一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，包括：帶隙基準(zhǔn)電壓源、前置電壓調(diào)整器、低通濾波器、提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器、輸出級低壓差線性穩(wěn)壓器；帶隙電壓源為前置電壓調(diào)整器和提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器提供基準(zhǔn)電壓；提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓作為前置電壓調(diào)整器和輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器的工作電壓；帶隙電壓源產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓依次經(jīng)過前置電壓調(diào)整器和低通濾波器以后為輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器提供基準(zhǔn)電壓；輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器包括并聯(lián)的至少兩個相同的第二級低壓差線性穩(wěn)壓器；每個第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出相互獨立。本低壓差線性穩(wěn)壓器具有低噪聲的性能，并且可以多路獨立輸出。
【專利說明】一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電源管理設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO, Low-dropout Regulator)是一個很重要的電源管理模塊，其廣泛應(yīng)用于手持設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中。由于LDO具有良好的輸出電壓紋波，較好的電源抑制比(PSRR, Power Supply Rejection Ration),以及較低噪聲的性能特點，因此射頻(RF)電路普遍采用LDO來供電。隨著RF電路系統(tǒng)的越來越復(fù)雜，集成度越來越高，如低噪聲放大器(LNA)，混頻器，高頻鎖相環(huán)(PLL)，電感電容壓控振蕩器(LC VC0)都需要具有高PSRR低噪聲的LDO來供電，而且在實際應(yīng)用中，為了保證RF模塊的性能指標(biāo)，往往要把幾個重要的RF子模塊的供電電源各自分開供給，做到電源隔離，防止之間的相互干擾，這就在一個RF電路系統(tǒng)里，需要多個通道的LD0。
[0003]下面介紹現(xiàn)有技術(shù)中的一種LDO實現(xiàn)方式，參見圖1，該圖為現(xiàn)有技術(shù)中的一種經(jīng)典LDO實現(xiàn)方式的電路圖。
[0004]首先說明LDO的工作原理:
[0005]該電路由串聯(lián)功率管Mp (圖中為MOS管，也可以為晶體管)、反饋電阻Rl和R2、誤差放大器AMP組成。
[0006]反饋電壓(R2上的電壓)加在誤差放大器AMP的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓VREF相比較，兩者的差值經(jīng)誤差放大器AMP放大后，控制串聯(lián)功率管Mp的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。當(dāng)輸出電壓VOUT降低時，基準(zhǔn)電壓VREF與反饋電壓VFB的差值增加，誤差放大器AMP輸出的驅(qū)動電流增加，串聯(lián)功率管Mp壓降減小，從而使輸出電壓VOUT升高。相反，若輸出電壓VOUT超過所需要的設(shè)定值，誤差放大器AMP輸出的前驅(qū)動電流減小，從而使輸出電壓VOUT降低。供電過程中，輸出電壓VOUT校正連續(xù)進(jìn)行。
[0007]RF電路對LDO低噪聲的要求，主要是關(guān)注10?IOOkHz頻率范圍的總噪聲干擾。下面將會具體分析LDO各個子模塊電路對噪聲的干擾。
[0008]圖1所示電路中主要有三個噪聲源，分別為:第一、為誤差放大器AMP提供參考電壓的帶隙電壓源帶來的噪聲；第二、輸出級反饋電阻Rl和R2帶來的噪聲；第三、誤差放大器AMP引起的噪聲。
[0009]其中帶隙基準(zhǔn)電壓源帶來的噪聲占了大部分，其次是反饋電阻的噪聲，誤差放大器的噪聲占的比例會比較少。因此，考慮噪聲源主要是考慮前面兩種。
[0010]PSRR是反映輸出和輸入頻率相同的條件下，LDO輸出對輸入紋波抑制能力的交流參數(shù)。如圖1所示的典型LDO結(jié)構(gòu)在PSRR性能方面，對于應(yīng)用在RF電路中，還是不能完全滿足要求。特別是在高頻的時候，PSRR會比較差。所造成的原因有幾點:功率管Mp有限的跨導(dǎo)；有限的誤差放大器增益和有限的環(huán)路增益；有限的環(huán)路帶寬。
[0011]針對以上這些原因，目前提高PSRR的常用方案有幾種:如在LDO輸出增加一個簡單的RC濾波，或者采用共源共柵功率管，以增加跨導(dǎo)。但是這些辦法都會在傳輸大電流的通路中增加電阻，從而增加功耗。
