電阻r1構(gòu)成了負反饋環(huán)路,這個環(huán)路大大提升了偏置電流的抗電源噪聲能力,從而使得該偏置電流產(chǎn)生電路提供的偏置電流具有較強的抗電源噪聲能力。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)的上電復(fù)位電路結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是本發(fā)明實施方式提供的上電復(fù)位電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明了,下面結(jié)合具體實施方式并參照附圖,對本發(fā)明進一步詳細說明。應(yīng)該理解,這些描述只是示例性的,而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外,在以下說明中,省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述,以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

如圖2所示,本發(fā)明提供的偏置電流產(chǎn)生電路包括:

包括:由第一pmos晶體管p1、第一nmos晶體管n1和第二nmos晶體管n2構(gòu)成的啟動電路以及第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4和電阻r1構(gòu)成的具有負反饋環(huán)路的偏置電流電路;

第一pmos晶體管p1的源極接電源,柵極和漏極相連并與第一nmos晶體管n1的漏極和第二nmos晶體管n2的柵極相接;

第一nmos晶體管n1的源極接地,柵極與第四nmos晶體管n4的柵極相接;

第二nmos晶體管n2的源極接地,漏極接電壓輸出端uout;

第二pmos晶體管p2的源極接電源,柵極接第三pmos管p3的柵極,柵極和漏極都接到電壓輸出端uout;第三pmos晶體管p3的源極接電源,漏極接電阻r1的一端及第四nmos管n4的柵極;

第三nmos晶體管n3的漏極接輸出電壓uout,源極接地,柵極接第四nmos晶體管n4的漏極及電阻r1的另一端;

第四nmos晶體管n4的柵極接電阻r1的另一端,源極接地。

上述方案提供的偏置電流產(chǎn)生電路中,第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4和電阻r1構(gòu)成了負反饋環(huán)路,這個環(huán)路大大提升了偏置電流的抗電源噪聲能力,從而使得該偏置電流產(chǎn)生電路提供的偏置電流具有較強的抗電源噪聲能力。

應(yīng)當(dāng)理解的是,本發(fā)明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理,而不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。因此,在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。此外,本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
一種偏置電流產(chǎn)生電路,屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域。包括:由第一PMOS晶體管、第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管構(gòu)成的啟動電路以及第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管和電阻構(gòu)成的具有負反饋環(huán)路的偏置電流電路;這個環(huán)路大大提升了偏置電流的抗電源噪聲能力,與傳統(tǒng)的偏置電流電路相比,該電路產(chǎn)生的偏置電流隨電源電壓的變化更小,具有更好的電源噪聲抑制性能。

技術(shù)研發(fā)人員:不公告發(fā)明人
受保護的技術(shù)使用者:長沙方星騰電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.07
技術(shù)公布日:2017.07.21
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1