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一種用于自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器的電壓延時電路的制作方法

文檔序號:11422003閱讀:883來源:國知局
一種用于自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器的電壓延時電路的制造方法與工藝

本實用新型屬于自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種用于自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器的電壓延時電路。



背景技術(shù):

現(xiàn)代電網(wǎng)供電系統(tǒng)發(fā)展至今,供電的可靠性已經(jīng)非常高了,通過控制器控制自動轉(zhuǎn)換開關(guān)對備用電源進(jìn)行切換,但還是時有電壓暫時或瞬間不穩(wěn)定現(xiàn)象,以致于影響其正常工作。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

有鑒于此,本實用新型旨在提出一種用于自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器的電壓延時電路,以實現(xiàn)在電網(wǎng)電壓波動過程中,自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器輸出電壓變化滯后的功能。

為達(dá)到上述目的,本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:

一種用于自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器的電壓延時電路,包括變壓器T1、整流橋D1、電阻RJ1、RJ2、R1、R2、電解電容C1、邏輯非門G1、G2,所述變壓器T1輸入端接電網(wǎng)電壓,輸出端接至整流橋D1的兩個輸入端AC1、AC2處,所述整流橋D1的正輸出端通過電阻RJ1連接至電阻RJ2和電解電容C1正電極,所述電阻RJ2和電解電容C1負(fù)電極均與整流橋D1的負(fù)輸出端連接,所述電解電容C1正電極連接電阻R1一端,所述R1另一端分別連接電阻R2和邏輯非門G1輸入端,所述電阻R2另一端連接邏輯非門G2的輸出端,所述邏輯非門G1輸出端連接邏輯非門G2輸入端。

進(jìn)一步的,所述電解電容C1為鋁電解電容。

進(jìn)一步的,所述電阻R1小于R2。

相對于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型所述的用于自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器的電壓延時電路具有以下優(yōu)勢:

(1)本實用新型所述的電壓延時電路在電網(wǎng)電壓波動情況下,實現(xiàn)控制器電壓的滯后特性,消除干擾,很好的去抖,實現(xiàn)自動轉(zhuǎn)換開關(guān)動作的可靠性;

(2)本實用新型所述的電壓延時電路回差可調(diào)、延時可調(diào),方便電力工作者對配電網(wǎng)絡(luò)和供電網(wǎng)絡(luò)中其它智能電器的選擇性控制,減少了因電網(wǎng)電壓波動對智能電器的影響;

(3)本實用新型所述的電壓延時電路沖擊耐受強度12KV。

附圖說明

構(gòu)成本實用新型的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進(jìn)一步理解,本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型,并不構(gòu)成對本實用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:

圖1為本實用新型實施例的交流轉(zhuǎn)直流電路圖;

圖2為本實用新型實施例的邏輯電路圖;

圖3為本實用新型實施例的同、反向傳輸電壓圖。

具體實施方式

需要說明的是,在不沖突的情況下,本實用新型中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本實用新型。

如圖1所示,一種用于自動轉(zhuǎn)換開關(guān)控制器的電壓延時電路,包括變壓器T1、整流橋D1、電阻RJ1、RJ2、R1、R2、電解電容C1、邏輯非門G1、G2,所述變壓器T1輸入端接電網(wǎng)電壓,輸出端接至整流橋D1的兩個輸入端AC1、AC2處,所述整流橋D1的正輸出端通過電阻RJ1連接至電阻RJ2和電解電容C1正電極,所述電阻RJ2和電解電容C1負(fù)電極均與整流橋D1的負(fù)輸出端連接,所述電解電容C1正電極處的電壓信號VI連接電阻R1一端,所述R1另一端分別連接電阻R2和邏輯非門G1輸入端,所述電阻R2另一端連接邏輯非門G2輸出端,所述邏輯非門G1輸出端連接邏輯非門G2輸入端,電網(wǎng)電壓正弦信號經(jīng)變壓器T1進(jìn)行降壓、整流橋D1進(jìn)行整流、電阻RJ1、RJ2進(jìn)行限流分壓后接至電解電容C1正電極進(jìn)行電壓平波,生成波形直流、振幅在(0V~+5V)范圍之間的信號VI(VDD為+5V),通過降壓、整流、分壓、平波將電網(wǎng)電壓轉(zhuǎn)換成直流信號,運用CMOS反向器設(shè)計成的施密特觸發(fā)器實現(xiàn)電壓延時功能。

所述電解電容C1為鋁電解電容。

所述電阻R1小于R2,符合負(fù)向閾值電壓VT-計算式。

本實施例的工作原理如下:

如圖2所示為本實施例的電路邏輯關(guān)系圖,控制VI在0和VDD之間的變化過程,VI1為邏輯非門G1的輸入電平,邏輯非門G1輸出端電壓信號為VO,經(jīng)過邏輯非門G2后電壓信號值為Vo,VDD為CMOS反相器的工作電壓,Vth為反相器的閾值電壓。

當(dāng)VI=0時,G1止,G2通,Vo=0V;

當(dāng)VI=Vth時,電流依次經(jīng)過R1、R2至Vo,VI1<Vth,Vo為0V;

當(dāng)VI上升使得VI1=Vth時,電路狀態(tài)很快轉(zhuǎn)換為VO≈VDD,電路此時VI值即為施密特觸發(fā)器在輸入信號正向增加時的閾值電壓,稱為正向閾值電壓,用VT+表示。有下式

VI=VT+,VI1=Vth

VI1=(R2/(R1+R2))VI+(R1/(R1+R2))V0

VI1=Vth≈(R2/(R1+R2))VT+

VT+=(1+R1/R2)Vth

當(dāng)VI1=Vth時,電路狀態(tài)維持VO≈VDD不變。VI繼續(xù)上升至最大值后開始下降,當(dāng)VI1=Vth時,這樣電路又迅速轉(zhuǎn)換為VO≈0V的狀態(tài),此時的輸入電平VI為減小時的閾值電壓,稱為負(fù)向閾值電壓VT-表示。根據(jù)式

VI1=(R2/(R1+R2))VI+(R1/(R1+R2))V0

VI1=Vth≈(R2/(R1+R2))VT-+(R1/(R1+R2))VDD

VDD=2Vth

VT-≈(1-R1/R2)Vth

VT+=(1+R1/R2)Vth

△VT=VT+-VT-=2(R1/R2)Vth

式中,△VT為電壓回差,且R1小于R2?;夭铍妷旱拇笮】梢酝ㄟ^改變R1、R2的比值來調(diào)節(jié)。

如為反向器時,電壓特性如圖3所示,當(dāng)輸入電壓VI由低向高增加,到達(dá)VT+時,輸出電壓發(fā)生突變,而輸入電壓VI由高變低,到達(dá)VT-時,輸出電壓發(fā)生突變,因而出現(xiàn)輸出電壓變化滯后,延遲啟動。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。

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