本實用新型涉及建筑送風(fēng)技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是一種正壓送風(fēng)機泄壓控制器。
背景技術(shù):
正壓送風(fēng)機是指向逃生樓道里送風(fēng)的風(fēng)機,它將室外風(fēng)壓送入室內(nèi)。當(dāng)建筑物發(fā)生火災(zāi)時,會產(chǎn)生大量煙霧、一氧化碳等有毒氣體并遮擋視線,正壓送風(fēng)機的現(xiàn)場測量裝置檢測到工作現(xiàn)場氣壓的異常,通過正壓送風(fēng)機給逃生的消防樓梯送風(fēng),即泄壓,使室內(nèi)的煙霧不能抵達(dá)樓梯,給人們逃生創(chuàng)造條件。
正壓送風(fēng)機一般裝于建筑物頂,與各層的正壓風(fēng)閥聯(lián)動。火災(zāi)初期時打開風(fēng)閥,啟動正壓送風(fēng)機,使樓梯間、電梯廳處于正壓狀態(tài)(送風(fēng)狀態(tài))。
泄壓控制器正需要對送風(fēng)機氣壓測量裝置發(fā)出的信號做出迅速準(zhǔn)確的反應(yīng),并保證高效穩(wěn)定的工作,現(xiàn)有的泄壓控制裝置穩(wěn)定性不高,不能檢測并反饋系統(tǒng)的工作狀態(tài),系統(tǒng)的安全穩(wěn)定性不高。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本實用新型的目的在于提供一種反應(yīng)迅速、工作穩(wěn)定的正壓送風(fēng)機泄壓控制器。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種正壓送風(fēng)機泄壓控制器,其特征是:包括電源模塊、微控制器模塊、電流測量模塊、消防總線接口和控制接口,所述電源電路為控制器供電,所述電流測量模塊、消防總線接口和控制接口均連接微控制器模塊;
所述微控制器模塊包括單片機MCU,型號為STM32F030C8T6;
所述消防總線接口包括二總線極性變換電路、穩(wěn)壓電路和二總線信號檢測電路,所述二總線極性變換電路包括雙向TVS管D5和橋式電路,所述穩(wěn)壓電路包括穩(wěn)壓芯片U1,總線接口處依次接入TVS管D5、橋式電路和穩(wěn)壓電路,所述二總線信號檢測電路由穩(wěn)壓電路供電,二總線信號檢測電路連接二總線極性變換電路,檢測總線上的電壓信號;
所述電流測量模塊包括依次相接的同相比例運算電路和峰值檢波電路,輸入信號依次經(jīng)過同相比例運算電路和峰值檢波電路輸出信號;
所述控制接口包括可控硅驅(qū)動器U2、雙向可控硅U3和浪涌吸收電路,所述可控硅驅(qū)動器U2連接雙向可控硅U3,所述浪涌吸收電路并聯(lián)雙向可控硅U3,還包括限流電阻,所述限流電阻連接可控硅控制器U2的輸入端,輸入信號依次經(jīng)過限流電阻、可控硅驅(qū)動器U2、雙向可控硅U3和浪涌吸收電路輸出控制信號。
優(yōu)選地,所述橋式電路由二極管D3、D4、D7和D8組成,所述TVS管D5的兩端連接總線接口1、2,TVS管D5的一端分別連接電阻R6的一端、二極管D3的正極和二極管D7的負(fù)極,TVS管D5的另一端分別連接電阻R6的另一端、二極管D4的正極和二極管D8的負(fù)極;二極管D3的負(fù)極端輸出電壓V1,二極管D3的負(fù)極分別連接二極管D4的負(fù)極和二極管D2的正極,二極管D2的負(fù)極連接電阻R1的一端,電阻R1的另一端輸出電壓V2,二極管D7的正極和二極管D8的正極均接地;