[0012]綜上所述，圖1所示的典型的LDO電路結(jié)構(gòu)，并不能提供很高的PSRR，以及很低的噪聲性能。雖然可以通過改進(jìn)一些局部電路的結(jié)構(gòu)來改善一些，但同時會帶來一些額外的問題，而且很難同時滿足高PSRR和低噪聲的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，能夠滿足高PSRR和低噪聲的性能。
[0014]本發(fā)明提供一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，包括:帶隙基準(zhǔn)電壓源、前置電壓調(diào)整器、低通濾波器、提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器、輸出級低壓差線性穩(wěn)壓器；
[0015]所述帶隙電壓源為所述前置電壓調(diào)整器和提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器提供基準(zhǔn)電壓；
[0016]所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓作為所述前置電壓調(diào)整器和輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器的工作電壓；
[0017]所述帶隙電壓源產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓依次經(jīng)過所述前置電壓調(diào)整器和低通濾波器以后為所述輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器提供基準(zhǔn)電壓；
[0018]所述輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器包括并聯(lián)的至少兩個相同的第二級低壓差線性穩(wěn)壓器；
[0019]每個所述第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出相互獨立。
[0020]優(yōu)選地，所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器包括:
[0021]第一誤差放大器、第一電阻、第二電阻和第一 PMOS管；
[0022]所述第一誤差放大器的反相輸入端連接所述帶隙電壓源；
[0023]所述第一誤差放大器的輸出端連接所述第一 PMOS管的柵極，所述第一 PMOS管的源極連接外部電源；所述第一 PMOS管的漏極依次通過串聯(lián)的第一電阻和第二電阻接地；所述第一誤差放大器的同相輸入端通過第二電阻接地；
[0024]所述第一 PMOS管的漏極作為該提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端，為所述輸出級低壓差線性穩(wěn)壓器提供工作電源。
[0025]優(yōu)選地，所述前置電壓調(diào)整器包括:第四誤差放大器，第三電阻和第四電阻；
[0026]所述第四誤差放大器的同相輸入端連接所述帶隙電壓源，所述第四誤差放大器的輸出端通過依次串聯(lián)的第三電阻和第四電阻接地，所述第四誤差放大器的反相輸入端通過所述第四電阻接地；
[0027]所述第四誤差放大器的輸出端連接所述低通濾波器的輸入端。
[0028]優(yōu)選地，所述低通濾波器包括濾波電阻和濾波電容；
[0029]所述濾波電阻的一端連接所述第四誤差放大器的輸出端，所述濾波電阻的另一端通過所述濾波電容接地，同時濾波電阻連接濾波電容的一端作為低通濾波器的輸出端。
[0030]優(yōu)選地，所述第二級低壓差線性穩(wěn)壓器包括:
[0031]第二誤差放大器、第二 PMOS管、第一 NMOS管和第二 NMOS管；[0032]所述第二誤差放大器的反相輸入端連接所述低通濾波器的輸出端；
[0033]所述第二誤差放大器的輸出端連接所述第二 PMOS管的柵極，第二 PMOS管的源極連接所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端；所述第二 PMOS管的漏極連接所述第二 NMOS管的漏極，第二 NMOS管的源極接地；
[0034]所述第一 NMOS管的漏極和柵極連接偏置電流源，所述第二 NMOS管的柵極連接第一 NMOS管的柵極；所述第一 NMOS管的源極接地；
[0035]所述第二 PMOS管的漏極作為第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端。
[0036]優(yōu)選地，所述濾波電阻為IM Ω?IOM Ω ;所述濾波電容為Iuf?IOuf。
[0037]優(yōu)選地，所述濾波電阻與所述前置電壓調(diào)整器集成在一起。
