專利名稱：過電流檢測電路以及具有該電路的調(diào)節(jié)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如在將電源電壓變換成給定的DC電壓的調(diào)節(jié)器(regulator)中作為向負載輸出電流的構(gòu)成要素的輸出晶體管中流通過電流的情況下，檢測出該過電流并進行保護的過電流檢測電路以及具有該過電流檢測電路的調(diào)節(jié)器。
背景技術(shù)：
開關(guān)調(diào)節(jié)器以及串聯(lián)調(diào)節(jié)器等調(diào)節(jié)器，與輸入電源電壓以及負載相連接，在輸出給定的DC電壓的端子間設有輸出晶體管，通過控制該輸出晶體管來維持給定的DC電壓。之后，在負載短路的情況等異常時，為了防止輸出晶體管因過電流而破壞，需要設置檢測出過電流并進行保護的電路(例如專利文獻1)。
圖4中示出了以前的過電流檢測電路以及具有該電路的調(diào)節(jié)器。該調(diào)節(jié)器101具有采用P型MOS晶體管的輸出晶體管11、將輸出晶體管11的輸出平滑化的平滑化電路12、輸出平滑化了的給定的DC電壓的輸出端子OUT、將輸出端子OUT的電壓反饋輸入并控制輸出晶體管11的控制電路14、以及檢測出輸出晶體管11的過電流并進行保護的過電流檢測電路110a。輸出端子OUT與負載13相連接。
過電流檢測電路110a具有源極與電源電壓Vcc相連接，柵極與輸出晶體管11的柵極相連接的采用P型MOS晶體管的監(jiān)控(monitor)用晶體管121；一端與監(jiān)控用晶體管121的漏極相連接，另一端接地的輸出電流檢測用電阻122；以及柵極與監(jiān)控用晶體管121的漏極和輸出電流檢測用電阻122的接點相連接，漏極與控制電路14相連接，源極接地的采用N型MOS晶體管的過電流檢測輸出晶體管123。這里，將監(jiān)控用晶體管121的大小設為輸出晶體管11的1/N。這樣，監(jiān)控用晶體管121中所流通的電流僅僅用于過電流檢測，因此為了讓功率損耗不大，N采用值較大的自然數(shù)，使其電流值較小。
現(xiàn)在，如果輸出晶體管11中流通輸出電流I0，則監(jiān)控用晶體管121中便流通約I0/N的電流，相應的電壓以接地電位為基準，產(chǎn)生在輸出電流檢測用電阻122中。這樣，輸出電流I0變?yōu)檫^電流，如果該電壓超過了過電流檢測輸出晶體管123的閾值(Vth)，過電流檢測輸出晶體管123便輸出低電平。通過這樣，控制電路14認為輸出晶體管11的輸出電流超過了過電流檢測水平(判斷流通過電流)，截止輸出晶體管11。這里，過電流檢測水平，可以通過監(jiān)控用晶體管121的大小與輸出電流檢測用電阻122的電阻值來進行調(diào)整。
接下來，圖5中示出了具有以前的另一過電流檢測電路以及具有該電路的調(diào)節(jié)器。該調(diào)節(jié)器102除了過電流檢測電路110b以外，均與上述調(diào)節(jié)器101的構(gòu)成實質(zhì)上相同，過電流檢測電路110b也與上述過電流檢測電路110a一樣，具有監(jiān)控用晶體管121與輸出電流檢測用電阻122。另外，過電流檢測電路110b具有過電流檢測輸出用比較器125，代替過電流檢測輸出晶體管123。該過電流檢測輸出用比較器125，反相輸入端子與監(jiān)控用晶體管121和輸出電流檢測用電阻122的接點相連接，同相輸入端子與過電流檢測用基準電壓124相連接，輸出端子與控制電路14相連接。
其中也一樣，如果輸出晶體管11中流通輸出電流10，監(jiān)控用晶體管121中便流通約I0/N的電流，相應的電壓以接地電位為基準，產(chǎn)生在輸出電流檢測用電阻122中。這樣，輸出電流I0變?yōu)檫^電流，如果該電壓超過了過電流檢測用基準電壓124，過電流檢測輸出用比較器125便輸出低電平。通過這樣，控制電路14認為輸出晶體管11的輸出電流超過了過電流檢測水平，截止輸出晶體管11。這里，過電流檢測水平，可以通過監(jiān)控用晶體管121的大小、輸出電流檢測用電阻122的電阻值以及過電流檢測用基準電壓124的值來進行調(diào)整。