所述同相比例運算電路包括運算放大器U4B、電阻R17、R18、R22和R23,所述運算放大器U4B為LM385,所述電阻R17、R18連接運算放大器U4B的反相輸入端,電阻R22、R23連接運算放大器的同相輸入端;所述峰值檢波電路包括運算放大器U4A,二極管D9、電容C17和電阻R19,運算放大器U4A為LM385,所述運算放大器U4B的輸出端連接運算放大器U4A的同相輸入端,運算放大器U4A的反相輸入端分別連接電阻R19、電容C17和二極管D9的負(fù)極,運算放大器U4A的輸出端連接二極管D9的正極,所述輸入信號由電阻R22、R23之間接入;
所述可控硅驅(qū)動器U2為MOC3061,雙向可控硅U3為BTA40。
優(yōu)選地,所述電阻R22的一端分別連接電阻R18的一端和地,另一端連接電阻R23的一端,電阻R23的另一端接運算放大器U4B的同相輸入端,運算放大器的反相輸入端分別連接電阻R18的另一端和電阻R17的一端,電阻R17的另一端分別連接運算放大器U4B的輸出端和運算放大器U4A的同相輸入端,運算放大器的反相輸入端分別連接電阻R19和電容C17的一端,電阻R19的另一端輸出電流,電容C17的另一端接地。
優(yōu)選地,所述穩(wěn)壓芯片U1的型號為7805,穩(wěn)壓芯片U1的IN管腳分別連接電阻R1的另一端、電容C4和電容C5的一端,電容C4、C5的另一端均接地,穩(wěn)壓芯片U1的OUT管腳輸出電壓Vcc,分別連接電容C9、電阻R9的一端穩(wěn)壓芯片U1的GND管腳、電容C9和電阻R9的另一端均接地。
優(yōu)選地,所述二總線信號檢測電路包括第一檢測電路和第二檢測電路,所述第一檢測電路分別連接電壓V1、V2,所述第二檢測電路連接電壓V1。
優(yōu)選地,所述第一檢測電路包括二極管D12,所述二極管D12的正極接電壓V1和電阻R19的一端,二極管D12的負(fù)極分別連接電阻R20的一端和二極管D13的負(fù)極,二極管D13的正極分別連接電阻R21、電容C9、電容C7的另一端和三極管Q3的基極,三極管Q3的發(fā)射極分別連接電阻R21、電容C9的另一端和電阻R22、R25的一端,電阻R22的另一端接電壓V2,電阻R25的另一端接地,三極管Q3的集電極分別連接電容C7的另一端和電阻R23的一端,電阻R23的另一端分別連接電阻R24、電容C8的一端和二極管D14的正極,二極管D14的負(fù)極接電壓Vcc,電阻R19、R20、R24和電容C8的另一端均接地,二極管D14的正極接輸出端S3;
所述第二檢測電路包括二極管D10,所屬二極管D10的正極接電壓V1,負(fù)極分別連接電阻R13的一端和三極管Q2的集電極,三極管Q2的發(fā)射極連接電阻R17的一端,集電極分別連接電阻R15、電阻R16和電容C6的一端,電阻R15、R16的另一端分別接輸出端S1、S2,電阻R13的另一端連接二極管D11的負(fù)極,二極管D11的正極分別連接電阻R14的一端和三極管Q1的基極,三極管的發(fā)射極分別接電壓Vcc和電阻R14的另一端,集電極分別連接電阻R18的一端和輸出端K,電阻R17、R18和電容C6的另一端均接地。
優(yōu)選地,所述限流電阻為R12,電阻R12的一端接輸入信號,另一端連接可控硅控制器U2的1管腳,可控硅控制器的2管腳接地,6管腳接門極電阻R13的一端,4管腳分別連接電阻R106的一端和雙向可控硅U3的第一主電極,電阻R106的另一端連接雙向可控硅的第二主電極,門極電阻R13的另一端連接雙向可控硅U3的門極。
優(yōu)選地,所述浪涌電路包括串聯(lián)連接的電阻R14和電容C16。
優(yōu)選地,所述控制器還包括LED指示電路、485通信電路、揚聲器電路和開關(guān)量采集電路,所述LED指示電路、485通信電路、揚聲器電路和開關(guān)量采集電路均連接單片機MCU。
