專利名稱：一種豆?jié){機(jī)制漿電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種制漿電路，尤其涉及一種豆?jié){機(jī)的制漿電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有豆?jié){機(jī)用制漿電路中，負(fù)載都是采用開關(guān)元件進(jìn)行控制，同時(shí)控制芯片通過開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路控制開關(guān)元件。繼電器作為一種常用的控制開關(guān)元件在豆?jié){機(jī)的制漿電路中被廣泛使用，而通常驅(qū)動(dòng)方式是主控芯片的信號(hào)通過三極管后驅(qū)動(dòng)繼電器工作，根據(jù)實(shí)際電路主控芯片輸出低電平信號(hào)或者高電平信號(hào)來控制繼電器的開關(guān)，雖然這種方式被廣泛應(yīng)用，但是由于各種干擾信號(hào)的存在，導(dǎo)致繼電器出現(xiàn)非正常的開關(guān)動(dòng)作，影響整個(gè)豆?jié){機(jī) 制漿電路工作的穩(wěn)定性。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可防止繼電器誤動(dòng)作的豆?jié){機(jī)制漿電路。為了解決以上技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種豆?jié){機(jī)的制漿電路，包括主控芯片、負(fù)載電路，所述負(fù)載電路包括負(fù)載以及控制所述負(fù)載工作的開關(guān)，所述開關(guān)包括繼電器，所述制漿電路還包括繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述主控芯片設(shè)有P麗信號(hào)輸出I/o端口，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路與所述PWM信號(hào)輸出I/O端口連接，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路包括電容Cl、電解電容C2、三極管Q1。優(yōu)選地，所述電容Cl的一端連接所述主控芯片I/O端口，所述電容Cl的另一端分別電連接所述三極管Ql的基極和所述電解電容C2的正極，所述電解電容C2的負(fù)極接地。優(yōu)選地，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路還設(shè)有二極管D1，所述電容Cl的一端連接所述主控芯片I/O端口，所述電容Cl的另一端連接所述二極管Dl的陽極，所述二極管Dl的陰極連接所述三極管Ql的基極，所述二極管Dl的陰極連接所述電解電容C2的正極，所述電解電容C2的負(fù)極接地。優(yōu)選地，所述三極管Ql的基極處設(shè)有限流電阻。優(yōu)選地，所述三極管Ql的基極處設(shè)有下拉電阻。優(yōu)選地，所述電解電容C2兩端設(shè)有續(xù)流二極管D2。優(yōu)選地，所述繼電器兩端還設(shè)有防反向擊穿二極管D3。優(yōu)選地，所述負(fù)載包括電機(jī)以及加熱裝置，所述繼電器包括用于選擇電機(jī)或者加熱裝置工作的選擇繼電器Ki，所述開關(guān)還包括用于控制電機(jī)或者加熱裝置工作功率的可控硅。優(yōu)選地，所述負(fù)載包括電機(jī)以及加熱裝置，所述繼電器包括用于控制電機(jī)工作的繼電器K2、用于控制加熱裝置工作的繼電器K3。通過設(shè)置電解電容，使得主控芯片可以使用PWM信號(hào)對(duì)繼電器進(jìn)行控制，在主控芯片輸出PWM信號(hào)處于高電平時(shí)，主控芯片控制繼電器進(jìn)行閉合，并且對(duì)電解電容充電，在主控芯片輸出PWM信號(hào)處于低電平時(shí)，電解電容進(jìn)行放電，控制繼電器進(jìn)行閉合；需要繼電器關(guān)斷的時(shí)候，只要主控芯片輸出一個(gè)恒定的電平信號(hào)即可。通過在主控芯片輸出端口設(shè)置電容，電容的隔直屏蔽使得主控芯片長時(shí)間處于低電平或者高電平時(shí)，主控芯片都不能控制繼電器的開關(guān)動(dòng)作，避免了由于主控芯片死機(jī)輸出不確定狀態(tài)而導(dǎo)致的繼電器誤動(dòng)作或不受控制現(xiàn)象。通過設(shè)置限流電阻以及下拉電阻，對(duì)三極管進(jìn)行了相應(yīng)的保護(hù)，避免由于主控芯片輸出電流過大或者存在干擾，而造成三極管損壞。