由基于硅的材料制成的寶璣雙層游絲的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于硅的寶璣雙層游絲（1，31），該寶璣雙層游絲（1，31）包括細(xì)彈簧（3，33）、末端彎曲（7，37）和提升裝置（9，39），該細(xì)彈簧（3，33）與內(nèi)樁（5，35）同軸地形成一體，該提升裝置（9，39）位于所述細(xì)彈簧的外圈（15，45）和所述末端彎曲之間。根據(jù)本發(fā)明，該游絲具有相互固定在一起的兩個單獨部件，以提高所述游絲的擴(kuò)展精度。本發(fā)明涉及時計機(jī)芯領(lǐng)域。
【專利說明】由基于硅的材料制成的寶璣雙層游絲
[0001]本申請是申請日為2009年12月15日、名稱為“由基于硅的材料制成的寶璣雙層游絲”的專利申請N0.200910259156.0的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及寶J幾雙層游絲/挑框游絲(Breguet overcoil balance spring)及其制造方法，并且更具體地涉及由基于硅的材料制成的這種類型的游絲。
【背景技術(shù)】
[0003]時計的調(diào)節(jié)部件通常包括稱為擺輪的慣性飛輪和稱為游絲的諧振器。這些部件決定了時計的工作品質(zhì)。實際上，它們調(diào)節(jié)機(jī)芯的工作，即，它們控制機(jī)芯的頻率。
[0004]使用基于硅的材料制造時計部件是已知的。由于尤其在電子領(lǐng)域內(nèi)的當(dāng)前方法的進(jìn)步，可微機(jī)械加工材料例如硅的使用在制造精度方面具有優(yōu)點。還可利用硅對磁力和溫度變化具有非常低的敏感性的優(yōu)點。但是，由于當(dāng)前不能制造具有若干層級的硅部件，因此要被制造的部件必須是平的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是，通過提出一種易于制造并且使得變差(rate variation)減小的由基于硅的材料制成的寶璣雙層游絲，以克服全部或一部分上述缺陷。
[0006]因此，本發(fā)明涉及一種由基于硅的材料制成的寶璣雙層游絲，該寶璣雙層游絲包括與內(nèi)樁同軸地形成一體件的細(xì)彈簧、末端彎曲以及用于所述細(xì)彈簧的外圈和所述末端彎曲的提升裝置(elevation device),該游絲包括相互固定在一起的兩個單獨部件，以提高所述游絲的擴(kuò)展精度，其特征在于，該提升裝置包括至少一個立柱，該至少一個立柱將所述外圈的一端連接到所述末端彎曲的一端且與細(xì)彈簧-內(nèi)樁組件或末端彎曲形成一體。
[0007]有利地，由在多層基于硅的材料上制成的兩個單獨部件形成簡單組件，該組件幾乎對磁力和溫度變化不敏感，并且不再需要當(dāng)前使用的用于由金屬條制造這種游絲的復(fù)雜調(diào)整步驟。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的其它有利特征:
[0009]-提升裝置包括至少一個附加立柱，該至少一個附加立柱將所述外圈的一端連接到所述末端彎曲的一端且與末端彎曲或細(xì)彈簧-內(nèi)樁組件形成一體；
[0010]-每個所述至少一個立柱都固定在凹部中，該凹部形成于與所述至少一個立柱的端部相對的端部中；
[0011]-提升裝置包括至少一個間隔件，該間隔件安裝成用于所述至少一個立柱的加強(qiáng)件，以保持所述外圈的端部與所述末端彎曲的端部之間的預(yù)定間隔；
[0012]-所述至少一個間隔件與末端彎曲和/或細(xì)彈簧-內(nèi)樁組件形成一體；
