專利名稱：用于偏置有源器件的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大致涉及供電系統(tǒng)，并且更具體地涉及ー種用于產(chǎn)生用于有源器件的偏置電壓的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
高動(dòng)態(tài)負(fù)載的猝發(fā)性質(zhì)導(dǎo)致功率調(diào)節(jié)器上的電流需求在短時(shí)間段(例如對(duì)于超寬帶(UWB)應(yīng)用大約3納秒(ns))內(nèi)從例如幾微安(μ A)變化到數(shù)十個(gè)毫安(mA)。此外，功率調(diào)節(jié)器必須在非常短的時(shí)間段內(nèi)(例如對(duì)于脈沖位置UWB系統(tǒng)為10-20ns)從初始猝發(fā)恢復(fù)，并且準(zhǔn)備下一次猝發(fā)。隨著這一快速變化的負(fù)載需求，存在負(fù)載調(diào)節(jié)規(guī)范典型地將負(fù)載兩端的最大電壓紋波限制至低于幾十毫伏(mV)的值。典型地與猝發(fā)負(fù)載操作相關(guān)聯(lián)的動(dòng)態(tài)需求通常排除了常規(guī)電壓調(diào)節(jié)方案的使用，該常規(guī)電壓調(diào)節(jié)方案例如是低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器或開關(guān)電源(SMPS)，它們由于它們的內(nèi)部反饋調(diào)節(jié)機(jī)制和相對(duì)低的帶寬而通常不能足夠快地對(duì)負(fù)載分布(load profile)的快速變化做出反應(yīng)。結(jié)果，總是損壞下列調(diào)節(jié)方面中的一個(gè)紋波電壓、調(diào)節(jié)能力、或可能不合需要地變大的調(diào)節(jié)電容大小。用于處理這ー類型需求的當(dāng)前解決方案在解決該問題時(shí)通常是不起作用的。例如，將LDO調(diào)節(jié)器用于對(duì)這樣的猝發(fā)供電的調(diào)節(jié)將是困難的，因?yàn)槠洵h(huán)路不足夠快以在非常短時(shí)間段內(nèi)(例如12. 5ns)調(diào)節(jié)供電。另外，在所容忍的最大下降(droop)上的迫切需求通常需要非常大的旁路電容器。此外，LDO的環(huán)路帶寬被穩(wěn)定度需求限制，并且具有幾納秒響應(yīng)的LDO難以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本公開的ー個(gè)方面涉及ー種用于為有源電路產(chǎn)生偏置電壓的裝置。該裝置包括第ー電壓源、被配置為響應(yīng)第一電壓源產(chǎn)生電荷的電容性元件、以及被配置為傳送待使用的該電荷以產(chǎn)生用于有源器件的偏置電壓的第一開關(guān)元件。在另一方面，該裝置包括被配置為控制該電容性元件的電容的控制器。在又另一方面，該控制器被配置為基于該有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性來控制該電容性元件的電容。在又另一方面，有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性包括有源器件的増益。在本公開的另ー個(gè)方面，控制器被配置為基于參考電壓來控制電容性元件的電容。在另一方面，該參考電壓是基于有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性。在又另一方面，該裝置包括被配置為產(chǎn)生該參考電壓的第二電壓源。在本公開的另ー個(gè)方面，該裝置還包括被配置為產(chǎn)生第二電壓的第二電壓源，該第二電壓源也用于形成偏置電壓。在另一方面，第二電壓源被配置為基于有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性來產(chǎn)生第二電壓。在又另一方面，該裝置包括第二開關(guān)元件，該第二開關(guān)元件被配置為選擇性地將第一電壓源耦合到有源器件以使能該有源器件。在又另一方面，該裝置包括第二開關(guān)元件，該第二開關(guān)元件被配置為選擇性地將有源器件耦合到地電勢或其它電、勢以去使能該有源器件。當(dāng)結(jié)合附圖考慮本申請(qǐng)的下面詳細(xì)描述，本公開的其它方面、優(yōu)點(diǎn)和新穎特征將變得明顯。


圖I示出了根據(jù)本發(fā)明ー個(gè)方面的用于為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的示例性裝置的框圖。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的另ー示例性裝置的框圖。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的另ー示例性裝置的框圖。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的另ー示例性裝置的框圖。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的示例性電容性元件模塊的框圖。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的對(duì)用于為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的裝置進(jìn)行校準(zhǔn)的示例性方法的流程圖。圖7A示出了時(shí)序圖，該時(shí)序圖涉及根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的示例性方法。圖7B示出了時(shí)序圖，該時(shí)序圖涉及根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的另ー示例性方法。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的示例性通信系統(tǒng)的框圖。圖9A-圖9D示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的各種脈沖調(diào)制技術(shù)的時(shí)序圖。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的通過各個(gè)通道相互通信的各個(gè)通信設(shè)備的框圖。