通過在電解電容C2與電容Cl之間設(shè)置二極管，使電解電容C2放電時(shí)只對(duì)三極管Ql供電，確保三極管Ql能夠有效驅(qū)動(dòng)繼電器。通過設(shè)置續(xù)流二極管D2保護(hù)電解電容，可防止負(fù)電壓對(duì)電解電容的沖擊。通過在繼電器線圈兩端設(shè)置防反向擊穿二極管，可以對(duì)三極管進(jìn)行保護(hù)，防止三極管被繼電器線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)擊穿。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說明圖I是本實(shí)用新型的豆?jié){機(jī)制漿電路實(shí)施例I的原理圖；圖2是本實(shí)用新型的豆?jié){機(jī)制漿電路實(shí)施例2的原理圖；圖3是本實(shí)用新型的豆?jié){機(jī)制漿電路實(shí)施例3的原理圖；圖4是本實(shí)用新型的豆?jié){機(jī)制漿電路實(shí)施例4的原理圖；圖5是本實(shí)用新型的豆?jié){機(jī)制漿電路實(shí)施例5的原理圖；圖6是本實(shí)用新型的豆?jié){機(jī)制漿電路實(shí)施例6的原理圖；圖7是本實(shí)用新型的豆?jié){機(jī)制漿電路實(shí)施例7的原理圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳述實(shí)施例I :如

圖1，本實(shí)用新型涉及的一種豆?jié){機(jī)的制漿電路，包括主控芯片MCU1、負(fù)載電路，所述負(fù)載電路包括負(fù)載以及控制所述負(fù)載工作的開關(guān)，所述開關(guān)包括繼電器，所述制漿電路還包括繼電器驅(qū)動(dòng)電路1，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路I與所述主控芯片MCUl連接，其中，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路I包括電容Cl、電解電容C2、三極管Ql，所述電容Cl的一端連接主控芯片I/O端口，所述電容Cl的另一端分別電連接所述三極管Ql的基極和所述電解電容C2的正極，所述電解電容C2的負(fù)極接地。所述三極管Ql的發(fā)射極接地，所述三極管Ql的集電極連接所述繼電器。在本實(shí)施例中，所述負(fù)載包括電機(jī)M和加熱部件RG，所述開關(guān)包括繼電器，所述繼電器包括用于選擇所述電機(jī)M或者所述加熱裝置RG工作的單刀雙擲的選擇繼電器K1，所述開關(guān)還包括用于控制所述電機(jī)M和所述加熱裝置RG工作的可控硅TRl，所述制漿電路還包括用于驅(qū)動(dòng)所述可控硅TRl的可控硅驅(qū)動(dòng)電路2，所述可控硅TRl的Tl端與電源的火線連接，所述可控硅TRl的T2端與所述選擇繼電器Kl的動(dòng)觸點(diǎn)連接，所述選擇繼電器Kl的常閉觸點(diǎn)通過所述電機(jī)M連接到電源零線，所述繼電器Kl的常開觸點(diǎn)通過所述加熱部件RG連接到電源零線。在本實(shí)施例中，所述可控硅驅(qū)動(dòng)電路2包括三極管Q2，電阻R3、限流電阻R4以及電容C3，所述三極管Q2的基極通過限流電阻R4連接主控芯片MCU1，所述三極管Q2的發(fā)射極接地，所述三極管Q2的集電極通過電阻R3連接所述可控硅TRl的控制極G，所述電容C3并聯(lián)于所述可控硅TRl的控制極G與TI端之間。本實(shí)施例的工作原理當(dāng)需要負(fù)載電機(jī)進(jìn)行工作時(shí)，主控芯片控制選擇繼電器Kl的I/O端口置為高電平或者 低電平，由于電容Cl存在，此時(shí)確保選擇繼電器Kl處于關(guān)斷狀態(tài)，所以選擇繼電器Kl的常閉端導(dǎo)通選擇負(fù)載電機(jī)，主控芯片控制可控硅導(dǎo)通并調(diào)節(jié)負(fù)載功率，此時(shí)電機(jī)開始工作；當(dāng)需要加熱裝置工作時(shí)，主控芯片控制選擇繼電器Kl的I/O端口輸出PWM信號(hào)，PWM信號(hào)通過電容Cl，在所述PWM信號(hào)處于高電平端時(shí)，主控芯片控制三極管Ql導(dǎo)通進(jìn)而控選擇制繼電器Kl閉合，所述選擇繼電器Kl的常開端閉合導(dǎo)通選擇加熱裝置工作，并對(duì)電解電容C2進(jìn)行充電，在所述PWM信號(hào)處于低電平端時(shí)，電解電容C2進(jìn)行放電，確保三極管Ql持續(xù)導(dǎo)通，從而確保選擇繼電器Kl處于常開端閉合狀態(tài)，同時(shí)主控芯片控制可控硅導(dǎo)通并調(diào)節(jié)加熱功率。