專利名稱：加熱器及芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及通信領(lǐng)域，具體而言，涉及一種加熱器及芯片。
背景技術(shù)：
隨著3G無(wú)線通信技術(shù)的飛速發(fā)展和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的不斷壯大，行業(yè)用戶對(duì)于3G功能的需求也日趨增多。以LGA為代表的新封裝形式模塊以其穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)特性及良好的環(huán)境適應(yīng)性受到了越來(lái)越多行業(yè)用戶設(shè)計(jì)廠家的青睞。工業(yè)級(jí)電子產(chǎn)品的溫度范圍一般為-40— 85°C，以適應(yīng)不同區(qū)域的惡劣工作溫度需求。市面主流模塊產(chǎn)品所用的3G芯片平臺(tái)溫度范圍低溫大多只支持到-30°C，如使用此類平臺(tái)不加任何處理的話在低于_30°C的情況下會(huì)出現(xiàn)性能下降，功能喪失，尤其是對(duì)于3G芯片而言，由于溫度低，芯片無(wú)法正常工作，導(dǎo)致無(wú)法正常開(kāi)機(jī)。針對(duì)相關(guān)技術(shù)中電子產(chǎn)品由于溫度低，導(dǎo)致性能下降的問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)電子產(chǎn)品由于溫度低，導(dǎo)致性能下降的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種加熱器及芯片，以至少解決該問(wèn)題。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供了一種加熱器，包括:檢測(cè)單元，用于在溫度變化時(shí)，輸出負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻對(duì)應(yīng)的第一電壓；加熱單元，連接至所述檢測(cè)單元，用于在所述第一電壓的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，進(jìn)行加熱，其中，所述預(yù)設(shè)電壓為需要加熱的溫度下所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻和預(yù)設(shè)電阻 的分壓值。優(yōu)選地，所述檢測(cè)單元包括:第一電阻、負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻和接口 ；其中，所述第一電阻的兩端中的一端連接至模擬電壓，所述兩端中的另一端連接至所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻；所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的兩端中的一端連接至所述第一電阻，所述兩端中的另一端連接至接地點(diǎn)GND ；所述接口，同時(shí)連接至所述第一電阻和所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，用于輸出所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻從所述模擬電壓分得的所述第一電壓。優(yōu)選地，上述加熱器還包括:判斷單元，連接至所述檢測(cè)單元，用于當(dāng)所述檢測(cè)單元輸出的所述第一電壓大于所述預(yù)設(shè)電壓時(shí)，輸出邏輯高電平；或者當(dāng)所述檢測(cè)單元輸出的電壓小于所述預(yù)設(shè)電壓時(shí)，輸出邏輯低電平；所述加熱單元，還連接至所述判斷單元，用于所述判斷單元輸出所述邏輯高電平時(shí)，進(jìn)行加熱，或所述判斷單元輸出所述邏輯低電平時(shí)，停止加熱。優(yōu)選地，所述判斷單元包括:電壓比較器，第二電阻和第三電阻；所述電壓比較器，用于在該電壓比較器的兩個(gè)輸入端的第一輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)，輸出邏輯高電平；或在所述第一輸入端的電壓小于所述第二輸入端的電壓時(shí)，輸出邏輯低電平；其中，所述第一輸入端連接至所述接口，所述第二輸入端分別于所述第二電阻和所述第三電阻相連；所述第二電阻的兩端中的一端連接至所述模擬電壓，所述第二電阻的所述兩端中的另一端連接至所述第三電阻；所述第三電阻的兩端中的一端連接至所述第二電阻，所述第三電阻的兩端中的一端連接至接地點(diǎn)。優(yōu)選地，所述第一電阻的阻值和所述第二電阻的阻值相同。優(yōu)選地，所述第三電壓的阻值為所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻在預(yù)設(shè)溫度下的瞬時(shí)電阻值。優(yōu)選地，所述加熱單元包括:三極管、一個(gè)或多個(gè)熱功率電阻；所述三極管，用于在所述三極管的基極的輸入為正電壓時(shí)，導(dǎo)通該三極管的集電極和發(fā)射極的電路，或在所述基級(jí)的輸入為負(fù)電壓時(shí)，截止所述電路；其中，所述基極連接至所述電壓判斷器的輸出端口，所述集電極連接至所述一個(gè)或多個(gè)熱功率電阻；所述一個(gè)或多個(gè)熱功率電阻串聯(lián)或并聯(lián)在集電極或系統(tǒng)電壓之間。