專利文獻1特開平8-331757號公報這樣，過電流檢測電路110a以及110b能夠檢測出輸出晶體管11中流通的過電流。但是，對過電流檢測電路的過電流檢測水平的進一步高精度化進行研究的本發(fā)明人注意到，在該過電流檢測電路110a以及110b中，輸出電流檢測用電阻122中所產(chǎn)生的電壓，也即監(jiān)控用晶體管121的漏極電壓以接地電壓為基準，輸出晶體管11的漏極電壓不以接地電位為基準。通過這樣，監(jiān)控用晶體管121的漏極電壓與輸出晶體管11的漏極電壓不同，其結(jié)果可以預想監(jiān)控用晶體管121的電流偏離了I0/N的值。
因此，有人考慮預先計算出該偏差，變更輸出電流檢測用電阻122的電阻值，調(diào)整過電流檢測水平，但在所輸入的電源電壓Vcc發(fā)生了變動的情況下，偏差的程度也會發(fā)生變化，因此該對策沒有效果。
另外，本發(fā)明人還曾著眼于在溫度發(fā)生了變動時，因監(jiān)控用晶體管121以及輸出用晶體管11與輸出電流檢測用電阻122的溫度特性不同，對過電流檢測水平的影響。另外，過電流檢測電路110a中，過電流檢測輸出晶體管123的特性也發(fā)生變動，因此可以預想過電流檢測水平會進一步變動。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于以上問題，目的在于提供一種能夠抑制在所輸入的電源電壓或溫度發(fā)生了變動的情況下的過電流檢測水平的變動的過電流檢測電路，以及具有它的調(diào)節(jié)器。
為了解決上述問題，本發(fā)明的理想實施方式的相關(guān)過電流檢測電路，在輸入端被輸入電源電壓，控制端被輸入控制電壓，從輸出端輸出輸出電流的輸出晶體管中，流通有過電流時，將其檢測出來，該過電流檢測電路具有控制端以及輸出端分別與輸出晶體管的控制端及輸出端相連接的監(jiān)控用晶體管；輸入端被輸入電源電壓，控制端被輸入檢測用偏置電壓，輸出端與監(jiān)控用晶體管的輸入端相連接的輸出電流檢測用晶體管；生成基準電流的恒流源；輸入端被輸入電源電壓，控制端被輸入檢測用偏置電壓，從輸出端向上述恒流源流通上述基準電流的參考用晶體管；以及通過將輸出電流檢測用晶體管的輸出端的電壓，與參考用晶體管的輸出端的電壓進行比較，在輸出晶體管中流通有過電流時，將其檢測出來并輸出過電流檢測信號的比較電路。
上述輸出晶體管、上述監(jiān)控用晶體管、上述輸出電流檢測用晶體管以及上述參考用晶體管，最好是P型MOS晶體管。
上述比較電路最好具有介插在上述恒流源與參考用晶體管之間的二極管連接的第1比較用晶體管；生成上述恒流源所生成的基準電流的給定倍電流的第2恒流源；以及介插在第2恒流源與輸出電流檢測用晶體管之間，控制端與第1比較用晶體管的控制端相連接的第2比較用晶體管。
本發(fā)明的理想實施方式的相關(guān)調(diào)節(jié)器，是具有上述過電流檢測電路的調(diào)節(jié)器，設有控制電路，其在電源電壓與輸出給定的DC電壓的輸出端子之間設置輸出晶體管，將輸出端子的電壓反饋輸入，并對應當維持給定的DC電壓的輸出晶體管進行控制，同時，一旦被輸入了過電流檢測電路的過電流檢測信號，便截止輸出晶體管。
發(fā)明效果本發(fā)明的理想實施方式的相關(guān)過電流檢測電路，將監(jiān)控用晶體管與輸出電流檢測用晶體管的串聯(lián)體與輸出晶體管并聯(lián)，并且將參考用晶體管與輸出電流檢測用晶體管并聯(lián)，通過將輸出電流檢測用晶體管的輸出與參考用晶體管的輸出進行比較，檢測出過電流，因此即使所輸入的電源電壓或溫度發(fā)生變化，該晶體管的特性相對來說也沒有什么變動，因此能夠抑制過電流檢測水平的變動。另外，具有它的調(diào)節(jié)器，由于過電流檢測水平穩(wěn)定，因此能夠提高可靠度。


