參考電壓產(chǎn)生電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種參考電壓產(chǎn)生電路，用以產(chǎn)生一參考電壓，包括一帶隙電路與一補償電路。帶隙電路包括一啟動電路、一電流鏡電路與一輸出電路。啟動電路用以啟動帶隙電路。電流鏡電路用以產(chǎn)生第一電流。輸出電路用以根據(jù)第一電流產(chǎn)生一參考電流。補償電路與帶隙電路并聯(lián)耦接于一接合端點，用以產(chǎn)生一補償電流。補償電流小于參考電流，參考電流具有一第一溫度系數(shù)，補償電流具有與第一溫度系數(shù)反向的一第二溫度系數(shù)，參考電流與補償電流合并于接合端點，使得在該接合端點的該參考電壓的一溫度系數(shù)的一絕對值小于該第一溫度系數(shù)的一絕對值與第二溫度系數(shù)的一絕對值。以此，使得使得帶隙參考電路所輸出的參考電壓更為穩(wěn)定。
【專利說明】參考電壓產(chǎn)生電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種低溫度系數(shù)的帶隙參考電路與其設(shè)計方法；特別關(guān)于一種通過溫度補償修正而得到穩(wěn)定參考電壓的電路與方法。

【背景技術(shù)】
[0002]帶隙(Bandgap)參考電路被廣泛應(yīng)用于多個電路設(shè)計的領(lǐng)域，用以提供穩(wěn)定的參考電壓。帶隙電路通常為一大型集成電路的一個部分，用以為集成電路的其他電路提供參考電壓。因此，帶隙參考電路必須對于溫度與操作電壓的變化不敏感。
[0003]然而，實際上，帶隙參考電路所輸出的參考電壓很難完全不隨溫度的變化而改變。因此，需要一種通過溫度補償修正而得到穩(wěn)定參考電壓的電路與方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于帶隙參考電路必須對于溫度與操作電壓的變化不敏感，所以當(dāng)前需要一種方法以此解決帶隙參考電路對于溫度與操作電壓的變化敏感的問題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，一種參考電壓產(chǎn)生電路，用以產(chǎn)生一參考電壓，包括一帶隙電路與一補償電路。帶隙電路包括一電流鏡電路與一輸出電路。上述帶隙電路是由一啟動電路進行啟動。電流鏡電路用以產(chǎn)生第一電流。輸出電路用以根據(jù)第一電流產(chǎn)生一參考電流。補償電路與帶隙電路并聯(lián)耦接于一接合端點，用以產(chǎn)生一補償電流。補償電流小于參考電流，參考電流具有一第一溫度系數(shù)，補償電流具有與第一溫度系數(shù)反向的一第二溫度系數(shù)，參考電流與補償電流合并于接合端點，使得在該接合端點的該參考電壓的一溫度系數(shù)的一絕對值小于該第一溫度系數(shù)的一絕對值與第二溫度系數(shù)的一絕對值。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種參考電壓產(chǎn)生電路，用以產(chǎn)生一參考電壓，包括一帶隙電路與一補償電路。帶隙電路用以產(chǎn)生一參考電流，其包含:第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管與第七晶體管。第一晶體管具有第一極耦接至一操作電壓。第二晶體管具有一第一極與一第二極共同耦接至第一晶體管的一第二極，以及一第三極耦接至一接地點。第三晶體管與第四晶體管組成一第一電流鏡。第五晶體管具有一第一極耦接至第四晶體管，一第二極耦接至第三晶體管，以及一第三極耦接至一第一電阻。第六晶體管具有一第一極耦接至第三晶體管，一第二極耦接至第一電阻，以及一第三極耦接至接地點。第七晶體管具有一第一極耦接至操作電壓，一第二極耦接至電流鏡，以及一第三極耦接至一接合端點。補償電路與帶隙電路并聯(lián)耦接于接合端點，用以產(chǎn)生一補償電流。補償電流小于參考電流，參考電流具有一第一溫度系數(shù)，補償電流具有與第一溫度系數(shù)反向的一第二溫度系數(shù)，參考電流與補償電流合并于接合端點，使得在該接合端點的參考電壓的一溫度系數(shù)的一絕對值小于第一溫度系數(shù)的一絕對值與第二溫度系數(shù)的一絕對值。
