專利名稱：恒流源電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)，尤其涉及恒流源電路。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展，恒流源電路已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。恒流源電路主要用于對電流穩(wěn)定性要求較高的電路，例如，射頻小信號放大器。
在晶體管恒流源電路的大批量生產(chǎn)加工過程中，由于受到三極管的基極和發(fā)射極之間的電壓VBE(ON)的離散性的影響或者受到MOS場效應(yīng)管的柵極和漏極之間的電壓VGS(ON)的離散性的影響，單板之間、批次之間，恒流源電路的輸出都會有一定的離散性。對于那些對恒流源的精度要求較高的電路，就必須采取一定的技術(shù)手段對三極管的VBE(ON)或MOS場效應(yīng)管的VGS(ON)的離散性進行補償。
目前，已經(jīng)出現(xiàn)多種有源恒流源。圖1示出了采用普通PNP三極管的恒流源電路10，PNP三極管102的發(fā)射極通過第一電阻104(Rc)連接至電源106(電壓為Vcc)的正極，電源106的負(fù)極接地，PNP三極管102的基極通過第二電阻108(R1)連接至電源106的正極，PNP三極管102的基極還通過第三電阻110(R2)接地。PNP三極管102的集電極輸出電流Iout。電源106的電壓Vcc經(jīng)第二電阻108和第三電阻110的分壓后，得到Vb，Vb=R2R1+R2·VCC,]]>PNP三極管102的發(fā)射極的電壓Vref＝Vb+VBE(ON)，所以Iout=VCC-VrefRC,]]>從而，實現(xiàn)恒流功能。
但在實際使用中，PNP三極管102的基極和發(fā)射極之間的電壓VBE(ON)是隨溫度的變化而變化的，溫度升高，VBE(ON)減小，所以Iout就增加，恒流效果不是很好。
所以，這種恒流源電路的批次一致性一般、存在溫漂、且恒流效果一般。
針對這種情況，已經(jīng)提出一種溫補PNP三極管恒流源電路，如圖2所示，溫補PNP三極管恒流源的工作原理與上面的普通PNP三極管恒流源基本相同，只是增加了一個溫補元件216，這個元件可以是一個B-C極短接的NPN三極管(圖2中的電路圖采用了NPN三極管)，也可以是一個二極管，要求這個三極管的VBE(ON)2或二極管的正向?qū)妷号c恒流PNP三極管202的VBE(ON)1成一定比例。
這樣，Vb=R2R1+R2·(VCC-VBE(ON)2),]]>所以Vref=Vb+VBE(ON)1=R2R1+R2·VCC+(VBE(ON)1-R2R1+R2·VBE(ON)2),]]>當(dāng)VBE(ON)1=R2R1+R2·VBE(ON)2]]>時，Vref不隨PNP三極管202的VBE(ON)的變化而變化，從而實現(xiàn)溫補功能。一般情況下，R2會比R1大一至兩個數(shù)量級，所以VBE(ON)1約等于VBE(ON)2。
但是，這種電路的缺點在于，由于元器件之間存在離散性，PNP三極管202和溫補元件206的VBE(ON)1和VBE(ON)2都有一個初始誤差，這個誤差是隨機正態(tài)分布的。當(dāng)PNP三極管202和溫補元件206的VBE(ON)向相反的方向偏差時，就會使Vref產(chǎn)生一定的誤差，所以Iout就會有誤差。
為了解決上述VBE(ON)均有初始誤差的問題，又提出了一種運算放大器恒流源電路30，如圖3所示，和圖1及圖2示出的恒流源電路相同，均使用了PNP三極管302，其發(fā)射極通過第一電阻304(Rc)連接至電源306的正極，電源電壓為Vcc，電源306的負(fù)極接地，三極管302的集電極用于輸出電流Iout，三極管302的基極與運算放大器308的輸出端相連，運算放大器308的反向輸入端通過第二電阻310(R1)連接至三極管302的發(fā)射極，運算放大器308的反向輸入端同時還通過第三電阻316(R2)接地，運算放大器308的正向輸入端通過第四電阻312(R4)連接至電源306的正極，同時，運算放大器308的正向輸入端還通過第五電阻314(R3)接地。
另外，三極管302的發(fā)射極電壓為Vref，基極電壓為Vb，運算放大器308的正向輸入端的電壓為V1，反向輸入端的電壓為V2。
根據(jù)運算放大器的“虛短”特性，即V1＝V2，我們可以得出R3R3+R4·VCC=R2R1+R2·Vref,]]>即Vref=(R1+R2)·R3R2·(R3+R4)·VCC.]]>所以Iout=VCC-VrefRC,]]>Iout與三極管302的VBE(ON)無關(guān)，但對第二電阻、第三電阻、第四電阻、以及第五電阻的電阻值較敏感。
這種恒流源電路的缺點在于對運放偏置電阻的精度要求較高、批次一致性一般、占用PCB面積大、以及制造成本較高。
