用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器，包括第一MOS晶體管、第一放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二電容、電壓信號(hào)輸入線及電壓信號(hào)輸出線，第二電容的兩端分別與第一放大器的輸出端和第一電阻連接，第一MOS晶體管的柵極與第一放大器的輸出端和第二電容之間的線路連接，第一電阻相對(duì)連接第二電容端的另一端與第一MOS晶體管源極連接，第二電阻兩端分別與第一MOS晶體管漏極和第三電阻連接，第三電阻相對(duì)連接第二電阻端的另一端接地，第一放大器的同相輸入端與第二電阻和第三電阻之間的線路連接。本發(fā)明將輸入的電壓反饋后輸出，降低輸入與輸出電壓的敏感度，從而保證輸入到電子標(biāo)簽內(nèi)部電路中電壓的穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻識(shí)別是當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的非接觸式自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別技術(shù)之一，其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。射頻識(shí)別系統(tǒng)主要包括閱讀器和電子標(biāo)簽，閱讀器發(fā)射接收天線耦合過(guò)來(lái)的是交流信號(hào)，在獲取內(nèi)部電源前必須對(duì)其進(jìn)行整流，即將交流信號(hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)?，F(xiàn)有電子標(biāo)簽中整流出的直流電壓幅度抖動(dòng)較大，直流電壓應(yīng)用于電子標(biāo)簽內(nèi)部電路時(shí)不能保證信號(hào)的穩(wěn)定，從而會(huì)影響電子標(biāo)簽與閱讀器之間進(jìn)行信號(hào)傳遞時(shí)的穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種能對(duì)整流后的電壓進(jìn)行穩(wěn)壓，從而提高輸入到電子標(biāo)簽內(nèi)部電路中電壓穩(wěn)定性的用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器。
[0004]本發(fā)明的目的主要通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器，包括第一 MOS晶體管、第一放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻及第二電容，所述第二電容的兩端分別與第一放大器的輸出端和第一電阻連接，所述第一 MOS晶體管的柵極與第一放大器的輸出端和第二電容之間的線路連接，第一電阻相對(duì)連接第二電容端的另一端與第一MOS晶體管源極連接，所述第二電阻兩端分別與第一MOS晶體管漏極和第三電阻連接，第三電阻相對(duì)連接第二電阻端的另一端接地，所述第一放大器的同相輸入端與第二電阻和第三電阻之間的線路連接；所述第一 MOS晶體管源極與第一電阻之間的線路上連接有電壓信號(hào)輸入線，所述第一 MOS晶體管漏極與第二電阻之間的線路上連接有電壓信號(hào)輸出線。其中，電壓信號(hào)輸入線接收整流后的電壓，電壓信號(hào)輸出線將穩(wěn)壓后的電壓輸出至電子標(biāo)簽的內(nèi)部電路中。
[0005]用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器，還包括第一電容和第四電阻，所述第一電容一端連接在電壓信號(hào)輸入線上，其另一端接地；所述第四電阻一端連接在電壓信號(hào)輸出線上，其另一端接地。本發(fā)明通過(guò)第一電容對(duì)輸入本發(fā)明中的電壓進(jìn)行初步濾波，而第四電阻則用于進(jìn)行負(fù)載保護(hù)。
[0006]所述第一 MOS晶體管為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明包括第一 MOS晶體管、第一放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻及第二電容，其中，電壓信號(hào)輸入線連接在第一 MOS晶體管源極與第一電阻之間的線路上，電壓信號(hào)輸出線連接在第一 MOS晶體管漏極與第二電阻之間的線路上，本發(fā)明中第一電阻、第二電阻、第二電容、第一放大器及第一 MOS晶體管構(gòu)成一個(gè)負(fù)反饋，電壓經(jīng)該負(fù)反饋穩(wěn)壓后輸出，降低了輸出電壓與輸入電壓之間的敏感度，從而可達(dá)到穩(wěn)壓后輸出的要求，這就保證了電子標(biāo)簽與閱讀器之間信號(hào)傳遞的穩(wěn)定性，有利于射頻識(shí)別系統(tǒng)的推廣應(yīng)用。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]附圖中附圖標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的名稱為:P1—第一 MOS晶體管，Al—第一放大器，Rl—第一電阻，R2—第二電阻，R3—第三電阻，R4—第三電阻，Cl一第一電容，C2—第二電容，I一電壓信號(hào)輸入線，2—電壓信號(hào)輸出線。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0011]實(shí)施例:
