可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源及其調(diào)節(jié)方法，該恒流源包括第一恒流源（A1）、第二恒流源（A2）和加權(quán)減法運(yùn)算電路（A3）；所述第一恒流源（A1）和第二恒流源（A2）的溫度系數(shù)正負(fù)相反，所述第一恒流源（A1）和第二恒流源（A2）的輸出端分別連接到加權(quán)減法運(yùn)算電路（A3）的被減數(shù)輸入端和減數(shù)輸入端，所述加權(quán)減法運(yùn)算電路（A3）通過(guò)調(diào)節(jié)第一恒流源（A1）和第二恒流源（A2）的加權(quán)系數(shù)，輸出正負(fù)溫度系數(shù)可調(diào)的恒定電流。本實(shí)用新型的恒流源能夠方便的調(diào)節(jié)獲得任意的正負(fù)溫度系數(shù)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)理想恒流源定義為不隨電壓和溫度變化的電流，電流值具有零溫度系數(shù)。
[0003]圖1所示的傳統(tǒng)自激推挽式變換器電路中的啟動(dòng)電路采用的是電阻元件，即圖中的第一電阻R101，這樣流過(guò)電阻的啟動(dòng)電流幾乎保持不變，這種方案會(huì)導(dǎo)致自激推挽式變換器具有低溫啟動(dòng)難而高溫短路易燒壞的缺點(diǎn)，而使得啟動(dòng)電流具有負(fù)溫度特性就可以解決掉由溫度帶來(lái)的低溫啟動(dòng)難而高溫短路易燒壞的缺點(diǎn)。
[0004]專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)枮?01110200894.5就公開(kāi)了一種用具有負(fù)溫度特性恒流源取代自激推挽式變換器中的啟動(dòng)電阻元件，如圖2-1所示，為了提高恒流源的負(fù)溫度系數(shù)大小，該專(zhuān)利申請(qǐng)中使用了不易集成、且價(jià)格昂貴的熱敏電阻。
[0005]為了解決熱敏電阻不易集成的缺點(diǎn)，專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)枮?01310044913.9中提出來(lái)了一種應(yīng)用性較強(qiáng)的，且提供了一種能夠提高恒流源負(fù)溫度系數(shù)的實(shí)施例電路，解決了傳統(tǒng)的負(fù)溫度系數(shù)恒流源(如圖2-2所示)溫度系數(shù)比較小的問(wèn)題，但是提高恒流源負(fù)溫度系數(shù)大小的方法并不是唯一的，且該專(zhuān)利申請(qǐng)中只涉及提高電流負(fù)溫度系數(shù)大小的方法以及實(shí)施例，并沒(méi)有涉及如何提高電流正溫度系數(shù)大小的方法以及實(shí)施例。
[0006]鑒于集成電路工藝中的各個(gè)器件都是具有溫度系數(shù)的，但是溫度系數(shù)都不是很大，所以如果需要獲得更大溫度系數(shù)特性參數(shù)就需要通過(guò)特定方法才能實(shí)現(xiàn)獲得特定溫度系數(shù)參數(shù)的目的。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型的目的是提供一種可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，通過(guò)簡(jiǎn)單的計(jì)算配比就可以得到任意所需正負(fù)溫度系數(shù)的電流源，不僅改善了熱敏電阻不易集成的缺點(diǎn)，同時(shí)本實(shí)用新型所涉及的方法不僅僅只是可以提高電流的負(fù)溫度系數(shù)，同時(shí)也可以提高電流的正溫度系數(shù)，并且本實(shí)用新型具有適用性廣、實(shí)用性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
[0008]本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是:
[0009]一種可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)恒流源包括第一恒流源、第二恒流源和加權(quán)減法運(yùn)算電路；所述第一恒流源和第二恒流源的溫度系數(shù)正負(fù)相反，所述第一恒流源和第二恒流源的輸出端分別連接到加權(quán)減法運(yùn)算電路的被減數(shù)輸入端和減數(shù)輸入端，所述加權(quán)減法運(yùn)算電路通過(guò)調(diào)節(jié)第一恒流源和第二恒流源的加權(quán)系數(shù)，輸出正負(fù)溫度系數(shù)可調(diào)的恒定電流。