因此，需要一種能夠補償三極管VBE(ON)的離散性、制造成本不高、能夠提高大批量生產(chǎn)加工的一致性的恒流源電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的至少一種缺陷的恒流源電路。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種恒流源電路，包括電源，具有電源第一端和電源第二端，用于提供直流電壓；第一晶體管，其具有第一晶體管第一端；第一晶體管第二端；第一晶體管第三端；第二晶體管，所述第二晶體管的屬性與所述第一晶體管的屬性相同，其具有第二晶體管第一端，連接至所述電源第一端，用于接收來自所述電源的電流；第二晶體管第二端，連接至所述電源第二端；第二晶體管第三端，與所述第一晶體管第三端連接，并且所述第二晶體管第一端和所述第二晶體管第二端中的任意一個連接；其中，當(dāng)所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第二端連接時，所述第一晶體管第一端與所述第二晶體管第一端連接，所述第一晶體管第二端用于輸出第一方向的電流；以及當(dāng)所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第一端連接時，所述第一晶體管第二端與所述第二晶體管第二端連接，所述第一晶體管第一端用于輸出第二方向的電流。
在上述恒流源電路中，電源第一端為正極，電源第二端為負(fù)極。第一方向的電流為正向電流，第二方向的電流為反向電流。
在上述恒流源電路中，所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的PNP三極管；所述第一晶體管第一端和所述第二晶體管第一端為發(fā)射極，所述第一晶體管第二端和所述第二晶體管第二端為集電極，所述第一晶體管第三端和所述第二晶體管第三端為基極；以及所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第二端連接。
在上述恒流源電路中，所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的NMOS場效應(yīng)管；所述第一晶體管第一端和所述第二晶體管第一端為源極，所述第一晶體管第二端和所述第二晶體管第二端為漏極，所述第一晶體管第三端和所述第二晶體管第三端為柵極；以及所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第二端連接。
另外，在所述第一晶體管與所述電源之間接有第一電阻。所述第一電阻連接在所述第二晶體管第一端和所述電源第一端之間，所述第一電阻也可以連接在所述第二晶體管第二端和所述電源第二端之間。
另外，也可以在所述第二晶體管第一端和所述電源第一端之間連接第一電阻，在所述第二晶體管第二端和所述電源第二端之間連接有第二電阻，在所述第一晶體管和所述電源之間連接第三電阻。
在上述恒流源電路中，所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的NPN三極管；所述第一晶體管第一端和所述第二晶體管第一端為集電極，所述第一晶體管第二端和所述第二晶體管第二端為發(fā)射極，所述第一晶體管第三端和所述第二晶體管第三端為基極；以及所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第一端連接。
在上述恒流源電路中，所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的PMOS場效應(yīng)管；所述第一晶體管第一端和所述第二晶體管第一端為漏極，所述第一晶體管第二端和所述第二晶體管第二端為源極，所述第一晶體管第三端和所述第二晶體管第三端為柵極；以及所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第一端連接。
在所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的NPN三極管或同一批次的PMOS場效應(yīng)管時，在所述第二晶體管與所述電源之間接有第一電阻，所述第一電阻連接在所述第二晶體管第一端和所述電源第一端之間，所述第一電阻也可以連接在所述第二晶體管第二端和所述電源第二端之間。
由于采用與恒流晶體管的批次相同、型號相同的晶體管對恒流晶體管的VBE(ON)進行補償，根據(jù)本發(fā)明的恒流源電路的所實現(xiàn)的技術(shù)效果在于對恒流晶體管的參數(shù)離散性不敏感、輸出一致性好、以及溫補效果好。


通過參考附圖，本發(fā)明的特征和優(yōu)點將變的更加明顯，其中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的普通PNP三極管恒流源電路的電路圖；
圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中的溫補PNP三極管恒流源電路的電路圖；圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)中的運算放大器恒流源電路的電路圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路的電路圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的NMOS場效應(yīng)管恒流源電路的電路圖；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的NPN三極管恒流源電路的電路圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的PMOS場效應(yīng)管恒流源電路的電路圖；圖8a示出了采用如圖1所示的普通PNP三極管恒流源電路的第一應(yīng)用電路的電路圖；圖8b示出了圖8a所示的第一應(yīng)用電路的輸出電流由于VBE(ON)隨溫度的改變而變化的曲線圖；圖9a示出了采用如圖2所示的溫補PNP三極管恒流源電路的第二應(yīng)用電路的電路圖；圖9b示出了圖9a所示的第二應(yīng)用電路的輸出電流受VBE(ON)1和VBE(ON)2的離散性的影響的曲線圖；圖10a示出了采用如圖3所示的運算放大器恒流源電路的第三應(yīng)用電路的電路圖；
圖10b示出了圖10a所示的第三應(yīng)用電路的輸出電流受電阻精度影響的曲線圖；圖11a示出了采用如圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路的第四應(yīng)用電路的電路圖；以及圖11b示出了圖11a所示的第四應(yīng)用電路輸出電流受VBE(ON)的離散生的影響的曲線圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在參照附圖對根據(jù)本發(fā)明的具體實施例進行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
第一實施例圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路40的電路圖。
在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路40中，第一PNP三極管402的發(fā)射極通過第一電阻404(Rc)連接至電源406的正極，電源406用于提供直流電壓，其負(fù)極接地；第一PNP三極管402的集電極用于輸出正向電流Iout，第一PNP三極管402的基極通過第二電阻408(R1)連接至第二PNP三極管410的集電極，第一PNP三極管402的基極還通過第三電阻412接地；第二PNP三極管410的基極與集電極連接在一起，第二PNP三極管410(R2)的發(fā)射極連接至電源406的正極。理論上講，該恒流源電路中的電阻元件均可以去掉，用導(dǎo)線代替，只剩下電源406、第一PNP三極管402、以及第二PNP三極管410。
在本實施例中，第一PNP三級管402用作恒流元件，第二PNP三極管410用作溫補元件。
從圖中可以看出，和圖2示出的現(xiàn)有技術(shù)中的溫補PNP三極管恒流源電路20不同之處在于，將溫補元件由圖2中的NPN三極管216改變?yōu)榕c恒流元件比次相同、型號相同的第二PNP三極管410。
設(shè)電源電壓為Vcc，第一PNP三極管402的基極和發(fā)射極之間的電壓為VBE(ON)1，其發(fā)射極電壓為Vref，其基極電壓為Vb，第一電阻的阻值為Rc，第二電阻的阻值為R1，第三電阻的阻值為R2，第一NPN三極管402的集電極輸出的電流為Iout，第二PNP三極管410的基極和發(fā)射極之間的電壓為VBE(ON)2。
這樣，Vb=R2R1+R2·(VCC-VBE(ON)2),]]>Vref=Vb+VBE(ON)1=R2R1+R2·VCC+(VBE(ON)1-R2R1+R2·VBE(ON)2),]]>所以Iout=VCC-VrefRC,]]>從而，實現(xiàn)恒流功能。
當(dāng)VBE(ON)1=R2R1+R2·VBE(ON)2]]>時，Vref不隨第一PNP三極管402的VBE(ON)1的變化而變化，從而實現(xiàn)溫補功能。一般情況下，R2會比R1大一至兩個數(shù)量級，所以VBE(ON)1約等于VBE(ON)2。由于在本實施例中采用了和第一PNP三極管402批次相同、型號相同的第二PNP三極管410作為溫補元件，從而改善了由于PNP三極管的VBE(ON)參數(shù)的溫漂和離散性對輸出電流的影響，提高了大批量生產(chǎn)加工的一致性，在電路設(shè)計上保障了產(chǎn)品的可加工性。
第二實施例圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的NMOS場效應(yīng)管恒流源電路50的電路圖。
和圖4示出的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路40相比，不同之處在于，將PNP三極管替換為NMOS場效應(yīng)管。