圖1為本發(fā)明的實施方式的相關(guān)過電流檢測電路以及具有它的調(diào)節(jié)器的電路圖。
圖2為如上的動作波形圖。
圖3為本發(fā)明的另一實施方式的相關(guān)過電流檢測電路以及具有它的調(diào)節(jié)器的電路圖。
圖4為背景技術(shù)的過電流檢測電路以及具有它的調(diào)節(jié)器的電路圖。
圖5為背景技術(shù)的另一過電流檢測電路以及具有它的調(diào)節(jié)器的電路圖。
圖中1、2-調(diào)節(jié)器，10a、10b-過電流檢測電路，11-輸出晶體管，13-負載，21-監(jiān)控用晶體管，22a、22b-輸出電流檢測用晶體管，23-參考用晶體管，24-恒流源，25a、25b-比較電路，28-檢測用偏置電壓，31-第1比較用晶體管，32-第2比較用晶體管，33-第2恒流源，Vcc-輸入的電源電壓，OUT-調(diào)節(jié)器的輸出端子。
具體實施例方式
下面對照附圖對本發(fā)明的最佳實施方式進行說明。圖1為本發(fā)明的實施方式的過電流檢測電路以及具有它的調(diào)節(jié)器的電路圖。該調(diào)節(jié)器1在電源電壓Vcc與輸出端子OUT之間設有采用P型MOS晶體管的輸出晶體管11，通過控制輸出晶體管11來將輸出端子OUT維持為給定的DC電壓，同時，在輸出晶體管11中流通過電流的情況下，過電流檢測電路10a將其檢測出來并截止輸出晶體管11。更詳細地說，該調(diào)節(jié)器1具有輸入端(源極)被輸入電源電壓Vcc，控制端(柵極)被輸入控制電壓，從輸出端(漏極)輸出輸出電流I0的輸出晶體管11；讓輸出晶體管11的輸出端所產(chǎn)生的電壓平滑化的平滑化電路12；輸出平滑化了的給定的DC電壓的輸出端子OUT；反饋輸入輸出端子OUT的電壓并從應當維持給定的DC電壓的圖1中的節(jié)點C控制輸出晶體管11，同時如果從節(jié)點D被輸入了過電流檢測電路10a的過電流檢測信號，便將應當截止輸出晶體管11的節(jié)點C的控制電壓設為電源電壓Vcc電平的控制電路14；以及在輸出晶體管11中流通過電流的情況下將其檢測出來，將該過電流檢測信號從節(jié)點D輸出給控制電路14的過電流檢測電路10a。輸出端子OUT與負載13相連接。
過電流檢測電路10a具有控制端(柵極)以及輸出端(漏極)分別與輸出晶體管11的控制端(柵極)以及輸出端(漏極)相連接的采用P型MOS晶體管的監(jiān)控用晶體管21；輸入端(源極)被輸入電源電壓Vcc，控制端(柵極)被輸入檢測用偏置(bias)電壓28，輸出端(漏極)與監(jiān)控用晶體管21的輸入端(源極)相連接的采用P型MOS晶體管的輸出電流檢測用晶體管22a；生成基準電流IREF(例如10μA)的采用N型MOS晶體管的恒流源24；輸入端(源極)被輸入電源電壓Vcc，控制端(柵極)被輸入檢測用偏置電壓28，并且從輸出端(漏極)向恒流源24流通基準電流IREF的采用P型MOS晶體管的參考用晶體管23；以及將輸出電流檢測用晶體管22a的輸出端(漏極)的電壓(也即圖1中的節(jié)點B的電壓)與參考用晶體管23的輸出端(漏極)的電壓(也即圖1中的節(jié)點A的電壓)進行比較，在節(jié)點D輸出檢測信號的由比較器所構(gòu)成的比較電路25a。該比較電路25，更具體地是，在輸出晶體管11中沒有流通過電流時，輸出高電平的檢測信號，在流通過電流時將其檢測出來并輸出低電平的過電流檢測信號。也即，過電流檢測電路10a，將監(jiān)控用晶體管21與輸出電流檢測用晶體管22a的串聯(lián)體與輸出晶體管11并聯(lián)設置，并且將參考用晶體管23與輸出電流檢測用晶體管22a并聯(lián)設置，通過將輸出電流檢測用晶體管22a的輸出與參考用晶體管23的輸出相比較，來檢測出過電流。另外，監(jiān)控用晶體管21、輸出電流檢測用晶體管22a以及參考用晶體管23的大小相等，并設為輸出晶體管11的大小的1/N(例如1/50000)。另外，過電流檢測電路10a還具有N型MOS晶體管26以及恒流源27，由它們決定恒流源24的電流值。