[0013]-提升裝置的組裝在細(xì)彈簧-內(nèi)樁組件和末端彎曲之間是反向的(reversed)；
[0014]-提升裝置還包括用于提高所述至少一個立柱的固定力的固定裝置；[0015]-固定裝置包括粘結(jié)材料、所述材料的氧化物層、或金屬層；
[0016]-游絲包括至少一個娃氧化物(siliconoxide)部分，以使游絲具有更高的機(jī)械強(qiáng)度/更大的機(jī)械抵抗力并改善游絲的熱彈性系數(shù)；
[0017]-所述末端彎曲是菲利普斯(Philips)彎曲，以改善所述游絲的同心擴(kuò)展；
[0018]-所述細(xì)彈簧的至少一個內(nèi)圈包括格羅斯曼(Grossmann)彎曲，以改善所述游絲的同心擴(kuò)展。
[0019]此外，本發(fā)明涉及一種時計，其特征在于，該時計包括根據(jù)前述變型中的任一個的
寶璣雙層游絲。
[0020]最后，本發(fā)明涉及制造寶璣雙層游絲的方法，該方法包括以下步驟:
[0021]a)提供第一襯底，該第一襯底包括基于硅的頂層和底層，該頂層和底層通過中間層相互連接在一起；
[0022]b)在頂層中選擇性地蝕刻至少一個凹腔，以限定末端彎曲或與細(xì)彈簧同軸地形成一體的內(nèi)樁；
[0023]其特征在于，所述方法還包括以下步驟:
[0024]c)在底層中選擇性地蝕刻至少一個凹腔，以限定至少一個立柱，該至少一個立柱連接到末端彎曲的一端或連接到所述細(xì)彈簧的外圈；
[0025]d)提供具有基于硅的層的第二襯底；
[0026]e)在所述第二襯底的層中選擇性地蝕刻至少一個凹腔，以限定與細(xì)彈簧同軸地形成一體的內(nèi)樁或限定末端彎曲，該細(xì)彈簧的外圈包括至少一個凹部，該末端彎曲的一端具有至少一個凹部；
[0027]f)將所述至少一個立柱組裝在所述至少一個凹部中，以形成寶璣雙層游絲。
[0028]有利地，與當(dāng)前使用的用于由金屬條制造這種游絲的復(fù)雜調(diào)整步驟相比，較少的步驟就能制造由基于娃的材料制成的具有提聞的精度的游絲。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的其它有利特征:
[0030]-第二襯底包括第二層基于硅的材料，該第二層通過中間層連接到第一層基于硅的材料，并且在步驟e)和f )之間，該方法還包括步驟g):在所述第二襯底的第二層中選擇性地蝕刻至少一個凹腔，以限定至少一個間隔件和/或至少一個附加立柱，該至少一個間隔件可以保持細(xì)彈簧-內(nèi)樁組件與末端彎曲之間的預(yù)定間隔；
[0031]-在步驟c)期間，該蝕刻還限定至少一個間隔件，該間隔件可以保持細(xì)彈簧-內(nèi)樁組件與末端彎曲之間的預(yù)定間隔；
[0032]-在步驟b)、c)和e)之后，該方法包括步驟h):使所述材料氧化，以使所述寶璣雙層游絲具有更高的機(jī)械強(qiáng)度并且改善所述寶璣雙層游絲的熱彈性系數(shù)；
[0033]-在步驟f)之后，該方法還包括步驟i):使所述寶璣雙層游絲氧化，以提高所述至少一個立柱的固定力；
[0034]-在步驟f)之前或之后，該方法還包括步驟j):在所述至少一個立柱和所述至少一個凹部之間沉積粘結(jié)材料，以及最終步驟k):加熱所述游絲，以便使所述粘結(jié)材料活化，以提高所述至少一個立柱的固定力；
[0035]-在步驟f)之前，該方法還包括步驟I):在所述至少一個立柱和所述至少一個凹部之間沉積金屬材料，以用于在步驟f)期間使所述至少一個立柱壓入(drive)所述至少一個凹部中，以提高所述至少一個立柱的固定力；