在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的NMOS場效應(yīng)管恒流源電路50中，第一NMOS場效應(yīng)管502的源極連接至電源504的正極，第一NMOS場效應(yīng)管502的柵極連接至第二NMOS場效應(yīng)管506的柵極，第一NMOS場效應(yīng)管502的漏極用于輸出正向電流Iout，第二NMOS場效應(yīng)管506的柵極與其漏極相連，同時通過第一電阻508接地。
其工作原理和根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路40相同，不同的是VBE(ON)1和VBE(ON)2分別變成了VGS(ON)1和VGS(ON)2，不再贅述。
第三實施例圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的NPN三極管恒流源電路60的電路圖。
和圖4示出的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路40相比，不同之處在于，將PNP三極管替換為NPN三極管，電路也隨之作了調(diào)整。
在根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的NPN三極管恒流源電路60，第一NPN三極管602的基極與第二NPN三極管604的基極相連，第一NPN三極管602的發(fā)射極與第二NPN三極管604的發(fā)射極相連，同時接地或連接至第二電源608的負(fù)極，第二電源608的負(fù)極接地，第一NPN三極管602的集電極用于輸出反向電流，第二NPN三極管604的集電極與其基極相連，并通過第一電阻610連接至第一電源612的正極，第一電源612的負(fù)極接地。
該電路的工作原理與上述實施例的原理相同，不再贅述。
第四實施例圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的PMOS場效應(yīng)管恒流源電路70的電路圖。
和圖6示出的根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的NPN三極管恒流源電路60相比，不同之處在于，將NPN三極管替換為PMOS場效應(yīng)管。
在根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的PMOS場效應(yīng)管恒流源電路70中，第一PMOS場效應(yīng)管702的柵極與第二PMOS場效應(yīng)管704的柵極相連，第一PMOS場效應(yīng)管702的源極與第二PMOS場效應(yīng)管704的源極相連，同時接地或連接至第二電源708的負(fù)極，第二電源708的負(fù)極接地，第一PMOS場效應(yīng)管702的漏極用于輸出反向電流，第二PMOS場效應(yīng)管704的漏極與其柵極相連，并通過第一電阻710連接至第一電源712的正極，第一電源712的負(fù)極接地。
該電路的工作原理與上述實施例的原理相同，不再贅述。
雖然在圖5和圖7中示出的場效應(yīng)管為耗盡型場效應(yīng)管，但是，應(yīng)當(dāng)理解，也可以采用增強型場效應(yīng)管。
雖然在第一實施例至第四實施例中列舉了具體的元器件以及它們之間的連接關(guān)系，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些具體的元器件及它們之間的連接關(guān)系并不用于限定本發(fā)明。
試驗對比下面，將結(jié)合圖8a、8b、9a、9b、10a、10b、11a、11b來說明根據(jù)本發(fā)明的恒流源電路所實現(xiàn)的技術(shù)效果，簡便起見，我們將圖4示出的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的三極管恒流源電路40和圖1至圖3示出的現(xiàn)有技術(shù)恒流源電路進行對比，用試驗數(shù)據(jù)說明根據(jù)本發(fā)明的恒流源電路所實現(xiàn)的技術(shù)效果。
第一試驗圖8a示出了采用如圖1所示的普通PNP三極管恒流源電路的第一應(yīng)用電路的電路圖，圖8b示出了圖8a所示的第一應(yīng)用電路的輸出電流由于VBE(ON)隨溫度的改變而變化的曲線圖。
在圖8a示出的電路中，第一電阻104的阻值為5歐姆，第二電阻108的阻值為225歐姆，第三電阻110的阻值為1000歐姆，電源106的電壓為7伏，PNP三極管102采用菲利浦公司出品的BC856B型三級管。另外，在電源106的正極和地之間接有第一電容116，其電容值為1000皮法(pF)，在PNP三極管102的集電極通過電感器118(感抗為56nH)經(jīng)由電流計120連接至負(fù)載126的一端，負(fù)載126的另一端接地，在PNP三極管102的集電極和地之間也接有第二電容120，其電容值為100皮法。