另外，同時輸入給輸出電流檢測用晶體管22a以及參考用晶體管23的控制端的檢測用偏置電壓28，最好與監(jiān)控用晶體管21的控制端(柵極)的電壓幾乎一致。例如，在調(diào)節(jié)器1是開關(guān)調(diào)節(jié)器的情況下，檢測用偏置電壓28最好是接地電壓電平。
接下來，根據(jù)圖2的動作波形圖對過電流檢測電路10a的動作進行說明。該動作波形圖示出了節(jié)點A與B的動作波形(曲線A與曲線B)，也即節(jié)點A與B的電壓相對輸出電流I0的變化，以及比較電路25a的動作波形，也即檢測信號輸出(節(jié)點D的電壓)的變化。由于監(jiān)控用晶體管21與輸出電流檢測用晶體管22a的大小被設定為輸出晶體管11的1/N，因此如果輸出晶體管11中流通輸出電流I0，串聯(lián)的(串聯(lián)體)監(jiān)控用晶體管21與輸出電流檢測用晶體管22a中所流通的電流I1就變?yōu)榧sI0/2N。也即，如果設監(jiān)控用晶體管21與輸出電流檢測用晶體管22a的等價電阻的值為R，則由于輸出晶體管11的等價電阻的值為R/N，因此成立下式。
RI1+RI1＝RI0/N…(1)因此，I1＝I0/2N …(2)這樣，節(jié)點B中，為了在輸出電流檢測用晶體管22a中流通I0/2N的電流，而以電源電壓Vcc為基準產(chǎn)生了必要的電壓。節(jié)點B的電壓，一旦輸出晶體管11的輸出電流I0增加便直線下降。另外，節(jié)點A中，為了在參考用晶體管23中流通基準電流IREF，而以電源電壓Vcc為基準產(chǎn)生必要的電壓。因此，輸出晶體管11的輸出電流I0增加，一旦監(jiān)控用晶體管21以及輸出電流檢測用晶體管22a中所流通的電流I0/2N超過基準電流IREF的值，也即節(jié)點B的電壓下降到節(jié)點A的電壓以下，作為比較電路25a的輸出的節(jié)點D的檢測信號就從高電平變化為低電平(過電流檢測信號)。具體地說，如果將N設為50000，將基準電流IREF設為10μA，則輸出晶體管11的電流I0便約為1A(安培)以上，認為輸出晶體管11的輸出電流I0超過了過電流檢測水平IE(判斷流通有過電流)，將輸出晶體管11截止。
這里，串聯(lián)體的監(jiān)控用晶體管21與輸出電流檢測用晶體管22a，以及參考用晶體管23的各個輸出端(漏極)的電壓，與輸出晶體管11一樣，對應于所流通的電流的值，以電源電壓Vcc為基準生成。因此，這些晶體管的輸出端(漏極)的電壓因其他元件的影響而變動，通過這樣抑制了其中所流通的電流的比率偏離大小的比率。這樣，即使在電源電壓Vcc發(fā)生了變動的情況下，由于上述晶體管的輸出端(漏極)的電壓以電源電壓Vcc為基準生成，因此不受其影響，幾乎沒有引起過電流檢測水平IE的變動。
另外，輸出晶體管11、監(jiān)控用晶體管21、輸出電流檢測用晶體管22a以及參考用晶體管23，均為P型MOS晶體管，因此具有相同的溫度特性。因此，監(jiān)控用晶體管21、輸出電流檢測用晶體管22a、以及參考用晶體管23的特性，即使溫度變動也與輸出晶體管11同樣進行變化，因此能夠抑制因溫度的變動所引起的過電流檢測水平IE的變動。
接下來，根據(jù)圖3對本發(fā)明的另一實施方式的過電流檢測電路以及具有它的調(diào)節(jié)器進行說明。該調(diào)節(jié)器2除了過電流檢測電路10b以外，均與上述調(diào)節(jié)器1的構(gòu)成實質(zhì)上相同，因此以下對過電流檢測電路10b進行說明。