具體實(shí)施例方式下面描述本公開的各個(gè)方面。應(yīng)當(dāng)顯而易見的是，本文的教導(dǎo)可以被體現(xiàn)在各種各樣的形式，并且本文公開任何具體結(jié)構(gòu)、功能或二者僅僅是代表性的?；诒疚牡慕虒?dǎo)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，可以獨(dú)立于其它方面來實(shí)施本文公開的ー個(gè)方面，并且可以以各種方式結(jié)合這些方面中的兩個(gè)或多個(gè)。例如，可使用本文介紹的任意數(shù)量的方面來實(shí)施裝置或?qū)嵺`方法。另外，除了本文介紹的ー個(gè)或多個(gè)方面之外或不同于本文介紹的ー個(gè)或多個(gè)方面，可以使用其它結(jié)構(gòu)、功能或結(jié)構(gòu)與功能來實(shí)施該裝置或?qū)嵺`該方法。圖I示出了根據(jù)本發(fā)明ー個(gè)方面的用于為有源器件150產(chǎn)生偏置電壓Vb的示例性裝置100的框圖。裝置100包括電壓源模塊102，其作為用于產(chǎn)生電壓Vs的手段；電容性元件模塊104，其作為用于響應(yīng)于電壓Vs產(chǎn)生電荷的手段；以及開關(guān)元件模塊106，其作為用于傳送待使用的該電荷以產(chǎn)生用于有源器件150的偏置電壓Vb的手段。在ー個(gè)方面中，產(chǎn)生偏置電壓Vb的過程可以包括下列操作(I)將電壓源模塊102耦合到電容性元件模塊104持續(xù)所定義的時(shí)間間隔，以產(chǎn)生所定義量的電荷Q ；(2) 一旦產(chǎn) 生所定義量的電荷Q，則將電壓源模塊102從電容性元件模塊104去耦合；以及(3)然后激活開關(guān)元件模塊106，以便將電容性元件模塊104耦合到有源器件150，從而傳送電荷Q以產(chǎn)生用于有源器件的偏置電壓VB。這個(gè)過程可能更適于與有源器件150的偏置相關(guān)聯(lián)的漏電流相對(duì)小或微不足道的情況，以便在有源器件操作期間偏置電壓Vb保持基本恒定(例如，所定義的恒定水平)。在另一方面中，形成偏置電壓Vb的過程可以包括下列操作(I)將電壓源模塊102耦合到電容性元件模塊104持續(xù)所定義的時(shí)間間隔，以產(chǎn)生所定義量的電荷Q ;以及(2)然后激活開關(guān)元件模塊106，以便將電壓源模塊102和電容性元件模塊104二者耦合到有源器 件150，從而電荷Q和源電壓Vs 二者促成產(chǎn)生用于有源器件的偏置電壓VB。這ー過程可能更適于與偏置有源器件150相關(guān)聯(lián)的漏電流相當(dāng)大的情況，該情況可能導(dǎo)致偏置電壓Vb的顯著下降。因此，為了在有源器件150操作期間保持偏置電壓Vb基本恒定(例如，所定義的恒定水平)，電壓源模塊102被保持與有源器件耦合。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件250產(chǎn)生偏置電壓Vb的另ー示例性裝置200的框圖?？傮w上，裝置200包括用于為有源器件產(chǎn)生250偏置電壓Vb的電荷Q的源。另外，裝置200包括被配置為產(chǎn)生用于校準(zhǔn)電容性元件模塊的參考電壓的電壓源。這樣的電壓也可以被用作補(bǔ)充電壓以對(duì)與有源器件150的偏置相關(guān)聯(lián)的漏電流進(jìn)行補(bǔ)償。另外，裝置200包括開關(guān)元件，該開關(guān)元件用于傳送電荷Q和/或補(bǔ)充電壓以便產(chǎn)生用于有源器件250的偏置電壓VB。此外，裝置200包括控制器，控制器用于檢測有源器件250的ー個(gè)或多個(gè)特性(例如信號(hào)増益、偏置電壓\等)，并且根據(jù)所檢測的ー個(gè)或多個(gè)特性來調(diào)整參考電壓。特別地，裝置200包括第一電壓源模塊202、電容性元件模塊204、第一開關(guān)元件模塊206、第二電壓源模塊208、第二開關(guān)元件模塊210和控制器212。第一電壓源模塊202和電容性元件模塊204 二者被配置為在控制器212的控制下產(chǎn)生所定義量的電荷Q。更具體地，第一電壓源模塊202被配置為產(chǎn)生第一電壓Vp電容性兀件模塊204被配置為基于和/或響應(yīng)于第一電壓V1來產(chǎn)生電荷Q?？刂破?12可以檢測有源器件250的ー個(gè)或多個(gè)特性，并且可以基于所檢測的ー個(gè)或多個(gè)特性來控制電荷Q。第二電壓源模塊208和第二開關(guān)元件模塊210被配置為產(chǎn)生用于校準(zhǔn)電容性元件模塊204的參考電壓V2。另外，電壓V2可用作補(bǔ)充電壓,補(bǔ)充電壓與由電容性兀件模塊204產(chǎn)生的電荷Q結(jié)合，產(chǎn)生用于有源器件250的偏置電壓VB。例如，當(dāng)存在與有源器件250的偏置相關(guān)聯(lián)的顯著的漏電流時(shí)，可以使用補(bǔ)充電壓V2。在這樣的情況下，不使用補(bǔ)充電壓V2,則在有源器件250操作期間，偏置電壓Vb會(huì)顯著下降。在另一方面，使用補(bǔ)充電壓V2,偏置電壓Vb會(huì)被維持在所定義的電壓范圍內(nèi)。更具體地，第二電壓源模塊208被配置為在控制器212的控制下產(chǎn)生電壓V2?？刂破?12可檢測有源器件250的ー個(gè)或多個(gè)特性，并且可以基于所檢測的ー個(gè)或多個(gè)特性來控制補(bǔ)充電壓V2。另外，控制器212可以配置第二電壓源模塊208以產(chǎn)生用于對(duì)電容性元件模塊204的電容進(jìn)行校準(zhǔn)的參考電壓。例如，控制器212可以基于有源器件250的ー個(gè)或多個(gè)特性來調(diào)整參考電壓V2。一旦設(shè)置了參考電壓，則控制器212可以激活第一電壓源模塊202和電容性元件模塊204以形成電荷Q，并且在電容性元件模塊204的輸出端發(fā)展出電壓。然后，控制器212可以基于參考電壓V2調(diào)整電容性元件模塊204的電容以調(diào)整其輸出端處的電壓。最后，控制器212可選擇性地激活用于傳送電荷Q和/或補(bǔ)充電壓V2的第一開關(guān)元件模塊206和/或第二開關(guān)兀件模塊210,以便產(chǎn)生用于有源器件250的偏置電壓VB。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件Ma產(chǎn)生偏置電壓Vb的另ー示例性裝置300的框圖。