1.高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，包括輸出電路、MCU以及采樣電路，所述采樣電路包括與輸入電源連接的電壓檢測電路以及與輸入電源連接的電流檢測電路，所述電壓檢測電路的輸出端與所述MCU連接，所述電流檢測電路的輸出端與所述MCU連接，所述輸出電路包括繼電器電路以及可控硅電路，所述繼電器電路的輸入端以及所述可控硅電路的輸入端分別與所述MCU連接，所述繼電器電路以及所述可控硅電路的輸出端分別連接有負載，所述可控硅電路與所述繼電器電路并聯(lián)。
2.根據(jù)權利要求1所述的高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，所述電流檢測電路包括一級運算放大器以及二級運算放大器，所述一級運算放大器的非反相輸入端以及反相輸入端分別與所述輸入電源連接，所述一級運算放大器的輸出端與所述二級運算放大器的非反相輸入端連接，所述一級運算放大器的反相輸入端和輸出端分別接地，所述二級運算放大器的反相輸入端和輸出端接地，所述二級運算放大器的輸出端還與所述MCU連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，所述一級運算放大器的非反向輸入端通過第一電阻與所述輸入電源連接，所述一級運算放大器的反向輸入端通過第二電阻與所述輸入電源連接。
4.根據(jù)權利要求2所述的高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，所述二級運算放大器的非反向輸入端通過第三電阻與所述一級運算放大器的輸出端連接，所述二級運算放大器的反向輸入端通過第四電阻以及第一電容接地。
5.根據(jù)權利要求2至4任一項所述的高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓檢測電路包括電壓運算放大器，所述電壓運算放大器的非反相輸入端與所述二級運算放大器的非反相輸入端連接，所述電壓運算放大器的反相輸入端與輸入電源連接，所述電壓運算放大器的輸出端與所述MCU連接，所述電壓運算放大器的反相輸入端與輸出端接地。
6.根據(jù)權利要求5所述的高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓運算放大器的反相輸入端與所述輸入電源之間連接有第九電阻，所述電壓運算放大器的反相輸入端還連接有第十電阻以及第四電容，所述第十電阻以及所述第四電容并聯(lián)接地。
7.根據(jù)權利要求6所述的高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，所述輸入電源為交流電，所述交流電的零線分別與所述一級放大運算器的非反相輸入端和所述電壓放大運算器的反相輸入端連接，所述交流電的火線與所述一級放大運算器的反相輸入端連接。
8.根據(jù)權利要求7所述的高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，所述可控硅電路包括可控硅，所述可控硅的輸入端與輸出端之間并聯(lián)有第十一電阻以及第五電容，所述MCU與所述可控硅的輸入端之間連接有第十二電阻以及第十三電阻，所述第十二電阻與所述第十三電阻連接。
9.根據(jù)權利要求8所述的高性能智能開關控制系統(tǒng)，其特征在于，所述繼電器電路包括繼電器，所述繼電器的兩個常閉觸點分別與所述MCU以及地面連接，所述MCU與所述繼電器的常閉觸點之間連接有第十四電阻、三極管以及高速開關二極管，所述三極管的基極與所述第十四電阻連接，所述三極管的發(fā)射極接地，所述高速開關二極管的正極與所述三極管的集電極連接，且所述高速開關二極管的負極與所述繼電器的另一常閉觸點連接，所述繼電器的公共端與所述交流電的火線連接，所述繼電器的外部開關公共端與所述負載連接。
10.高性能智能開關的控制方法，其特征在于，包括以下具體步驟：
步驟一、信號采樣步驟，利用電壓檢測電路以及電流檢測電路，采樣輸入電源的交流電信號，并將信號發(fā)送至MCU，獲取電壓過零點、電流值以及相位信息，作為MCU控制決策的依據(jù)；
步驟二、可控硅電路導通步驟，打開負載開關，在輸入電源的交流電壓靠近電壓過零點前，導通輸出電路中的可控硅電路，同時檢測電流值，下一個交流電周期，可控硅電路的導通時間加上，如此重復，慢慢加大可控硅電路打開時間；
步驟三、繼電器電路導通步驟，當電流檢測電路檢測到電流穩(wěn)定后，導通繼電器電路，繼電器電路驅動負載工作。