過電流檢測電路10b與過電流檢測電路10a一樣，具有監(jiān)控用晶體管21、輸出電流檢測用晶體管22b、參考用晶體管23、以及生成基準電流IREF的恒流源24。并且監(jiān)控用晶體管21以及參考用晶體管23的大小設定地與過電流檢測電路10a一樣，但輸出電流檢測用晶體管22b的大小，被設為監(jiān)控用晶體管21以及參考用晶體管23的兩倍。
另外，過電流檢測電路10b將前一個實施方式中的比較器所構(gòu)成的比較電路25a，替換成具有其他電路結(jié)構(gòu)的比較電路25b。比較電路25b具有介插在恒流源24與參考用晶體管23之間的二極管連接(輸出端(漏極)與控制端(柵極)相連接)的采用P型MOS晶體管的第1比較用晶體管31；通過讓恒流源(N型MOS晶體管)24與柵極電壓共通來生成恒流源24所生成的基準電流IREF的給定倍(這里為1倍)的電流的第2恒流源33；以及介插在第2恒流源33與輸出電流檢測用晶體管22b之間，控制端(柵極)與第1比較用晶體管31的控制端(柵極)相連接的采用P型MOS晶體管的第2比較用晶體管32。因此，如果第2比較用晶體管32的輸入端(源極)的電位下降地比第1比較用晶體管31的輸入端(源極)低，第2比較用晶體管32中便不流通電流(截止)。
接下來，對過電流檢測電路10b的動作進行說明。如果設監(jiān)控用晶體管21與參考用晶體管23的等價電阻的值為R，則輸出電流檢測用晶體管22b的等價電阻的值為R/2，輸出晶體管11的等價電阻的值為R/N。輸出電流檢測用晶體管22b中所流通的電流，分路為監(jiān)控用晶體管21中所流通的電流I1與第2恒流源33中所流通的電流IREF。因此，節(jié)點B中，為了在輸出電流檢測用晶體管22b中流通電流IREF+I1，而以電源電壓Vcc為基準生成必要的電壓R(IREF+I1)/2。于是R(IREF+I1)/2+RI1＝RI0/N…(3)成立，為滿足上式而在監(jiān)控用晶體管21中流通電流I1。
另外，節(jié)點A中，為了讓參考用晶體管23中流通基準電流IREF，而以電源電壓Vcc為基準生成了必要的電壓RIREF。如果節(jié)點B的電壓與節(jié)點A的電壓相等，則R(IREF+I1)/2＝RIREF…(4)成立。求解便得到I1＝IREF…(5)將式(5)代入式(3)便得到I1＝IREF＝I0/2N …(6)
這樣，如果監(jiān)控用晶體管21中所流通的電流I1超過了電流IREF，則由于節(jié)點B的電壓下降到節(jié)點A的以下，因此第2比較用晶體管32截止，比較電路25b的輸出，也即節(jié)點D的檢測信號從高電平變?yōu)榈碗娖?過電流檢測信號)。具體地說，如果設N為50000，基準電流IREF為10μA，則輸出晶體管11的輸出電流I0為1A以上，節(jié)點D的檢測信號變?yōu)榈碗娖健?br> 這樣，過電流檢測電路10b與過電流檢測電路10a一樣，在輸出晶體管11中流通有過電流的情況下，將其檢測出來并將過電流檢測信號從節(jié)點D輸出給控制電路14。另外，由于該過電流檢測電路10b的比較電路25b不使用像過電流檢測電路10a的比較電路25a那樣的比較器，因此能夠削減構(gòu)成電路的元件數(shù)，減少占有面積與消耗功率。
另外，過電流檢測電路10a或10b中，也可以為了調(diào)整過電流檢測水平IE而變更基準電流IREF。另外，過電流檢測電路10b中，還能夠通過將第2恒流源(N型MOS晶體管)33的大小相對恒流源(N型MOS晶體管)24進行變更從而變更所流通的電流值的給定倍率，對過電流檢測水平IE進行調(diào)整。例如，如果設第2恒流源(N型MOS晶體管)33的大小為1/2，則因為；IREF＝2I0/5N …(7)使得節(jié)點B的電壓與節(jié)點A的電壓相等。因此，如果設N為50000，基準電流IREF為10μA，則過電流檢測水平IE變?yōu)?.25A。