裝置300可以是之前討論的裝置100和裝置200的更詳細(xì)實(shí)施方式?？傮w上，裝置300包括用于為有源器件吣產(chǎn)生偏置電壓Vb的電荷Q的源。另外，裝置300包括被配置為產(chǎn)生用于校準(zhǔn)電荷形成元件的參考電壓V2的電壓源。另外，電壓V2也可以用作補(bǔ)償與偏置有源器件Ma相關(guān)的漏電流的補(bǔ)充電壓。另外，裝置300包括開關(guān)元件，該開關(guān)元件用于傳遞電荷Q和/或電壓V2以便形成用于有源器件Ma的偏置電壓VB。此外，裝置300包括控制器，控制器用于檢測有源器件Ma的ー個(gè)或多個(gè)特性(例如信號(hào)増益、偏置電壓Vb等)，并且根據(jù)所檢測的ー個(gè)或多個(gè)特性來調(diào)整參考電壓V2。特別地，裝置300包括電阻器も、R2和R3、電容器Ca和CB、開關(guān)S1-S6,比較器302和校準(zhǔn)控制器304?？梢詫㈦娫措妷篤dd、電阻器R1和R2以及開關(guān)S1配置為如上文討論的 第二電壓源模塊，以產(chǎn)生參考電壓V2或補(bǔ)充電壓V2?？梢詫㈦娫措妷篤dd、電容器Ca和Cb以及開關(guān)S4A、S4b、&和^配置為如上文討論的電容性元件模塊，以基于或響應(yīng)于電源電壓Vdd (例如上文討論的V1)產(chǎn)生電荷Q。可以將電阻器R3和開關(guān)S2配置為如上文討論的第一開關(guān)元件模塊，以選擇性地傳送電荷Q和/或補(bǔ)充電壓V2,以產(chǎn)生用于有源器件Ma的偏置電壓VB。在輸入的RF信號(hào)存在期間，可以關(guān)斷開關(guān)S2,并且電阻器R3基本上防止了輸入的RF信號(hào)向著電容器Ca和Cb的方向泄漏。可以將開關(guān)S5配置為如上文討論的第二開關(guān)元件模塊，用于選擇性地將補(bǔ)充電壓V2施加到第一開關(guān)元件模塊(例如S2和R3)的輸入端。作為參考，電壓V2被施加到比較器302的輸入端，以為了校準(zhǔn)電容性元件模塊(例如Ca和Cb)的目的。比較器302產(chǎn)生輸出，該輸出是參考電壓V2和與電荷Q相關(guān)聯(lián)的電壓之間的差別的函數(shù)?？刂颇K304被配置為基于有源器件Ma的ー個(gè)或多個(gè)特性(例如信號(hào)増益、偏置電壓Vb等)來調(diào)整電容器Ca和Cb的電容和/或電阻器R1和R2。將在下文參考流程圖和時(shí)序圖進(jìn)ー步討論與校準(zhǔn)這些參數(shù)和形成偏置電壓Vb有關(guān)的過程。在該示例中，可以將有源器件Ma配置為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET )。有源器件Ma可以具有有效輸入電容CP，有效輸入電容Cp包括器件Ma的柵極-源極電容、與偏置電阻器R4相關(guān)聯(lián)的電容以及其它寄生電容。開關(guān)S6可以被配置為選擇性地為電容Cp放電。有源器件Ma可與其它器件相關(guān)聯(lián)，用于例如對(duì)器件進(jìn)行偏置、快速使能/去使能以及頻率調(diào)諧。例如，如上文討論的，電阻器R4可以被配置為產(chǎn)生用于器件Ma的所定義的源極電壓或柵扱-源極電壓。開關(guān)S3和以及MOSFET Mb可以被配置為快速使能和去使能有源器件Ma。例如，當(dāng)S3是接通狀態(tài)(開啟的)而I；是關(guān)斷狀態(tài)(關(guān)閉的)吋，MOSFET Mb被導(dǎo)通，允許電源電壓Vdd經(jīng)由與負(fù)載相關(guān)聯(lián)的電感レ被施加到器件Ma。當(dāng)S3是關(guān)斷狀態(tài)而€是接通狀態(tài)時(shí)，MOSFET Mb被截止，以阻止電源電壓Vdd被施加到器件Ma。此外，在該示例中，可以將有源器件Ma配置為射頻(RF)放大器(例如，低噪聲放大器(LNA))，因此，器件Ma的柵極被配置為接收輸入RF信號(hào)，并且器件Ma的漏極被配置為產(chǎn)生輸出RF信號(hào)。負(fù)載電感U可以被配置為放大器Ma設(shè)定所定義的中心頻率和帶寬。應(yīng)當(dāng)理解的是，這樣的放大器僅僅是ー個(gè)示例，并且其它變型和/或類型也可以利用本文描述的偏置技術(shù)。例如，該放大器可以是不具有退化電阻器(degeneration resistor) R4的共源極放大器。需要偏置電壓來適應(yīng)相對(duì)短周期的其它類型的放大器或器件也可以利用本文描述的技木。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件Ma產(chǎn)生偏置電壓Vb的另ー示例性裝置400的框圖。裝置400類似于之前討論的裝置300，并且包括被標(biāo)注有相同的附圖標(biāo)記的相同元件，而且除了最有效數(shù)字之外的相同的參考數(shù)字是“4”而不是“3”。裝置300與400的差別在于裝置300中的電阻器R1由電流源406代替，使該電流源406產(chǎn)生基本固定或可變的電流?？梢詫?shí)施用于裝置300和裝置400的第二電壓源模塊和其它模塊的其它配置。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的示例性電容性元件模塊500的框圖。電容性元件模塊500可以是之前討論的電容性元件模塊的具體實(shí)施方式
。在該示例中，電容性兀件模塊500包括第一ニ進(jìn)制權(quán)電容器組合(first binary-weighted capacitor bank),其包括分別與對(duì)應(yīng)的開關(guān)S4ai到S4An串聯(lián)耦合的電容器Cai到Cto。電容性元件模塊500包括第二ニ進(jìn)制權(quán)電容器組合，其包括分別與對(duì)應(yīng)的開關(guān)S4bi至S4Bn串聯(lián)耦合的電容器Cbi到 CBn。參照裝置300和裝置400，第一ニ進(jìn)制權(quán)電容器組合Cai到CAn可以是可變電容器Ca的更詳細(xì)實(shí)施方式。對(duì)應(yīng)的開關(guān)S4ai到S4An可以是開關(guān)S4a的更詳細(xì)實(shí)施方式。第二ニ進(jìn)制權(quán)電容器組合Cbi到CBn可以是可變電容器Cb的更詳細(xì)實(shí)施方式。對(duì)應(yīng)的開關(guān)S4bi到S4Bn可以是開關(guān)S4b的更詳細(xì)實(shí)施方式。