[0036]-在步驟f)期間或之后，該方法還包括步驟m):在所述至少一個立柱和所述至少一個孔或凹部之間沉積硬釬料(braze material)或軟釬料(soldering material),以用于使所述至少一個立柱壓入所述至少一個孔或凹部中，以提高所述至少一個立柱的固定力；
[0037]-該方法還包括最終步驟n):加熱所述寶璣雙層游絲，以提高所述至少一個立柱的固定力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]從以下參照附圖通過非限制性示例給出的描述，可以更清楚地看出本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點，其中:
[0039]圖1是根據(jù)本發(fā)明的寶璣雙層游絲的立體圖；
[0040]圖2是圖1的一個部分的放大圖；
[0041]圖3是圖1的局部視圖；
[0042]圖4是圖1的俯視圖；
[0043]圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的寶璣雙層游絲的立體圖；
[0044]圖6是圖5的一個部分的放大圖；
[0045]圖7是圖5的局部視圖；
[0046]圖8是圖5的局部視圖；
[0047]圖9是圖6的A-A截面圖；
[0048]圖10是制造方法的步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0049]圖1至圖9所示的示例示出用于組裝在時計中與擺輪配合工作的寶璣雙層游絲的兩個實施例。這些附圖從兩個實施例示出根據(jù)本發(fā)明的寶璣雙層游絲的可能的變型和/或
替代方案。
[0050]在圖1至圖4中示出的示例中，根據(jù)第一實施例，游絲I包括細(xì)彈簧3、內(nèi)樁5、末端彎曲7和提升裝置9。細(xì)彈簧3和內(nèi)樁5優(yōu)選形成一體件，以防止在它們之間的接口處不精確，這種不精確對游絲I的擴(kuò)展對稱性是有害的。
[0051]如圖1和圖4所示，可以看到，細(xì)彈簧3優(yōu)選具有包括格羅斯曼彎曲的內(nèi)圈11。格羅斯曼彎曲通過相對于理想阿基米德游絲的理想彎曲矯正內(nèi)圈11來補(bǔ)償內(nèi)樁5的使用。圖1和圖4還示出，內(nèi)樁5總體上為三角形，并且能夠接納擺輪軸13。當(dāng)然，擺輪軸13和/或內(nèi)樁5的總體形狀可以改變，而不會脫離本發(fā)明的范圍。
[0052]優(yōu)選地，在圖1、圖3和圖4所示的示例中，末端彎曲7是菲利普斯彎曲，即，在游絲I擴(kuò)展期間保持其重心位于擺輪軸13上的彎曲。優(yōu)選地，如圖4所示，末端彎曲7和細(xì)彈簧3的高度相同。
[0053]由于上文所述的末端彎曲7與細(xì)彈簧3-內(nèi)樁5組件的幾何形狀的一致性，在結(jié)構(gòu)上確保了游絲I的擴(kuò)展對稱性，但是所使用的制造類型和材料必須不能妨礙擴(kuò)展。
[0054]為了確保這些彎曲的制造精度以及使游絲I幾乎對磁力和溫度變化不敏感，可以使用基于硅的材料。有利地，這也是可微機(jī)械加工材料，即，可以例如通過深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)基于晶體硅的晶片來以小于I微米的精確度制造的材料。
[0055]優(yōu)選地，基于硅的材料還可以包覆有其氧化物涂層，以相對于擺輪改變其熱膨脹系數(shù)和熱彈性系數(shù)，以精確地調(diào)整時計機(jī)芯的等時性，即，使其變差降至最小。
