多區(qū)域氣體流量控制裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種多區(qū)域氣體流量控制裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備中，所述半導(dǎo)體設(shè)備包括腔體，所述腔體內(nèi)置有上電極和與所述上電極相對(duì)的下電極；所述多區(qū)域氣體流量控制裝置包括：流量控制器、管道、多個(gè)輸入管，所述流量控制器與所述管道連接，所述管道與多個(gè)所述輸入管連接，所述輸入管穿過所述腔體后作用于所述上電極，利用所述流量控制器控制流經(jīng)所述管道和所述輸入管的氣體的流量。本實(shí)用新型多區(qū)域氣體流量控制裝置有效調(diào)整氣體分布的均勻性，防止發(fā)生上電極下垂的現(xiàn)象，使上下電極的間隙保持一致。
【專利說明】多區(qū)域氣體流量控制裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于氣體流量控制技術(shù)，特別是涉及一種多區(qū)域氣體流量控制裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有半導(dǎo)體設(shè)備的上電極的專利多為單一區(qū)域氣體流量控制方式，而氣體在腔體 外部預(yù)先混和完成，如圖4所示，由單一管路11由上電極上部注入，通過上電極12的內(nèi)部 設(shè)計(jì)達(dá)到氣體均勻分布的目的，但當(dāng)腔體體積逐漸變大后，氣體均勻分布的目標(biāo)就變的日 趨困難，上電極12在高溫長(zhǎng)期使用下會(huì)有下垂的現(xiàn)象，造成上電極12和下電極13的間隙 無法一致，無法做任何外部的硬件調(diào)整。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種多區(qū)域氣體流量控制裝置，其解決氣體分 布不均、上下電極的間隙不一致等技術(shù)問題。
[0004] 本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的：一種多區(qū)域氣體流量控制裝 置，應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備中，所述半導(dǎo)體設(shè)備包括腔體，所述腔體內(nèi)置有上電極和與所述上電 極相對(duì)的下電極；所述多區(qū)域氣體流量控制裝置包括：流量控制器、管道、多個(gè)輸入管，所 述流量控制器與所述管道連接，所述管道與多個(gè)所述輸入管連接，所述輸入管穿過所述腔 體后作用于所述上電極，利用所述流量控制器控制流經(jīng)所述管道和所述輸入管的氣體的流 量。
[0005] 優(yōu)選地，所述腔體上設(shè)有多個(gè)區(qū)域，每一個(gè)所述區(qū)域?qū)?yīng)配置有一個(gè)所述上電極， 每一個(gè)所述上電極上均對(duì)應(yīng)有至少一個(gè)所述輸入管。
[0006] 優(yōu)選地，所述上電極包括上板以及位于上板之下的下板。
[0007] 優(yōu)選地，所述上電極中的所述上板的上表面、所述上板的外側(cè)以及所述下板的外 側(cè)均設(shè)有密封件。
[0008] 優(yōu)選地，所述密封件為由絕緣材料制成的密封圈。
[0009] 本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置的積極進(jìn)步效果在于：本發(fā)明有效調(diào)整氣體分布 的均勻性，防止發(fā)生上電極下垂的現(xiàn)象，使上下電極的間隙保持一致。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置在第一實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011] 圖2為圖1的俯視圖。
[0012] 圖3為本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置在第二實(shí)施例中的俯視圖。
[0013] 圖4為現(xiàn)有單一區(qū)域氣體流量控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014] 下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0015] 請(qǐng)參閱圖1和圖2,其中，圖1為本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置在第一實(shí)施例中 的結(jié)構(gòu)示意圖圖，圖2為裝配有本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置的半導(dǎo)體設(shè)備中腔體的俯 視圖。