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的對(duì)用于為有源器件形成偏置電壓的裝置進(jìn)行校準(zhǔn)的示例性方法600的流程圖?？傮w上，根據(jù)方法600，首先基于有源器件Ma的ー個(gè)或多個(gè)檢測的特性來校準(zhǔn)參考電壓V2 (塊602到614)。然后，基于校準(zhǔn)后的參考電壓V2，調(diào)諧電容性元件模塊(塊616到630)。進(jìn)ー步參考圖3 (方法600也可用于圖4)，控制器304將電阻器R1和R2設(shè)置為默認(rèn)值，以產(chǎn)生初始參考電壓V2 (例如Vdd的1/2)(塊602)。然后，控制器304關(guān)斷開關(guān)S2、S4A> S4b和S6 (塊604)。開關(guān)S2處于關(guān)斷狀態(tài)，從而R3工作以防止穿過其中的RF泄漏；S4A和S4b處于關(guān)斷狀態(tài)，以將電容Ca和Cb從有源器件Ma去耦合；并且S6處于關(guān)斷狀態(tài)，從而能夠在電容器Cp兩端發(fā)展出偏置電壓VB。然后，控制器304接通開關(guān)S1和S5,以將電壓V2施加到有源器件Ma的柵極，并且通過接通開關(guān)S2和S3并且關(guān)斷開關(guān)來偏置有源器件Ma(塊606)。然后,有源器件Ma工作在持續(xù)方式(continuous manner)。然后控制器304檢測有源器件Ma的ー個(gè)或多個(gè)特性(例如信號(hào)増益、偏置電壓Vb等)(塊608)。然后，控制器304確定有源器件Ma的ー個(gè)或多個(gè)所檢測的特性是否處于規(guī)范之內(nèi)(塊612)。如果有源器件Ma的ー個(gè)或多個(gè)特性不在規(guī)范之內(nèi)，則控制器304基于該ー個(gè)或多個(gè)特性通過調(diào)整電阻器R1和/或R2，來改變電壓V2。例如，如果有源器件Ma的増益低于規(guī)范，則控制器304可以調(diào)整電阻器R1和/或R2以增大電壓V2，從而増大有源器件Ma的增益。另ー方面，如果有源器件Ma的増益高于規(guī)范，則控制器304可以調(diào)整電阻R1和/或R2以減小電壓\，從而減小有源器件Ma的増益?？刂破?04重復(fù)塊604到614的ー些或所有操作，直到有源器件Ma的該ー個(gè)或多個(gè)特性處于規(guī)范之內(nèi)。如果在塊612中，控制器304確定了有源器件Ma的該ー個(gè)或多個(gè)特性處于規(guī)范之內(nèi)，則控制器304關(guān)斷開關(guān)S2和S5以及器件偏置(塊616)。然后，控制器304可以將迭代計(jì)數(shù)i設(shè)置為η (每個(gè)電容器組合中的ニ進(jìn)制權(quán)電容器的數(shù)量)(塊618)。然后，控制器304接通電容器組合中的開關(guān)S4Ai和S4Bi (組合中的其余電容可以被關(guān)斷)(塊620)。然后，控制器304將電容性元件模塊的輸出端處的電壓與校準(zhǔn)電壓V2進(jìn)行比較(塊622)。然后，控制器304基于該比較來關(guān)斷開關(guān)S4Ai和S4Bi中的任意ー個(gè)。然后，控制器304將迭代計(jì)數(shù)i遞減I (塊626)，并且確定迭代計(jì)數(shù)i是否等于零(塊628)。如果迭代計(jì)數(shù)i不等于零，則控制器304重復(fù)塊620到628中規(guī)定的操作。否則，控制器304終止校準(zhǔn)流程(塊630)。圖7A示出了時(shí)序圖，該時(shí)序圖涉及根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的用于為有源器件Ma產(chǎn)生偏置電壓Vb的典型方法。在該示例中，有源器件Ma被配置為對(duì)包括多個(gè)脈沖的輸入RF信號(hào)進(jìn)行放大。應(yīng)當(dāng)理解的是，輸入RF信號(hào)不必限于具有脈沖的信號(hào)。根據(jù)該時(shí)序圖，對(duì)應(yīng)與輸入RF信號(hào)相關(guān)聯(lián)的每個(gè)脈沖間隔，偏置電壓Vb的形成和有源器件Ma的激活必須包括接通開關(guān)S2、S3、S4A和S4B，并且基本上同吋，以便形成偏置電壓\。在偏置電壓Vb形成期間，開關(guān)S1. S5和S6可以保持關(guān)斷狀態(tài)。開關(guān)S2可以被維持接通，直到偏置電壓達(dá)到所定義的穩(wěn)定度，其可以是比開關(guān)S3、S4a和S4b的接通時(shí)間更短的持續(xù)時(shí)間。在時(shí)序方面，輸入RF信號(hào)的脈沖在僅當(dāng)開關(guān)S3、S4a和S4b處于接通狀態(tài)時(shí)的時(shí)間間隔到達(dá)。然后，處理完脈沖后，開關(guān)S3、S4A和S4b可以被關(guān)斷以完成脈沖間隔I。如上所述，對(duì)于輸入RF信號(hào)的其余脈沖間隔可以重復(fù)這一同樣的過程圖7B示出了時(shí)序圖，該時(shí)序圖涉及根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的為有源器件Ma產(chǎn)生偏置電壓Vb的示例性方法。在該示例中，有源器件Ma被配置為對(duì)包括多個(gè)脈沖的輸入RF信號(hào)進(jìn)行放大。應(yīng)當(dāng)理解的是，輸入RF信號(hào)不必被限于具有脈沖的信號(hào)。根據(jù)該時(shí)序圖，對(duì)于與輸入RF信號(hào)相關(guān)聯(lián)的每個(gè)脈沖間隔，偏置電壓Vb的形成和有源器件Ma的激活必須包括基本上同時(shí)接通開關(guān)S2、S3、S4A、S4B和S5,以便形成偏置電壓Vb。開關(guān)S1可以在脈沖處理過程期間被接通，以便能夠?qū)㈦妷篤2施加到有源器件Ma，以針對(duì)與有源器件的偏置相關(guān)聯(lián)的任何漏電流進(jìn)行補(bǔ)償。從脈沖間隔稍前到脈沖間隔稍后，開關(guān)S6可以保持關(guān)斷，以便偏置電壓Vb能夠被發(fā)展出。在任何脈沖間隔之前以及在脈沖間隔之間，開關(guān)S6可以被接通以將電容器Cp放電，從而偏置電壓Vb可以從已知電勢(例如地電勢)發(fā)展出。開關(guān)S2可以為維持接通，直到偏置電壓達(dá)到所定義的穩(wěn)定度，其可以是比開關(guān)S3、S4A、S4B和S5的接通時(shí)間更短的持續(xù)時(shí)間。