本實用新型的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的同相比例運算電路,能夠?qū)⑽⑷醯妮斎胄盘栠M行放大,達(dá)到合理的范圍,便于后級電路采樣計算;峰值檢波電路能夠保持和采集交流信號的峰值,得到線路中實際的電流值;TVS管并聯(lián)在總線接口1、2兩端,使信號檢測電路免受總線上的高壓和浪涌脈沖的損壞,保證電路安全、延長使用壽命;二極管D3、D4、D7和D8組成的橋式電路,實現(xiàn)總線電壓信號的極性變換,使檢測電路可以無極性的接入總線中;檢測電路反應(yīng)靈敏迅速;門極電阻R13能夠提高雙向可控硅U3的抗干擾能力;浪涌吸收電路,放置浪涌吸收電壓損壞雙向可控硅,延長電路的使用壽命。
附圖說明
圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)圖;
圖2是本實用新型所述單片機MCU的電路圖;
圖3是本實用新型所述單片機MCU的電源濾波電路圖;
圖4是本實用新型所述微處理器模塊的總線接口電路圖;
圖5是本實用新型所述晶振電路的電路圖;
圖6是本實用新型所述二總線極性變換電路和穩(wěn)壓電路的電路圖;
圖7是本實用新型所述第一檢測電路的電路圖;
圖8是本實用新型所述第二檢測電路的電路圖;
圖9是本實用新型所述接口電路的電路圖;
圖10是本實用新型所述電流測量電路的電路圖;
圖11是本實用新型所述指示電路的電路圖;
圖12是本實用新型所述揚聲器電路的電路圖;
圖13是本實用新型所述通信電路的電路圖;
圖14是本實用新型所述開關(guān)量采集電路的電路圖。
具體實施方式
為能清楚說明本方案的技術(shù)特點,下面通過具體實施方式,并結(jié)合其附圖,對本實用新型進行詳細(xì)闡述。
如圖1所示,本實用新型的一種正壓送風(fēng)機泄壓控制器,其特征是:包括電源模塊、微控制器模塊、電流測量模塊、消防總線接口和控制接口,所述電源電路為控制器供電,所述電流測量模塊、消防總線接口和控制接口均連接微控制器模塊。
如圖2-5所示,所述微控制器模塊包括單片機MCU,型號為STM32F030C8T6;
所述晶振電路連接單片機MCU的5、6管腳,單片機MCU的5管腳分別連接電阻R15、電容C12和晶振Y1的一端,6管腳分別連接電阻R15、晶振Y1的另一端和電容C15的一端,電容C12、C15的另一端均接地;所述單片機MCU的電源濾波電路包括并聯(lián)連接的濾波電容C1~C3、C6、C8、C10、C11、C13和C14,單片機MCU的7管腳分別連接電阻R7和電容C7的一端,電阻R7的另一端接3.3V電壓,電容C7的另一端接公共地,44管腳通過電阻R3接地,23、35和47管腳均接地;所述微處理器模塊的總線接口P0的1、3管腳分別連接單片機MCU的37、34管腳,2管腳接3.3V電壓,4管腳接地。
優(yōu)選地,電阻R3、R7和R15的阻值分別為10KΩ、10KΩ、1MΩ,電容C10、C11、C13和C14的電容均為100nF,電容C1~C3、C6、C8均為10μF/16V的電解電容,電容C7、C12、C15的電容值分別為105nF、20pF、20pF,晶振Y1為8MHZ。
如圖6-8所示,所述消防總線接口包括二總線極性變換電路、穩(wěn)壓電路和二總線信號檢測電路,所述二總線極性變換電路包括雙向TVS管D5和橋式電路,所述穩(wěn)壓電路包括穩(wěn)壓芯片U1,總線接口處依次接入TVS管D5、橋式電路和穩(wěn)壓電路,所述二總線信號檢測電路由穩(wěn)壓電路供電,二總線信號檢測電路連接二總線極性變換電路,檢測總線上的電壓信號;
所述橋式電路由二極管D3、D4、D7和D8組成,所述TVS管D5的兩端連接總線接口1、2,TVS管D5的一端分別連接電阻R6的一端、二極管D3的正極和二極管D7的負(fù)極,TVS管D5的另一端分別連接電阻R6的另一端、二極管D4的正極和二極管D8的負(fù)極;二極管D3的負(fù)極端輸出電壓V1,二極管D3的負(fù)極分別連接二極管D4的負(fù)極和二極管D2的正極,二極管D2的負(fù)極連接電阻R1的一端,電阻R1的另一端輸出電壓V2,二極管D7的正極和二極管D8的正極均接地。