[0038]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0039]本發(fā)明實施例提供的具有高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，對于帶隙電壓源帶來的噪聲，通過前置電壓調(diào)整器進(jìn)行電壓調(diào)整，以滿足輸出電壓的要求。再對前置電壓調(diào)整器的輸出電壓由低通濾波器進(jìn)行濾波處理，這樣消除了前置電壓調(diào)整器中反饋電阻帶來的噪聲。因此，本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器具有低噪聲的性能。對于高電源抑制比，本發(fā)明采用兩級LDO的來提高PSRR，這樣將在很寬的頻率范圍內(nèi)極大的提高PSRR性能。這個兩級LDO得以實現(xiàn)是因為一般情況下輸入電壓VIN是鋰電池或3.3V電壓，而給RF電路如LNA，LC VCO或PLL供電則需要1.8V或者1.2V，這樣就給兩級LDO的應(yīng)用留下足夠的電壓幅度空間。所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓作為所述前置電壓調(diào)整器和輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器的工作電壓；輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器中的每個第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓作為獨立通道給RF模塊電路分別供電，既可達(dá)到高PSRR，又相互不干擾。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種經(jīng)典LDO實現(xiàn)方式的電路圖；
[0041]圖2是本發(fā)明提供的一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器示意圖；
[0042]圖3是本發(fā)明提供的一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器電路圖。
【具體實施方式】
[0043]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。
[0044]參見圖2，該圖為本發(fā)明提供的具有高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器示意圖。
[0045]本實施例提供的高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，包括:帶隙基準(zhǔn)電壓源100、前置電壓調(diào)整器200、低通濾波器300、提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器400、輸出級低壓差線性穩(wěn)壓器500 ；
[0046]所述帶隙電壓源100為所述前置電壓調(diào)整器200和提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器400提供基準(zhǔn)電壓；
[0047]所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器400的輸出電壓作為所述前置電壓調(diào)整器200和輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器500的工作電壓；[0048]所述帶隙電壓源100產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓依次經(jīng)過所述前置電壓調(diào)整器200和低通濾波器300以后為所述輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器500提供基準(zhǔn)電壓；
[0049]所述輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器500包括并聯(lián)的至少兩個相同的第二級低壓差線性穩(wěn)壓器；
[0050]需要說明的是，第二級低壓差線性穩(wěn)壓器可以根據(jù)需要設(shè)置兩個或兩個以上，每個第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)完全相同。
[0051]每個所述第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出相互獨立。
[0052]本發(fā)明實施例提供的具有高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，對于帶隙電壓源100帶來的噪聲，通過前置電壓調(diào)整器200進(jìn)行電壓調(diào)整，以滿足輸出電壓的要求。再對前置電壓調(diào)整器200的輸出電壓由低通濾波器進(jìn)行濾波處理，這樣消除了前置電壓調(diào)整器中反饋電阻帶來的噪聲。因此，本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器具有低噪聲的性能。對于高電源抑制比，本發(fā)明采用兩級LDO的來提高PSRR，這樣將在很寬的頻率范圍內(nèi)極大的提高PSRR性能。這個兩級LDO得以實現(xiàn)是因為一般情況下輸入電壓VIN是鋰電池或3.3V電壓，而給RF電路如LNA，LC VCO或PLL供電則需要1.8V或者1.2V，這樣就給兩級LDO的應(yīng)用留下足夠的電壓幅度空間。所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器400的輸出電壓作為所述前置電壓調(diào)整器200和輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器500的工作電壓；輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器500中的每個第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓作為獨立通道給RF模塊電路分別供電，既可達(dá)到高PSRR，又相互不干擾。