[0010]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式之一，所述第一恒流源和第二恒流源均為電流鏡電路，該電流鏡電路由左、右PMOS管，左、右NMOS管和第一電阻組成，其中，所述左、右PMOS管的源極相連并接電源端，柵極相連并連接到右PMOS管的漏極，所述左、右NMOS管的柵極相連接并連接到左NMOS管的漏極，左NMOS管的源極接接地端，右NMOS管的源極通過(guò)第一電阻連接到接地端，所述左PMOS管和左NMOS管的漏極相連接，所述右PMOS管和右NMOS管的漏極相連接并且該連接點(diǎn)作為電流鏡電路的輸出端；
[0011] 所述加權(quán)減法運(yùn)算電路由第一、第二 PMOS管和第一、第二、第三、第四NMOS管組成，其中，所述第一、第二 PMOS管的源極相連并接電源端，所述第一、第二 NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第一 NMOS管的漏極，所述第三、第四NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第三NMOS管的漏極，所述第一 PMOS管與第一 NMOS管的漏極相連接，所述第二 PMOS管與第二、第三NMOS管的漏極相連接，所述第四NMOS管的漏極作為加權(quán)減法運(yùn)算電路的輸出端；
[0012]所述第一恒流源的輸出端連接到第二 PMOS管的柵極，所述第二恒流源的輸出端連接到第一 PMOS管的柵極；所述第一恒流源與第二恒流源的第一電阻的溫度系數(shù)正負(fù)相反；所述第一恒流源的加權(quán)系數(shù)為流過(guò)所述第二 PMOS管與流過(guò)第一恒流源的第一電阻的電流之比，所述第二恒流源的加權(quán)系數(shù)則為流過(guò)所述第二 NMOS管與流過(guò)第二恒流源的第一電阻的電流之比。
[0013]上優(yōu)選實(shí)施方式之一中，所述第一恒流源的第一電阻為N阱擴(kuò)散電阻，且所述第二恒流源的第一電阻為多晶硅電阻，或者，所述第一恒流源第一電阻為多晶硅電阻，且所述第二恒流源的第一電阻為N阱擴(kuò)散電阻。
[0014]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式之二，所述第一恒流源和第二恒流源均為恒流源電路，該恒流源電路由第一運(yùn)算放大器，第三、四、五、六PMOS管，第五NMOS管和第二電阻組成，其中，所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端接入基準(zhǔn)電壓，反相輸入端與第五NMOS管的源極相連，輸出端連接到第五NMOS管的柵極，所述第五NMOS管的源極通過(guò)第二電阻接接地端，漏極連接到第五PMOS管的漏極，所述第五、六PMOS管的柵極相連并連接到第五PMOS管的漏極，第五PMOS管的源極與第三PMOS管的漏極相連接并連接到第三、四PMOS管的柵極，所述第三、四PMOS管的源極相連并接電源端，第四PMOS管的漏極與第六PMOS管的源極相連接，所述第六PMOS管的漏極作為恒流源電路的輸出端；
[0015]所述加權(quán)減法運(yùn)算電路由第六、七、八、九、十、十一、十二、十三NMOS管組成，所述第六、七NMOS管的柵極相連并連接到第六NMOS管的漏極，第六NMOS管的源極與第十NMOS管的漏極相連，所述第十、十一 NMOS管的柵極相連并連接到第十NMOS管的漏極，第十一NMOS管的漏極與第七NMOS管的源極相連接，所述第八、九NMOS管的柵極相連并連接到第八NMOS管的漏極，第八NMOS管的源極與第十二 NMOS管的漏極相連，所述第十二、十三NMOS管的柵極相連并連接到第十二 NMOS管的漏極，第十三NMOS管的漏極與第九NMOS管的源極相連接，所述第十、1、十二、十三NMOS管的源極相連并接接地端,所述第七、八NMOS管的漏極相連接，所述第九NMOS管的漏極作為加權(quán)減法運(yùn)算電路的輸出端；
[0016]所述第一恒流源的輸出端連接到第七、八NMOS管的漏極連接點(diǎn)，所述第二恒流源的輸出端連接到第六NMOS管的漏極，所述第一恒流源與第二恒流源的第二電阻的溫度系數(shù)正負(fù)相反；所述第一恒流源的加權(quán)系數(shù)為流過(guò)所述第一恒流源的第四PMOS管與流過(guò)所述第一恒流源的第三PMOS管的電流之比，所述第二恒流源的加權(quán)系數(shù)則為流過(guò)所述第十一 NMOS管與流過(guò)所述第二恒流源的第三PMOS管的電流之比。
[0017]上述優(yōu)選實(shí)施方式之二中，所述第一恒流源的第一電阻為N阱擴(kuò)散電阻，且所述第二恒流源的第一電阻為多晶硅電阻，或者，所述第一恒流源的第一電阻為多晶硅電阻，且所述第二恒流源的第一電阻為N阱擴(kuò)散電阻。