根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，提供了一種芯片，包括:上述的加熱器。通過(guò)本實(shí)用新型，采用包括檢測(cè)單元和加熱單元的加熱器，該檢測(cè)單元用于在溫度變化時(shí)，輸出負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻對(duì)應(yīng)的第一電壓；加熱單元，連接至該檢測(cè)單元，用于在該第一電壓的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，進(jìn)行加熱，其中，該預(yù)設(shè)電壓為需要加熱的溫度下該負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻對(duì)應(yīng)的電壓值，解決了相關(guān)技術(shù)中電子產(chǎn)品由于溫度低，導(dǎo)致性能下降的問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)到了提高電子產(chǎn)品的工作效率的效果。

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中: 圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的加熱器的結(jié)構(gòu)框圖；圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的檢測(cè)單元的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)框圖；圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的加熱器的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)框圖一；圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的加熱單元的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)框圖；圖5是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路的示意圖；圖6是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的溫度比較電路的示意圖；以及圖7是根據(jù)本實(shí)用新型的加熱控制電路的示意圖。
具體實(shí)施方式
下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。在相關(guān)技術(shù)中，環(huán)境溫度低于-30°C時(shí)，已經(jīng)到了多數(shù)可選的芯片(例如:3G芯片)平臺(tái)溫度的下限，如不加任何處理的話，會(huì)有很大出問(wèn)題概率。解決惡劣環(huán)境下工作問(wèn)題的常用作法是堵，即用刷三防漆之類的防護(hù)材料，這種方式對(duì)短時(shí)間內(nèi)的低溫沖擊有一定的效果，但長(zhǎng)時(shí)間低溫環(huán)境下達(dá)到溫度平衡后就不起任何作用了。而且，這類材料對(duì)于正常工作情況下的散熱等方面都會(huì)有一定的影響。[0031]在下述實(shí)施例中，當(dāng)?shù)蜏叵履K產(chǎn)品不能正常工作的話，在溫度較低下的情況下對(duì)模塊內(nèi)部進(jìn)行預(yù)熱處理。本實(shí)用新型提供了一種加熱器，圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的加熱器的結(jié)構(gòu)框圖，包括:檢測(cè)單元12，加熱單元14，下面對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。檢測(cè)單元12，用于在溫度變化時(shí)，輸出負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻對(duì)應(yīng)的第一電壓；力口熱單元14，連接至檢測(cè)單元12，用于在該第一電壓的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，進(jìn)行加熱，其中，所述預(yù)設(shè)電壓為需要加熱的溫度下該負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻和預(yù)設(shè)電阻的分壓值。通過(guò)該優(yōu)選實(shí)施例，在溫度變化時(shí)，檢測(cè)單元12輸出第一電壓，當(dāng)該第一電壓大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，通過(guò)加熱單元12進(jìn)行加熱，解決了相關(guān)技術(shù)中電子產(chǎn)品由于溫度低，導(dǎo)致性能下降的問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)到了提高電子產(chǎn)品的工作效率的效果。圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的檢測(cè)單元的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)框圖，如圖2所示，該檢測(cè)單元12包括:第一電阻122、負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻124和接口 126，其中，第一電阻122的兩端中的一端連接至模擬電壓，兩端中的另一端連接至負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻124 ;負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻124 的兩端中的一端連接至第一電阻122，兩端中的另一端連接至接地點(diǎn)(GND);接口 126，同時(shí)連接至第一電阻122和負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻124，用于輸出負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻124從該模擬電壓分得的第一電壓。圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的加熱器的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)框圖一，如圖3所示，該加熱器還包括:判斷單元32，連接至檢測(cè)單元12，用于當(dāng)檢測(cè)單元12輸出的第一電壓大于該預(yù)設(shè)電壓時(shí)，輸出邏輯高電平；或者當(dāng)該第一電壓小于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，輸出邏輯低電平；該加熱單元，還連接至該判斷單元32，用于該判斷單元32輸出該邏輯高電平時(shí)，進(jìn)行加熱，或該判斷單元輸出邏輯低電平時(shí)，停止加熱。優(yōu)選地，該判斷單元32包括:電壓比較器322，第二電阻324和第三電阻326。該電壓比較器322，用于在該電壓比較器的兩個(gè)輸入端的第一輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)，輸出邏輯高電平；或在該第一輸入端的電壓小于該第二輸入端的電壓時(shí)，輸出邏輯低電平；其中，該第一輸入端連接至該接口，該第二輸入端分別于該第二電阻和該第三電阻相連；該第二電阻324的兩端中的一端連接至該模擬電壓，該第二電阻324的該兩端中的另一端連接至該第三電阻326 ;該第三電阻的兩端中的一端連接至該第二電阻324，該第三電阻的兩端中的一端連接至接地點(diǎn)。優(yōu)選地，該第一電阻的阻值和該第二電阻的阻值相同。優(yōu)選地，該第三電壓的阻值為該負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻在預(yù)設(shè)溫度下的瞬時(shí)電阻值。圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的加熱單元的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)框圖，加熱單元14包括:三極管142、一個(gè)或多個(gè)熱功率電阻144。該三極管142，用于在該三極管的基極的輸入為正電壓時(shí)，導(dǎo)通該三極管的集電極和發(fā)射極的電路，或在該基級(jí)的輸入為負(fù)電壓時(shí)，截止該電路；其中，該基極連接至該電壓判斷器的輸出端口，該集電極連接至該一個(gè)或多個(gè)熱功率電阻144;該熱功率電阻的兩端中的一端連接至該集電極，該熱功率電阻的兩端中的另一端連接至系統(tǒng)電壓。根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，提供了一種芯片，包括:上述的加熱器。下面將結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，以下優(yōu)選實(shí)施例結(jié)合了上述實(shí)施例及優(yōu)選實(shí)施方式。優(yōu)選實(shí)施例一本實(shí)用新型提供了一種加熱器，該加熱器包括:溫度檢測(cè)電路、溫度比較電路、力口熱控制電路，該三個(gè)電路分別如圖5至7所示。在本實(shí)施例中，在需要處理的3G處理器芯片的周邊放置如圖5所示的溫度檢測(cè)電路，用于實(shí)時(shí)檢測(cè)芯片的工作溫度；工作溫度變化會(huì)使圖5中的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻RTl的阻值發(fā)生變化，從而與Rl分壓VCC_ANAL0G得到TEMP_DET發(fā)生變化。如圖6中的溫度比較電路所示，R2和R3對(duì)VCC_ANAL0G進(jìn)行分壓得到模擬電壓值TEMP，這里R2的阻值和Rl相同，R3的值與我們所用3G芯片的工作溫度負(fù)門限下RTl的瞬時(shí)阻值相同，這個(gè)阻值可以根據(jù)選用的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻RTl的數(shù)據(jù)手冊(cè)上提供的計(jì)算公式得到，這個(gè)值是固定的，那么TEMP將是一個(gè)固定值。