[0007]本發(fā)明的有益效果在于:通過上述方法以此解決了帶隙參考電路對于溫度與操作電壓的變化敏感的問題，使得帶隙參考電路所輸出的參考電壓更為穩(wěn)定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的參考電壓產(chǎn)生電路方塊圖。
[0009]圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的帶隙電路的電路圖范例。
[0010]圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的帶隙電路的輸出電壓與操作電壓曲線圖。
[0011]圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所述的帶隙電路的輸出電壓與溫度曲線圖。
[0012]圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的補償電路的電路圖范例。
[0013]圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所述的補償電路的補償電流與溫度曲線圖。
[0014]圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的參考電壓產(chǎn)生電路的電路圖范例。
[0015]圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的參考電壓產(chǎn)生電路的參考電壓與操作電壓曲線圖。
[0016]圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的參考電壓產(chǎn)生電路的操作電壓與溫度曲線圖
[0017]圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的P型基底雙井區(qū)工藝示意圖。
[0018]附圖標(biāo)記
[0019]100,700參考電壓產(chǎn)生電路
[0020]110,210 帶隙電路
[0021]120、520 補償電路
[0022]111啟動電路
[0023]112電流鏡電路
[0024]113輸出電路
[0025]Cl 電容
[0026]Il、Ic_、IKef 電流
[0027]NC、0UT1、0UT2 端點
[0028]N-we 11 N 型井區(qū)
[0029]P-we 11 P 型井區(qū)
[0030]P-sub P 型基底
[0031]Rl、R2、R3、R4、RLoad、RLoadl、RLMd2 電阻
[0032]T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12 晶體管
[0033]VDD、VKef 電壓

【具體實施方式】
[0034]為使本發(fā)明的制造、操作方法、目標(biāo)和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉幾個較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下:
[0035]實施例:
[0036]圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的參考電壓產(chǎn)生電路方塊圖。參考電壓產(chǎn)生電路100包括一帶隙(Bandgap)電路110與一補償電路120。帶隙電路110可包括一啟動電路111、一電流鏡電路112與一輸出電路113。啟動電路111用以啟動帶隙電路110，電流鏡電路112用以產(chǎn)生第一電流(如圖2所示的電流II)，而輸出電路113用以根據(jù)第一電流產(chǎn)生一參考電流IKef。補償電路120可產(chǎn)生一補償電流1。。_，并且與帶隙電路110耦接于一接合端點N。。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，補償電流可被設(shè)計為小于參考電流Iltef的一微小電流，并且可具有與參考電流反向的溫度系數(shù)。舉例而言，當(dāng)參考電流Iltef具有正溫度系數(shù)(Proport1nal To Absolute Temperature,縮寫為 PTAT)時，補償電流 Icraiip 具有負(fù)溫度系數(shù)(Inversely Proport1nal To Absolute Temperature,縮寫為 IPTAT)。同樣地，當(dāng)參考電流Iltef具有負(fù)溫度系數(shù)時，補償電流Icmip具有正溫度系數(shù)。
