專利名稱：電壓參考生成器及生成參考電壓的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電壓參考生成器以及生成參考電壓的方法技術(shù)背景參考電壓生成器用于各種應(yīng)用。例如，液晶顯示器(LCD)使用參考電壓生成器生成由LCD的柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)或源極驅(qū)動(dòng)器所使用的驅(qū)動(dòng)器電壓。在許多這樣的應(yīng)用中，希望提供隨溫度變化的參考電壓，以抗擊溫度可能對該應(yīng)用產(chǎn)生的可能的不利影響。
圖1說明了一種傳統(tǒng)的參考電壓生成器，其相對溫度改變所生成的參考電壓。如圖中所示，該傳統(tǒng)參考電壓生成器包括電流反射鏡51、與絕對溫度成比例的(PTAT)電路52以及與絕對溫度互補(bǔ)的(CTAT)電路53。
電流反射鏡51包括串聯(lián)在電源電壓VDD和地VSS之間的第一PMOS晶體管TP1、第一NMOS晶體管TN1以及第一電阻器R1。電流反射鏡51還包括串聯(lián)在電源電壓VDD和地VSS之間的第二PMOS晶體管TP2和第二NMOS晶體管TN2。第一PMOS晶體管TP1的柵極連接到第二PMOS晶體管TP2的柵極。相類似，第一NMOS晶體管TN1的柵極連接到第二NMOS晶體管TN2的柵極。第一PMOS晶體管TP1的漏極還連接到第一PMOS晶體管TP1的柵極，并且第二NMOS晶體管TN2的漏極連接到第二NMOS晶體管TN2的漏極。第一NMOS晶體管TN1的面積和第二NMOS晶體管TN2的面積之比稱為電流密度比P。
電流反射鏡51還包括與第一和第二PMOS晶體管TP1和TP2并聯(lián)的第三PMOS晶體管TP3。第三PMOS晶體管TP3的柵極連接到第二PMOS晶體管TP2的柵極。
與絕對溫度成比例的(PTAT)電路52和與絕對溫度互補(bǔ)的(CTAT)電路53與在電源電壓VDD和地VSS之間的第三PMOS晶體管TP3串聯(lián)。PTAT電路52包括可變電阻R2。CTAT電路53包括雙極結(jié)晶體管TB。晶體管TB的基極連接到其集電極。
在操作期間，電流反射鏡電路51生成電流Ix，電流Ix被反射至PTAT電路52和CTAT電路53作為電流Iy。由流過PTAT和CTAT電路52和53的電流所生成的電壓產(chǎn)生參考電壓生成器的參考電壓Vref。PTAT電路52生成等于IyR2的電壓Vx，其中Iy＝mIx。此處，m為第三PMOS晶體管TP3與第二PMOS晶體管TP2的尺寸比。另外，Ix＝VT(ζ)(1/R1)lnP，其中ζ是具有值～1-2的過程常數(shù)，VT是等于kT/q的熱電壓。此處，T為溫度，k是一個(gè)Boltzmann(波爾茲曼)常數(shù)，q為基本電荷。CTAT電路53生成等于VTln(Iy/Is)的電壓VBE，其中Is為飽和電流，如人們所知，其取決于晶體管TB的尺寸。因此，參考電壓Vref等于Vx+VBE。
圖2針對具有不同溫度系數(shù)的圖1的參考電壓生成電路的一些版本，描述了參考電壓Vref相對溫度的變化的曲線。如人們所知，溫度系數(shù)為電壓變化相對溫度變化的速率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種參考電壓生成器。
本發(fā)明的實(shí)施例包括參考電壓生成電路，其生成隨溫度變化的參考電壓。例如，該參考電壓生成電路可以生成隨溫度升高而降低的參考電壓。該參考電壓生成電路配置成選擇地改變該參考電壓的溫度系數(shù)，以致于在選擇的溫度值下，該參考電壓為與溫度系數(shù)無關(guān)的相同電壓值，。
在一個(gè)實(shí)施例中，該參考電壓生成電路合并第一電壓與第二電壓，以產(chǎn)生參考電壓。第一電壓可以是依賴于溫度的電壓，而第二電壓可以是不依賴于溫度的電壓。例如，該參考電壓生成電路可以分別對第一和第二電壓進(jìn)行加權(quán)，并且從加權(quán)的第二電壓減去加權(quán)的第一電壓。該參考電壓生成電路也可配置成有選擇地改變相應(yīng)的權(quán)重，并且改變相應(yīng)的權(quán)重導(dǎo)致參考電壓的溫度系數(shù)變化。
在一個(gè)實(shí)施例中，該參考電壓生成器包括生成第一電壓的第一電壓生成器，以及生成第二電壓的第二電壓生成器。第一電壓生成器可以包括串聯(lián)的第二和第三電阻器；以及與第三電阻器并聯(lián)的電阻變化元件。該電阻變化元件可配置成可調(diào)整的，以致第一電壓生成電路可在該選擇的溫度值下生成希望的電壓值。例如，該希望的電壓值可以為第二電壓。第二電壓生成器可以包括與絕對溫度成比例的元件，該元件串聯(lián)到與絕對溫度互補(bǔ)的元件。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該參考電壓生成器包括生成第一電壓的第一電壓生成器、生成第二電壓的第二電壓生成器。電壓減法器分別對第一和第二電壓進(jìn)行加權(quán)，并且從加權(quán)的第二電壓中減去加權(quán)的第一電壓，以產(chǎn)生參考電壓。