在本實(shí)施例中，TEMP_DET的值和TEMP的值會(huì)由電壓比較器Zl進(jìn)行比較，當(dāng)TEMP_DET的值大于TEMP的值時(shí)HEAT CONTROL輸出為高電平，當(dāng)TEMP_DET的值小于TEMP的值時(shí)HEAT CONTROL輸出為低電平。由負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的特性得知，當(dāng)溫度升高時(shí)RTl的值會(huì)變大，相反當(dāng)溫度降低時(shí)RTl的值會(huì)變小。那么，當(dāng)溫度高于3G芯片的工作溫度負(fù)門限時(shí)TEMP_DET的值就會(huì)小于TEMP的值，從而HEAT CONTROL輸出為低電平；而當(dāng)溫度低于3G芯片的工作溫度負(fù)門限時(shí)TEMP_DET的值就會(huì)大于TEMP的值，從而HEAT CONTROL輸出為高電平。如圖7中的加熱控制電路所示，當(dāng)HEAT CONTROL輸出為低電平時(shí)圖7中的VTl的PIN2和PIN3之間處于斷開(kāi)狀態(tài) ，熱功率電阻RPl不會(huì)有電流流過(guò)，也不會(huì)發(fā)熱。當(dāng)HEATC0NTR0L輸出為高電平時(shí)圖7中的VTl的PIN2和PIN3之間處于導(dǎo)通狀態(tài)，熱功率電阻RPl兩端和電勢(shì)差，會(huì)持續(xù)發(fā)熱。當(dāng)溫度低于3G芯片的工作溫度負(fù)門限時(shí)，PRl發(fā)熱，會(huì)引起3G芯片周邊環(huán)境溫度的升高，這個(gè)過(guò)程中TEMP_DET的值會(huì)降低，當(dāng)溫度等于3G芯片的工作溫度負(fù)門限，TEMP_DET的值與TEMP剛好相等，當(dāng)溫度超過(guò)3G芯片的工作溫度負(fù)門限后，PRl停止發(fā)熱。通過(guò)本優(yōu)選實(shí)施例的電路，可以保證3G芯片周邊環(huán)境溫度不低于其工作溫度的負(fù)門限。以保證3G芯片的正常工作。為了更好的實(shí)現(xiàn)上述功能，RTl和PRl的所有電路和3G芯片放在一個(gè)屏蔽分腔內(nèi)(不要太大)，這樣可以保證預(yù)熱效果的實(shí)時(shí)性和準(zhǔn)確性；RT1和PRl盡量靠近3G芯片放置；RTl和PRl之間不宜離得太近。優(yōu)選地，在需預(yù)熱芯片所在分腔內(nèi)注滿導(dǎo)熱膠以提高加熱的效率；PR1可以是多個(gè)并聯(lián)的熱功率電阻，按需求分布放置在需預(yù)熱的芯片周圍。比較優(yōu)的，為了提升加熱效果，可以把PRl用加熱膜進(jìn)行代替。下面對(duì)圖5-7中的標(biāo)識(shí)進(jìn)行說(shuō)明:Rl:貼片電阻器I;RTl:負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻；VCC_ANAL0G:穩(wěn)定的模擬電壓； TEMP_DET:RT1 與 Rl 分壓 VCC_ANAL0G 得到的電壓；[0062]R2:貼片電阻器2;R3:貼片電阻器3;Zl:電壓比較器；TEMP:R2 與 R3 分壓 VCC_ANAL0G 得到的電壓；VDD:系統(tǒng)電壓；HEAT CONTROL:TEMP_DET與TEMP經(jīng)Zl比較后輸出的邏輯電平；VTl:控制加熱的門電路(舉例中使用的三極管)；PRl:熱功率電阻(可以是多個(gè)并聯(lián))。優(yōu)選實(shí)施例二本實(shí)用新型提供了一種加熱器，該加熱器包括::溫度檢測(cè)電路、加熱控制電路，該兩個(gè)電路分別如圖5和7所示。在本實(shí)施例中，可以應(yīng)用三極管的開(kāi)關(guān)特性，省去了優(yōu)選實(shí)施例二中圖6的電路，調(diào)整Rl的值，把Rl和臨界溫度下RTl的分壓值調(diào)整到圖3中VTl的開(kāi)關(guān)電壓相同。把TEMP_DET連接到HEAT CONTROL，這樣在溫度降低到臨界溫度時(shí)三極管打開(kāi)，進(jìn)行加熱操作。該優(yōu)選實(shí)施方式可以應(yīng)用在空間較小環(huán)境。通過(guò)上述實(shí)施例，提供了一種加熱器及芯片，通過(guò)低溫自動(dòng)檢測(cè)及預(yù)熱電路可以解決模塊在低溫下的工作問(wèn)題，對(duì)模塊產(chǎn)品低溫環(huán)境下正常工作可起到很好的保證作用，可以動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)芯片所處的·小環(huán)境里的溫度。為模塊產(chǎn)品(例如:3G模塊)更好地適應(yīng)低溫度環(huán)境提供有效的解決方案。需要說(shuō)明的是，這些技術(shù)效果并不是上述所有的實(shí)施方式所具有的，有些技術(shù)效果是某些優(yōu)選實(shí)施方式才能取得的。