[0018]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式之三，所述第一恒流源為負(fù)溫度系數(shù)電流源電路，且所述第二恒流源為具有正溫度系數(shù)的電流鏡電路；或者，所述第一恒流源為具有正溫度系數(shù)的電流鏡電路，且所述第二恒流源為負(fù)溫度系數(shù)電流源電路；
[0019]其中，所述負(fù)溫度系數(shù)電流源電路由第七PMOS管、第三電阻、第一三極管、第二三極管和第四電阻組成，所述第七PMOS管的源極接電源端，柵極與漏極相連接并且該連接點(diǎn)一路連接到第二三極管的集電極，另一路通過(guò)第三電阻連接到第二三極管的基極，所述第二三極管的基極與第一三極管的集電極相連，發(fā)射極與第一三極管的基極相連，所述第一三極管的基極通過(guò)第四電阻與第一三極管的發(fā)射極相連接，并且第一三極管的發(fā)射極與第四電阻的連接點(diǎn)接接地端，所述第七PMOS管的柵極作為負(fù)溫度系數(shù)電流源電路的輸出端;
[0020]所述電流鏡電路由左、右PMOS管，左、右NMOS管和第一電阻組成，其中，所述左、右PMOS管的源極相連并接電源端，柵極相連并連接到右PMOS管的漏極，所述左、右NMOS管的柵極相連接并連接到左NMOS管的漏極，左NMOS管的源極接接地端，右NMOS管的源極通過(guò)第一電阻連接到接地端，所述左PMOS管和左NMOS管的漏極相連接，所述右PMOS管和右NMOS管的漏極相連接并且該連接點(diǎn)作為電流鏡電路的輸出端，其中，所述第一電阻具有負(fù)溫度系數(shù)；
[0021]所述加權(quán)減法運(yùn)算電路由第一、第二 PMOS管和第一、第二、第三、第四NMOS管組成，其中，所述第一、第二 PMOS管的源極相連并接電源端，所述第一、第二 NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第一 NMOS管的漏極，所述第三、第四NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第三NMOS管的漏極，所述第一 PMOS管與第一 NMOS管的漏極相連接，所述第二 PMOS管與第二、第三NMOS管的漏極相連接，所述第四NMOS管的漏極作為加權(quán)減法運(yùn)算電路的輸出端，所述第二、一 PMOS管的柵極分別作為加權(quán)減法運(yùn)算電路的被減數(shù)輸入端和減數(shù)輸入端。
[0022]本實(shí)用新型還可作以下改進(jìn):所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)恒流源還包括電流放大電路；所述電流放大電路的輸入端與加權(quán)減法運(yùn)算電路的輸出端相連接，電流放大電路的輸出端作為可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)恒流源的輸出端。
[0023]作為本實(shí)用新型電流放大電路的一種實(shí)施方式，所述電流放大電路為鏡像電流源電路。
[0024]作為本實(shí)用新型電流放大電路的優(yōu)選實(shí)施方式，所述電流放大電路包括第七、八PMOS管，第十四、十五、十六NMOS管、第二運(yùn)算放大器和第五、六電阻，所述第十四、十五NMOS管的柵極相連并連接到第十四NMOS管的漏極，源極相連并接接地端，所述第十五NMOS管與第七PMOS管的漏極相連并連接到第七、八PMOS管的柵極，所述第七、八PMOS管的源極相連并接電源端，所述第八PMOS管的漏極一路連接到第二運(yùn)算放大器的同相輸入端，另一路通過(guò)第五電阻接接地端，所述第二運(yùn)算放大器的反相輸入端連接到第十六NMOS管的源極，輸出端連接到第十六NMOS管的柵極，所述第十六NMOS管的源極通過(guò)第六電阻接接地端，所述第十四NMOS管的漏極作為電流放大電路的輸入端，所述第十六NMOS管的漏極作為電流放大電路的輸出端。
[0025]如圖3-1所示,本實(shí)用新型的原理是通過(guò)較小負(fù)溫度系數(shù)的電流(Complementaryto Absolute Temperature, CTAT)減去較小正溫度系數(shù)的電流(Proportional to AbsoluteTemperature, PATA)以得到更大負(fù)溫度系數(shù)的電流ICTAT—。，同理，也可以通過(guò)較小正溫度系數(shù)的電流減去較小負(fù)溫度系數(shù)的電流得到更大正溫度系數(shù)電流IPATA—Q。