另外，還能夠通過將參考用晶體管23相對監(jiān)控用晶體管21以及輸出電流檢測用晶體管22a(22b)的尺寸比進行變更，來調(diào)整過電流檢測水平IE。例如，過電流檢測電路10a中，如果讓參考用晶體管23的尺寸為監(jiān)控用晶體管21以及輸出電流檢測用晶體管22a的1/2，則在上述條件下(N為50000，基準電流IREF為10μA)，過電流檢測水平IE變?yōu)?A。另外，過電流檢測電路10b中，如果讓參考用晶體管23的尺寸為監(jiān)控用晶體管21的1/2，則因為IREF＝I0/5N …(8)使得節(jié)點B的電壓與節(jié)點A的電壓相等。因此，在上述條件下(N為50000，基準電流IREF為10μA)，過電流檢測水平IE變?yōu)?.5A。
另外，本發(fā)明并不僅限于上述實施方式，還能夠在權(quán)利要求所述的事項的范圍內(nèi)，進行各種設計變更。例如，上述實施方式中，所說明的是調(diào)節(jié)器的輸出晶體管11為P型MOS晶體管，過電流檢測電路的監(jiān)控用晶體管21、輸出電流檢測用晶體管22a(22b)以及參考用晶體管23均為P型MOS晶體管，但輸出晶體管11還可以采用N型MOS晶體管、PNP型雙極性晶體管或NPN型雙極性晶體管，這種情況下，當然監(jiān)控用晶體管21、輸出電流檢測用晶體管22a(22b)以及參考用晶體管23可以對應上述類型構(gòu)成過電流檢測電路。
權(quán)利要求
1.一種過電流檢測電路，在輸入端被輸入電源電壓，控制端被輸入控制電壓，從輸出端輸出輸出電流的輸出晶體管中，流通有過電流時，將其檢測出來，所述過電流檢測電路具有控制端以及輸出端分別與輸出晶體管的控制端及輸出端相連接的監(jiān)控用晶體管；輸入端被輸入電源電壓，控制端被輸入檢測用偏置電壓，輸出端與監(jiān)控用晶體管的輸入端相連接的輸出電流檢測用晶體管；生成基準電流的恒流源；輸入端被輸入電源電壓，控制端被輸入檢測用偏置電壓，從輸出端向所述恒流源流入所述基準電流的參考用晶體管；以及通過將輸出電流檢測用晶體管的輸出端的電壓，與參考用晶體管的輸出端的電壓進行比較，在輸出晶體管中流通有過電流時，將其檢測出來并輸出過電流檢測信號的比較電路。
2.如權(quán)利要求1所述的過電流檢測電路，其特征在于，所述輸出晶體管、所述監(jiān)控用晶體管、所述輸出電流檢測用晶體管以及所述參考用晶體管是P型MOS晶體管。
3.如權(quán)利要求1或2所述的過電流檢測電路，其特征在于，所述比較電路具有介插在所述恒流源與參考用晶體管之間的二極管連接的第1比較用晶體管；生成所述恒流源所生成的基準電流的給定倍電流的第2恒流源；以及介插在第2恒流源與輸出電流檢測用晶體管之間，控制端與第1比較用晶體管的控制端相連接的第2比較用晶體管。
4.一種調(diào)節(jié)器，具有權(quán)利要求1～3中任一項所述的過電流檢測電路，其特征在于，設有控制電路，其在電源電壓與輸出給定的DC電壓的輸出端子之間設置有輸出晶體管，將輸出端子的電壓反饋輸入，并對應當維持給定的DC電壓的輸出晶體管進行控制，同時，一旦被輸入了過電流檢測電路的過電流檢測信號，便截止輸出晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在所輸入的電源電壓或溫度發(fā)生了變動的情況下，能夠抑制過電流檢測水平的變動的過電流檢測電路。該過電流檢測電路(10b)具有控制端以及輸出端分別與輸出晶體管(11)的控制端及輸出端相連接的監(jiān)控用晶體管(21)；控制端被輸入檢測用偏置電壓(28)，輸出端與監(jiān)控用晶體管(21)的輸入端相連接的輸出電流檢測用晶體管(22b)；生成基準電流I
文檔編號G05F1/10GK1910529SQ20058000298
公開日2007年2月7日 申請日期2005年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月22日
發(fā)明者北條喜之 申請人:羅姆股份有限公司