集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片及其制作方法
【專利摘要】集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片及其制作方法，涉及環(huán)境監(jiān)測技術(shù)，目的是為了解決現(xiàn)有硅基芯片沒有集成氣敏單元的問題。本發(fā)明將多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元均集成在一個(gè)N型單晶硅片上，相鄰兩個(gè)單元之間均設(shè)置有橫截面為矩形的第二級隔熱通孔，每個(gè)氣敏單元中，每相鄰兩根電極引線之間均設(shè)置有橫截面為梯形的第一級隔熱通孔，所述矩形和梯形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。上述芯片能夠同時(shí)對環(huán)境的溫濕度指標(biāo)進(jìn)行監(jiān)測，并能夠監(jiān)測多種氣體，二級隔熱能夠滿足不同單元的不同工作溫度要求。熱隔離孔中采用圓弧過渡代替尖銳的角區(qū)，使該陣列芯片具有多功能測量、選擇性好、機(jī)械強(qiáng)度高、可靠性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，適用于環(huán)境監(jiān)測。
【專利說明】
集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種硅基氣體敏感陣列芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著我國城市化進(jìn)程的不斷加速，環(huán)境問題成為人們關(guān)注的重要內(nèi)容之一，實(shí)現(xiàn)對城市大氣環(huán)境質(zhì)量準(zhǔn)確監(jiān)測及預(yù)警具有重要的科學(xué)和社會(huì)意義。目前，城市氣象環(huán)境的監(jiān)測多采用分立儀器，其成本高、體積大，不便于原位實(shí)時(shí)測量，且無法同時(shí)獲得溫度、濕度等氣象指標(biāo)。隨著微加工技術(shù)的迅猛發(fā)展，使得低功耗、高性能的微傳感器成為一種可能。近期市面上已經(jīng)出現(xiàn)少量的微氣體傳感器，但是其僅能測量一種氣體，測量不同氣體要購置不同型號的產(chǎn)品，功能較為單一，且器件出現(xiàn)故障時(shí)無法繼續(xù)測量。在氣體傳感器陣列方面，中國發(fā)明專利CN104931540A公開了一種氣體傳感器陣列及其制備方法，其為采用單種半導(dǎo)體金屬氧化物納米材料構(gòu)建的氣體傳感器陣列，以提高氣體傳感器的選擇性。但是其采用的仍然是傳統(tǒng)的陶瓷管為主體的旁熱式氣敏元件，體積較大，功耗較大。中國發(fā)明專利CN100559176C公開了一種氣體傳感器及其陣列，其采用硅薄膜作為應(yīng)變膜片，聚合物作為氣敏材料，可在常溫下工作，具有功耗低、工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。然而，采用聚合物作為氣敏材料的氣敏元件靈敏度略差，且穩(wěn)定性不好，不能滿足氣體傳感器高靈敏度、高穩(wěn)定、高可靠的使用需求，且在其中沒有集成溫度、濕敏單元，無法提供溫度、濕度信息。在多參數(shù)集成傳感器方面，現(xiàn)有的方式主要是兩種:一是將各種敏感芯片近距離的裝配在同一基板上，其優(yōu)點(diǎn)是研發(fā)成本低、制作方法簡單，但這種集成傳感器互聯(lián)線路較長，體積相對較大，且無法與集成電路工藝進(jìn)行兼容;二是將多種傳感器制作在同一芯片上，實(shí)現(xiàn)單芯片復(fù)合，但目前的研究主要是集中在溫度、濕度、壓力等敏感單元之間的集成，沒有集成氣敏單元。目前，集成溫濕度測量的硅基氣體敏感芯片陣列及其制作方法未見相關(guān)報(bào)道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明目的是為了解決現(xiàn)有硅基芯片主要是集中在溫度、濕度、壓力等敏感單元之間的集成，沒有集成氣敏單元的問題，提供了兩種集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片及其制作方法。
