一種數(shù)字頻率計(jì)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型屬于信號(hào)頻率計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體設(shè)及一種數(shù)字頻率計(jì)。
【背景技術(shù)】
[0002] 當(dāng)今社會(huì)，對(duì)高頻信號(hào)的使用逐漸增加，但對(duì)于高頻小信號(hào)的測(cè)量，卻沒(méi)有很好的 測(cè)量方法，如何精確的測(cè)量高頻小信號(hào)，對(duì)于信號(hào)的處理和使用至關(guān)重要。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003] 本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種數(shù)字頻率計(jì)，其可W精確 的對(duì)高頻小幅信號(hào)的頻率進(jìn)行測(cè)量，同時(shí)還可W對(duì)同周期同頻率的兩個(gè)信號(hào)時(shí)間間隔進(jìn)行 測(cè)量。
[0004] 本實(shí)用新型是通過(guò)W下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
[0005] -種數(shù)字頻率計(jì)，包括放大整形電路單元、計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路單元、主控MCU單元、分 頻求或電路單元，W及顯示單元;放大整形電路單元連接計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路單元，計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián) 電路單元連接主控MCU單元，分頻求或電路單元連接主控MCU單元，主控MCU單元和顯示單元 連接；
[0006] 所述放大整形電路單元包括用于放大待測(cè)信號(hào)的第一 Ξ極管U1和用于將待測(cè)信 號(hào)整形為方波信號(hào)的第二Ξ極管U2;
[0007] 所述計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路單元包括兩片級(jí)聯(lián)的74肥590忍片；
[000引所述分頻求或電路單元采用7化S74觸發(fā)器忍片和7化S32或口忍片。
[0009] 在上述技術(shù)方案中，主控MCU單元采用MSP430F149單片機(jī)。
[0010] 在上述技術(shù)方案中，第一Ξ極管的基極為待測(cè)輸入信號(hào)的輸入端，第一Ξ極管的 集電極通過(guò)第一電位器VR1連接VCC，第一 Ξ極管的發(fā)射極通過(guò)第二電位器VR2連接VEE，第 一 Ξ極管的發(fā)射極通過(guò)電阻R1連接第二Ξ極管的基極，第二Ξ極管的基極還通過(guò)第Ξ電位 器VR3連接GND，第二Ξ極管的集電極通過(guò)第六電位器VR6連接VCC，第二Ξ極管的發(fā)射極通 過(guò)第四電位器VR4連接VEE，第二Ξ極管的發(fā)射極還通過(guò)第五電位器VR5連接GND，第二Ξ極 管的集電極作為整形后的方波信號(hào)的輸出端。
[0011] 在上述技術(shù)方案中，放大整形電路單元的信號(hào)輸出端連接到兩個(gè)74HC590忍片的 CCK和RCK，第一級(jí)74肥590忍片的CCKEN接到主控MCU單元上，第二級(jí)74肥590忍片的CCKEN接 到第一級(jí)74H巧90忍片的RC0上，第二級(jí)74H巧90忍片的RC0接到主控MCU單元上；兩級(jí) 74肥590忍片的八位輸出口都接到主控MCU的I/O上，兩個(gè)74肥590忍片的(XLR同時(shí)接到主控 MCU的同一 I/O 口上。
[0012] 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果為：
[0013] 在測(cè)量信號(hào)頻率時(shí)，被測(cè)信號(hào)通過(guò)Ξ極管構(gòu)成的電路放大整形后，成為方波信號(hào)， 通過(guò)外部擴(kuò)展計(jì)數(shù)器74肥590的分頻，將高頻信號(hào)處理為主控忍片MSP430F149可W捕獲的 低頻信號(hào)進(jìn)行測(cè)量，然后經(jīng)由人機(jī)交互界面進(jìn)行顯示。
[0014] 在進(jìn)行同周期同頻率的兩個(gè)信號(hào)時(shí)間間隔的測(cè)量時(shí)，兩個(gè)同頻待測(cè)信號(hào)通過(guò)或口 7化S32合并成新的信號(hào)，由主控忍片對(duì)其進(jìn)行測(cè)量，將前后測(cè)量的時(shí)間間隔作比較，得出兩 個(gè)信號(hào)的時(shí)間間隔，并進(jìn)行顯示。