[0053]下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明提供的低壓差穩(wěn)壓器的一種具體電路實現(xiàn)方式。
[0054]參見圖3，該圖為本發(fā)明提供的一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器電路圖。
[0055]所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器400包括:
[0056]第一誤差放大器AMPl、第一電阻R1、第二電阻R2和第一 PMOS管Mpl ；
[0057]所述第一誤差放大器AMPl的反相輸入端連接所述帶隙電壓源100 ；
[0058]所述第一誤差放大器AMPl的輸出端連接所述第一 PMOS管Mpl的柵極，所述第一PMOS管Mpl的源極連接外部電源Vin ;所述第一 PMOS管Mpl的漏極依次通過串聯(lián)的第一電阻Rl和第二電阻R2接地；所述第一誤差放大器AMPl的同相輸入端通過第二電阻R2接地；
[0059]所述第一 PMOS管AMPl的漏極作為該提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器400的輸出端，為所述輸出級低壓差線性穩(wěn)壓器500提供工作電源。
[0060]所述前置電壓調(diào)整器200包括:第四誤差放大器AMP4，第三電阻R3和第四電阻R4 ；
[0061]所述第四誤差放大器AMP4的同相輸入端連接所述帶隙電壓源100，所述第四誤差放大器AMP4的輸出端通過依次串聯(lián)的第三電阻R3和第四電阻R4接地，所述第四誤差放大器AMP4的反相輸入端通過所述第四電阻R4接地；
[0062]所述第四誤差放大器AMP4的輸出端連接所述低通濾波器300的輸入端。
[0063]所述低通濾波器300包括濾波電阻Rf和濾波電容Cf ；
[0064]所述濾波電阻Rf的一端連接所述第四誤差放大器AMP4的輸出端，所述濾波電阻Rf的另一端通過所述濾波電容Cf接地，同時濾波電阻Rf連接濾波電容Cf的一端作為低通濾波器300的輸出端。[0065]所述第二級低壓差線性穩(wěn)壓器500包括:
[0066]第二誤差放大器AMP2、第二 PMOS管Mp2、第一 NMOS管Mnl和第二 NMOS管Mn2 ；
[0067]所述第二誤差放大器AMP2的反相輸入端連接所述低通濾波器300的輸出端；
[0068]所述第二誤差放大器AMP2的輸出端連接所述第二 PMOS管Mp2的柵極，第二 PMOS管Mp2的源極連接所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器400的輸出端；所述第二 PMOS管Mp2的漏極連接所述第二 NMOS管Mn2的漏極，第二 NMOS管Mn2的源極接地；
[0069]所述第一匪OS管Mnl的漏極和柵極連接偏置電流源IBl，所述第二 NMOS管Mn2的柵極連接第一 NMOS管Mnl的柵極；所述第一 NMOS管Mnl的源極接地；
[0070]所述第二 PMOS管Mn2的漏極作為第二級低壓差線性穩(wěn)壓器500的輸出端。
[0071]為了在頻率范圍10?IOOkHz內(nèi)，將帶隙電壓源100產(chǎn)生的噪聲降到最低。所以需要設(shè)置Rf和Cf的值比較大，優(yōu)選地，所述濾波電阻Rf為IM Ω?IOM Ω。
[0072]基于對芯片面積和片外成本的綜合考慮，所述濾波電阻Rf與所述前置電壓調(diào)整器200集成在一起。即Rf集成到芯片內(nèi)，Rf的這個數(shù)量級可以集成到芯片內(nèi)。
[0073]Cf放在芯片外，為了達(dá)到較高的濾波效果，所述濾波電容Cf為Iuf?10uf。
[0074]本實施例對于反饋電阻(第三電阻R3和第四電阻R4)帶來的噪聲進(jìn)行處理。具體實現(xiàn)是:由于反饋電阻(R3和R4)是用于設(shè)定LDO輸出電壓值，本發(fā)明將這兩個設(shè)定輸出電壓值的反饋電阻(R3和R4)置于低通濾波器300之前，與AMP4 —起組成前置電壓調(diào)整器(pre-regulator) 200, R3和R4在此處進(jìn)行LDO輸出電壓值設(shè)定,效果是一樣的。這樣，由R3和R4帶來的噪聲可以由低通濾波器300 —起濾掉。
[0075]而且由于每個第二級低壓差線性穩(wěn)壓器500是并聯(lián)于低通濾波器300的輸出端的，因此不同的第二級低壓差線性穩(wěn)壓器500可以共用這個經(jīng)過前置電壓調(diào)整器200和低通濾波器300后的參考電壓，節(jié)省了芯片成本。