[0026]圖3-2示出了本實(shí)用新型獲得任意負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其通過(guò)對(duì)負(fù)溫度系數(shù)電流Ictat與正溫度系數(shù)電Ipata進(jìn)行加權(quán)組合，以得到更大負(fù)溫度系數(shù)的電流ICTAT—O。下面對(duì)該恒流源的原理進(jìn)行說(shuō)明:
[0027]電流的溫度系數(shù)計(jì)算公式為: [0029]Λ I為全溫度范圍內(nèi)的最大電流差值，/為全溫度范圍內(nèi)電流平均值，AT為溫度范圍。
[0030]電流Ictat的溫度系數(shù)為T(mén)CIctat,而電流Ipata的溫度系數(shù)為T(mén)CIptat。
[0031]本實(shí)用新型所述方法用于提高電流的正負(fù)溫度系數(shù)，通過(guò)用負(fù)溫度系數(shù)電流Ictat減去正溫度系數(shù)電流Ipata就可以提高電流的負(fù)溫度系數(shù)，而如果要得到指定的負(fù)溫度系數(shù)就要通過(guò)兩中不同特性電流的加權(quán)組合才能得到，同理，也可以提高正溫度系數(shù)。
[0032]從公式(I)可以看出，當(dāng)電流I的溫度系數(shù)為T(mén)CI，那么K*I的溫度系數(shù)不變，仍然會(huì)是TCI，其中系數(shù)K為放大倍 數(shù)。
[0033]下面就介紹這種通過(guò)加權(quán)來(lái)實(shí)現(xiàn)不同溫度系數(shù)電流的方法。
[0034]圖4中線(xiàn)性上升的直線(xiàn)代表具有任意正溫度系數(shù)的電流，而線(xiàn)性下降的直線(xiàn)代表具有負(fù)溫度系數(shù)的電流。
[0035]現(xiàn)在我們?nèi)绻胍玫綔囟认禂?shù)為T(mén)CIctatjj的電流ICTAT ()，Tmid為T(mén)min到Tmax之間的中間溫度，中間溫度Tniid下的瞬態(tài)電流為ICTAT—OTnid，可以通過(guò)對(duì)Ictat與Iptat進(jìn)行加權(quán)計(jì)算來(lái)獲取，具體做法下面有詳細(xì)介紹。
[0036]根據(jù)圖3所示示意圖，通過(guò)如下公式可以得到中間溫度Tmid下電流為Ictat OTmid。
[0037] [0038]其中的m與n為加權(quán)系數(shù)。
[0039]根據(jù)公式(I)可得Ictatjj的溫度系數(shù)TCIctatjj的計(jì)算公式如下:
r _ mX Al,+nxAI2
[0040]7 L-1ctat 0 — T a

J0X^T
[0041]圖4中的負(fù)溫度都是理想線(xiàn)性的，中間溫度Tniid下電流即為全溫度范圍內(nèi)的電流平均值，所以J0可以用ICTAT—OTmid替代。
[0042] AT................................................................................................(4)[0043]而其中部分公式可以得到化簡(jiǎn)，如下所示:
[0044]
【權(quán)利要求】
1.一種可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)恒流源包括第一恒流源(Al)、第二恒流源(A2)和加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3);所述第一恒流源(Al)和第二恒流源(A2)的溫度系數(shù)正負(fù)相反，所述第一恒流源(Al)和第二恒流源(A2)的輸出端分別連接到加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)的被減數(shù)輸入端和減數(shù)輸入端，所述加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)通過(guò)調(diào)節(jié)第一恒流源(Al)和第二恒流源(A2)的加權(quán)系數(shù)，輸出正負(fù)溫度系數(shù)可調(diào)的恒定電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述第一恒流源(Al)和第二恒流源(A2)均為電流鏡電路，該電流鏡電路由左、右PMOS管，左、右NMOS管和第一電阻組成，其中，所述左、右PMOS管的源極相連并接電源端，柵極相連并連接到右PMOS管的漏極，所述左、右NMOS管的柵極相連接并連接到左NMOS管的漏極，左NMOS管的源極接接地端，右NMOS管的源極通過(guò)第一電阻連接到接地端，所述左PMOS管和左NMOS管的漏極相連接，所述右PMOS管和右NMOS管的漏極相連接并且該連接點(diǎn)作為電流鏡電路的輸出端； 