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種加熱器，其特征在于包括: 檢測(cè)單元，用于在溫度變化時(shí)，輸出負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻對(duì)應(yīng)的第一電壓； 加熱單元，連接至所述檢測(cè)單元，用于在所述第一電壓的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，進(jìn)行加熱，其中，所述預(yù)設(shè)電壓為需要加熱的溫度下所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻和預(yù)設(shè)電阻的分壓值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱器，其特征在于， 所述檢測(cè)單元包括:第一電阻、負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻和接口 ； 其中，所述第一電阻的兩端中的一端連接至模擬電壓，所述兩端中的另一端連接至所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻； 所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的兩端中的一端連接至所述第一電阻，所述兩端中的另一端連接至接地點(diǎn)GND ； 所述接口，同時(shí)連接至所述第一電阻和所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，用于輸出所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻從所述模擬電壓分得的所述第一電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加熱器，其特征在于，還包括: 判斷單元，連接至所述檢測(cè)單元，用于當(dāng)所述檢測(cè)單元輸出的所述第一電壓大于所述預(yù)設(shè)電壓時(shí)，輸出邏輯高電平；或者當(dāng)所述第一電壓小于所述預(yù)設(shè)電壓時(shí)，輸出邏輯低電平; 所述加熱單元，還連接至所述判斷單元，用于所述判斷單元輸出所述邏輯高電平時(shí)，進(jìn)行加熱，或所述判斷單元輸出所述邏輯低電平時(shí)，停止加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱器，其特征在于， 所述判斷單元包括:電壓比較器，第二電阻和第三電阻； 所述電壓比較器，用于在該電壓比較器的兩個(gè)輸入端的第一輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)，輸出邏輯高電平；或在所述第一輸入端的電壓小于所述第二輸入端的電壓時(shí)，輸出邏輯低電平； 其中，所述第一輸入端連接至所述接口，所述第二輸入端分別于所述第二電阻和所述第三電阻相連； 所述第二電阻的兩端中的一端連接至所述模擬電壓，所述第二電阻的所述兩端中的另一端連接至所述第三電阻； 所述第三電阻的兩端中的一端連接至所述第二電阻，所述第三電阻的兩端中的一端連接至接地點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱器，其特征在于， 所述第一電阻的阻值和所述第二電阻的阻值相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱器，其特征在于， 所述第三電壓的阻值為所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻在預(yù)設(shè)溫度下的瞬時(shí)電阻值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4至6中任一項(xiàng)所述的加熱器，其特征在于， 所述加熱單元包括:三極管、一個(gè)或多個(gè)熱功率電阻； 所述三極管，用于在所述三極管的基極的輸入為正電壓時(shí)，導(dǎo)通該三極管的集電極和發(fā)射極的電路，或在所述三級(jí)管的基極的輸入為負(fù)電壓時(shí)，截止所述電路； 其中，所述基極連接至所述電壓判斷器的輸出端口，所述集電極連接至所述一個(gè)或多個(gè)熱功率電阻；所述一個(gè)或多個(gè)熱功率電阻串聯(lián)或并聯(lián)在所述集電極或所述系統(tǒng)電壓之間。
8.—種芯片，其特征 在于包括:權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的加熱器。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種加熱器及芯片，該加熱器包括檢測(cè)單元，用于在溫度變化時(shí)，輸出負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻對(duì)應(yīng)的第一電壓；加熱單元，連接至檢測(cè)單元，用于在第一電壓的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，進(jìn)行加熱，其中，預(yù)設(shè)電壓為需要加熱的溫度下負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻對(duì)應(yīng)的電壓值。通過(guò)本實(shí)用新型，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)芯片所處的小環(huán)境里的溫度。
文檔編號(hào)G05D23/30GK203149425SQ20132011412
公開(kāi)日2013年8月21日 申請(qǐng)日期2013年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月13日
發(fā)明者何祥宇, 孫維菊, 袁杰 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司