[0004]本發(fā)明所述的第一種集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其中的多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元均集成在一個(gè)N型(100)單晶娃片上，多個(gè)氣敏單元形成M X N的陣列，M表示氣敏材料的種類總數(shù)，N表示采用每種氣敏材料制作的氣敏元件的個(gè)數(shù)；
[0005]多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元之間均設(shè)置有熱隔離通孔作為第二級隔熱通孔，所述第二級隔熱通孔的橫截面為矩形，且所述矩形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。
[0006]本發(fā)明所述的第二種集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元均集成在一個(gè)N型單晶娃片上，多個(gè)氣敏單元形成M X N的陣列，M表示氣敏材料的種類總數(shù)，N表示采用每種氣敏材料制作的氣敏元件的個(gè)數(shù)；
[0007]每個(gè)氣敏單元中，每相鄰的兩根電極引線之間均設(shè)置有熱隔離通孔作為第一級隔熱通孔，所述第一級隔熱通孔的橫截面為梯形，且所述梯形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。
[0008]本發(fā)明所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片的制作方法，其具體過程為:
[0009]步驟一、在N型單晶硅片的一個(gè)表面制作二氧化硅層，在所述二氧化硅層的表面制作氮化娃介質(zhì)層，所述二氧化娃層與氮化娃介質(zhì)層構(gòu)成感應(yīng)模塊(氮化娃上面能夠起感應(yīng)功能的一個(gè)單元可稱為一個(gè)感應(yīng)模塊)的支撐層；
[0010]步驟二、在所述支撐層上方制作多個(gè)氣敏單元的加熱電阻和溫敏單元的敏感電阻，多個(gè)加熱電阻形成MXN的陣列；
[0011]步驟三、在所述支撐層上方沉積二氧化硅或氮化硅作為第一絕緣鈍化層，然后在所述第一絕緣鈍化層上刻蝕引線孔；
[0012]步驟四、在每個(gè)氣敏單元加熱電阻上方制作氣敏單元的檢測電極和加熱電極引線，同時(shí)制作濕敏單元中電容的兩個(gè)電極以及溫敏單元中加熱電阻的引腳，所述加熱電極引線通過引線孔與加熱電阻相連接；
[0013]步驟五、沉積二氧化硅或氮化硅作為第二絕緣鈍化層，然后刻除氣敏材料和濕敏材料附著區(qū)域及電極和引腳位置的鈍化層；
[00M]步驟六、在濕敏單元上方制作高分子濕敏材料介質(zhì)層；
[0015]步驟七、對N型單晶硅片的另一個(gè)表面進(jìn)行腐蝕，完成中空硅杯、第一級熱隔離通孔以及第二級熱隔離通孔的制作，所述中空硅杯的位置與氣敏單元相對應(yīng)，所述第一級熱隔離通孔位于每個(gè)氣敏單元的相鄰兩根引線之間，所述第二級熱隔離通孔位于相鄰的兩個(gè)敏感單元之間，第一級熱隔離通孔橫截面為梯形，第二級熱隔離通孔橫截面為矩形，且第一級熱隔離通孔和第二級熱隔離通孔的四個(gè)棱角處均采用圓弧過渡；
[0016]步驟八、在每個(gè)氣敏單元上方沉積氣敏材料，完成所述芯片的制作，其中每N個(gè)氣敏單元采用一種材料，MXN個(gè)氣敏單元共采用M種氣敏材料。