所述加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)由第一、第二 PMOS管和第一、第二、第三、第四NMOS管組成，其中，所述第一、第二 PMOS管的源極相連并接電源端，所述第一、第二 NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第一 NMOS管的漏極，所述第三、第四NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第三NMOS管的漏極，所述第一 PMOS管與第一 NMOS管的漏極相連接，所述第二 PMOS管與第二、第三NMOS管的漏極相連接，所述第四NMOS管的漏極作為加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)的輸出端； 所述第一恒流源(Al)的輸出端連接到第二 PMOS管的柵極，所述第二恒流源(A2)的輸出端連接到第一 PMOS管的柵極；所述第一恒流源(Al)與第二恒流源(A2)的第一電阻的溫度系數(shù)正負(fù)相反；所述第一恒流源(Al)的加權(quán)系數(shù)為流過(guò)所述第二 PMOS管與流過(guò)第一恒流源(Al)的第一電阻的電流之比，所述第二恒流源(A2)的加權(quán)系數(shù)則為流過(guò)所述第二NMOS管與流過(guò)第二恒流源(A2)的第一電阻的電流之比。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述第一恒流源(Al)的第一電阻為N阱擴(kuò)散電阻`，且所述第二恒流源(A2)的第一電阻為多晶硅電阻，或者，所述第一恒流源(Al)的第一電阻為多晶硅電阻，且所述第二恒流源(A2)的第一電阻為N阱擴(kuò)散電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述第一恒流源(Al)和第二恒流源(A2)均為恒流源電路，該恒流源電路由第一運(yùn)算放大器，第三、四、五、六PMOS管，第五NMOS管和第二電阻組成，其中，所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端接入基準(zhǔn)電壓，反相輸入端與第五NMOS管的源極相連，輸出端連接到第五NMOS管的柵極，所述第五NMOS管的源極通過(guò)第二電阻接接地端，漏極連接到第五PMOS管的漏極，所述第五、六PMOS管的柵極相連并連接到第五PMOS管的漏極，第五PMOS管的源極與第三PMOS管的漏極相連接并連接到第三、四PMOS管的柵極，所述第三、四PMOS管的源極相連并接電源端，第四PMOS管的漏極與第六PMOS管的源極相連接，所述第六PMOS管的漏極作為恒流源電路的輸出端； 所述加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)由第六、七、八、九、十、十一、十二、十三NMOS管組成，所述第六、七NMOS管的柵極相連并連接到第六NMOS管的漏極，第六NMOS管的源極與第十NMOS管的漏極相連，所述第十、十一 NMOS管的柵極相連并連接到第十NMOS管的漏極，第十一NMOS管的漏極與第七NMOS管的源極相連接，所述第八、九NMOS管的柵極相連并連接到第八NMOS管的漏極，第八NMOS管的源極與第十二 NMOS管的漏極相連，所述第十二、十三NMOS管的柵極相連并連接到第十二 NMOS管的漏極，第十三NMOS管的漏極與第九NMOS管的源極相連接，所述第十、1、十二、十三NMOS管的源極相連并接接地端,所述第七、八NMOS管的漏極相連接，所述第九NMOS管的漏極作為加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)的輸出端； 所述第一恒流源(Al)的輸出端連接到第七、八NMOS管的漏極連接點(diǎn)，所述第二恒流源(A2)的輸出端連接到第六NMOS管的漏極，所述第一恒流源(Al)與第二恒流源(A2)的第二電阻的溫度系數(shù)正負(fù)相反；所述第一恒流源(Al)的加權(quán)系數(shù)為流過(guò)所述第一恒流源(Al)的第四PMOS管與流過(guò)所述第一恒流源(Al)的第三PMOS管的電流之比，所述第二恒流源(A2)的加權(quán)系數(shù)則為流過(guò)所述第十一 NMOS管與流過(guò)所述第二恒流源(A2)的第三PMOS管的電流之比。