[0037]參考電流Iltef與補償電流Icmip合并于接合端點N。,并在接合端點N。產(chǎn)生一參考電壓VKrf，使得參考電壓產(chǎn)生電路100最終產(chǎn)生的參考電壓VKrf的一溫度系數(shù)絕對值小于參考電流Iltef的溫度系數(shù)絕對值與補償電流Iqmip的溫度系數(shù)絕對值。舉例而言，于本發(fā)明的較佳實施例中，參考電壓產(chǎn)生電路100最終產(chǎn)生的參考電壓Vltef可具有零溫度系數(shù)，或接近零的極小的溫度系數(shù)。
[0038]圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的帶隙電路的電路圖范例。帶隙電路210可包括晶體管Tl?T7以及電阻R1、R2與Rbadl，其中，晶體管T1、T2與電阻R2可組成所述的啟動電路，晶體管Τ3、Τ4、Τ5、Τ6與電阻Rl可組成所述的電流鏡電路，而晶體管Τ7與電阻RLoadl可組成所述的輸出電路。該啟動電路中，晶體管Tl具有一第一極耦接至一操作電壓，以及晶體管T2具有一第一極與一第二極共同耦接至晶體管Tl的第二極，晶體管T2的一第三極耦接至接地點，操作電壓通過一電阻R2耦接至晶體管Tl以及晶體管T2，晶體管Tl的一第三極耦接至所述的電流鏡電路。該電流鏡電路中，晶體管T3與晶體管T4組成一電流鏡，晶體管T5具有一第一極耦接至晶體管T4，一第二極耦接至晶體管T3，以及一第三極耦接至電阻R1，晶體管T6具有一第一極耦接至晶體管T3，一第二極耦接至電阻R1，以及一第三極耦接至接地點。該輸出電路中，晶體管T7具有一第一極耦接至一操作電壓，一第二極耦接至上述電流鏡電路，以及一第三極耦接至輸出端點0UT1。
[0039]在圖2的實施例中，晶體管T3、T4、T7皆為PMOS晶體管，晶體管Tl、T2、T5、T6皆為NMOS晶體管。電阻Rl的第一端耦接至操作電壓VDD。晶體管Tl的漏極耦接至操作電壓VDD，柵極耦接至電阻R2的第二端，并且源極耦接至晶體管T3、T5與T6。晶體管T2的漏極與柵極共同耦接至晶體管Tl的柵極，并且源極耦接至接地點。首先，操作電壓Vdd通過電阻R2提供一電壓其作用在晶體管Tl以及晶體管T2，同時導(dǎo)通晶體管Tl以及晶體管T2以啟動帶隙電路。晶體管T3與T4組成一電流鏡。晶體管T3的源極耦接至操作電壓VDD，柵極耦接至晶體管T4的柵極，并且漏極耦接至晶體管T1、T5與Τ6。晶體管Τ4的源極耦接至操作電壓VDD，柵極與漏極相互耦接，并且漏極耦接至晶體管Τ5。晶體管T5的漏極耦接至晶體管T4的柵極，柵極耦接至晶體管T3的漏極，并且源極耦接至電阻Rl的第一端。晶體管T6的漏極耦接至晶體管T3的漏極以及晶體管Tl的源極，柵極耦接至電阻Rl的第一端，并且源極耦接至接地點。電阻Rl的第二端耦接至接地點。晶體管T7的源極耦接至操作電壓VDD，柵極耦接至晶體管T3與T4的柵極，并且漏極耦接至輸出端點0UT1，輸出端點OUTl耦接在電阻R^dl的第一端，電阻Rbadl的第二端耦接至接地點。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，帶隙電路210可于輸出端點OUTl產(chǎn)生一參考電流Iltef,并且參考電流Iltef的大小可由第一電流Il推導(dǎo)出來。電流Il主要由晶體管T6的柵極-源極(Vgs)電壓與電阻Rl相除后而求得。
[0041]圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的帶隙電路的輸出電壓與操作電壓曲線圖，其中X軸代表操作電壓VDD，Y軸代表輸出電壓，例如圖2所示的帶隙電路于輸出端點OUTl的輸出電壓。如圖所示，帶隙電路210的重要特性為輸出電壓不易隨操作電壓變化而變動。舉例而言，如圖3所示，一旦操作電壓超過一既定值后，輸出電壓大體不再隨著操作電壓的變化而變動。