[0017]本發(fā)明與傳統(tǒng)旁熱式氣敏元件相比，由于采用了基于硅基的微加工工藝，因此具有體積小、加熱功率低、熱電響應(yīng)速度快、可批量生產(chǎn)、與集成電路工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。與其它基于硅基的氣敏元件相比，該發(fā)明為在同一基板上制作MXN個(gè)單元形成的陣列式氣敏元件，能夠同時(shí)監(jiān)測多種氣體，對于第一種氣體，均采用冗余設(shè)計(jì)，增加了器件的可靠性;且集成有溫度、濕度監(jiān)測單元，可同時(shí)對環(huán)境的溫濕度指標(biāo)進(jìn)行監(jiān)測。另外采用二級隔熱設(shè)計(jì)，顯著降低了單元間熱串?dāng)_，以滿足不同敏感單元的不同工作溫度要求。且在二級隔熱設(shè)計(jì)的熱隔離孔中采用圓弧過渡代替尖銳的角區(qū)，使該陣列芯片具有多功能測量、選擇性好、機(jī)械強(qiáng)度尚、可靠性尚、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片的剖面圖；
[0019]圖2是本發(fā)明所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片的俯視圖，其中M和N均為2;
[0020]圖3是第一級隔熱通孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖4是第二級隔熱通孔的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]【具體實(shí)施方式】一:下面結(jié)合圖1、圖2和圖4說明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式所述的集成溫濕度傳感器的娃基氣體敏感芯片，其中的多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元均集成在一個(gè)N型(100)單晶硅片上，多個(gè)氣敏單元形成MXN的陣列，M表示氣敏材料的種類總數(shù)，N表示采用每種氣敏材料制作的氣敏元件的個(gè)數(shù)；
[0023]多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元之間均設(shè)置有熱隔離通孔作為第二級隔熱通孔，所述第二級隔熱通孔的橫截面為矩形，且所述矩形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。
[0024]本實(shí)施方式在單晶硅材料上集成氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元，可同時(shí)對環(huán)境的溫濕度及氣體指標(biāo)進(jìn)行監(jiān)測；
[0025]溫敏單元采用Pt薄膜電阻實(shí)現(xiàn)；
[0026]濕敏單元采用叉指型電容實(shí)現(xiàn)，所述電容的兩個(gè)電極為交叉指狀的金屬條，所述電容的表面涂覆高分子材料作為濕敏介質(zhì)膜。
[0027]采用多種氣敏材料制作能夠多種氣體的半導(dǎo)體式氣體敏感芯片陣列，可同時(shí)對多種氣體進(jìn)行監(jiān)測，提升器件功能性及選擇性；
[0028]采用冗余設(shè)計(jì)，每種氣敏材料制作多個(gè)氣體敏感芯片，增加器件的可靠性，并且通過智能化算法可提高濃度測量精度，并實(shí)現(xiàn)傳感器的故障診斷和數(shù)據(jù)修復(fù)，例如，對于所述的多種氣體中的任意一種氣體，有N個(gè)氣敏單元能夠同時(shí)進(jìn)行監(jiān)測，如果N個(gè)氣敏單元輸出的監(jiān)測值都在一個(gè)合理范圍內(nèi)波動(dòng)，那么可以取N個(gè)監(jiān)測值的平均值作為最終的監(jiān)測結(jié)果輸出，如果某個(gè)氣敏單元輸出的監(jiān)測值超出所述的合理范圍，那么可以認(rèn)為該氣敏單元出現(xiàn)故障，根據(jù)該氣敏單元輸出的監(jiān)測值的波動(dòng)情況及超出所述合理范圍的量的大小，可以確定該氣敏單元的故障類型；
[0029]各敏感單元之間設(shè)置熱隔離通孔，降低各單元間的熱串?dāng)_，以滿足不同敏感單元的不同工作溫度要求，以提高測量精度，降低功耗，并且該熱隔離通孔橫截面的四個(gè)角均進(jìn)行倒角，以替代尖銳的角區(qū)，降低應(yīng)力集中效應(yīng)，以提高芯片的機(jī)械強(qiáng)度。