在圖8b示出的坐標(biāo)系中，橫軸表示負(fù)載126的大小，縱軸表示通過電流計120測得的輸出電流Iout的大小。
從圖8b可以看出，由于PNP三極管102的基極和發(fā)射極之間的電壓VBE(ON)是隨溫度的變化而變化的，溫度升高，VBE(ON)減小，所以Iout就增加，當(dāng)VBE(ON)分別為0.78伏、0.79伏、以及0.8伏時，Iout的變化較大，恒流效果較差。
第二試驗圖9a示出了采用如圖2所示的溫補PNP三極管恒流源電路的第二應(yīng)用電路的電路圖，圖9b示出了圖9a所示的第二應(yīng)用電路的輸出電流受VBE(ON)1和VBE(ON)2的離散性的影響的曲線圖。
在圖9a示出的電路中，和圖8a示出的第一應(yīng)用電路相比，只是增加了一個溫補元件216。元器件的參數(shù)如圖所示，不再贅述。
在圖9b示出的坐標(biāo)系中，橫軸表示負(fù)載的大小，縱軸表示通過電流計測得的輸出電流Iout的大小。
由于元器件之間存在離散性，PNP三極管202和溫補元件206的VBE1和VBE2都有一個初始誤差，這個誤差是隨機正態(tài)分布的。當(dāng)PNP三極管202和溫補元件206的VBE1和VBE2向相反的方向偏差時，就會使Vref產(chǎn)生一定的誤差，所以Iout就會有誤差，從圖9b中可以看出，當(dāng)VBE1為0.78V、0.79V、或0.8V，VBE2為0.8V、0.79V、或0.78V時，輸出電流Iout的變化很大，恒流效果較差。
第三試驗圖10a示出了采用如圖3所示的運算放大器恒流源電路的第三應(yīng)用電路的電路圖；圖10b示出了圖10a所示的第三應(yīng)用電路的輸出電流受電阻精度影響的曲線圖。
在圖10a中示出了各個元器件的參數(shù)，以及各個元件之間的連接關(guān)系。從圖10b可以看出，隨著電阻R1的變化，輸出電流Iout的變化很大，恒流效果較差。
第四試驗為了說明根據(jù)本發(fā)明的恒流源的有益效果，下面將介紹對根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路進行試驗的情形，簡便起見，不再說明對根據(jù)本發(fā)明的第二實施例、第三實施例、和第四實施例的恒流源電路的試驗。
圖11a示出了采用如圖4所示的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的PNP三極管恒流源電路的第四應(yīng)用電路的電路圖；圖11b示出了圖11a所示的第四應(yīng)用電路輸出電流受VBE(ON)的離散性的影響的曲線圖。
在圖11a中示出了各個元器件的參數(shù)，本說明書的以上部分已經(jīng)詳細(xì)說明了該恒流電路的工作原理，因此不再贅述。
從圖11b中可以看到，由于采用了與恒流晶體管的批次相同、屬性相同的晶體管對恒流晶體管的VBE(ON)進行補償，所以，當(dāng)VBE分別為0.78V、0.79V、和0.8V時，輸出電流Iout幾乎沒有受到影響，恒流效果很好。
通過將第一試驗、第二試驗、以及第三試驗同第四試驗比較，我們可以發(fā)現(xiàn)，在相同的情形下，根據(jù)本發(fā)明的恒流源電路取得了更好的恒流效果，對恒流晶體管的參數(shù)離散性不敏感，輸出一致性好，溫補效果好。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種恒流源電路，其特征在于，包括電源，具有電源第一端和電源第二端，用于提供直流電壓；第一晶體管，其具有第一晶體管第一端；第一晶體管第二端；第一晶體管第三端；第二晶體管，所述第二晶體管的型號與所述第一晶體管的型號相同，其具有第二晶體管第一端，連接至所述電源第一端，用于接收來自所述電源的電流；第二晶體管第二端，連接至所述電源第二端；第二晶體管第三端，與所述第一晶體管第三端連接，并且與所述第二晶體管第一端和所述第二晶體管第二端中的任意一個連接；其中，當(dāng)所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第二端連接時，所述第一晶體管第一端與所述第二晶體管第一端連接，所述第一晶體管第二端用于輸出第一方向的電流；以及當(dāng)所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第一端連接時，所述第一晶體管第二端與所述第二晶體管第二端連接，所述第一晶體管第一端用于輸出第二方向的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流源電路，其特征在于所述電源第一端為正極，所述電源第二端為負(fù)極；以及所述第一方向的電流為正向電流，所述第二方向的電流為反向電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的恒流源電路，其特征在于所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