專利名稱：軟啟動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種軟啟動(dòng)裝置，特別是一種切換過程平順而無突波并同時(shí) 可以延長啟動(dòng)時(shí)間的軟啟動(dòng)裝置。
背景技術(shù)：
軟啟動(dòng)裝置(soft-start)可應(yīng)用于多種電路。為了避免電源啟動(dòng)(power on ) 初期，過大的涌入電流(rush current)或過量(overshoot)的電壓易對(duì)電路 造成損壞，而須讓輸入電源緩慢上升的電路，皆可使用軟啟動(dòng)裝置。
以交換穩(wěn)壓器為例作說明。交換穩(wěn)壓器有較好的電壓轉(zhuǎn)換效率，因此通 常被使用于轉(zhuǎn)換大壓差及大負(fù)載電流。然而，交換穩(wěn)壓器在電源啟動(dòng)初期， 容易造成過大的涌入電流或過量的電壓，進(jìn)而可能造成電路的損壞。因此， 在電源啟動(dòng)時(shí)，需使用軟啟動(dòng)裝置而讓電源電壓可緩慢上升。
參照?qǐng)D1A,圖1A是傳統(tǒng)技術(shù)的軟啟動(dòng)裝置的示意圖。傳統(tǒng)技術(shù)針對(duì)軟 啟動(dòng)裝置的設(shè)計(jì)上，包含電流源(I)AIO、電容(C)A20、開關(guān)A30、參考電 壓(Vref)A40及固定電壓源(Vbg)A50。 .
軟啟動(dòng)裝置一開始為開回路操作，也就是說開關(guān)A30為開啟的狀態(tài)。利 用電流源A10對(duì)電容A20充電，在充電過程中電容A20會(huì)緩慢的增加電壓， 而產(chǎn)生一個(gè)斜率電壓(ramp voltage)。因此，參考電壓A40也同時(shí)跟隨斜率電 壓而緩慢上升，如此可達(dá)到軟啟動(dòng)的功能。
當(dāng)斜率電壓接近固定電壓源A50的電壓值時(shí)(于此，固定電壓源A50的電 壓值可以是能隙電壓(bandgap voltage)),必須結(jié)束軟啟動(dòng)機(jī)制，使整個(gè)系統(tǒng)恢 復(fù)正常操作。傳統(tǒng)作法是將開關(guān)A30關(guān)閉，而切回閉回路，使參考電壓A40 輸出固定電壓源A50的電壓值，也就是輸出能隙電壓。
然而，開關(guān)A30的切換時(shí)間點(diǎn)不易控制，容易造成不連續(xù)的突波，使得 系統(tǒng)不穩(wěn)定而誤動(dòng)作。參照?qǐng)DIB,圖IB是傳統(tǒng)技術(shù)的軟啟動(dòng)裝置切換波形 示意圖(一)。由圖1B所示可知，如果開關(guān)A30切換的太晚，會(huì)造成參考電壓
(V,ef)超過能隙電壓(Vbg)，而往上形成一個(gè)突波后才回到能隙電壓值(Vbg)。相
6對(duì)的，參照?qǐng)D1C,圖1C是傳統(tǒng)技術(shù)的軟啟動(dòng)裝置切換波形示意圖(二)。由
圖1C所示可知，如果開關(guān)A30切換的太早，會(huì)造成參考電壓(V,.ef)尚未到達(dá)
能隙電壓(Vbg),使得參考電壓A40與能隙電壓間產(chǎn)生 一 間距。
另一方面，軟啟動(dòng)裝置的主要功能在于使電源電壓緩慢上升，以避免電 源啟動(dòng)初期，因過大的涌入電流產(chǎn)生而造成電路的損壞。當(dāng)電源電壓上升的 速度越慢，表示單位時(shí)間內(nèi)所上升的電壓越小，而對(duì)電路較不易造成損壞。 因此， 一般針對(duì)軟啟動(dòng)裝置的需求，希望其軟啟動(dòng)時(shí)間較長，而讓電源電壓
T 一 i x V
可以較緩和的上升。其中，軟啟動(dòng)所需的時(shí)間(TQ如下式所示S—TX bg。 由上述的公式可知，如果要讓軟啟動(dòng)時(shí)間CQ較長，必須電流源(I)要小而
電容(C)要大。傳統(tǒng)作法上，會(huì)利用額外的接腳(pin)來外接大電容，使電容值
變大。然而，這樣的作法除了必須增加額外的接腳與大電容，使得成本支出