本發(fā)明還涉及一種生成參考電壓的方法。
該方法的一個(gè)實(shí)施例包括生成參考電壓，該參考電壓隨溫度變化，并且在選擇的溫度值下是與該參考電壓的溫度系數(shù)無關(guān)的相同電壓值。在一個(gè)實(shí)例中，該生成步驟可以生成隨溫度的升高而降低的參考電壓。
在一個(gè)實(shí)施例中，該生成步驟包括對第一和第二電壓進(jìn)行加權(quán)，以及從所加權(quán)的第二電壓減去加權(quán)的第一電壓。第一電壓可以是依賴于溫度的電壓，而第二電壓可以是不依賴于溫度的電壓。
在一個(gè)實(shí)施例中，該生成步驟還包括有選擇地改變相應(yīng)的權(quán)重，以改變參考電壓的溫度系數(shù)。
在一個(gè)實(shí)施例中，該方法還包括基于電阻值生成第一電壓，以及生成第二電壓。該生成第一電壓的步驟可以包括調(diào)整電阻值，以致于第一電壓在一個(gè)所選擇的溫度值下是希望的電壓值。例如，該希望的電壓值可以為第二電壓。
本發(fā)明還涉及使用參考電壓生成器的應(yīng)用，例如顯示驅(qū)動(dòng)器電路。
例如，顯示驅(qū)動(dòng)器電路的一個(gè)實(shí)施例可以包括電壓生成器，用于生成柵極驅(qū)動(dòng)器電壓和源極驅(qū)動(dòng)器電壓。該電壓生成器可以包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例生成參考電壓的參考電壓生成器，而且該電壓生成器基于參考電壓至少生成柵極驅(qū)動(dòng)器電壓。源極驅(qū)動(dòng)器可以基于源極驅(qū)動(dòng)器電壓生成用于顯示面板的驅(qū)動(dòng)器信號，而柵極驅(qū)動(dòng)器可以基于柵極驅(qū)動(dòng)器電壓生成用于顯示面板的柵極驅(qū)動(dòng)信號。在一個(gè)實(shí)施例中，參考電壓生成器生成隨溫度的升高而降低的參考電壓，以致柵極驅(qū)動(dòng)信號隨溫度的升高而降低。


通過以下所給出的詳細(xì)描述以及附圖，將更充分地理解本發(fā)明，在附圖中，由相同的參考編號表示相同的元件，這些參考編號僅為闡述而不是用于限制本發(fā)明，其中圖1說明了一種傳統(tǒng)的參考電壓生成器；圖2針對圖1的具有不同溫度系數(shù)的參考電壓生成器，圖解了參考電壓相對溫度的曲線；圖3圖解了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的參考電壓生成器；圖4圖解了圖3中的第一和第二電壓V1和V2相對溫度的一個(gè)實(shí)例，其中第一電壓V1具有溫度系數(shù)+0.2％/℃；圖5圖解了圖3的參考電壓生成器的相對于溫度變化的參考電壓Vref，其中溫度系數(shù)-0.5％/℃；圖6根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例詳細(xì)地圖解了圖3的電流反射鏡、PTAT電路以及TIVG電路；圖7圖解了根據(jù)本發(fā)明的、具有不同溫度系數(shù)的參考電壓生成器的參考電壓Vref與溫度之間的關(guān)系；圖8詳細(xì)地圖解了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的圖3的電流反射鏡、PTAT電路以及TIVG電路；圖9圖解了根據(jù)本發(fā)明的參考電壓生成器的實(shí)例應(yīng)用；以及；圖10圖解了當(dāng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的參考電壓生成器在用于圖9的顯示驅(qū)動(dòng)器電路中時(shí)，柵極電壓變化與溫度變化之間的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式
圖3圖解了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的參考電壓生成器。如圖中所示，參考電壓生成器包括電流反射鏡86、與絕對溫度成比例的(PTAT)電路84以及不依賴于溫度的電壓生成(TIVG)電路85?；陔娏鞣瓷溏R86所供給的電流，PTAT電路84和TIVG電路85分別生成第一和第二電壓V1和V2。緩沖放大器82緩沖第一電壓V1，電壓合并器83合并所緩沖的第一電壓V1和第二電壓V2，以生成參考電壓Vref。