在時(shí)序方面，輸入RF信號(hào)的脈沖在僅當(dāng)開關(guān)S3、S4A、S4B和S5處于接通狀態(tài)時(shí)的時(shí)間間隔到達(dá)。然后，處理完脈沖后，開關(guān)S3、S4A、S4B和S5可以被關(guān)斷以完成脈沖間隔I。如上所述，針對(duì)輸入RF信號(hào)的其余脈沖間隔可以重復(fù)這一同樣的過程。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的示例性通信設(shè)備800的框圖。通信設(shè)備800可以是使用之前討論的裝置中的任意作為電壓調(diào)節(jié)器的通信設(shè)備的一個(gè)示例性實(shí)施例。特別地，通信器件800包括天線802、低噪聲放大器(LNA) 804、脈沖解調(diào)器806、第一電壓調(diào)節(jié)器808、接收器基帶處理模塊810、鎖相環(huán)(PLL)和/或壓控振蕩器(VCO) 812、參考振蕩器814、發(fā)射器基帶處理模塊816、脈沖調(diào)制器818、第二電壓調(diào)節(jié)器820和功率放大器(PA)822。作為源通信設(shè)備，待發(fā)射到目標(biāo)通信器件的數(shù)據(jù)被發(fā)送到發(fā)射器基帶處理模塊816。發(fā)射器基帶處理模塊816處理發(fā)射數(shù)據(jù)以生成出站基帶信號(hào)。脈沖調(diào)制器818基于出站基帶信號(hào)生成脈沖(例如超寬帶(UWB)脈沖)。第二電壓調(diào)節(jié)器820在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間將電荷供應(yīng)給脈沖調(diào)制器818以便用于將被生成的脈沖。PA 822對(duì)UWB脈沖信號(hào)進(jìn)行放大，并且通過Tx/Rx隔離器件804將其提供到天線802，以用于發(fā)射到無線介質(zhì)中。第二電壓調(diào)節(jié)器820還在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間將電荷供應(yīng)到PA 822以便用于將被放大的脈沖。發(fā)射數(shù)據(jù)可以由下列產(chǎn)生傳感器、微處理器、微控制器、RISC處理器、鍵盤、諸如鼠標(biāo)或軌跡球之類的定點(diǎn)設(shè)備、諸如耳機(jī)之類的音頻設(shè)備(包括諸如麥克風(fēng)之類的變換器)、醫(yī)療設(shè)備、鞋子、生成數(shù)據(jù)的機(jī)器人或機(jī)械設(shè)備、諸如觸摸感應(yīng)顯示器之類的用戶接ロ等。作為目標(biāo)通信器件，接收的RF信號(hào)(例如入站UWB脈沖)由天線802拾取，并且被施加到LNA 804，LNA 804將接收的RF信號(hào)進(jìn)行放大。第一電壓調(diào)節(jié)器808在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間將電荷供應(yīng)給LNA 804以便用于將被放大的接收的信號(hào)。脈沖解調(diào)器806基于接收的UWB脈沖來生成入站基帶信號(hào)。第一電壓調(diào)節(jié)器808還在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間將電荷供應(yīng)給脈沖解調(diào)器808以便適當(dāng)?shù)靥幚碓撁}沖。接收器基帶處理810處理到來的基帶信號(hào)以生成接收的數(shù)據(jù)。 然后，數(shù)據(jù)處理器(未示出)可以基于接收的數(shù)據(jù)來執(zhí)行ー個(gè)或多個(gè)所定義的操作。例如，數(shù)據(jù)處理器可以包括微處理器、微控制器、精簡指令集計(jì)算機(jī)(RISC)處理器、顯示器、諸如耳機(jī)之類的音頻裝置(包括諸如揚(yáng)聲器之類的變換器)、醫(yī)療設(shè)備、鞋子、手表、對(duì)數(shù)據(jù)有響應(yīng)的機(jī)器人或機(jī)械設(shè)備、諸如顯示器之類的用戶接ロ、ー個(gè)或多個(gè)發(fā)光二級(jí)管(LED)等。圖9A示出了用不同脈沖重復(fù)頻率(PRF)定義的不同通道(通道I和通道2),作為可以在本文描述的通信系統(tǒng)、設(shè)備和裝置的任意中實(shí)施的脈沖調(diào)制的示例。具體地，用于通道I的脈沖具有與脈沖-脈沖延遲周期902對(duì)應(yīng)的脈沖重復(fù)頻率(PRF)。相反地，用于通道2的脈沖具有與脈沖-脈沖延遲周期904對(duì)應(yīng)的脈沖重復(fù)頻率(PRF)。因此，該技術(shù)可以被用于定義在兩個(gè)通道之間具有相對(duì)低可能性的脈沖沖突(pulse collision)的偽正交通道。特別地，脈沖沖突的低可能性可以通過使用用于脈沖的低占空比來實(shí)現(xiàn)。例如，通過對(duì)脈沖重復(fù)頻率(PRF)的適當(dāng)選擇，可以在與用于任何其他通道的脈沖不同的時(shí)刻發(fā)射用于給定通道的基本上所有脈沖。被定義用于給定通道的脈沖重復(fù)頻率(PRF)可以取決于由該通道支持的數(shù)據(jù)速率或多個(gè)數(shù)據(jù)速率。例如，支持非常低的數(shù)據(jù)速率(例如大約每秒幾千位或幾Kbps)的通道可以采用相應(yīng)的低脈沖重復(fù)頻率(PRF)。相反地,支持相對(duì)高數(shù)據(jù)速率(例如大約每秒幾兆位或幾Mbps)的通道可以采用相應(yīng)地更高的脈沖重復(fù)頻率(PRF)。圖9B示出了利用不同脈沖位置或偏移來定義的不同通道(通道I和通道2)，作為可以在本文描述的任意通信系統(tǒng)中應(yīng)用的調(diào)制的示例。在根據(jù)第一脈沖偏移如由線906表示的時(shí)間點(diǎn)(例如，關(guān)于給定的時(shí)間點(diǎn)，未示出)生成用于通道I的脈沖。相反地，在根據(jù)第ニ脈沖偏移如由線908表示的時(shí)間點(diǎn)生成用于通道2的脈沖。給定脈沖之間的脈沖偏移差別(如由箭頭910表示)，該技術(shù)可以用于減小兩個(gè)通道之間脈沖沖突的可能性。取決于針對(duì)通道(例如本文所討論的)定義的其它任意信令參數(shù)(signaling parameter)以及器件之間時(shí)序的精確度(例如相對(duì)時(shí)鐘漂移)，不同脈沖偏移的使用可以被用于提供正交或偽正交通道。圖9C示出了利用不同的跳時(shí)序列調(diào)制來定義的不同通道(通道I和通道2)，該不同的跳時(shí)序列調(diào)制可以應(yīng)用于本文描述的任意通信系統(tǒng)中。例如，可以在根據(jù)ー個(gè)跳時(shí)序列的時(shí)間生成用于通道I的脈沖912，同時(shí)在根據(jù)另ー個(gè)跳時(shí)序列的時(shí)間生成用于通道2的脈沖914。取決于所使用的特定序列以及器件之間時(shí)序的精確度，該技術(shù)可以用于提供正交或偽正交通道。例如，跳時(shí)的脈沖位置可以不是周期性的，以減小與鄰近通道反復(fù)脈沖沖突的可能。