增加，且所外接的電容也不易整合于IC內(nèi)部。
因此，如何解決傳統(tǒng)技術(shù)上軟啟動(dòng)裝置對(duì)于開關(guān)切換以及軟啟動(dòng)時(shí)間相
關(guān)的問題，為一亟待解決的議題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提出一種軟啟動(dòng)裝置。本發(fā)明所提出的軟啟動(dòng)裝置， 采用軟切換電路，作為如先前技術(shù)中所提及的開回路與閉回路之間的切換機(jī) 制，而解決傳統(tǒng)技術(shù)上切換時(shí)間點(diǎn)不易控制的問題，使得轉(zhuǎn)換過程平順且無 突波。再者，對(duì)于延長軟啟動(dòng)時(shí)間方面，不須如傳統(tǒng)技術(shù)般須額外增加接腳 與外接大電容，而是利用衰減電路來增加時(shí)間常數(shù)。其中，衰減電路的結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)單且多樣化，因此容易延長軟啟動(dòng)時(shí)間，而使電源啟動(dòng)初期的電源電壓更 緩和上升。
本發(fā)明提出一種軟啟動(dòng)裝置，包含電流源；第一晶體管耦接于電流源， 依據(jù)第一電壓決定第一晶體管導(dǎo)通的電流量；第二晶體管，耦接于電流源， 依據(jù)固定偏壓決定第二晶體管導(dǎo)通的電流量；其中，第一電壓的初始電壓值 小于固定偏壓的電壓值，并在軟啟動(dòng)后，第一電壓的電壓值逐步增加至大于 固定偏壓的電壓值。
本發(fā)明亦提出一種軟啟動(dòng)裝置，包括衰減電路，接收第二電壓，藉由 縮小第二電壓的比率而擴(kuò)大時(shí)間常數(shù)；放大器，具有至少一個(gè)輸入端與輸出 端，輸入端耦接衰減電路，且輸入端與輸出端間串聯(lián)第二電容，第二電壓經(jīng)由衰減電路而對(duì)第二電容充電，并由輸出端輸出逐漸上升的第一電壓；軟切 換電路，耦接放大器的輸出端，用以接收第一電壓，并依據(jù)第一電壓而輸出 參考電壓。
有關(guān)本發(fā)明的較佳實(shí)施例及其功效，茲配合圖式說明如后。


圖1A:傳統(tǒng)技術(shù)的軟啟動(dòng)裝置示意圖； 圖1B:傳統(tǒng)技術(shù)的軟啟動(dòng)裝置切換波形示意圖(一); 圖1C:傳統(tǒng)技術(shù)的軟啟動(dòng)裝置切換波形示意圖(二); 圖2A:軟啟動(dòng)裝置的第一實(shí)施例示意圖； 圖2B:軟啟動(dòng)裝置的第二實(shí)施例示意圖； 圖3A:軟啟動(dòng)裝置的第三實(shí)施例示意圖； 圖3B:軟啟動(dòng)裝置的第四實(shí)施例示意圖； 圖3C:軟啟動(dòng)裝置的第五實(shí)施例示意圖； 圖4圖電壓波形示意圖。主要元件符號(hào)說明
A10:電流源 A20:電容 A30:開關(guān) A40:參考電壓 A50:固定電壓源 10:軟切換電路 100:電流源 110:第一電晶體 111:第一電阻 112:第三電阻 113:第一比較器 120:第二電晶體 121:第二電阻 122:第一電容 123:重置開關(guān)124:第四電阻
125:第二比較器
20:衰減電^各
22:第一線路
222 第 一端
224 第二端
226第一衰減器
228第一電阻
24:第二線路
242第三端
244第四端
246第二衰減器
248第二電阻
30:放大器
32:輸入端
34:輸出端
40:第二電容
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D2A，該圖所示為軟啟動(dòng)裝置的第一實(shí)施例示意圖，包括電流源 100、第一晶體管110、第二晶體管120、第一電阻lll、第二電阻121、第三 電阻112、第四電阻124、第一比較器113、第二比較器125、第一電容122 及重置開關(guān)123，其相互連接關(guān)系如圖所示。