[0056]為了制造寶璣雙層游絲1，使用提升裝置9將細(xì)彈簧3的外圈15固定到位于所述細(xì)彈簧上方的末端彎曲7上。如圖1至圖3所示，提升裝置9包括立柱17和凹部19，該立柱17與末端彎曲7形成一體，該凹部19形成于細(xì)彈簧3的外圈15的增厚端部21中。如下所述，立柱17優(yōu)選由連接到用于形成末端彎曲7的層上的第二層基于硅的材料制成，例如使用絕緣體上硅(SOI)。
[0057]如圖2和圖3所示，立柱17垂直于末端彎曲7的增厚端部23。立柱17具有大致彎曲成圓弧的橢圓形截面，該截面小于末端彎曲7的增厚端部23的截面和細(xì)彈簧3的外圈15的增厚端部21的截面。如圖3和圖4所示，末端彎曲的另一端具有用于與時計機(jī)芯的固定點例如夾板配合工作的連接裝置25。
[0058]如圖2所示，可以更清楚地看到，位于細(xì)彈簧3的外圈15的增厚端部21處的凹部19。凹部19的形狀大致與立柱17的形狀互補(bǔ)，從而可以將立柱17滑入凹部19中并靠在其上。從而，凹部19具有大致橢圓形的截面，該截面的側(cè)面具有在圖2中基本豎直的凹槽27，用于減小組裝期間立柱17與凹部19之間的接觸表面，但是該凹槽27還用作插入如下所述的固定裝置29的空間。因此，顯然，盡管立柱17的截面有利地與凹部19的截面是互補(bǔ)的，但是它們可以具有與大致彎曲成圓弧的橢圓形不同的形狀。
[0059]在圖5至圖9所示的示例中，根據(jù)第二實施例，游絲31具有細(xì)彈簧33、內(nèi)樁35、末端彎曲37和提升裝置39。與第一實施例相同，細(xì)彈簧33和內(nèi)樁35優(yōu)選形成一體件，以防止在它們之間的接口處不精確，這種不精確對游絲31的擴(kuò)展對稱性是有害的。
[0060]如圖5和圖8所示，可以看到，與第一實施例相同，細(xì)彈簧33優(yōu)選具有包括格羅斯曼彎曲的內(nèi)圈41。圖5和圖8還示出，內(nèi)樁35總體上為三角形，并且，與第一實施例的內(nèi)樁5相同，內(nèi)樁35能夠接納擺輪軸。當(dāng)然，擺輪軸和/或內(nèi)樁35的總體形狀可以改變，而不會脫離本發(fā)明的范圍。
[0061]優(yōu)選地，在圖5和圖7所示的示例中，與第一實施相同，末端彎曲37是菲利普斯彎曲。同樣優(yōu)選地，末端彎曲37和細(xì)彈簧33的高度相同。
[0062]如上所述，與第一實施例相同，游絲31優(yōu)選地由基于娃的材料制成?；谕薜牟牧线€可以優(yōu)選地包覆有其氧化物涂層，以相對于擺輪改變其熱膨脹系數(shù)和熱彈性系數(shù)，以精確地調(diào)整時計機(jī)芯的等時性，即，使其變差降至最小。
[0063]為了制造寶璣雙層游絲31，使用提升裝置39將細(xì)彈簧33的外圈45固定到位于所述細(xì)彈簧上方的末端彎曲37上。如圖5至圖9所示，提升裝置39包括兩個立柱47、兩個間隔件61和兩個凹部49，所述兩個立柱47與細(xì)彈簧33的增厚端部51形成一體，所述兩個間隔件61與末端彎曲37的增厚端部53形成一體，所述兩個凹部49形成于末端彎曲37的增厚端部53中。
[0064]如下所述，立柱47和間隔件61優(yōu)選由連接到分別用于形成細(xì)彈簧33和末端彎曲7的層上的第二層基于硅的材料制成，例如使用SOI。
[0065]如圖5、圖6和圖9所示，每個立柱47都位于細(xì)彈簧33的增厚端部51的對側(cè)且具有大致圓形的截面。[0066]如圖5和圖7所示，在與增厚端部53相對的端部處，末端彎曲37具有連接裝置55，用于與時計機(jī)芯的固定點例如夾板配合工作。如圖6、圖7和圖9所示，可以更清楚地看至IJ，位于末端彎曲37的增厚端部53處的凹部49。每個凹部49的形狀大致與立柱47的形狀互補(bǔ)，從而可以將每個立柱47滑入其中一個凹部49中并靠在其上。因此，顯然，盡管立柱47的截面有利地與其相關(guān)聯(lián)的凹部49的截面是互補(bǔ)的，但是它們的形狀可以不同于圓形，或甚至彼此不同以防止立柱47被組裝入并不是互補(bǔ)的形狀的凹部49中。