圖9D示出了利用不同時(shí)隙來定義的不同通道，其作為可以在本文描述的任意通信系統(tǒng)中應(yīng)用的脈沖調(diào)制的示例。在特定時(shí)間實(shí)例(time instance)生成用于通道LI的脈沖。類似地，在其它時(shí)間實(shí)例生成用于通道L2的脈沖。以同樣的方式，在再其它時(shí)間實(shí)例生成用于通道L3的脈沖。通常，屬于不同通道的時(shí)間實(shí)例并不一致或可以是正交的，以減小或消除各通道之間的干擾。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，可以使用其它技術(shù)來根據(jù)脈沖調(diào)制方案定義通道。例如，可以基于不同的擴(kuò)頻偽隨機(jī)數(shù)字序列(spreading pseudo-random number sequence)或一些其它適合的參數(shù)來定義通道。另外，可以基于兩個(gè)或多個(gè)參數(shù)的組合來定義通道。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明另ー個(gè)方面的通過各個(gè)通道相互通信的各個(gè)超寬帶(UWB)通信設(shè)備的框圖。例如，UWB設(shè)備11002通過兩個(gè)并存的UWB通道I和UWB通道2與UffB設(shè)備21004通信。UWB設(shè)備1002通過單個(gè)通道3與UWB設(shè)備31006通信。并且，UffB設(shè)備31006接著通過單個(gè)通道4與UWB設(shè)備41008通信。其它配置也是可能的。通信設(shè)備可以用于很多不同的應(yīng)用，并且可以例如在耳機(jī)、麥克風(fēng)、生物計(jì)量(biometric)傳感器、心率監(jiān)測器、計(jì)步器、EKG設(shè)備、手表、鞋子、遠(yuǎn)程控制、開關(guān)、胎壓監(jiān)測器或其它通信設(shè)備中實(shí) 施該通信設(shè)備。醫(yī)療設(shè)備可以包括智能創(chuàng)可貼、傳感器、生命體征監(jiān)測器以及其它。本文描述的通信設(shè)備可以用于任意類型的感測應(yīng)用，例如用于感測自動(dòng)的、運(yùn)動(dòng)的和生理的(醫(yī)學(xué)的)反應(yīng)。本公開的上述方面中的任意可以在很多不同設(shè)備中實(shí)施。例如，除了如上文討論的醫(yī)療應(yīng)用之外，本公開的方面可以被用于健康應(yīng)用和健身應(yīng)用。另外，本公開的方面可以在用于不同類型應(yīng)用的鞋子中實(shí)施。還有其它眾多應(yīng)用可以包含如本文描述的本公開的任意方面。本公開的各方面已經(jīng)在上文描述了。應(yīng)當(dāng)顯而易見的是，本文的教導(dǎo)可以被體現(xiàn)為各種各樣的形式，并且本文公開的任意特定結(jié)構(gòu)、功能或兩者僅僅是代表性的?；诒疚牡慕虒?dǎo)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，可以獨(dú)立于任何其它方面來實(shí)施本文公開的ー個(gè)方面，并且可以以各種方式組合這些方面中的兩個(gè)或多個(gè)。例如，可以使用本文介紹的任意數(shù)量的方面來實(shí)施裝置或?qū)嵺`方法。另外，附加于本文介紹的ー個(gè)或多個(gè)方面之外，或不同于本文介紹的ー個(gè)或多個(gè)方面，可以使用其它結(jié)構(gòu)、功能、或結(jié)構(gòu)與功能來實(shí)施該裝置或?qū)嵺`該方法。作為ー些上述概念的示例，在ー些方面，可以基于脈沖重復(fù)頻率來建立并存的通道。在一些方面，可以基于脈沖位置或偏移來建立并存的通道。在一些方面，可以基于跳時(shí)序列來建立并存的通道。在ー些方面，可以基于脈沖重復(fù)頻率、脈沖位置或偏移、以及跳時(shí)序列來建立并存的通道。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以實(shí)用各種不同技術(shù)和技巧中的任意來表示信息和信號(hào)。例如，可能遍及上述說明書參考的數(shù)據(jù)、指令、命令、信息、信號(hào)、比特、符號(hào)和芯片可以由電壓、電流、電磁波、磁場或磁粒子、光場或光粒子、或其任意組合來表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員還將認(rèn)識(shí)到，聯(lián)系本文公開的方面描述的各種說明性的邏輯塊、模塊、處理器、手段、電路和算法步驟可以被實(shí)施為電子硬件(例如數(shù)字實(shí)施例、模擬實(shí)施例或二者的組合，可以使用源編碼或一些其它技術(shù)來設(shè)計(jì)它們)、各種形式的包括指令的程序或設(shè)計(jì)代碼(為了方便，其在本文可以被稱為“軟件”或“軟件模塊”)或二者的結(jié)合。為了清楚地示出硬件與軟件的可互換性，上文已經(jīng)在它們的功能方面基本介紹了各種例示性的部件、塊、模塊、電路和步驟。該功能是否被實(shí)施為硬件或軟件，取決于特定應(yīng)用和施加到總體系統(tǒng)上的設(shè)計(jì)約束。熟練的技術(shù)人員可以針對(duì)每個(gè)特定應(yīng)用，以不同的方式實(shí)施所描述的功能，但是，這樣的實(shí)施決策不應(yīng)被解釋為造成對(duì)本公開的范圍的背離。聯(lián)系本文公開的方面描述的各種例示性的邏輯塊、模塊和電路可以被實(shí)施在集成電路(“1C”)、接入終端、或接入點(diǎn)中，或者被通過集成電路(“1C”)、接入終端、或接入點(diǎn)來執(zhí)行。