[0042]圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所述的帶隙電路的輸出電壓與溫度曲線圖，其中X軸代表溫度，Y軸代表輸出電壓，例如圖2所示的帶隙電路于輸出端點OUTl的輸出電壓。由于于此實施例中，帶隙電路210具有負(fù)溫度系數(shù)，因此，如圖4所示，輸出電壓會隨溫度上升而下降。同樣地，由帶隙電路所輸出的參考電流Iltef也具有負(fù)溫度系數(shù)，會隨溫度上升而下降。
[0043]圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的補償電路的電路圖范例。補償電路520可包括晶體管T8?T12、電容Cl以及電阻R3、R4與RlM(12。補償電路520也包含由晶體管T8與T9組成的一電流鏡電路。晶體管Tll具有一第一極耦接至晶體管T9，一第二極通過電阻R3耦接至晶體管T8，以及一第三極耦接至接地點，晶體管T9通過電阻R4串接電容Cl至接地點。晶體管TlO具有一第一極通過電阻R3耦接至晶體管T8，一第二極耦接至晶體管T8，以及一第三極耦接至接地點。該補償電路的輸出電路中，晶體管T12具有一第一極耦接至一操作電壓，一第二極耦接至上述晶體管T8與T9組成的電流鏡電路，以及一第三極耦接至輸出端點0UT2。
[0044]在圖5的實施例中，晶體管T8、T9、T12皆為PMOS晶體管，晶體管T10、Tll皆為NMOS晶體管。晶體管T8與T9組成一電流鏡。晶體管T8的源極耦接至操作電壓VDD，柵極耦接至晶體管T9的柵極，并且漏極耦接至電阻R3的第一端。晶體管T9的源極耦接至操作電壓VDD，柵極與漏極相互耦接，并且漏極耦接至晶體管T11。晶體管TlO的漏極耦接至電阻R3的第二端，柵極耦接至晶體管T8的漏極，并且源極耦接至接地點。晶體管Tll的漏極耦接至晶體管T9的漏極，柵極耦接至晶體管TlO的漏極，并且源極耦接至接地點。晶體管T12的源極耦接至操作電壓VDD，柵極耦接至晶體管T8與T9的柵極，并且漏極耦接至輸出端點0UT2，輸出端點0UT2耦接在電阻I^ad2的第一端，電阻Rkjad2的第二端耦接至接地點。電阻R4的第一端耦接至晶體管Tll的漏極，電阻R4的第二端耦接至電容Cl的第一端，電容Cl的第二端耦接至接地點。上述電阻R4串接電容Cl至接地點的目的主要是讓整個補償電路更加穩(wěn)定。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，補償電路520可于輸出端點0UT2產(chǎn)生一補償電流Ic_，并且補償電流Icmp的大小可由流經(jīng)晶體管TlO與Tll的電流大小推導(dǎo)出來。參考圖5，晶體管TlO與晶體管Tll皆操作在次臨界區(qū)(subthreshold reg1n)，其中流經(jīng)晶體管TlO與Tll的電流大小是由晶體管TlO的柵極-源極(Vgs)電壓與晶體管Tll的柵極-源極(Vgs)電壓之差與電阻R3相除后而求得。
[0046]圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所述的補償電路的補償電流與溫度曲線圖，其中X軸代表溫度，Y軸代表補償電流，例如，由圖5的晶體管T12所產(chǎn)生的流經(jīng)輸出端點0UT2與電阻Rkjad2的電流。由于于此實施例中，補償電路520具有正溫度系數(shù)，因此，如圖6所示，輸出的補償電流會隨溫度上升而上升。
[0047]圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的參考電壓產(chǎn)生電路的電路圖范例。圖7所示的參考電壓產(chǎn)生電路700為將圖2所示的帶隙電路210與圖5所示的補償電路520并聯(lián)耦接的結(jié)果，其中電阻R^d可代表電阻Ladl與Rk5ad2并聯(lián)后的等效電阻，而輸出端點OUTl與0UT2可接合成為接合端點N。，并且參考電壓產(chǎn)生電路700可于接合端點N。產(chǎn)生參考電壓VEef0值得注意的是，電阻Rkjad也可以是或還包含配置于帶隙電路與補償電路以外的電阻，而本發(fā)明并不限于任一種實施方式。