此實(shí)施例的工作方式是在軟啟動(dòng)后，控制第一晶體管110的第一電壓將由 初始電壓值(相對(duì)的零電壓值)逐步增力o，此初始電壓值小于用以控制第二晶體
管120的電壓值(即固定偏壓的電壓值)，但隨著第一電壓的電壓值逐漸的增力口， 其最終將大于固定偏壓的電壓值。由于第一晶體管110與第二晶體管120為 PMOS開關(guān)，加上PMOS開關(guān)的特性為負(fù)電壓導(dǎo)通，因此隨著第一電壓的電壓 值逐漸的上升，將使得第一晶體管110逐漸關(guān)閉，而第二晶體管120則將逐漸 導(dǎo)通。其中，電流源100的電流量為第一晶體管110導(dǎo)通的電流量與第二晶體 管120導(dǎo)通的電流量的總和。因此，在第一比較器113接收的第一電壓決定第
9一晶體管110導(dǎo)通的電流量，進(jìn)而決定第一電阻lll兩端的電位差的同時(shí)，第 二晶體管120導(dǎo)通的電流量亦已決定，連帶的第二電阻121兩端的電位差也將 隨之改變。
除此之外，圖2A中的第三電阻112與第四電阻124可產(chǎn)生退化式源極電路 (source degeneration),以除去以往軟啟動(dòng)裝置的開啟(on)及關(guān)閉(off)的不連續(xù) 狀態(tài)，如此將使得參考電壓的輸出更加平順，也就是在開回路控制下可平穩(wěn) 的切換為閉回路控制。隨著第二晶體管的導(dǎo)通，第二電阻121兩端將產(chǎn)生穩(wěn)定 增加的電位差，并在第一電容122穩(wěn)壓后產(chǎn)生軟啟動(dòng)所應(yīng)得到的參考電壓，而 此參考電壓最終將可達(dá)到 一 穩(wěn)定的電壓值，可做為能隙電壓值(bandgap voltage)。
此外，圖2A更可包含一個(gè)重置開關(guān)123,其與第二電阻121互相并聯(lián)，用 以重置參考電壓，使得參考電壓的起始值由原先相對(duì)的零電壓的電壓值重新 開始。
圖2A中是以PMOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)第一晶體管110與第二晶體管120,其相對(duì) 應(yīng)使用NMOS開關(guān)的變形亦屬于本發(fā)明的范疇，其實(shí)施例參照?qǐng)D2B所示。
參照?qǐng)D3A，該圖所示為軟啟動(dòng)裝置的第三實(shí)施例示意圖。于第三實(shí)施例 中，為了延長軟啟動(dòng)時(shí)間，而使電源啟動(dòng)初期的電源電壓可更緩和上升，因 此第三實(shí)施例更包含第二電容40、衰減電路20以及放大器30。其中，圖 3A結(jié)合上述的圖2A或圖2B的實(shí)施例，于此將其稱之為軟切換電路10,組 成第三實(shí)施例的軟啟動(dòng)裝置。軟切換電路10耦接放大器30的輸出端3.4,用 以接收第一電壓，并依據(jù)第一電壓而輸出參考電壓。
圖3A中，衰減電路20接收一個(gè)第二電壓，其工作機(jī)制是藉由縮小第二 電壓的比率而擴(kuò)大時(shí)間常數(shù)，此點(diǎn)于后會(huì)有更詳盡的說明。此處所稱的時(shí)間 常數(shù)為RC時(shí)間常數(shù)。
放大器30具有至少一個(gè)輸入端32與輸出端34。其中，輸入端32耦接衰 減電路20,而在輸入端32與輸出端34之間串聯(lián)第二電容40。第二電壓經(jīng)由 衰減電路20而對(duì)第二電容40充電，并由輸出端34輸出逐漸上升的第一電壓。 由于第二電壓經(jīng)過衰減電路20后已將時(shí)間常數(shù)擴(kuò)大，因此利用第二電壓在已 擴(kuò)大時(shí)間常數(shù)下對(duì)第二電容40充電，可得到更為緩和的軟啟動(dòng)效果。
參照?qǐng)D3B,圖3B為軟啟動(dòng)裝置的第四實(shí)施例示意圖。第四實(shí)施例中， 舉例-說明衰減電路20的組成示意圖的一實(shí)施例，4旦并不以此為限。第四實(shí)施