如圖1和圖2所示，本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備中，所述半導(dǎo) 體設(shè)備包括腔體4,所述腔體4內(nèi)置有上電極和與所述上電極相對(duì)的下電極（下電極未在圖 式中示出），在本實(shí)施例中，所述上電極包括上板5以及位于上板5之下的下板6 ;所述多區(qū) 域氣體流量控制裝置包括：流量控制器1、管道2、多個(gè)輸入管3,所述流量控制器1與所述 管道2連接，所述管道2與多個(gè)所述輸入管3連接，所述輸入管3穿過所述腔體4后作用于 上電極，利用所述流量控制器1控制流經(jīng)所述管道2和所述輸入管3的氣體的流量。由此 可知，利用本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置，可在上電極的多個(gè)區(qū)域上配置相應(yīng)的輸入管3 以提供氣體，從而使得作用于上電極氣體達(dá)到均勻分布的目的。
[0016] 另外，在本實(shí)施例中，在所述上電極中的上板5的上表面、上板5的外側(cè)以及下板 6的外側(cè)均設(shè)有密封件7,以起到密封作用，防止氣體泄露。優(yōu)選地，密封件7可以是由絕緣 材料制成的密封圈，這樣防止產(chǎn)生靜電且密封性好。
[0017] 請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3,為本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置在第二實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意 圖圖。如圖3所示，相比于第一實(shí)施例，在第二實(shí)施例中，腔體4上進(jìn)一步設(shè)有多個(gè)區(qū)域A， 每一個(gè)區(qū)域A中對(duì)應(yīng)配置有一個(gè)上電極，每一個(gè)上電極上均對(duì)應(yīng)有至少一個(gè)輸入管3,即， 至少有一個(gè)輸入管3的開口 9是正對(duì)每一個(gè)上電極的以供應(yīng)氣體。
[0018] 本發(fā)明多區(qū)域氣體流量控制裝置的使用過程如下：首先，輸入管插入在腔體中，然 后管道輸入氣體給輸入管，最后通過多個(gè)輸入管將氣體導(dǎo)入電極內(nèi)的多個(gè)區(qū)域，流量控制 器根據(jù)要求控制氣體的流量。
[0019] 本發(fā)明利用多個(gè)輸入點(diǎn)，即在上電極上將氣體導(dǎo)入電極內(nèi)的多個(gè)區(qū)域，并利用外 部的流量控制器，針對(duì)不同的區(qū)域做調(diào)整，使腔體內(nèi)氣體分布達(dá)到用戶的要求，以達(dá)到膜厚 均勻的優(yōu)化的表現(xiàn)。多個(gè)區(qū)域的電極設(shè)計(jì)，在硬件上可改善上電極下垂的現(xiàn)象，使上下電極 的間隙保持一致。多層上電極單一區(qū)域的設(shè)計(jì)，常會(huì)有射頻電源均勻性的問題，因?yàn)槎鄬与?極板會(huì)有更多的接觸面，可使上述現(xiàn)象得到大幅的改善。
[0020] 本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改型和改變。因此，本發(fā)明覆蓋了落入 所附的權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)的各種改型和改變。
【權(quán)利要求】
1. 一種多區(qū)域氣體流量控制裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備中，所述半導(dǎo)體設(shè)備包括腔體，所 述腔體內(nèi)置有上電極和與所述上電極相對(duì)的下電極；其特征在于，所述多區(qū)域氣體流量控 制裝置包括：流量控制器、管道、多個(gè)輸入管，所述流量控制器與所述管道連接，所述管道與 多個(gè)所述輸入管連接，所述輸入管穿過所述腔體后作用于所述上電極，利用所述流量控制 器控制流經(jīng)所述管道和所述輸入管的氣體的流量。
2. 如權(quán)利要求1所述的多區(qū)域氣體流量控制裝置，其特征在于，所述腔體上設(shè)有多個(gè) 區(qū)域，每一個(gè)所述區(qū)域?qū)?yīng)配置有一個(gè)所述上電極，每一個(gè)所述上電極上均對(duì)應(yīng)有至少一 個(gè)所述輸入管。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的多區(qū)域氣體流量控制裝置，其特征在于，所述上電極包括上 板以及位于上板之下的下板。
4. 如權(quán)利要求3所述的多區(qū)域氣體流量控制裝置，其特征在于，所述上電極中的所述 上板的上表面、所述上板的外側(cè)以及所述下板的外側(cè)均設(shè)有密封件。
5. 如權(quán)利要求4所述的多區(qū)域氣體流量控制裝置，其特征在于，所述密封件為由絕緣 材料制成的密封圈。
【文檔編號(hào)】G05D7/06GK203909634SQ201420324040
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】鐘尚驊 申請(qǐng)人:上海和輝光電有限公司