所述穩(wěn)壓芯片U1的型號為7805,穩(wěn)壓芯片U1的IN管腳分別連接電阻R1的另一端、電容C4和電容C5的一端,電容C4、C5的另一端均接地,穩(wěn)壓芯片U1的OUT管腳輸出電壓Vcc,分別連接電容C9、電阻R9的一端穩(wěn)壓芯片U1的GND管腳、電容C9和電阻R9的另一端均接地。
雙向TVS管D5的擊穿電壓為36V,使檢測電路免受總線上的高壓和浪涌脈沖的損壞。橋式電路,用來實現(xiàn)總線電壓信號的極性變換,使此檢測電路可以無極性的接入總線當(dāng)中;通過穩(wěn)壓芯片U3穩(wěn)壓供后級電路工作。
優(yōu)選地,所述二極管D2~D4、D7、D8均為IN4001,所述電阻R1、R6、R9的阻值分別為620Ω、1MΩ和200KΩ,電容C4為10μF/16V,電容C5、C9的電容值均為100nF。
所述二總線信號檢測電路包括第一檢測電路和第二檢測電路,所述第一檢測電路分別連接電壓V1、V2,所述第二檢測電路連接電壓V1。
所述第一檢測電路包括二極管D12,所述二極管D12的正極接電壓V1和電阻R19的一端,二極管D12的負(fù)極分別連接電阻R20的一端和二極管D13的負(fù)極,二極管D13的正極分別連接電阻R21、電容C9、電容C7的另一端和三極管Q3的基極,三極管Q3的發(fā)射極分別連接電阻R21、電容C9的另一端和電阻R22、R25的一端,電阻R22的另一端接電壓V2,電阻R25的另一端接地,三極管Q3的集電極分別連接電容C7的另一端和電阻R23的一端,電阻R23的另一端分別連接電阻R24、電容C8的一端和二極管D14的正極,二極管D14的負(fù)極接電壓Vcc,電阻R19、R20、R24和電容C8的另一端均接地,二極管D14的正極接輸出端S3。
所述第二檢測電路包括二極管D10,所屬二極管D10的正極接電壓V1,負(fù)極分別連接電阻R13的一端和三極管Q2的集電極,三極管Q2的發(fā)射極連接電阻R17的一端,集電極分別連接電阻R15、電阻R16和電容C6的一端,電阻R15、R16的另一端分別接輸出端S1、S2,電阻R13的另一端連接二極管D11的負(fù)極,二極管D11的正極分別連接電阻R14的一端和三極管Q1的基極,三極管的發(fā)射極分別接電壓Vcc和電阻R14的另一端,集電極分別連接電阻R18的一端和輸出端K,電阻R17、R18和電容C6的另一端均接地。
優(yōu)選地,二極管D10~D14均為開關(guān)二極管4148,三極管Q1、Q3均為NPN型9012,三極管Q2為PNP型9013,電阻R13~R25的阻值分別為200KΩ、100KΩ、6.8KΩ、5.1KΩ、200Ω、200KΩ、1MΩ、2MΩ、200KΩ、100KΩ、510KΩ、1MΩ、510KΩ,電容C6~C9的電容值分別為470nF、30pF、330pF、30pF。
二總線極性變換電路中V2處的電壓在+17V左右,當(dāng)總線上V1處是+24V的電壓信號時,二極管D12導(dǎo)通,D13反相截至,三極管Q3處于截至狀態(tài),S3處由于下拉電阻R24的作用為低電平;當(dāng)總線上V1處是+12V或0V的電壓信號時,二極管D12反相截至、D13導(dǎo)通,此時三極管Q3處于飽和狀態(tài),S3處為不超過VCC的高電平。在V1處為+24V或+12V時二極管D11處于反向截止?fàn)顟B(tài),三極管Q1處于截至狀態(tài),K處由于R18下拉電阻的作用為低電平。當(dāng)V1處為0V時,且在S1、S2這兩個端口有一個為高電平時,二極管D11導(dǎo)通,三極管Q1處于放大狀態(tài),此時K處為高電平。