10例中，衰減電路20包含第一線路22及第二線路24。第一線路22包含第 一端222與第二端224，其中第一端222接收第二電壓(V2)的正值，且串聯(lián)第 一衰減器226而產(chǎn)生第三電壓。第二線路24包含第三端242與第四端244， 其中第三端242接收第二電壓(V2)的負(fù)值，且串聯(lián)第二衰減器246而產(chǎn)生第 四電壓。其中，第一線路22的第二端224與第二線路24的第四端244共點(diǎn)， 而耦接至放大器30的輸入端32。
此外，第一線路22與第二線路24可分別包含第一電阻228與第二電 阻248。第一電阻228串連于第一衰減器226與第二端224之間；第二電阻 248串連于第二衰減器246與第四端244之間。其中，第一電阻228的電阻 值與第二電阻248的電阻值得以相等。
如圖3B所示，第一衰減器226的衰減比率為0.1，因此第三電壓即為O.l V2;第二衰減器246的衰減比率為0.09，因此第四電壓即為0.09 V2，請(qǐng)注意， 所述衰減比率并不以此為限。由圖3的例子可推導(dǎo)出，透過衰減電路20使得 放大器30的輸出端34所輸出的第一電壓(V1)如下式所示
其中，RC即為時(shí)間常數(shù)，因此由左式可得知，藉由衰減電路20使時(shí)間 常數(shù)因而增加了 100倍。
圖3B的例子為依據(jù)第二電壓而產(chǎn)生第三電壓與第四電壓，并依據(jù)第三電 壓與一第四電壓之差值而擴(kuò)大時(shí)間常數(shù)。此外，衰減電路20也可采用更為簡(jiǎn)
單的做法，如圖3C所示。
圖3C中衰減電路20不須分為兩條線路，只須具有一條線路即可。線路 一端接收第二電壓，之后經(jīng)由所串連的衰減器直接將第二電壓(V2)衰減為 0.01 V2，如此所得到第一電壓(V1)同樣具有擴(kuò)大100倍的時(shí)間常數(shù)。
經(jīng)由上述說明可知，衰減電路20可據(jù)有多種的變化性，并不應(yīng)以上述所 舉的例子為限，衰減電路20只要可縮小第二電壓的比率，便可進(jìn)而擴(kuò)大時(shí)間 常數(shù)，因此其相對(duì)應(yīng)的變化皆應(yīng)屬本發(fā)明的范疇。例如衰減電路20也可包 含至少一個(gè)分壓電阻，而藉由分壓電阻使第二電壓產(chǎn)生不同比率的第三電壓 與第四電壓，同樣便可依據(jù)第三電壓與第四電壓之差值而擴(kuò)大時(shí)間常數(shù)。由此可知，本發(fā)明不須如傳統(tǒng)技術(shù)般利用額外設(shè)置接腳以外接大電容來延長時(shí)
間常數(shù)，藉由本發(fā)明所提出的衰減電路20,便可輕易擴(kuò)大時(shí)間常數(shù)，進(jìn)而可 獲得更穩(wěn)定的緩啟動(dòng)電壓(ramp voltage)。
參照?qǐng)D4，該圖所示為電壓波形示意圖。由圖4可更清楚了解第二電壓、 第一電壓與參考電壓三者之間的關(guān)系。 一開始，輸入至衰減電路20的第二電 壓在短時(shí)間內(nèi)即由零電壓值上升至第二電壓的電壓值。而第二電壓經(jīng)由衰減 電路20而對(duì)第二電容40充電，再由放大器30的輸出端34輸出逐漸上升的第一 電壓。由圖4可知，第一電壓的電壓值可由零電壓值逐漸上升至第二電壓的電 壓值。最后，第一電壓經(jīng)由軟切換電路10而產(chǎn)生參考電壓。其中，初期的參 考電壓的波形，也就是第一電壓小于固定偏壓時(shí)，參考電壓會(huì)跟隨該第一電 壓上升。而當(dāng)?shù)谝浑妷捍笥诠潭ㄆ珘簳r(shí)，參考電壓便不再跟隨第一電壓上升， 而呈現(xiàn)一穩(wěn)定的電壓值。
藉由本發(fā)明所提出的軟啟動(dòng)裝置可平滑的切換軟啟動(dòng)機(jī)制與正常機(jī)制使 得切換過程平順而無突波，同時(shí)亦可在不增加電容的情況下擴(kuò)大時(shí)間常數(shù)使 得切換過程得以更加緩和，解決傳統(tǒng)技術(shù)上切換時(shí)間點(diǎn)不易控制，容易造成 不連續(xù)突波，進(jìn)而使系統(tǒng)不穩(wěn)定而誤動(dòng)作的問題。