實(shí)施例2 如圖2所示，本實(shí)施例與上述實(shí)施例的區(qū)別在于，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路還包括限流電阻R1，所述限流電阻Rl—端連接所述三極管Ql的基極，所述限流電阻的另一端連接所述電解電容C2的正極,具體電路如圖2所示,在此不再贅述。實(shí)施例3 如圖3所示，本實(shí)施例與上述實(shí)施例的區(qū)別在于，所述三極管Ql的基極還設(shè)有下拉電阻R2，具體電路如圖3所示，在此不再贅述。實(shí)施例4 如圖4所所示，本實(shí)施例與上述實(shí)施例的區(qū)別在于，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路還包括二極管D1，所述二極管Dl的陰極連接所述電解電容C2的正極，所述二極管Dl的陽極連接所述電容Cl，具體電路如圖4所示，在此不再贅述。實(shí)施例5 如圖5所所示，本實(shí)施例與上述實(shí)施例的區(qū)別在于，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路還有續(xù)流二極管D2，具體電路如圖5所示，在此不再贅述。實(shí)施例6:如圖6所示，本實(shí)施例與上述實(shí)施例的區(qū)別在于，所述繼電器Kl的兩端還設(shè)有防反向擊穿二極管D3，具體電路如圖6所示，在此不再贅述。實(shí)施例7 如圖7所示，本實(shí)用新型涉及的一種豆?jié){機(jī)的制漿電路，包括主控芯片MCU1、負(fù)載電路，所述負(fù)載電路包括負(fù)載以及控制所述負(fù)載工作的開關(guān)，所述負(fù)載包括電機(jī)M和加熱部件RG，所述開關(guān)包括繼電器，所述繼電器包括用于控制電機(jī)M工作的繼電器K2、用于控制加熱部件RG工作的繼電器K3。所述繼電器K2和繼電器K3通過上述實(shí)施例中的繼電器驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行控制，具體電路如附圖7所示，在此不再贅述。通過設(shè)置電解電容，使得主控芯片可以使用PWM信號(hào)對(duì)繼電器進(jìn)行控制，在主控芯片輸出PWM信號(hào)處于高電平時(shí)，主控芯片控制繼電器進(jìn)行閉合，并且對(duì)電解電容充電，在主控芯片輸出PWM信號(hào)處于低電平時(shí)，電解電容進(jìn)行放電，控制繼電器進(jìn)行閉合；需要繼電器關(guān)斷的時(shí)候，只要主控芯片輸出一個(gè)恒定的電平信號(hào)即可。通過在主控芯片輸出端口設(shè)置電容，電容的隔直屏蔽使得主控芯片長時(shí)間處于低電平或者高電平時(shí)，主控芯片都不能控制繼電器的開關(guān)動(dòng)作，避免了由于主控芯片死機(jī)輸出不確定狀態(tài)而導(dǎo)致的繼電器誤動(dòng)作或不受控制現(xiàn)象。通過設(shè)置限流電阻以及下拉電阻，對(duì)三極管進(jìn)行了相應(yīng)的保護(hù)，避免由于主控芯片輸出電流過大或者存在干擾，而造成三極管損壞。通過在電解電容C2與電容Cl之間設(shè)置二極管，使電解電容C2放電時(shí)只對(duì)三極管Ql供電，確保三極管Ql能夠有效驅(qū)動(dòng)繼電器。通過設(shè)置續(xù)流二極管D2保護(hù)電解電容，可防止負(fù)電壓對(duì)電解電容的沖擊。通過在繼電器線圈兩端設(shè)置防反向擊穿二極管，可以對(duì)三極管進(jìn)行保護(hù)，防止三極管被繼電器線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)擊穿。需要強(qiáng)調(diào)的是，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍包含但不限于上述具體實(shí)施方式