[0067]在圖6和圖9所示的示例中，凹部49具有大致圓形的截面,該截面的側(cè)面具有基本豎直的凹槽57，用于減少在組裝過程中各個立柱47與其相關(guān)聯(lián)的凹部49之間的接觸表面，但是該凹槽57還用作插入如下所述的固定裝置29的空間。
[0068]優(yōu)選地，根據(jù)第二實施例中示出的本發(fā)明的變型，間隔件61位于細(xì)彈簧33的增厚端部51和末端彎曲37的增厚端部53之間，以保持它們之間的預(yù)定間隔。根據(jù)圖6、圖7和圖9中示出的示例，可以看到，間隔件61與末端彎曲37形成一體且抵靠在細(xì)彈簧33的增厚端部51上。因此，顯然，間隔件61限制了立柱47穿過其各自凹部49的程度且從而改善了游絲31的制造質(zhì)量。
[0069]通過閱讀第二實施例，可以推斷出，包括間隔件61的變型也可用于第一實施例。同樣，顯然，間隔件61和立柱17、47可與末端彎曲7、37和/或細(xì)彈簧3、33形成一體。類似地，沒有間隔件61時，在細(xì)彈簧3、33_內(nèi)樁5、35組件中和在末端彎曲7、37中可以包括至少一個立柱17、47，這意味著與上面參照間隔件61描述的相同，使用兩個SOI。
[0070]同樣，顯然，與第二實施例的裝置39相比，第一實施例的提升裝置9安裝成反向的，但具有同樣有利的效果。實際上，可觀察到，凹部19、49和立柱17、47的位置在細(xì)彈簧
3、33和末端彎曲7、37之間是相反的。
[0071]優(yōu)選地，從上述兩個實施例中，提升裝置9、39還可包括用于提高立柱17、47的固定力的固定裝置29。根據(jù)本發(fā)明，根據(jù)以下描述的所使用的方法，存在固定裝置29的多個可能的替代方案。因此，固定裝置29包括在每個立柱17、47和其凹部19、49之間的至少一層28、58。如上所述，所述至少一層28、58可設(shè)置在凹槽27、57中且可以從而包括粘結(jié)材料、金屬材料、所使用的材料的氧化物或熔融合金、或甚至是硬釬料或軟釬料。
[0072]下面將參照圖10說明制造根據(jù)本發(fā)明的兩個實施例的寶璣雙層游絲1、31的方法71。方法71主要包括制造部件的步驟73和組裝部件的步驟77。優(yōu)選地，該方法還包括機(jī)械增強(qiáng)所述部件的步驟75和增強(qiáng)該組件的步驟81。
[0073]如圖10所示，第一步驟73用于在各個階段70、72和74期間制造寶璣雙層游絲1、31的部件，即，細(xì)彈簧3、33_內(nèi)樁5、35組件、末端彎曲7、37和提升裝置9、39。優(yōu)選地，將使用干法或濕法微機(jī)械加工技術(shù)，以便非常精確地制造所述部件。在上述示例中，微機(jī)械加工可以是對基于晶體硅的晶片的深反應(yīng)離子蝕刻類型的干法各向異性蝕刻。
[0074]因此，階段70首先包括提供第一 SOI襯底和第二硅晶片襯底。當(dāng)然，如上所述，在使用位于與包括每個立柱的部件相對的部件上的間隔件61的變型方案的情況下和/或在使用位于每個部件上的至少一個立柱17、47的變型方案的情況下，第二層襯底也可以是SOI類型的。
[0075]然后，階段72和74包括分別蝕刻第一襯底的層和第二襯底的層。首先，例如使用光敏樹脂光刻方法為每層覆上保護(hù)性掩膜。其次，對掩膜-晶片組件進(jìn)行各向異性蝕刻，僅有所述層的未受保護(hù)的部分被蝕刻。最后，在第三階段，除去保護(hù)性掩膜。因此，顯然，保護(hù)性掩膜直接確定了在每層上被蝕刻部件的最終形狀。