PTAT電路84以所確立的溫度系數(shù)(例如，+0.2％/℃)生成與溫度變化成比例的第一電壓V1。相比之下，TIVG電路85生成與溫度變化無關(guān)的相同第二電壓V2。以下，將隨電流反射鏡86詳細(xì)描述PTAT電路84和TIVG電路85。
緩沖器電路82包括第一運(yùn)算放大器A1，第一運(yùn)算放大器A1的輸出端連接到其負(fù)輸入端，并且其正輸入端接收第一電壓V1。緩沖器電路82用于阻擋來自PTAT電路84的不必要的電流。電壓合并器83包括第二運(yùn)算放大器A2。第二運(yùn)算放大器A2的正輸入端接收第二電壓V2。第二運(yùn)算放大器A2的負(fù)輸入端經(jīng)由第一電阻器R10接收所緩沖的第一電壓V1。第二運(yùn)算放大器A2的負(fù)輸入端還經(jīng)由第二電阻器R20連接到第二運(yùn)算放大器A2的輸出端。因此，可以理解的是第二運(yùn)算放大器A2起到差分放大器的作用。
在操作過程中，根據(jù)Kirchoff電流定律，流過第一電阻器R10的電流I1等于流過第二電阻器R20的電流I2，因此I1=I2V1-V2R10=V2-VrefR20---(1)]]>對參考電壓Vref求解，得到Vref=(1+R20R10)V2-R20R10V1---(2)]]>于是，可將參考電壓生成器所生成的參考電壓Vref的溫度系數(shù)(也將其稱為參考電壓生成器的溫度系數(shù))表示為 =-R20R10×V1(Tb)-V1(Ta)Tb-Ta×1V1(temp_room)×100]]> (3)其中，Ta和Tb為溫度，其中Tb＞Ta。
如方程3所示，參考電壓Vref的溫度系數(shù)基于第一電壓V1的溫度系數(shù)以及第二電阻器R20的電阻與第一電阻器R10的電阻的比率(R20/R10)。如以上所描述的，以及將在以下更詳細(xì)加以描述的，PTAT電路84的溫度系數(shù)，因而，第一電壓V1的溫度系數(shù)，是已確立的值。例如，可以把第一電壓V1的溫度系數(shù)確立為+0.2％/℃。因此，參考電壓Vref的溫度系數(shù)可由比率R20/R10加以確定。例如，把比率R20/R10設(shè)置為2.5，可以產(chǎn)生Vref的-0.5％的溫度系數(shù)。
圖4說明了相對溫度的第一和第二電壓V1和V2的實(shí)例，其中第一電壓V1具有溫度系數(shù)+0.2％/℃。對于圖4中所圖解的曲線，圖5圖解了相對溫度變化的參考電壓Vref，其中溫度系數(shù)是-0.5％/℃。
圖6根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例詳細(xì)地圖解了電流反射鏡86、PTAT電路84以及TIVG電路85。如圖中所示，電流反射鏡86包括串聯(lián)在電源電壓VDD和地之間的第一PMOS晶體管PM1、第一NMOS晶體管NM1以及第三電阻器R30。電流反射鏡86還包括串聯(lián)在電源電壓VDD和地之間的第二PMOS晶體管PM2和第二NMOS晶體管NM2。第一PMOS晶體管PM1的柵極連接到第二PMOS晶體管PM2的柵極。相類似，第一NMOS晶體管NM1的柵極連接到第二NMOS晶體管NM2的柵極。第一PMOS晶體管PM1的漏極還連接到第一PMOS晶體管PM1的柵極，并且第二NMOS晶體管NM2的漏極連接到第二NMOS晶體管NM2的柵極。第一NMOS晶體管NM1的面積與第二NMOS晶體管NM2的面積之比為P比1，并且將其稱為電流密度比率P。
電流反射鏡86還包括與第一和第二PMOS晶體管PM1和PM2并聯(lián)的第三PMOS晶體管PM3和第四PMOS晶體管PM4。第三和第四PMOS晶體管PM3和PM4的柵極連接到第二PMOS晶體管PM2的柵極。
PTAT電路84連接在第三PMOS晶體管PM3和地之間，并且TIVG電路85連接在第四PMOS晶體管PM4和地之間。PTAT電路84包括串聯(lián)在第三PMOS晶體管PM3和地之間的第四和第五電阻器R40和R50。保險(xiǎn)絲f1與第五電阻器R50并聯(lián)。TIVG電路85包括串聯(lián)在第四PMOS晶體管PM4和地之間的第六電阻器R60和第三NMOS晶體管NM3。另外，第三NMOS晶體管NM3的柵極還連接到其漏極。
電流反射鏡電路86向PTAT電路84和TIVG電路85提供相同的反射鏡電流ID。TIVG電路85根據(jù)下列表達(dá)式生成第二電壓V2V2=Vn+IDR60]]>=ζkTqlnIDID0(W/L)+ζkTR60qR30lnP]]>=ζkTq(lnIDLID0W+R60R30lnP)]]>(4)其中，Vn為跨越第三NMOS晶體管NM3的電壓，W為第三NMOS晶體管NM3的寬度，L為第三NMOS晶體管NM3的長度。從方程4可以明顯看出，就溫度而言，第三NMOS晶體管NM3對第二電壓V2有負(fù)面貢獻(xiàn)，而就溫度而言，電阻器對第二電壓V2有正面貢獻(xiàn)。因此，TIVG電路85生成一個(gè)針對溫度的恒定電壓。