IC可以包括被設(shè)計(jì)為執(zhí)行本文介紹的功能的通用處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯器件、分立門或晶體管邏輯、分立硬件部件、電氣部件、光部件、機(jī)械部件或其任意組合，并且它們可以執(zhí)行存在于IC內(nèi)、IC外或兩者的代碼或指令。通用處理器可以是微處理器，但在替換方案中，處理器可以是任何常規(guī)的處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器也可以被實(shí)施為計(jì)算裝置的組合，例如DSP與微處理器的組合、多個(gè)微處理器的組合、結(jié)合DSP內(nèi)核的ー個(gè)或多個(gè)微處理器的組合、或其它任意這樣的配置。可以理解的是，在任何公開的過程中步驟的任何特定順序或?qū)哟问菢颖痉ǖ末`個(gè)示例?；谠O(shè)計(jì)偏好，可以理解的是，過程中步驟的特定順序或?qū)哟慰梢灾匦屡帕校卤３衷诒竟_的范圍中。所附的方法權(quán)利要求以樣本順序介紹了各步驟的元素，并且并非意在被限制于所介紹的特定順序或?qū)哟?。可以直接在硬件中、由處理器?zhí)行的軟件模塊中、或二者的組合來實(shí)施聯(lián)系本文公開的方面描述的方法或算法的步驟。軟件模塊(例如包括可執(zhí)行指令和相關(guān)數(shù)據(jù))和其它數(shù)據(jù)可以存在于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器例如是RAM存儲(chǔ)器、flash存儲(chǔ)器、ROM存儲(chǔ)器、EPROM存儲(chǔ)器、EEPROM存儲(chǔ)器、寄存器、硬盤、可移動(dòng)盤、CD-ROM、或本領(lǐng)域中已知的任何其它形式的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。樣本存儲(chǔ)介質(zhì)可以耦合到諸如計(jì)算機(jī)/處理器(為了方便，其在本文可稱為“處理器”)之類的機(jī)器，這樣的處理器能偶從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取信息(例如代碼)和向存儲(chǔ)介質(zhì)寫入信息。樣本存儲(chǔ)介質(zhì)可以被集成到處理器。處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可以存在于ASIC中。ASIC可以存在于用戶儀器中。在替換方案中，處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可以作為用戶儀器中的分立部件存在。另外，在ー些方面中，任意適合的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可以包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括關(guān)于本公開的ー個(gè)或多個(gè)方面的代碼。在ー些方面中，計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可以包括封裝材料。盡管聯(lián)系各個(gè)方面描述了本發(fā)明，將理解的是，本發(fā)明能夠進(jìn)ー步變型。這ー應(yīng)用旨在覆蓋如下的對(duì)本公開的任何改變、使用或調(diào)整大體遵循本發(fā)明的遠(yuǎn)離并且包括諸如在本發(fā)明屬于的領(lǐng)域中已知的和習(xí)慣做法之類的從本發(fā)明的背離。權(quán)利要求
1.一種為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的裝置，包括 第一電壓源； 電容性元件，其被配置為響應(yīng)所述第一電壓源產(chǎn)生電荷；以及 第一開關(guān)元件，其被配置為傳送所述電荷，所述電荷將被使用以產(chǎn)生用于所述有源器件的所述偏置電壓。
2.如權(quán)利要求I所述的裝置，還包括控制器，其被配置為控制所述電容性元件的電容。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述控制器被配置為基于所述有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性來控制所述電容性元件的所述電容。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述有源器件的所述ー個(gè)或多個(gè)特性包括所述有源器件的増益。
5.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述控制器被配置為基于參考電壓來控制所述電容性元件的所述電容。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述參考電壓是基于所述有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性的。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，還包括被配置為產(chǎn)生所述參考電壓的第二電壓源。
8.如權(quán)利要求I所述的裝置，還包括被配置為產(chǎn)生第二電壓的第二電壓源，所述第二電壓將被使用以產(chǎn)生所述偏置電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述第二電壓是基于所述有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性的。
10.如權(quán)利要求I所述的裝置，還包括第二開關(guān)元件，所述第二開關(guān)元件被配置為選擇性地將所述第一電壓源耦合到所述有源器件以使能所述有源器件。
11.如權(quán)利要求I所述的裝置，還包括第二開關(guān)元件，所述第二開關(guān)元件被配置為選擇性地將所述有源器件耦合到地電勢或其它電勢以去使能所述有源器件。