本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神所作些許的更動(dòng)與潤 飾，皆應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的范疇內(nèi)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要 求所限定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種軟啟動(dòng)裝置，包括電流源；第一晶體管，與該電流源耦接，依據(jù)一第一電壓決定該第一晶體管導(dǎo)通的電流量；以及第二晶體管，與該電流源耦接，依據(jù)一固定偏壓決定該第二晶體管導(dǎo)通的電流量；其中，該第一電壓的初始電壓值小于該固定偏壓的電壓值，并在軟啟動(dòng)后，該第一電壓的電壓值逐步增加至大于該固定偏壓的電壓值。
2、 如權(quán)利要求1所述的軟啟動(dòng)裝置，更包括第一電阻，耦接于一電壓源與該第一晶體管之間，依據(jù)該第一晶體管導(dǎo) 通的電流量決定該第 一 電阻兩端的電位差；第二電阻，耦接于該電壓源與該第二晶體管之間，依據(jù)該第二晶體管導(dǎo) 通的電流量決定該第二電阻兩端的電位差；以及第一電容，與該第二電阻并聯(lián)，依據(jù)該第二電阻兩端的電位差產(chǎn)生一參 考電壓；其中，當(dāng)該第一電壓的電壓值大于該固定偏壓的電壓值時(shí)，該參考電壓 為一穩(wěn)定的電壓值。
3、 如權(quán)利要求1所述的軟啟動(dòng)裝置，更包括第三電阻，耦接于該電流源與該第一晶體管之間，以產(chǎn)生一退化式源極 電^各；以及第四電阻，耦接于該電流源與該第二晶體管之間，以產(chǎn)生該退化式源極 電路；其中，該退化式源極電路將開回路控制平穩(wěn)切換為閉回路控制。
4、 如權(quán)利要求3所述的軟啟動(dòng)裝置，更包括第一比較器，其一正輸入端接收該第一電壓，其一負(fù)輸入端耦接于該第 三電阻與該第一晶體管的耦接處，以及其一輸出端控制該第一晶體管；以及第二比較器，其一正輸入端接收該固定偏壓，其一負(fù)輸入端耦接于該第 四電阻與該第二晶體管的耦接處，以及其一輸出端控制該第二晶體管。
5、 如權(quán)利要求1所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該電流源的電流量為該第一晶體管導(dǎo)通的電流量與該第二晶體管導(dǎo)通的電流量的總和。
6、 如權(quán)利要求1所述的軟啟動(dòng)裝置，更包括 放大器，包括至少一輸入端與一輸出端；第二電容，耦接于該放大器的輸入端與輸出端之間；以及衰減電路，接收第二電壓，衰減該第二電壓之比率并輸出至該放大器的 輸入端；其中，該第二電壓經(jīng)衰減后對(duì)該第二電容充電，并由該放大器的輸出端 輸出逐漸上升的該第一電壓。
7、 如權(quán)利要求6所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該衰減電路依據(jù)該第二電壓而 產(chǎn)生第三電壓與第四電壓，并依據(jù)該第三電壓與該第四電壓之差值而擴(kuò)大一 時(shí)間常數(shù)。
8、 如權(quán)利要求7所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該衰減電路包含 第一線路，包含一第一端、 一第二端與一第一衰減器，該第一端接收該第二電壓的正值，且串聯(lián)該第一衰減器而產(chǎn)生該第三電壓；及第二線路，包含一第三端、 一第四端與一第二衰減器，該第三端接收該第二電壓的負(fù)值，且串聯(lián)該第二衰減器而產(chǎn)生該第四電壓；其中，該第 一線路的該第二端與該第二線路的該第四端皆耦接至該放大器的該輸入端。
9、 如權(quán)利要求8所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該第一線路與該第二線路分別 更包含第一電阻，串連于該第一衰減器與該第二端之間；及 第二電阻，串連于該第二衰減器與該第四端之間，且該第二電阻的電阻 值與該第一電阻的電阻值實(shí)質(zhì)上相等。 -