PTAT電路84按照下面的公式5生成第一電壓V1＝ID(R40+R50//f)(5)如圖中所示，第一電壓V1部分地依賴于保險(xiǎn)絲f1所提供的電阻。在一個(gè)實(shí)施例中，通過激光熔絲創(chuàng)建保險(xiǎn)絲f1。熔絲的量控制著保險(xiǎn)絲f1所能提供的電阻。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以通過對非易失存儲器元件的編程操作，實(shí)現(xiàn)保險(xiǎn)絲f1。然而，保險(xiǎn)絲僅僅是電阻可變元件的一個(gè)例子，可以使用任何電阻變化元件取代保險(xiǎn)絲f1。例如，也可以使用通過邏輯元件控制的晶體管。
使用電阻變化元件，可以通過改變電阻變化元件的電阻改變第一電壓V1。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，改變電阻變化元件，以致于在希望的溫度下，第一電壓V1等于第二電壓V2。例如，該希望的溫度可以為室溫或25℃。
在希望的溫度下把第一電壓V1設(shè)置成第二電壓V2，可在該希望的溫度下產(chǎn)生與參考電壓Vref的溫度系數(shù)無關(guān)的相同參考電壓Vref。圖7中說明了這一點(diǎn)。
圖8詳細(xì)地圖解了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)例實(shí)施例的電流反射鏡86、PTAT電路84以及TIVG電路85。在該實(shí)施例中，電流反射鏡86、PTAT電路84以及TIVG電路85與圖6的實(shí)施例中相同，除了已使用第一雙極晶體管TB取代了TIVG電路85中的第三NMOS晶體管NM3。如圖中所示，雙極晶體管TB的基極連接到第一雙極晶體管TB的集電極。
應(yīng)該認(rèn)識到，這一實(shí)施例的操作與以上針對圖6的實(shí)施例所描述的相同，因此，為了簡潔起見，將不對其進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖9說明了根據(jù)本發(fā)明的參考電壓生成器的實(shí)例應(yīng)用。圖9的實(shí)例應(yīng)用為一個(gè)液晶顯示設(shè)備的實(shí)例應(yīng)用。如圖中所示，電壓生成器10包括參考電壓生成器12和驅(qū)動(dòng)器電壓生成器14。驅(qū)動(dòng)器電壓生成器14使用由參考電壓生成器12所生成的參考電壓來產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)器電路16的柵極驅(qū)動(dòng)器電壓。電壓生成器10還產(chǎn)生用于源極驅(qū)動(dòng)器18的源極驅(qū)動(dòng)器電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器16和源極驅(qū)動(dòng)器18還接收來自時(shí)序控制器20的時(shí)序信號，時(shí)序控制器20基于所接收到的視頻數(shù)據(jù)生成時(shí)序信號。柵極驅(qū)動(dòng)器16和源極驅(qū)動(dòng)器18，基于時(shí)序信號和驅(qū)動(dòng)器電壓，分別產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)信號和源極信號，以驅(qū)動(dòng)液晶面板22和顯示由視頻數(shù)據(jù)所表示的圖像。由于形成液晶顯示設(shè)備的元件的操作和結(jié)構(gòu)是眾所周知的，所以為了簡潔起見，將不詳細(xì)描述這些元件和它們的操作。
應(yīng)該認(rèn)識到，與傳統(tǒng)的參考電壓生成器不同，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的參考電壓生成器可用作圖9中的參考電壓生成器12。當(dāng)在液晶顯示設(shè)備中使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的參考電壓生成器時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)信號的電壓按圖10中所示變化。即，如圖中所示，柵極驅(qū)動(dòng)信號的電壓隨溫度的升高而降低。
顯然，可以以多種方式對如此描述的本發(fā)明進(jìn)行修改。這樣的修改不應(yīng)被視為脫離本發(fā)明，并旨在把所有這樣的修改包括于本發(fā)明的范圍中。
本申請根據(jù)35U.S.C.119要求于2005年3月3日提出的申請?zhí)枮?0-2005-0017820的韓國申請的優(yōu)先權(quán)，在此通過參引方式將其全部內(nèi)容并入。