[0030]【具體實(shí)施方式】二:下面結(jié)合圖1、圖2和圖3說明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式對實(shí)施方式一所述集成溫濕度傳感器的娃基氣體敏感芯片的進(jìn)一步限定，本實(shí)施方式中，所述的氣敏單元中，每相鄰的兩根電極引線之間均設(shè)置有熱隔離通孔作為第一級隔熱通孔，所述第一級隔熱通孔的橫截面為梯形，且所述梯形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。
[0031]氣敏單元為硅微加熱板的半導(dǎo)體式結(jié)構(gòu)，主要包括中空硅杯和形成其上的微加熱板感測單元，所述微加熱板感測單元采用二氧化硅和氮化硅作為支撐層，支撐層上面為加熱電極引線和測試電極，如圖2所示，加熱電極引線和測試電極穿插分布在一個(gè)大致呈正方形的區(qū)域內(nèi)。加熱電極引線為Pt蛇形電阻條，兩根引線從Pt蛇形電阻條的兩端引出，并且呈對角引出；測試電極采用Pt、Au、Al、或W制作，為叉指結(jié)構(gòu)，兩根引線也呈對角引出；四根引線分別位于正方形區(qū)域的四個(gè)角，相鄰兩根引線之間均設(shè)置有橫截面為等腰梯形的第一級隔熱通孔，四個(gè)第一級隔熱通孔之間的連接結(jié)構(gòu)為微加熱板感測單元的支撐梁，所述支撐梁還同時(shí)作為電極引出的通道。第一級隔熱通孔能夠降低熱損耗，進(jìn)而降低功耗。四個(gè)等腰梯形的尺寸相同，且所述等腰梯形的四個(gè)角均設(shè)置有倒角，目的是降低應(yīng)力集中效應(yīng)，以提高氣敏單元的機(jī)械強(qiáng)度。
[0032]【具體實(shí)施方式】三:圖1至圖4本實(shí)施方式所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片的制作方法的具體過程為:
[0033]步驟一、在N型單晶硅片的一個(gè)表面制作二氧化硅層，在所述二氧化硅層的表面制作氮化娃介質(zhì)層，所述二氧化娃層與氮化娃介質(zhì)層構(gòu)成感應(yīng)模塊(氮化娃上面能夠起感應(yīng)功能的一個(gè)單元可稱為一個(gè)感應(yīng)模塊)的支撐層；
[0034]步驟二、在所述支撐層上方制作多個(gè)氣敏單元的加熱電阻和溫敏單元的敏感電阻，多個(gè)加熱電阻形成MXN的陣列；
[0035]步驟三、在所述支撐層上方沉積二氧化硅或氮化硅作為第一絕緣鈍化層，然后在所述第一絕緣鈍化層上刻蝕引線孔；
[0036]步驟四、在每個(gè)氣敏單元加熱電阻上方制作氣敏單元的檢測電極和加熱電極引線，同時(shí)制作濕敏單元中電容的兩個(gè)電極以及溫敏單元中加熱電阻的引腳，所述加熱電極引線通過引線孔與加熱電阻相連接；
[0037]步驟五、沉積二氧化硅或氮化硅作為第二絕緣鈍化層，然后刻除氣敏材料和濕敏材料附著區(qū)域及電極和引腳位置的鈍化層；
[0038]步驟六、在濕敏單元上方制作高分子濕敏材料介質(zhì)層；
[0039]步驟七、對N型單晶硅片的另一個(gè)表面進(jìn)行腐蝕，完成中空硅杯、第一級熱隔離通孔以及第二級熱隔離通孔的制作，所述中空硅杯的位置與氣敏單元相對應(yīng)，所述第一級熱隔離通孔位于每個(gè)氣敏單元的相鄰兩根引線之間，所述第二級熱隔離通孔位于相鄰的兩個(gè)敏感單元之間，第一級熱隔離通孔橫截面為梯形，第二級熱隔離通孔橫截面為矩形，且第一級熱隔離通孔和第二級熱隔離通孔的四個(gè)棱角處均采用圓弧過渡；
[0040]步驟八、在每個(gè)氣敏單元上方沉積氣敏材料，完成所述芯片的制作，其中每N個(gè)氣敏單元采用一種材料，MXN個(gè)氣敏單元共采用M種氣敏材料。
[0041]采用上述方法制作的芯片結(jié)構(gòu)如圖1和圖2所示。上述方法在一個(gè)N型單晶硅片上集成了溫敏單元和濕敏單元和多個(gè)氣敏單元，并且制作了第一級熱隔離通孔和第二級熱隔離通孔。
