專利名稱：調(diào)壓電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種調(diào)壓電路。
背景技術(shù)：
調(diào)壓是電路中經(jīng)常用到的電路模塊，用于調(diào)整電路功能電壓?，F(xiàn)有電路中一般采用晶閘管作為調(diào)壓的件，但是晶閘管的面積較大，發(fā)熱較大，消耗的功率也較大，根本不適用于集成電路，一般是在芯片外接調(diào)壓電路。

實用新型內(nèi)容本實用新型的發(fā)明目的在于針對上述存在的問題，提供一種MOS結(jié)構(gòu)的調(diào)壓電路?！0004]本實用新型采用的技術(shù)方案是這樣的本實用新型的一種調(diào)壓電路，該電路包括NMOS晶體管、NPN雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻、可調(diào)電阻和肖特基勢壘二極管；所述NMOS晶體管的柵極通過第一電阻連接至電壓源并通過可調(diào)電阻連接至地，源極接地，漏極連接至肖特基勢壘二極管的負極端、NPN雙極型晶體管的基極以及通過第二電阻連接至電壓源；肖特基勢壘二極管的正極端接地；NPN雙極型晶體管的源極接地，集電極作為輸出端的負極。在上述的電路中，所述第一電阻和第二電阻為參數(shù)相同的電阻。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實用新型的有益效果是該電路體較小、功耗小、速度高、適用于集成，且電路結(jié)構(gòu)簡單。

圖I是本實用新型調(diào)壓電路的電路原理圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖，對本實用新型作詳細的說明。為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。如圖I所示，是本實用新型調(diào)壓電路的電路原理圖。下面結(jié)合圖I對本實用新型上述各電子元器件間的連接關(guān)系做詳細說明一種調(diào)壓電路，該電路包括NMOS晶體管QI、NPN雙極型晶體管TI、第一電阻Rl、第二電阻R2、可調(diào)電阻RWl和肖特基勢壘二極管Zl ;所述NMOS晶體管Ql的柵極通過第一電阻Rl連接至電壓源VDD并通過可調(diào)電阻RWl連接至地GND，源極接地GND，漏極連接至肖特基勢壘二極管Zl的負極端、NPN雙極型晶體管Tl的基極以及通過第二電阻R2連接至電壓源VDD ；肖特基勢壘二極管Zl的正極端接地；NPN雙極型晶體管Tl的源極接地GND，集電極作為輸出端Vout的負極。在本實用新型上述的電路中，所述第一電阻Rl和第二電阻R2為參數(shù)相同的電阻。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種調(diào)壓電路，其特征在于，包括NMOS晶體管(Q1)、NPN雙極型晶體管(Tl)、第一電阻(Rl)、第二電阻(R2)、可調(diào)電阻(RWl)和肖特基勢壘二極管(ZI);所述NMOS晶體管(Ql)的柵極通過第一電阻(Rl)連接至電壓源(VDD)并通過可調(diào)電阻(RWl)連接至地(GND)，源極接地(GND )，漏極連接至肖特基勢壘二極管(ZI)的負極端、NPN雙極型晶體管(TI)的基極以及通過第二電阻(R2)連接至電壓源(VDD);肖特基勢壘二極管(Zl)的正極端接地；NPN雙極型晶體管(Tl)的源極接地(GND)，集電極作為輸出端(Vout)的負極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的調(diào)壓電路，其特征在于，所述第一電阻(Rl)和第二電阻(R2)為參數(shù)相同的電阻。
專利摘要本實用新型公開了一種調(diào)壓電路。該電路包括NMOS晶體管、NPN雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻、可調(diào)電阻和肖特基勢壘二極管；所述NMOS晶體管的柵極通過第一電阻連接至電壓源并通過可調(diào)電阻連接至地，源極接地，漏極連接至肖特基勢壘二極管的負極端、NPN雙極型晶體管的基極以及通過第二電阻連接至電壓源；肖特基勢壘二極管的正極端接地；NPN雙極型晶體管的源極接地，集電極作為輸出端的負極。體積較小、功耗小、速度高、適用于集成，電路結(jié)構(gòu)簡單。
文檔編號G05F1/56GK202795115SQ201220485329
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月21日
發(fā)明者周曉東, 王紀云, 王曉娟 申請人:鄭州單點科技軟件有限公司