[0076]在階段72和/或74中，根據(jù)上述實施例和/或變型方案，例如可以從SOI襯底獲得圖3的形成一體件的帶有立柱17和連接裝置25的末端彎曲7，從SOI襯底獲得圖7的形成一體件的帶有間隔件61、連接裝置55和凹部49的末端彎曲37，還可以從SOI襯底獲得圖8的形成一體件的帶有立柱47的細(xì)彈簧33-內(nèi)樁35組件，以及從單個硅層獲得圖1和圖2的帶有凹部19的細(xì)彈簧3-內(nèi)樁5組件。
[0077]有利地，易于為已有的機(jī)芯尺寸制造寶璣雙層游絲1、31。因此，有利地，仍然可以通過用新的、由硅制成的、變差和品質(zhì)改進(jìn)的寶璣雙層游絲來替換通常使用的金屬寶璣雙層游絲來簡單地制造機(jī)芯。還可以得出如下結(jié)論，可以在每個襯底上數(shù)次蝕刻相同的部件。
[0078]第二步驟77用于組裝在步驟73中蝕刻出的部件，即，細(xì)彈簧3、33_內(nèi)樁5、35組件、末端彎曲7、37以及提升裝置9、39。首先，例如通過破壞在每個部件與其襯底之間殘留下來的材料橋狀物來使每個必要部件與被蝕刻晶片分離。其次，將這三個部件組裝在一起，以形成由兩個單獨部件組成的游絲1、31。在此第二階段中，使用提升裝置9、39將外圈15、45的端部21、51裝配到末端彎曲7、37的端部23、53中。
[0079]優(yōu)選地，根據(jù)圖1的第一實施例，在步驟77結(jié)束時，游絲I的整體高度大致等于用于形成末端彎曲7和立柱17的第一襯底的厚度。
[0080]根據(jù)圖5的第二實施例，在步驟77結(jié)束時，游絲31的整體高度大致等于用于形成細(xì)彈簧33-內(nèi)樁35組件和立柱47的第二襯底的厚度。有利地，由于間隔件61，在階段77期間，確保了在細(xì)彈簧33的外圈45的增厚端部51和末端彎曲37的增厚端部53之間的間隔。
[0081]如上所述，方法71還可以包括增強(qiáng)被蝕刻部件的步驟75，此步驟包括執(zhí)行等離子氧化，以便產(chǎn)生表面二氧化硅的過量厚度。在圖10中以虛線示出的示例中，增強(qiáng)步驟75在蝕刻步驟73和組裝步驟77之間執(zhí)行，這意味著所有被蝕刻層都可以被氧化，即，所有部件同時被氧化。當(dāng)然，步驟75也可以在階段72和/或74之后執(zhí)行。
[0082]如上所述，方法71還可以包括通過使用固定裝置29來增強(qiáng)被蝕刻部件的組件的步驟81。在圖10所示的示例中，可以分出三個不同的替代實施例，分別使用雙線、三線或四線示出其過程。
[0083]根據(jù)圖10中的由雙線示出的固定裝置29的第一替代實施例，增強(qiáng)步驟81可以包括在階段83期間在凹部19、49的內(nèi)側(cè)和尤其在凹槽27、57中沉積層28、58，以便允許立柱17、47被壓入所述凹部中。因此，此層28、58可以由例如通過氣相沉積獲得的金屬層構(gòu)成。由于硅中缺少塑性域，需要使用可以變形的層28、58，以防止立柱17、47和/或凹部19、49被破壞，這是由于為使游絲1、31正常工作所必須的壓入力會產(chǎn)生大于所述硅的彈性區(qū)的極限的應(yīng)力。
[0084]當(dāng)然，可選擇地，層28、58也可以不沉積在凹部19、49的內(nèi)側(cè)，而是沉積在立柱17、47的端部上。因此，在圖10中的雙線所示的示例中，可以清楚地看到，在該第一替代實施例中，層28、58必須在組裝步驟77之前沉積。但是，階段83的沉積物還可以由釬焊層28、58構(gòu)成。釬焊可以在組裝步驟77期間或之后執(zhí)行。