12.—種產(chǎn)生用于有源器件的偏置電壓的方法，包括 產(chǎn)生第一電壓； 響應(yīng)于所述第一電壓在電容性兀件上產(chǎn)生電荷；并且 傳送所述電荷，所述電荷將被使用以產(chǎn)生用于所述有源器件的所述偏置電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括控制所述電容性元件的電容。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，控制所述電容性元件的所述電容是基于所述有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性的。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述有源器件的所述ー個(gè)或多個(gè)特性包括所述有源器件的増益。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，控制所述電容性元件的所述電容是基于參考電壓的。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述參考電壓是基于所述有源器件的一個(gè)或多個(gè)特性的。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括產(chǎn)生所述參考電壓。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括產(chǎn)生第二電壓，所述第二電壓將被使用以產(chǎn)生所述偏置電壓。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第二電壓是所述有源器件的ー個(gè)或多個(gè)特性的函數(shù)。
21.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括將所述第一電壓施加到所述有源器件以使能所述有源器件。
22.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括將地電勢或其它電勢施加到所述有源器件以去使能所述有源器件。
23.一種為有源器件產(chǎn)生偏置電壓的裝置，包括 用于產(chǎn)生第一電壓的模塊； 用于響應(yīng)于所述第一電壓來產(chǎn)生電荷的模塊；以及 用于傳送所述電荷的模塊，所述電荷將被使用以產(chǎn)生用于所述有源器件的所述偏置電壓。
24.如權(quán)利要求23所述的裝置，還包括用于控制所述電荷產(chǎn)生模塊的電荷容量的模塊。
25.如權(quán)利要求24所述的裝置，其中，所述控制模塊被配置為基于所述有源器件的一個(gè)或多個(gè)特性來控制所述電荷產(chǎn)生模塊的所述電荷容量。
26.如權(quán)利要求25所述的裝置，其中，所述有源器件的所述ー個(gè)或多個(gè)特性包括所述有源器件的増益。
27.如權(quán)利要求24所述的裝置，其中所述控制模塊被配置為基于參考電壓來控制所述電荷產(chǎn)生模塊的所述電荷容量。
28.如權(quán)利要求27所述的裝置，其中，所述參考電壓是基于所述有源器件的一個(gè)或多個(gè)特性的。
29.如權(quán)利要求27所述的裝置，還包括用于產(chǎn)生所述參考電壓的模塊。
30.如權(quán)利要求23所述的裝置，還包括用于產(chǎn)生第二電壓的模塊，所述第二電壓將被使用以產(chǎn)生用于所述有源器件的所述偏置電壓。
31.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，所述第二電壓是基于所述有源器件的一個(gè)或多個(gè)特性的。
32.如權(quán)利要求23所述的裝置，還包括用于將所述第一電壓產(chǎn)生模塊耦合到所述有源器件以使能所述有源器件的模塊。
33.如權(quán)利要求23所述的裝置，還包括用于將所述有源器件耦合到地電勢或其它電勢以去使能所述有源器件的模塊。
34.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括 計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其包括指令，裝置能夠執(zhí)行所述指令以通過以下步驟產(chǎn)生用于有源器件的偏置電壓 產(chǎn)生電壓； 響應(yīng)于所述電壓在電容性元件上產(chǎn)生電荷；以及 傳送所述電荷，所述電荷將被使用以產(chǎn)生用于所述有源器件的所述偏置電壓。
35.一種耳機(jī),包括 變換器，其被配置為產(chǎn)生音頻數(shù)據(jù)； 發(fā)射器，其被配置為發(fā)射所述音頻數(shù)據(jù)；電壓源； 電容性元件，其被配置為響應(yīng)于所述電壓源來產(chǎn)生電荷；以及開關(guān)元件，其被配置為傳送所述電荷，所述電荷將被使用以產(chǎn)生用于所述發(fā)射器的偏置電壓。
36.ー種用戶設(shè)備，包括 接收器，其被配置為接收數(shù)據(jù)； 電壓源； 電容性元件，其被配置為響應(yīng)于所述電壓源產(chǎn)生電荷；以及 開關(guān)元件，其被配置為傳送所述電荷，所述電荷將被使用以產(chǎn)生用于所述接收器的偏置電壓。
37.ー種感測設(shè)備，包括 傳感器，其被配置為獲取數(shù)據(jù)； 發(fā)射器，其被配置為發(fā)射所述數(shù)據(jù)； 電壓源； 電容性元件，其被配置為響應(yīng)于所述電壓源產(chǎn)生電荷；以及 開關(guān)元件，其被配置為傳送所述電荷，所述電荷將被使用以產(chǎn)生用于所述發(fā)射器的偏置電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于為有源電路產(chǎn)生偏置電壓的裝置，其包括第一電壓源、被配置為響應(yīng)第一電壓源產(chǎn)生電荷的電容性元件，以及被配置為傳送電荷以產(chǎn)生用于有源器件的偏置電壓的第一開關(guān)元件。該裝置可以包括被配置為基于有源器件的一個(gè)或多個(gè)特性來控制電容性元件的控制器。可替代地，控制器也可以基于參考電壓來控制電容性元件電容，即轉(zhuǎn)而基于有源器件的一個(gè)或多個(gè)特性。該裝置也可包括被配置為產(chǎn)生第二電壓的第二電壓源，從其可產(chǎn)生偏置電壓。第二電壓可基于有源器件的一個(gè)或多個(gè)特性。該裝置可包括被配置為選擇性地使能或去使能有源器件的第二開關(guān)元件。
文檔編號(hào)G05F1/46GK102652295SQ201080056126
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2010年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月11日
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