權(quán)利要求
1.一種參考電壓生成器，包括參考電壓生成電路，生成隨溫度變化的參考電壓，所述參考電壓生成電路配置成選擇性地改變所述參考電壓的溫度系數(shù)，以致在被選擇的溫度值下，所述參考電壓為與溫度系數(shù)無關(guān)的相同電壓值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓生成器，其中，所述參考電壓生成電路將第一電壓與第二電壓合并在一起，以產(chǎn)生所述參考電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的參考電壓生成器，其中，所述第一電壓是依賴于溫度的電壓，而所述第二電壓是不依賴于溫度的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的參考電壓生成器，其中，所述第一電壓與溫度成比例變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的參考電壓生成器，其中，所述參考電壓生成電路分別對第一和第二電壓進(jìn)行加權(quán)，并且從加權(quán)的第二電壓減去加權(quán)的第一電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的參考電壓生成器，其中，所述參考電壓生成電路配置成有選擇地改變相應(yīng)的權(quán)重，并且改變相應(yīng)的權(quán)重將導(dǎo)致所述參考電壓的溫度系數(shù)變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的參考電壓生成器，其中，所述參考電壓生成電路包括第一電阻器，接收第一電壓；運(yùn)算放大器，具有正輸入端和負(fù)輸入端，所述正輸入端接收第二電壓，所述負(fù)輸入端接收來自第一電阻器的輸出，并且所述運(yùn)算放大器的輸出端提供所述參考電壓；以及可變電阻器，連接在所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端和輸出端之間，以致于改變可變電阻器的電阻，可以改變所述參考電壓的所述溫度系數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的參考電壓生成器，還包括第一電壓生成器，生成第一電壓；以及第二電壓生成器，生成第二電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的參考電壓生成器，其中，第一電壓生成器包括串聯(lián)的第二和第三電阻器；以及與第三電阻器并聯(lián)的電阻變化元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的參考電壓生成器，其中，所述電阻變化元件配置生成可調(diào)整，以致于第一電壓生成電路可在所選擇的溫度值生成希望的電壓值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的參考電壓生成器，其中，所述希望的電壓值為第二電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的參考電壓生成器，其中，所述第二電壓生成器包括與絕對溫度成比例的元件，該元件串聯(lián)到與絕對溫度互補(bǔ)的元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的參考電壓生成器，其中，所述與絕對溫度成比例的元件為電阻器，而所述與絕對溫度互補(bǔ)的元件為晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓生成器，其中，所述參考電壓生成電路生成所述參考電壓，以致于所述參考電壓隨溫度的升高而降低。
15.一種參考電壓生成器，包括第一電壓生成器，生成第一電壓；第二電壓生成器，生成第二電壓；以及電壓減法器，分別對第一和第二電壓進(jìn)行加權(quán)，并且從加權(quán)的第二電壓中減去加權(quán)的第一電壓，以產(chǎn)生參考電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的參考電壓生成器，其中，所述電壓減法器配置成有選擇地改變相應(yīng)的權(quán)重，而且改變相應(yīng)的權(quán)重導(dǎo)致所述參考電壓的溫度系數(shù)變化。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的參考電壓生成器，其中第二電壓生成器生成不依賴于溫度的電壓；并且第一電壓生成器生成依賴于溫度的電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的參考電壓生成器，其中，第一電壓生成器在希望的溫度下生成具有與第二電壓相同電壓值的第一電壓；以及所述電壓減法器生成相同的參考電壓值，該參考電壓值在所述希望的溫度下與所述參考電壓的溫度系數(shù)無關(guān)。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的參考電壓生成器，其中，所述電壓減法器產(chǎn)生所述參考電壓，以致于所述參考電壓隨溫度的升高而降低。