[0085]根據(jù)圖10中的四線所示的固定裝置29的第二替代實施例，組件增強(qiáng)步驟81可以包括在過程85期間在凹部19、49和立柱17、47之間沉積粘結(jié)層28、58，以提高所述立柱的固定力。因此，第一階段80可以包括在組裝好的部件的界面處沉積粘結(jié)材料，然后優(yōu)選地在第二階段82中加熱該組件以使所述粘結(jié)材料活化。此層28、58從而可以由例如聚合物粘結(jié)層構(gòu)成。
[0086]當(dāng)然，可選擇地，如果粘結(jié)材料在未活化狀態(tài)下不太粘或不足夠粘，則沉積階段80也可以在組裝步驟77之前執(zhí)行。從而，在組裝步驟77之前，可以在凹部19、49內(nèi)側(cè)和/或在立柱17、47的端部上完成沉積階段80，并且優(yōu)選地在組裝步驟77之后在階段82期間加熱。因此，在該第二替代實施例的示例中，顯然，由于它們的粘附力，層28、58將組件牢固地保持就位。
[0087]根據(jù)圖10中的三線所示的固定裝置29的第三替代實施例，組件增強(qiáng)步驟81可以包括在過程87期間在凹部19、49與立柱17、47之間形成連接層28、58，以提高所述立柱的固定力。因此，第一階段84可以包括例如通過等離子蝕刻來氧化基于硅的游絲1、31的表面以形成二氧化硅層，該二氧化硅層可以改善組裝在一起的部件之間的連接，然后優(yōu)選在第二階段86加熱該組件以使得所述連接更加改善。
[0088]當(dāng)然，可選擇地，氧化階段84也可以在組裝步驟77之前執(zhí)行并且由可選的氧化步驟75代替。因此，已經(jīng)被氧化的部件可以在步驟77期間被組裝起來，并且優(yōu)選地在階段86期間被加熱，以在凹部19、49和立柱17、47之間的界面處產(chǎn)生單個二氧化硅層28、58，以便提高所述立柱的固定力。應(yīng)該指出，在加熱階段86之前的親水化階段改進(jìn)了連接二氧化硅層的步驟。因此，可以清楚地看出，在該第三替代實施例的示例中，類似于另外兩個替代實施例，層28、58使得凹部19、49與立柱17、47之間的組裝增強(qiáng)。
[0089]最后，作為第三實施例的替代方案，可以想到包括單個步驟86的過程87，在該步驟86中，加熱在步驟77中組裝好的硅部件，以焊接所述部件的受應(yīng)力界面。
【權(quán)利要求】
1.一種由基于硅的材料制成的寶璣雙層游絲(31)，包括細(xì)彈簧(33)、末端彎曲(37)和提升裝置(39)，該細(xì)彈簧(33)與內(nèi)樁(35)同軸地形成一體，該提升裝置(39)位于所述細(xì)彈簧的外圈(45)和所述末端彎曲之間，其中，該寶璣雙層游絲(31)包括相互固定在一起的兩個單獨部件，以提高所述游絲的擴(kuò)展精度，其特征在于，所述提升裝置(39)包括至少一個立柱(47)，該至少一個立柱將所述外圈的一端(51)連接到所述末端彎曲的一端(53)，且所述至少一個立柱與細(xì)彈簧(33)-內(nèi)樁(35)組件形成一體，所述末端彎曲(37)的所述端(53)增厚并包括至少一個凹部(49)以便每個所述至少一個立柱(47)都固定在所述至少一個凹部(49)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的游絲，其特征在于，所述提升裝置(39)包括至少一個附加立柱，該至少一個附加立柱將所述外圈的一端(51)連接到所述末端彎曲(37)的一端(53)，且所述至少一個附加立柱與所述末端彎曲形成一體件。