10、 如權(quán)利要求7所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該衰減電路包含至少一分壓 電阻，藉由該分壓電阻而產(chǎn)生該第三電壓與該第四電壓。
11、 如權(quán)利要求6所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該第一電壓的電壓值由相對(duì) 的零電壓值上升至該第二電壓的電壓值。
12、 一種軟啟動(dòng)裝置，包括放大器，包括至少一輸入端與一輸出端；第二電容，耦接于該放大器的輸入端與輸出端之間；衰減電路，接收第二電壓，衰減該第二電壓之比率并輸出至該放大器的輸入端；軟切換電路，耦接于該放大器的輸出端，接收并依據(jù)該第一電壓以輸出 一參考電壓；其中，該第二電壓經(jīng)衰減后對(duì)該第二電容充電，并由該放大器的輸出端 輸出逐漸上升的第一電壓。
13、 如權(quán)利要求12所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該軟切換電路包括 電流源；第一晶體管，與該電流源耦接，依據(jù)該第一電壓決定該第一晶體管導(dǎo)通 的電流量；以及第二晶體管，與該電流源耦接，依據(jù)一固定偏壓決定該第二晶體管導(dǎo)通 的電纟克量；其中，該第一電壓的初始電壓值小于該固定偏壓的電壓值，并在軟啟動(dòng) 后，該第一電壓的電壓值逐步增加至大于該固定偏壓的電壓值。
14、 如權(quán)利要求13所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該軟切換電路更包括 第一電阻，耦接于一電壓源與該第一晶體管之間，依據(jù)該第一晶體管導(dǎo)通的電流量決定該第 一 電阻兩端的電位差；第二電阻，耦接于該電壓源與該第二晶體管之間，依據(jù)該第二晶體管導(dǎo) 通的電流量決定該第二電阻兩端的電位差；以及第一電容，與該第二電阻并聯(lián)，依據(jù)該第二電阻兩端的電位差產(chǎn)生該參 考電壓；其中，當(dāng)該第一電壓的電壓值大于該固定偏壓的電壓值時(shí)，該參考電壓 為一穩(wěn)定的電壓值。
15、 如權(quán)利要求14所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該軟切換電路更包括 第三電阻，耦接于該電流源與該第一晶體管之間，以產(chǎn)生一退化式源極電3各；以及第四電阻，耦接于該電流源與該第二晶體管之間，以產(chǎn)生該退化式源極電路；
16、 如權(quán)利要求15所述的軟啟動(dòng)裝置，其中該軟切換電路更包括 第一比較器，其一正輸入端接收該第一電壓，其一負(fù)輸入端耦接于該第三電阻與該第一晶體管的耦接處，以及其一輸出端控制該第一晶體管；以及第二比較器，其一正輸入端接收該固定偏壓，其一負(fù)輸入端耦接于該第 四電阻與該第二晶體管的耦接處，以及其一輸出端控制該第二晶體管。
全文摘要
一種軟啟動(dòng)裝置，包含有電流源以及第一、第二晶體管，第一晶體管耦接于電流源，依據(jù)一電壓決定第一晶體管導(dǎo)通的電流量，第二晶體管亦耦接于電流源，依據(jù)固定偏壓決定第二晶體管導(dǎo)通的電流量，其中此電壓的初始電壓值小于固定偏壓的電壓值，但在軟啟動(dòng)后此第一電壓的電壓值逐步增加至大于固定偏壓的電壓值，使得軟啟動(dòng)得以平順的實(shí)施。
文檔編號(hào)G05F1/10GK101521502SQ20081008129
公開日2009年9月2日 申請(qǐng)日期2008年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月26日
發(fā)明者李朝政, 王偉州 申請(qǐng)人:瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司