的PNP三極管；所述第一晶體管第一端和所述第二晶體管第一端為發(fā)射極，所述第一晶體管第二端和所述第二晶體管第二端為集電極，所述第一晶體管第三端和所述第二晶體管第三端為基極；以及所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第二端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的恒流源電路，其特征在于所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的NMOS場效應(yīng)管；所述第一晶體管第一端和所述第二晶體管第一端為源極，所述第一晶體管第二端和所述第二晶體管第二端為漏極，所述第一晶體管第三端和所述第二晶體管第三端為柵極；以及所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第二端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的恒流源電路，其特征在于，在所述第二晶體管與所述電源之間接有第一電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的恒流源電路，其特征在于，所述第一電阻連接在所述第二晶體管第一端和所述電源第一端之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的恒流源電路，其特征在于，所述第一電阻連接在所述第二晶體管第二端和所述電源第二端之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的恒流源電路，其特征在于，在所述第二晶體管第一端和所述電源第一端之間連接有第一電阻，在所述第二晶體管第二端和所述電源第二端之間連接有第二電阻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的恒流源電路，其特征在于，在所述第一晶體管和所述電源之間連接有第三電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的恒流源電路，其特征在于所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的NPN三極管；所述第一晶體管第一端和所述第二晶體管第一端為集電極，所述第一晶體管第二端和所述第二晶體管第二端為發(fā)射極，所述第一晶體管第三端和所述第二晶體管第三端為基極；以及所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第一端連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的恒流源電路，其特征在于所述第一晶體管和所述第二晶體管是同一型號、同一批次的PMOS場效應(yīng)管；所述第一晶體管第一端和所述第二晶體管第一端為漏極，所述第一晶體管第二端和所述第二晶體管第二端為源極，所述第一晶體管第三端和所述第二晶體管第三端為柵極；以及所述第二晶體管第三端與所述第二晶體管第一端連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的恒流源電路，其特征在于，在所述第二晶體管與所述電源之間接有第一電阻。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的恒流源電路，其特征在于，所述第一電阻連接在所述第二晶體管第一端和所述電源第一端之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的恒流源電路，其特征在于，所述第一電阻連接在所述第二晶體管第二端和所述電源第二端之間。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種恒流源，具有電源，用于提供直流電壓；第一晶體管，其具有第一端、第二端和第三端，第一晶體管的第三端連接至第二晶體管的第三端；以及第二晶體管，第二晶體管的型號與第一晶體管的型號相同，其第一端連接至電源的第一端，其第二端連接至電源的第二端，其第三端與其第一端或第二端連接；當(dāng)?shù)诙w管的第三端與其第二端連接時，第一晶體管的第一端與第二晶體管的第一端連接，第一晶體管的第二端用于輸出第一方向的電流；當(dāng)?shù)诙w管的第三端與其第一端連接時，第一晶體管的第一端用于輸出第二方向的電流，第一晶體管的第二端與第二晶體管的第二端連接。對恒流晶體管的參數(shù)離散性不敏感、輸出一致性好、且溫補效果好。
文檔編號G05F1/567GK1797260SQ200410010508
公開日2006年7月5日 申請日期2004年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月28日
發(fā)明者代郁峰 申請人:華為技術(shù)有限公司