20.一種生成參考電壓的方法，包括生成參考電壓，該參考電壓隨溫度而變化并且在選擇的溫度值下是與所述參考電壓的溫度系數(shù)無關(guān)的相同電壓值。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述生成步驟包括合并第一電壓和第二電壓，以產(chǎn)生所述參考電壓。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述第一電壓是依賴于溫度的電壓，而第二電壓是不依賴于溫度的電壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，第一電壓與溫度成比例地變化。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述生成步驟還包括對第一和第二電壓進(jìn)行加權(quán)，并且其中，所述合并步驟從所加權(quán)的第二電壓減去加權(quán)的第一電壓。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述生成步驟還包括有選擇地改變相應(yīng)的權(quán)重，以改變所述參考電壓的溫度系數(shù)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，還包括基于電阻值生成第一電壓；以及生成第二電壓。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述生成第一電壓的步驟包括調(diào)整所述電阻值，以致在所選擇的溫度值下第一電壓為希望的電壓值。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述希望的電壓值為第二電壓。
29.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括生成第二電壓；以及生成第一電壓，以致在希望的溫度下第一電壓具有與第二電壓相同的電壓值。
30.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述生成步驟生成參考電壓，以致所述參考電壓隨溫度的升高而降低。
31.一種顯示驅(qū)動(dòng)器電路，包括電壓生成器，生成柵極驅(qū)動(dòng)器電壓和源極驅(qū)動(dòng)器電壓，所述電壓生成器包括參考電壓生成器，所述參考電壓生成器生成參考電壓，該參考電壓隨溫度而變化并且在選擇的溫度值下是與參考電壓的溫度系數(shù)無關(guān)的相同電壓值，并且所述電壓生成器基于所述參考電壓至少生成所述柵極驅(qū)動(dòng)器電壓；源極驅(qū)動(dòng)器，基于所述源極驅(qū)動(dòng)器電壓生成顯示面板的驅(qū)動(dòng)器信號；以及柵極驅(qū)動(dòng)器，基于所述柵極驅(qū)動(dòng)器電壓生成顯示面板的柵極驅(qū)動(dòng)信號。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述參考電壓生成器生成隨溫度的升高而降低的參考電壓，以致所述柵極驅(qū)動(dòng)信號隨溫度的升高而降低。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的顯示驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述顯示面板為液晶顯示面板。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，參考電壓生成器生成隨溫度變化的參考電壓。例如，參考電壓生成器可以生成隨溫度升高而降低的參考電壓。參考電壓生成器配置成能夠有選擇地改變參考電壓的溫度系數(shù)，以致于在選擇的溫度值下，參考電壓是與溫度系數(shù)無關(guān)的相同電壓值。
文檔編號G05F3/00GK1828472SQ20061000925
公開日2006年9月6日 申請日期2006年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月3日
發(fā)明者金亨來, 崔倫競, 趙民洙 申請人:三星電子株式會社