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述第一恒流源(Al)的第一電阻為N阱擴(kuò)散電阻，且所述第二恒流源(A2)的第一電阻為多晶硅電阻，或者，所述第一恒流源(Al)的第一電阻為多晶硅電阻，且所述第二恒流源(A2)的第一電阻為N阱擴(kuò)散電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述第一恒流源(Al)為負(fù)溫度系數(shù)電流源電路，且所述第二恒流源(A2)為具有正溫度系數(shù)的電流鏡電路；或者，所述第一恒流源(Al)為具有正溫度系數(shù)的電流鏡電路，且所述第二恒流源(A2)為負(fù)溫度系數(shù)電流源電路； 其中，所述負(fù)溫度系數(shù)電流源電路由第七PMOS管、第三電阻、第一三極管、第二三極管和第四電阻組成，所述第七PMOS管的源極接電源端，柵極與漏極相連接并且該連接點(diǎn)一路連接到第二三極管的集電極，另一路通過(guò)第三電阻連接到第二三極管的基極，所述第二三極管的基極與第一三極管的集電極相連，發(fā)射極與第一三極管的基極相連，所述第一三極管的基極通過(guò)第四電阻與第一三極管的發(fā)射極相連接，并且第一三極管的發(fā)射極與第四電阻的連接點(diǎn)接接地端，所述第七`PMOS管的柵極作為負(fù)溫度系數(shù)電流源電路的輸出端； 所述電流鏡電路由左、右PMOS管，左、右NMOS管和第一電阻組成，其中，所述左、右PMOS管的源極相連并接電源端，柵極相連并連接到右PMOS管的漏極，所述左、右NMOS管的柵極相連接并連接到左NMOS管的漏極，左NMOS管的源極接接地端，右NMOS管的源極通過(guò)第一電阻連接到接地端，所述左PMOS管和左NMOS管的漏極相連接，所述右PMOS管和右NMOS管的漏極相連接并且該連接點(diǎn)作為電流鏡電路的輸出端，其中，所述第一電阻具有負(fù)溫度系數(shù)； 所述加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)由第一、第二 PMOS管和第一、第二、第三、第四NMOS管組成，其中，所述第一、第二 PMOS管的源極相連并接電源端，所述第一、第二 NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第一 NMOS管的漏極，所述第三、第四NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第三NMOS管的漏極，所述第一 PMOS管與第一 NMOS管的漏極相連接，所述第二 PMOS管與第二、第三NMOS管的漏極相連接，所述第四NMOS管的漏極作為加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)的輸出端，所述第二、一 PMOS管的柵極分別作為加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)的被減數(shù)輸入端和減數(shù)輸入端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)恒流源還包括電流放大電路(A4);所述電流放大電路(A4)的輸入端與加權(quán)減法運(yùn)算電路(A3)的輸出端相連接，電流放大電路(A4)的輸出端作為可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)恒流源的輸出端。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述電流放大電路(A4)為鏡像電流源電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可調(diào)正負(fù)溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于:所述電流放大電路(A4)包括第七、八PMOS管，第十四、十五、十六NMOS管、第二運(yùn)算放大器和第五、六電阻，所述第十四、十五NMOS管的柵極相連并連接到第十四NMOS管的漏極，源極相連并接接地端，所述第十五NMOS管與第七PMOS管的漏極相連并連接到第七、八PMOS管的柵極，所述第七、八PMOS管的源極相連并接電源端，所述第八PMOS管的漏極一路連接到第二運(yùn)算放大器的同相輸入端，另一路通過(guò)第五電阻接接地端，所述第二運(yùn)算放大器的反相輸入端連接到第十六NMOS管的源極，輸出端連接到第十六NMOS管的柵極，所述第十六NMOS管的源極通過(guò)第六電阻接接地端，所述第十四NMOS管的漏極作為電流放大電路(A4)的輸入端，所述第十六NMOS管的漏極作為電流放大電路(A4)的輸出端。
【文檔編號(hào)】G05F1/567GK203376664SQ201320410704
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月10日
【發(fā)明者】曾正球 申請(qǐng)人:廣州金升陽(yáng)科技有限公司