[0048]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，補償電流的大小可被設(shè)計為遠(yuǎn)小于參考電流Iltef的大小，以避免改變參考電壓Vltef不易隨操作電壓變化而變動的特性。舉例而言，補償電流Icomp的大小可被設(shè)計為參考電流Iltef的十分之一左右。
[0049]圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的參考電壓產(chǎn)生電路的參考電壓與操作電壓曲線圖，其中X軸代表操作電壓VDD，Y軸代表參考電壓VKrf。如圖所示，參考電壓產(chǎn)生電路保持了帶隙電路的重要特性，即，參考電壓Vltef不易隨操作電壓變化而變動。舉例而言，如圖8所示，一旦操作電壓超過一既定值后，參考電壓Vltef大體不再隨著操作電壓的變化而變動。
[0050]圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的參考電壓產(chǎn)生電路的參考電壓與溫度曲線圖，其中X軸代表溫度，Y軸代表參考電壓vKrf。如圖所示，由于帶隙電路所產(chǎn)生的參考電流因溫度上升而產(chǎn)生的變化可被補償電路通過加入補償電流進行補償，因此參考電壓產(chǎn)生電路的參考電壓Vltef不易隨溫度變化而變動。舉例而言，如圖9所示，當(dāng)溫度下降至于-40°C時，參考電壓VKef為563.6微伏(mV)，當(dāng)溫度上升至120°C時，參考電壓VKef為565.8微伏(mV)，隨著上述溫度變化來看參考電壓Vltef的微幅變化僅在3.2mV左右，參考電壓Vltef大體不再隨著溫度的變化而變動。
[0051]此外，根據(jù)本發(fā)明的一實施例，由帶隙電路所產(chǎn)生的參考電流Iltef與由補償電路所產(chǎn)生的補償電流Iqmp合并于接合端點NC，使得參考電壓產(chǎn)生電路700最終產(chǎn)生的參考電壓VEef的一溫度系數(shù)絕對值可遠(yuǎn)小于參考電流(或，帶隙電路)的溫度系數(shù)絕對值與補償電流Icofflp (或，補償電路)的溫度系數(shù)絕對值。
[0052]舉例而言，于本發(fā)明的一實施例中，帶隙電路所產(chǎn)生的參考電流于-40°C時為50.1微安培(PA)，隨著溫度上升至120°C時下降為44微安培，因此帶隙電路具有負(fù)溫度系數(shù)。另一方面，補償電路所產(chǎn)生的補償電路于_40°C時為5.2微安培(μ A)，其約略為參考電流的十分之一倍，隨著溫度上升至120°C時下上升為10微安培，因此補償電路的溫度系數(shù)具有正溫度系數(shù)。由此可看出，在一既定溫度變化量之下(例如，由_40°C至120°C)，補償電流的電流變化量約等于參考電流的電流變化量。由于帶隙電路所產(chǎn)生的參考電流因溫度上升而產(chǎn)生的變化可被補償電路通過加入補償電流進行補償，因此于本發(fā)明的實施例中，將帶隙電路與補償電路結(jié)合后，所得到的參考電壓產(chǎn)生電路的溫度系數(shù)絕對值將遠(yuǎn)小于帶隙電路的溫度系數(shù)絕對值與補償電路的溫度系數(shù)絕對值。
[0053]此外，由于參考電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的參考電壓對于操作電壓不敏感，不易隨操作電壓變化而變動，因此參考電壓產(chǎn)生電路整體也可被視為一個帶隙電路，并且與原始的帶隙電路(即，未耦接補償電路的帶隙電路)相比，其溫度系數(shù)絕對值可具有大幅度地下降。舉例而言，于本發(fā)明的一較佳實施例中，參考電壓產(chǎn)生電路整體的溫度系數(shù)可由原始帶隙電路的367百萬分率/°C降低至19.8百萬分率/°C。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，帶隙電路與補償電路的各元件可由P型基底(P-substrate)N型井區(qū)(N-well)或雙井區(qū)(Twin-well)工藝制作。圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例所述的P型基底雙井區(qū)工藝示意圖，其中P-sub代表P型基底，Niell代表N型井區(qū)，P-well代表P型井區(qū)。