[0076]另外，每個第二級低壓差線性穩(wěn)壓器500通過接成緩沖器的形式來實現(xiàn)。具體為:由AMP2和Mp2及Mn2組成緩沖器。本發(fā)明中由緩沖器來實現(xiàn)電壓的反饋，避免了用反饋電阻來進(jìn)行電壓反饋帶來的噪聲。這樣便可以很好的降低噪聲，同時又能很好地保證每個第二級低壓差線性穩(wěn)壓器500的負(fù)載調(diào)整特性和線性調(diào)整率等性能指標(biāo)。
[0077]需要說明的是，圖3僅以兩個第二級低壓差線性穩(wěn)壓器500為例進(jìn)行說明，可以理解的是，可以根據(jù)實際需要設(shè)置第二級低壓差線性穩(wěn)壓器500的個數(shù)，不局限于兩個。
[0078]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，包括:帶隙基準(zhǔn)電壓源、前置電壓調(diào)整器、低通濾波器、提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器、輸出級低壓差線性穩(wěn)壓器； 所述帶隙電壓源為所述前置電壓調(diào)整器和提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器提供基準(zhǔn)電壓； 所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓作為所述前置電壓調(diào)整器和輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器的工作電壓； 所述帶隙電壓源產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓依次經(jīng)過所述前置電壓調(diào)整器和低通濾波器以后為所述輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器提供基準(zhǔn)電壓； 所述輸出級低電壓線性穩(wěn)壓器包括并聯(lián)的至少兩個相同的第二級低壓差線性穩(wěn)壓器； 每個所述第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出相互獨立。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器包括: 第一誤差放大器、第一電阻、第二電阻和第一 PMOS管； 所述第一誤差放大器的反相輸入端連接所述帶隙電壓源； 所述第一誤差放大器的輸出端連接所述第一 PMOS管的柵極，所述第一 PMOS管的源極連接外部電源；所述第一 PMOS管的漏極依次通過串聯(lián)的第一電阻和第二電阻接地；所述第一誤差放大器的同相輸入端通過第二電阻接地； 所述第一 PMOS管的漏極作為該提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端，為所述輸出級低壓差線性穩(wěn)壓器提供工作電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述前置電壓調(diào)整器包括:第四誤差放大器，第三電阻和第四電阻； 所述第四誤差放大器的同相輸入端連接所述帶隙電壓源，所述第四誤差放大器的輸出端通過依次串聯(lián)的第三電阻和第四電阻接地，所述第四誤差放大器的反相輸入端通過所述第四電阻接地； 所述第四誤差放大器的輸出端連接所述低通濾波器的輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述低通濾波器包括濾波電阻和濾波電容； 所述濾波電阻的一端連接所述第四誤差放大器的輸出端，所述濾波電阻的另一端通過所述濾波電容接地，同時濾波電阻連接濾波電容的一端作為低通濾波器的輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述第二級低壓差線性穩(wěn)壓器包括: 第二誤差放大器、第二 PMOS管、第一 NMOS管和第二 NMOS管； 所述第二誤差放大器的反相輸入端連接所述低通濾波器的輸出端； 所述第二誤差放大器的輸出端連接所述第二 PMOS管的柵極，第二 PMOS管的源極連接所述提供工作電源的低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端；所述第二 PMOS管的漏極連接所述第二NMOS管的漏極，第二 NM OS管的源極接地； 所述第一 NMOS管的漏極和柵極連接偏置電流源，所述第二 NMOS管的柵極連接第一NMOS管的柵極；所述第一 NMOS管的源極接地； 所述第二 PMOS管的漏極作為第二級低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述濾波電阻為1ΜΩ~10ΜΩ ;所述濾波電容為1uf~10uf。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高電源抑制比和低噪聲的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述濾波電阻與所述前置電壓調(diào)整器集成在一起。
【文檔編號】G05F1/56GK103809638SQ201210461088
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月14日
【發(fā)明者】梁仁光, 胡勝發(fā) 申請人:安凱(廣州)微電子技術(shù)有限公司