3.一種由基于硅的材料制成的寶璣雙層游絲(1)，包括細(xì)彈簧(3)、末端彎曲(7)和提升裝置(9)，該細(xì)彈簧(3)與內(nèi)樁(5)同軸地形成一體，該提升裝置(9)位于所述細(xì)彈簧的外圈(15)和所述末端彎曲之間，其中，該寶璣雙層游絲(I)具有相互固定在一起的兩個單獨部件，以提高所述游絲的擴(kuò)展精度，其特征在于，所述提升裝置(9)包括至少一個立柱(17)，該至少一個立柱將所述外圈的一端(21)連接到所述末端彎曲(7)的一端(23)，且所述至少一個立柱與所述末端彎曲形成一體件，且所述外圈(15)的所述端(21)增厚并包括至少一個凹部(19)以便每個所述至少一個立柱(17)都固定在形成于所述細(xì)彈簧(3)-內(nèi)樁(5)組件的所述端(21)中的所述至少一個凹部(19)中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3的游絲，其特征在于，所述提升裝置(9，39)包括至少一個間隔件(61)，該間隔件安裝成加強(qiáng)件，以保持所述外圈的端部(51)與所述末端彎曲的端部(53)之間預(yù)定間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的游絲，其特征在于，所述至少一個間隔件(61)與末端彎曲(7，37)形成一體件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的游絲，其特征在于，所述至少一個間隔件(61)與細(xì)彈簧(3，33)-內(nèi)樁(5，35)組件形成一體件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或3的游絲，其特征在于，所述提升裝置(9，39)還包括固定裝置(29)，以提高所述至少一個立柱(17，47)的固定力。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的游絲，其特征在于，所述固定裝置(29)包括粘結(jié)材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的游絲，其特征在于，所述固定裝置(29)包括所述材料的氧化物層(28，58)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的游絲，其特征在于，所述固定裝置(29)包括金屬層(28，58)，該金屬層允許所述至少一個立柱(17，47)被壓入。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或3的游絲，其特征在于，該游絲包括至少一個硅氧化物部分，以使所述游絲具有更高的機(jī)械強(qiáng)度并調(diào)整所述游絲的熱彈性系數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或3的游絲，其特征在于，所述末端彎曲(7，37)是菲利普斯彎曲，以改善所述游絲的同心擴(kuò)展。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或3的游絲，其特征在于，所述細(xì)彈簧(3，33)的至少一個內(nèi)圈(11，41)包括格羅斯曼彎曲，以改善所述游絲的同心擴(kuò)展。
14.一種時計，其 特征在于，所述時計包括根據(jù)權(quán)利要求1或3的寶璣雙層游絲(1，
31)。
【文檔編號】G04B17/06GK103645622SQ201310674399
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日:2008年12月15日
【發(fā)明者】A·佐格, C·畢弗拉勒, S·沃爾佩, J-P·蒂埃博, M·利普納 申請人:蒙特雷布勒蓋股份有限公司