如圖1所示，用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器，包括第一 MOS晶體管P1、第一放大器Al、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3及第二電容C2，其中，第一 MOS晶體管Pl優(yōu)選采用P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第一放大器Al優(yōu)選采用LM324。第二電容C2的兩端分別與第一放大器Al的輸出端和第一電阻Rl連接，第一 MOS晶體管Pl的柵極與第一放大器Al的輸出端和第二電容C2之間的線路連接，第一電阻Rl相對(duì)連接第二電容C2端的另一端與第一MOS晶體管Pl源極連接。第二電阻R2兩端分別與第一 MOS晶體管Pl漏極和第三電阻R3連接，第三電阻R3相對(duì)連接第二電阻R2端的另一端接地，第一放大器Al的同相輸入端與第二電阻R2和第三電阻R3之間的線路連接，為了便于對(duì)參考電壓進(jìn)行測(cè)試，第一放大器Al的反相輸入端懸空。第一 MOS晶體管Pl源極與第一電阻Rl之間的線路上連接有電壓信號(hào)輸入線1，第一 MOS晶體管Pl漏極與第二電阻R2之間的線路上連接有電壓信號(hào)輸出線2，其中，電壓信號(hào)輸入線I接收整流后的電壓，電壓信號(hào)輸出線2將穩(wěn)壓后的電壓輸入到電子標(biāo)簽的內(nèi)部電路內(nèi)。
[0012]用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器，還包括第一電容Cl和第四電阻R4，其中，第一電容Cl 一端連接在電壓信號(hào)輸入線I上,第一電容Cl相對(duì)連接電壓信號(hào)輸入線I端的另一端接地，第四電阻R4 —端連接在電壓信號(hào)輸出線2上，第四電阻R4相對(duì)連接電壓信號(hào)輸出線2端的另一端接地。
[0013]如上所述，則能很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于:包括第一MOS晶體管(Pl)、第一放大器(Al)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)及第二電容(C2)，所述第二電容(C2)的兩端分別與第一放大器(Al)的輸出端和第一電阻(Rl)連接，所述第一 MOS晶體管(Pl)的柵極與第一放大器(Al)的輸出端和第二電容(C2)之間的線路連接，第一電阻(Rl)相對(duì)連接第二電容(C2)端的另一端與第一 MOS晶體管(Pl)源極連接，所述第二電阻(R2)兩端分別與第一 MOS晶體管(Pl)漏極和第三電阻(R3)連接，第三電阻(R3)相對(duì)連接第二電阻(R2)端的另一端接地，所述第一放大器(Al)的同相輸入端與第二電阻(R2)和第三電阻(R3)之間的線路連接；所述第一 MOS晶體管(Pl)源極與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有電壓信號(hào)輸入線(1)，所述第一 MOS晶體管(Pl)漏極與第二電阻(R2)之間的線路上連接有電壓信號(hào)輸出線(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于:還包括第一電容(Cl)和第四電阻(R4)，所述第一電容(Cl) 一端連接在電壓信號(hào)輸入線(I)上，其另一端接地；所述第四電阻(R4 ) —端連接在電壓信號(hào)輸出線(2 )上，其另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于電子標(biāo)簽中穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于:所述第一 MOS晶體管(Pl)為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。
【文檔編號(hào)】G05F1/56GK103529887SQ201210225617
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月3日
【發(fā)明者】曾維亮 申請(qǐng)人:成都市宏山科技有限公司