如圖10所示,所述電流測量模塊包括同相比例運算電路和峰值檢波電路,輸入信號依次經(jīng)過同相比例運算電路和峰值檢波電路輸出信號;
所述同相比例運算電路包括運算放大器U4B、電阻R107、R108、R22和R23,所述運算放大器U4B為LM385,所述電阻R107、R108連接運算放大器U4B的反相輸入端,電阻R22、R23連接運算放大器的同相輸入端;所述峰值檢波電路包括運算放大器U4A,二極管D9、電容C17和電阻R19,運算放大器U4A為LM385,所述運算放大器U4B的輸出端連接運算放大器U4A的同相輸入端,運算放大器U4A的反相輸入端分別連接電阻R19、電容C17和二極管D9的負(fù)極,運算放大器U4A的輸出端連接二極管D9的正極,所述輸入信號由電阻R22、R23之間接入。
互感器加入input1和input2之間,電阻R22兩端感應(yīng)出的電壓很微弱,需要放大,同相比例運算電路的輸入輸出關(guān)系為:U2=U1*(1+R17/R18);此時信號是交流電壓信號,如果直接采集交流信號,需要很長的采樣時間和復(fù)雜的運算過程。本實用新型設(shè)計了一種精密的峰值檢波電路用來保持和采集交流信號的峰值,得到線路中實際的電流值。
電容C17為鉭電容,具有存儲電荷的功能,可以作為保持最近峰值的模擬存儲器。二極管D9,作為單向電流開關(guān),當(dāng)新的峰值出現(xiàn)時進一步對電容充電。運算放大器U4A用作電壓跟隨器,當(dāng)有新的峰值出現(xiàn)時,它使電容能夠跟蹤新的輸入電壓。該電流檢測電路精度高、穩(wěn)定性強。
優(yōu)選地,所述電阻R22的一端分別連接電阻R18的一端和地,另一端連接電阻R23的一端,電阻R23的另一端接運算放大器U4B的同相輸入端,運算放大器的反相輸入端分別連接電阻R18的另一端和電阻R17的一端,電阻R17的另一端分別連接運算放大器U4B的輸出端和運算放大器U4A的同相輸入端,運算放大器的反相輸入端分別連接電阻R19和電容C17的一端,電阻R19的另一端輸出電流,電容C17的另一端接地。
優(yōu)選地,所述鉭電容C17的規(guī)格為10μF/16V,所述電阻R17~R19、R22、R23的電阻值分別為200KΩ、100KΩ、1KΩ、1KΩ、68KΩ,所述二極管為開關(guān)二極管IN4007。
如圖9所示,所述控制接口包括可控硅驅(qū)動器U2、雙向可控硅U3和浪涌吸收電路,所述可控硅驅(qū)動器U2連接雙向可控硅U3,所述浪涌吸收電路并聯(lián)雙向可控硅U3,還包括限流電阻,所述限流電阻連接可控硅控制器U2的輸入端,輸入信號依次經(jīng)過限流電阻、可控硅驅(qū)動器U2、雙向可控硅U3和浪涌吸收電路輸出控制信號。
優(yōu)選地,所述可控硅驅(qū)動器U2為MOC3061,雙向可控硅U3為BTA40。
優(yōu)選地,所述限流電阻為R12,電阻R12的一端接輸入信號,另一端連接可控硅控制器U2的1管腳,可控硅控制器的2管腳接地,6管腳接門極電阻R13的一端,4管腳分別連接電阻R106的一端和雙向可控硅U3的第一主電極,電阻R106的另一端連接雙向可控硅的第二主電極,門極電阻R13的另一端連接雙向可控硅U3的門極。
限流電阻R12使輸入可控硅驅(qū)動器U2內(nèi)部紅外發(fā)光二極管電流為10mA。可控硅驅(qū)動器U2的驅(qū)動能力有限,因此加入可控硅U2過電流能力強,換相性能高;當(dāng)雙向可控硅U3靈敏度較高時,門極電阻R13的阻抗也很高,可提高雙向可控硅U3抗干擾能力。電阻R106是觸發(fā)雙向可控硅U3的限流電阻,電阻R14和電容C16組成浪涌吸收電路,防止浪涌電壓損壞雙向可控硅。此控制電路具有反應(yīng)速度快,壽命長的特點。
所述雙向可控硅U3的門極和第二主電極分別為控制輸出接口out1、out2。