[0055]此外，于本發(fā)明的其他實施例中，基于以上所介紹的設(shè)計概念，帶隙電路可還并聯(lián)耦接一個以上的補償電路以形成參考電壓產(chǎn)生電路，使得參考電壓產(chǎn)生電路可具有零溫度系數(shù)，或極低的溫度系數(shù)，并且參考電壓產(chǎn)生電路同樣可保持帶隙電路的重要特性，即參考電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的參考電壓對于操作電壓不敏感，不易隨操作電壓變化而變動。
[0056]此外，本發(fā)明所提出的參考電壓產(chǎn)生電路僅需要使用晶體管、電阻與電容等元件，而不需要使用二極體與比較器，因此，除了上述的可輸出穩(wěn)定的參考電壓以外，還可有效降低邏輯柵數(shù)量與電路面積。
[0057]權(quán)利要求中用以修飾元件的“第一”、“第二”等序數(shù)詞的使用本身未暗示任何優(yōu)先權(quán)、優(yōu)先次序、各元件之間的先后次序、或方法所執(zhí)行的步驟的次序，而僅用作標(biāo)識來區(qū)分具有相同名稱(具有不同序數(shù)詞)的不同元件。
[0058]本發(fā)明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的權(quán)利要求，本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求，當(dāng)可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種參考電壓產(chǎn)生電路，用以產(chǎn)生一參考電壓，其特征在于，所述電路包括: 一帶隙電路，包括: 一電流鏡電路，用以產(chǎn)生一第一電流；以及 一輸出電路，用以根據(jù)所述第一電流產(chǎn)生一參考電流；以及 一補償電路，與所述帶隙電路并聯(lián)耦接于一接合端點，用以產(chǎn)生一補償電流； 其中所述補償電流小于所述參考電流，所述參考電流具有一第一溫度系數(shù)，所述補償電流具有與所述第一溫度系數(shù)反向的一第二溫度系數(shù)，所述參考電流與所述補償電流合并于所述接合端點，使得在所述接合端點的所述參考電壓的一溫度系數(shù)的一絕對值小于所述第一溫度系數(shù)的一絕對值與所述第二溫度系數(shù)的一絕對值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述帶隙電路還包括一啟動電路用以啟動所述帶隙電路，所述啟動電路包括: 一第一晶體管，具有一第一極耦接至一操作電壓；以及 一第二晶體管，具有一第一極與一第二極共同耦接至所述第一晶體管的一第二極，以及一第三極耦接至一接地點； 其中所述第一晶體管的一第三極耦接至所述電流鏡電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電流鏡電路包括: 一第三晶體管； 一第四晶體管，與所述第三晶體管組成一第一電流鏡； 一第五晶體管，具有一第一極耦接至所述第四晶體管，一第二極耦接至所述第三晶體管，以及一第三極耦接至一第一電阻；以及 一第六晶體管，具有一第一極耦接至所述第三晶體管，一第二極耦接至所述第一電阻，以及一第三極耦接至一接地點。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述輸出電路包括: 一第七晶體管，具有一第一極耦接至一操作電壓，一第二極耦接至所述第一電流鏡，以及一第三極耦接至所述接合端點。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述補償電路包括: 一第八晶體管； 一第九晶體管，與所述第八晶體管組成一第二電流鏡； 一第十晶體管，具有一第一極通過一第二電阻耦接至所述第八晶體管，一第二極耦接至所述第八晶體管，以及一第三極耦接至所述接地點； 一第十一晶體管，具有一第一極耦接至所述第九晶體管，一第二極通過所述第二電阻耦接至所述第八晶體管，以及一第三極耦接至所述接地點；以及 一第十二晶體管，具有一第一極耦接至所述操作電壓，一第二極耦接至所述第二電流鏡，以及一第三極耦接至所述接合端點。