。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以作出若干變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)被視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種豆?jié){機(jī)制漿電路，包括主控芯片、負(fù)載電路，所述負(fù)載電路包括負(fù)載以及控制所述負(fù)載工作的開關(guān)，所述開關(guān)包括繼電器，所述制漿電路還包括繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述主控芯片設(shè)有PWM信號(hào)輸出I/o端口，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路與所述PWM信號(hào)輸出I/O端口連接，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路包括電容Cl、電解電容C2、三極管Ql。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的豆?jié){機(jī)制漿電路，其特征在于，所述電容Cl的一端連接所述主控芯片I/O端口，所述電容Cl的另一端分別電連接所述三極管Ql的基極和所述電解電容C2的正極，所述電解電容C2的負(fù)極接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的豆?jié){機(jī)制漿電路，其特征在于，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路還設(shè)有二極管D1，所述電容Cl的一端連接所述主控芯片I/O端口，所述電容Cl的另一端連接所述二極管Dl的陽極，所述二極管Dl的陰極連接所述三極管Ql的基極，所述二極管Dl的陰極連接所述電解電容C2的正極，所述電解電容C2的負(fù)極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的豆?jié){機(jī)制漿電路，其特征在于，所述三極管Ql的基極處設(shè)有限流電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的豆?jié){機(jī)制漿電路，其特征在于，所述三極管Ql的基極處設(shè)有下拉電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的豆?jié){機(jī)制漿電路，其特征在于，所述電解電容C2兩端設(shè)有續(xù)流二極管D2。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的豆?jié){機(jī)制漿電路，其特征在于，所述繼電器兩端還設(shè)有防反向擊穿二極管D3。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的豆?jié){機(jī)制漿電路，其特征在于，所述負(fù)載包括電機(jī)以及加熱裝置，所述繼電器包括用于選擇電機(jī)或者加熱裝置工作的選擇繼電器K1，所述開關(guān)還包括用于控制電機(jī)或者加熱裝置工作功率的可控硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的豆?jié){機(jī)制漿電路，其特征在于，所述負(fù)載包括電機(jī)以及加熱裝置，所述繼電器包括用于控制電機(jī)工作的繼電器K2、用于控制加熱裝置工作的繼電器K3。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種豆?jié){機(jī)的制漿電路，包括主控芯片、負(fù)載電路，所述負(fù)載電路包括負(fù)載以及控制所述負(fù)載工作的開關(guān)，所述開關(guān)包括繼電器，所述制漿電路還包括繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述主控芯片設(shè)有PWM信號(hào)輸出I/O端口，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路與所述PWM信號(hào)輸出I/O端口連接，所述繼電器驅(qū)動(dòng)電路包括電容C1、電解電容C2、三極管Q1。通過設(shè)置電解電容，使得主控芯片可以使用PWM信號(hào)對(duì)繼電器進(jìn)行控制，避免了由于主控芯片死機(jī)等輸出不確定狀態(tài)而導(dǎo)致的繼電器誤動(dòng)作或不受控制現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G05B19/04GK202771189SQ20122039850
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月13日
發(fā)明者王旭寧, 王盼盼, 寧文濤 申請(qǐng)人:九陽股份有限公司