優(yōu)選地,所述電阻R12~R14、R106的阻值分別為1KΩ、300Ω、39Ω、300Ω,電容C16的電容值為100nF。
如圖11所示,所述指示電路包括復(fù)位開關(guān)K1、K2,電阻R2、R4、R5、R8、R10、R11,發(fā)光二極管LED1~LED6,所述復(fù)位開關(guān)K1、K2為SW-PB4,所述電阻R2、R4、R5、R8、R10、R11的阻值均為10KΩ,所述電阻R2的一端連接發(fā)光二極管LED1的正極,所述電阻R4的一端連接發(fā)光二極管LED2的正極,所述電阻R5的一端連接發(fā)光二極管LED3的正極,所述電阻R8的一端連接發(fā)光二極管LED4的正極,所述電阻R10的一端連接發(fā)光二極管LED5的正極,所述電阻R11的一端連接發(fā)光二極管LED6的正極,發(fā)光二極管LED1~LED6的負(fù)極和復(fù)位開關(guān)K1、K2的一端均接地,電阻R2、R4、R5、R8、R10、R11和復(fù)位電阻的另一端分別依次連接單片機MCU的14~19、21、22管腳。
優(yōu)選地,復(fù)位開關(guān)K1、K2均為SW-PB4。
如圖12所示,所述揚聲器電路包括電阻R21,電阻R21的一端連接單片機MCU的20管腳,另一端分別連接電阻R24的一端和三極管Q1的基極,三極管Q1的發(fā)射極分別連接電阻R24的另一端和地,集電極連接報警器B1的2管腳,報警器B1的1管腳通過電阻R20連接5V電壓,其中電阻R20、R21和R24的電阻值分別為100Ω、1KΩ、10KΩ,三極管Q1為NPN三極管8050。
如圖13所示,485通信電路包括收發(fā)器U5和觸發(fā)器U6,所述收發(fā)器U5為SP3485,所述觸發(fā)器U6為SN74LVC1G14。所述收發(fā)器U5的1、4管腳分別連接單片機MCU的31、30管腳,收發(fā)器的2、3管腳均連接觸發(fā)器U6的4管腳,觸發(fā)器U6的5管腳分別連接3.3V電壓和電容C28的一端,電容C28的另一端接地,觸發(fā)器U6的3管腳接地,2管腳連接單片機MCU的30管腳,收發(fā)器的8管腳分別連接3.3V電壓和電容C23的一端,電容C23的另一端接地,收發(fā)器U5的7管腳分別連接電阻R47和TVS管D19的一端,6管腳分別連接電阻R53的一端和TVS管D20的一端,電阻R47、R53的另一端和TVS管D19、D20的另一端均接地,收發(fā)器U5的5管腳接地,6、7管腳分別發(fā)出通信信號。
優(yōu)選地,所述電容C23、C28的電容值均為100nF,電阻R47、R53的電阻值均為4.7KΩ,TVS管D19、D20均為SMBJ15CA。
如圖14所示,所述開關(guān)量采集電路包括光耦OC1~OC8,光耦OC1~OC8為光耦EL356,內(nèi)部包括光耦二極管和光耦三極管;
所述光耦OC1內(nèi)部三極管的集電極分別依次連接電阻R25、電容C18的一端和單片機MCU的32管腳,電阻R25的另一端接5V電壓,光耦OC1內(nèi)部三極管的發(fā)射極分別連接電容C18的另一端和地,光耦OC1內(nèi)部二極管的正極分別連接電阻R28的一端和二極管D10的負(fù)極,光耦OC1內(nèi)部二極管的負(fù)極分別連接電阻R28的另一端和二極管D10的正極;
所述光耦OC2內(nèi)部三極管的集電極分別依次連接電阻R26、電容C19的一端和單片機MCU的33管腳,電阻R26的另一端接5V電壓,光耦OC1內(nèi)部三極管的發(fā)射極分別連接電容C19的另一端和地,光耦OC1內(nèi)部二極管的正極分別連接電阻R29的一端和二極管D11的負(fù)極,光耦OC1內(nèi)部二極管的負(fù)極分別連接電阻R29的另一端和二極管D11的正極;