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述補償電路還包括: 一第三電阻，其一端耦接至第九晶體管，另一端串接一電容至所述接地點。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述補償電流的大小為所述參考電流的十分之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電路于一既定溫度變化量之下，所述補償電流的一電流變化量約等于所述參考電流的一電流變化量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述帶隙電路與所述補償電路是由P型基底N型井區(qū)或雙井區(qū)工藝制作。
10.一種參考電壓產(chǎn)生電路，用以產(chǎn)生一參考電壓，其特征在于，所述電路包括: 一帶隙電路，用以產(chǎn)生一參考電流；包括: 一第一晶體管，具有一第一極耦接至一操作電壓； 一第二晶體管，具有一第一極與一第二極共同耦接至所述第一晶體管的一第二極，以及一第三極耦接至一接地點； 一第三晶體管； 一第四晶體管，與所述第三晶體管組成一第一電流鏡； 一第五晶體管，具有一第一極耦接至所述第四晶體管，一第二極耦接至所述第三晶體管，以及一第三極耦接至一第一電阻； 一第六晶體管，具有一第一極耦接至所述第三晶體管，一第二極耦接至所述第一電阻，以及一第三極耦接至所述接地點；以及 一第七晶體管，具有一第一極耦接至所述操作電壓，一第二極耦接至所述電流鏡，以及一第三極耦接至一接合端點；以及 一補償電路，與所述帶隙電路并聯(lián)耦接于所述接合端點，用以產(chǎn)生一補償電流； 其中所述補償電流小于所述參考電流，所述參考電流具有一第一溫度系數(shù)，所述補償電流具有與所述第一溫度系數(shù)反向的一第二溫度系數(shù)，所述參考電流與所述補償電流合并于所述接合端點，使得在所述接合端點的所述參考電壓的一溫度系數(shù)的一絕對值小于所述第一溫度系數(shù)的一絕對值與所述第二溫度系數(shù)的一絕對值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述補償電路包括: 一第八晶體管； 一第九晶體管，與所述第八晶體管組成一第二電流鏡； 一第十晶體管，具有一第一極通過一第二電阻耦接至所述第八晶體管，一第二極耦接至所述第八晶體管，以及一第三極耦接至所述接地點； 一第十一晶體管，具有一第一極耦接至所述第九晶體管，一第二極通過所述第二電阻耦接至所述第八晶體管，以及一第三極耦接至所述接地點；以及 一第十二晶體管，具有一第一極耦接至所述操作電壓，一第二極耦接至所述第二電流鏡，以及一第三極耦接至所述接合端點。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述補償電路還包括: 一第三電阻，其一端耦接至第九晶體管，另一端串接一電容至所述接地點。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述參考電壓具有零溫度系數(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電路于一既定溫度變化量之下，所述補償電流的一電流變化量約等于所述參考電流的一電流變化量。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述補償電流的大小為所述參考電流的十分之一。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述帶隙電路與所述補償電路是由P型基底N型井區(qū)或雙井區(qū)工藝制作。
【文檔編號】G05F3/26GK104298298SQ201310443743
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月16日
【發(fā)明者】溫文瑩, 陳宗良 申請人:新唐科技股份有限公司