【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016] 圖2是本實(shí)用新型中的放大整形電路的電路圖。
[0017] 圖3是本實(shí)用新型中的計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路的電路圖。
[0018] 圖4是本實(shí)用新型中的分頻求或電路的電路圖。
[0019]圖5是兩個(gè)同頻信號(hào)求或疊加原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。
[0021] 本實(shí)用新型所設(shè)及的一種數(shù)字頻率計(jì)，包括放大整形電路單元、計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路 單元、主控MCU單元、分頻求或電路單元，W及顯示單元;放大整形電路單元連接計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián) 電路單元，計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路單元連接主控MCU單元，分頻求或電路單元連接主控MCU單元，主 控MCU單元和顯示單元連接。
[0022] 放大整形電路單元對(duì)待測(cè)高頻小幅信號(hào)進(jìn)行放大和方波整形，將待測(cè)高頻小幅信 號(hào)變換為計(jì)數(shù)器能夠識(shí)別的較大幅值的方波信號(hào)(變換前后的信號(hào)頻率不會(huì)改變），然后通 過(guò)計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路單元對(duì)變化后的方波信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，主控MCU單元讀取計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路 單元的計(jì)數(shù)值并通過(guò)顯示單元進(jìn)行顯示;此外，本實(shí)用新型還可W利用分頻求或電路單元 對(duì)同周期同頻率的兩個(gè)信號(hào)時(shí)間間隔進(jìn)行測(cè)量，并在顯示單元進(jìn)行顯示。
[0023] 如圖2所示，所述放大整形電路單元包括用于放大待測(cè)信號(hào)的第一 Ξ極管U1和用 于將待測(cè)信號(hào)整形為方波信號(hào)的第二Ξ極管U2,第一 Ξ極管的基極為待測(cè)輸入信號(hào)的輸入 端，第一 Ξ極管的集電極通過(guò)第一電位器VR1連接VCC，第一 Ξ極管的發(fā)射極通過(guò)第二電位 器VR2連接VEE，第一 Ξ極管的發(fā)射極通過(guò)電阻R1連接第二Ξ極管的基極，第二Ξ極管的基 極還通過(guò)第Ξ電位器VR3連接GND，第二Ξ極管的集電極通過(guò)第六電位器VR6連接VCC，第二 Ξ極管的發(fā)射極通過(guò)第四電位器VR4連接VEE，第二Ξ極管的發(fā)射極還通過(guò)第五電位器VR5 連接GND，第二Ξ極管的集電極作為整形后的方波信號(hào)的輸出端。
[0024] 如圖3所示，所述計(jì)數(shù)器級(jí)聯(lián)電路單元包括兩片級(jí)聯(lián)的74HC590忍片（為了能夠處 理經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)化后的高頻方波信號(hào)，采用74肥590忍片，其能夠處理55MHz的高頻信號(hào)，當(dāng)頻率特 別高時(shí)，若在Is中對(duì)信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，一片8位的74HC590忍片是不能夠完成的，因此采用級(jí)聯(lián) 的方式，將兩片74HC590忍片進(jìn)行級(jí)聯(lián)，從而擴(kuò)展到16位，便能夠?qū)崿F(xiàn)高頻信號(hào)的計(jì)數(shù)處 理）。將放大整形電路單元的信號(hào)輸出端連接到兩個(gè)74HC590忍片的CCK(在滿(mǎn)足級(jí)數(shù)的條件 下，來(lái)一個(gè)上升沿計(jì)一次數(shù))和RCK(上升沿時(shí)將數(shù)據(jù)存入寄存器），第一級(jí)74H巧90忍片U3的 CCKEN(忍片使能端，低電平時(shí)才工作）接到主控MCU上，控制是否進(jìn)行計(jì)數(shù)，第二級(jí)74肥590 忍片U4的CCKEN接到第一級(jí)74肥590忍片的RC0(RC0為溢出位，在計(jì)滿(mǎn)時(shí)變?yōu)榈?