所述光耦OC3內(nèi)部三極管的集電極分別依次連接電阻R39、電容C21的一端和單片機MCU的38管腳,電阻R39的另一端接5V電壓,光耦OC1內(nèi)部三極管的發(fā)射極分別連接電容C21的另一端和地,光耦OC1內(nèi)部二極管的正極分別連接電阻R42的一端和二極管D12的負(fù)極,光耦OC1內(nèi)部二極管的負(fù)極分別連接電阻R42的另一端和二極管D12的正極;
所述光耦OC4內(nèi)部三極管的集電極分別依次連接電阻R40、電容C22的一端和單片機MCU的39管腳,電阻R40的另一端接5V電壓,光耦OC1內(nèi)部三極管的發(fā)射極分別連接電容C22的另一端和地,光耦OC1內(nèi)部二極管的正極分別連接電阻R43的一端和二極管D13的負(fù)極,光耦OC1內(nèi)部二極管的負(fù)極分別連接電阻R43的另一端和二極管D13的正極;
所述光耦OC5內(nèi)部三極管的集電極分別依次連接電阻R45、電容C26的一端和單片機MCU的40管腳,電阻R45的另一端接5V電壓,光耦OC1內(nèi)部三極管的發(fā)射極分別連接電容C26的另一端和地,光耦OC1內(nèi)部二極管的正極分別連接電阻R51的一端和二極管D17的負(fù)極,光耦OC1內(nèi)部二極管的負(fù)極分別連接電阻R51的另一端和二極管D17的正極;
所述光耦OC6內(nèi)部三極管的集電極分別依次連接電阻R46、電容C27的一端和單片機MCU的41管腳,電阻R46的另一端接5V電壓,光耦OC1內(nèi)部三極管的發(fā)射極分別連接電容C27的另一端和地,光耦OC1內(nèi)部二極管的正極分別連接電阻R52的一端和二極管D18的負(fù)極,光耦OC1內(nèi)部二極管的負(fù)極分別連接電阻R52的另一端和二極管D18的正極;
所述光耦OC7內(nèi)部三極管的集電極分別依次連接電阻R55、電容C29的一端和單片機MCU的42管腳,電阻R55的另一端接5V電壓,光耦OC1內(nèi)部三極管的發(fā)射極分別連接電容C29的另一端和地,光耦OC1內(nèi)部二極管的正極分別連接電阻R58的一端和二極管D23的負(fù)極,光耦OC1內(nèi)部二極管的負(fù)極分別連接電阻R58的另一端和二極管D23的正極;
所述光耦OC1內(nèi)部三極管的集電極分別依次連接電阻R56、電容C30的一端和單片機MCU的43管腳,電阻R56的另一端接5V電壓,光耦OC1內(nèi)部三極管的發(fā)射極分別連接電容C30的另一端和地,光耦OC1內(nèi)部二極管的正極分別連接電阻R59的一端和二極管D24的負(fù)極,光耦OC1內(nèi)部二極管的負(fù)極分別連接電阻R59的另一端和二極管D24的正極;
二極管D10~D13、D17、D18、D23、D24的正極依次連接電阻R27、R30~R36,二極管D10~D13、D17、D18、D23、D24的的負(fù)極均連接自恢復(fù)保險絲F1。
優(yōu)選地,電阻R25、R26、R39、R40、R45、R46、R55、R56的電阻值分別為2KΩ,電阻R28、R29、R42、R43、R51、R52、R58、R59的電阻值均為1KΩ,電阻R27、R30~R36的電阻值均為3.3KΩ,電容C18、C19、C21、C22、C26、C27、C29、C30的電容值均為15pF,自恢復(fù)保險絲的規(guī)格是R60-010。
本實用新型的穩(wěn)定高效的消防接口、控制接口保證了系統(tǒng)的長期穩(wěn)定工作;根據(jù)電流測量模塊反饋回來的電流信號實時監(jiān)控系統(tǒng)工作狀態(tài);保證系統(tǒng)安全穩(wěn)定
以上所述只是本實用新型的優(yōu)選實施方式,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也被視為本實用新型的保護范圍。