[0042]溫敏單元的敏感電阻采用Pt(或Cr)薄膜電阻制作，氣敏單元的加熱電阻采用Pt(或Cr)加熱電阻，并且Pt薄膜電阻與Pt加熱電阻同步制作完成，通過對襯底材料(氮化硅)及表面絕緣鈍化層的熱性能匹配(主要是指熱應(yīng)力匹配)，使得應(yīng)變相互抵消，可提高加熱電阻的可靠性、重復(fù)性和穩(wěn)定性。
[0043]另外，還可以在N型單晶硅片的另一個(gè)表面也制作二氧化硅層，并在該二氧化硅層的表面制作氮化硅介質(zhì)層，該二氧化硅層和該氮化硅介質(zhì)層能夠增加芯片的機(jī)械強(qiáng)度，并使芯片的電性能不受外界干擾，提升了芯片的穩(wěn)定性和可靠性。
[0044]【具體實(shí)施方式】四:圖1至圖4本實(shí)施方式采用實(shí)施方式一所述的方法的制作包含2X 2個(gè)氣敏單元的芯片，具體過程為:
[0045]步驟一、選用N型(100)雙拋硅片I，采用標(biāo)準(zhǔn)清洗液清洗后，對硅片進(jìn)行熱氧化，形成二氧化硅層2，再沉積氮化硅介質(zhì)層3，形成感測模塊的支撐層；
[0046]步驟二、在所述支撐層上方制作Cr/Pt薄膜，利用干法刻蝕刻除多余的金屬薄膜，完成氣敏單元加熱電阻4和溫敏單元敏感電阻5的制作；
[0047]步驟三、沉積二氧化硅制作半透明的第一絕緣鈍化層6，并利用干法工藝刻除引線孔位置的鈍化層；
[0048]步驟四、在每個(gè)氣敏單元正上方制作Cr/Au金屬叉指電極，作為氣敏單元的檢測電極7，濕敏單元電容器的兩個(gè)電極8和溫敏單元的鉑加熱電阻的引腳9也在該步驟同時(shí)制作完成;
[0049]步驟五、沉積二氧化硅制作第二絕緣鈍化層10，利用干法工藝刻除氣敏材料和濕敏材料對應(yīng)區(qū)域及電極引腳位置的第二絕緣鈍化層10，保證檢測電極的引出；
[0050]步驟六、在濕敏單元中電容的正上方制作高分子濕敏材料介質(zhì)層11;
[0051]步驟七、對硅片背面進(jìn)行腐蝕，完成中空硅杯12、第一級熱隔離通孔13以及第二級熱隔離通孔14的制作；
[0052]步驟八、將兩種氣敏材料噴滴于2X 2氣體微加熱板(第一絕緣鈍化層的下面為加熱電阻，因此，第一絕緣鈍化層和第二絕緣鈍化層相當(dāng)于微加熱板)檢測電極正上方，形成氣體敏感介質(zhì)層15，完成芯片的制作。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其特征在于，該芯片的多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元均集成在一個(gè)N型單晶娃片上，多個(gè)氣敏單元形成M X N的陣列，]\1表示氣敏材料的種類總數(shù)，N表示采用每種氣敏材料制作的氣敏元件的個(gè)數(shù)； 多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元之間均設(shè)置有熱隔離通孔作為第二級隔熱通孔，所述第二級隔熱通孔的橫截面為矩形，且所述矩形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其特征在于，所述的氣敏單元中，每相鄰的兩根電極引線之間均設(shè)置有熱隔離通孔作為第一級隔熱通孔，所述第一級隔熱通孔的橫截面為梯形，且所述梯形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。3.集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其特征在于，該芯片的多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元均集成在一個(gè)N型單晶娃片上，多個(gè)氣敏單元形成M X N的陣列，]\1表示氣敏材料的種類總數(shù)，N表示采用每種氣敏材料制作的氣敏元件的個(gè)數(shù)； 每個(gè)氣敏單元中，每相鄰的兩根電極引線之間均設(shè)置有熱隔離通孔作為第一級隔熱通孔，所述第一級隔熱通孔的橫截面為梯形，且所述梯形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其特征在于，多個(gè)氣敏單元、溫敏單元和濕敏單元之間均設(shè)置有熱隔離通孔作為第二級隔熱通孔，所述第二級隔熱通孔的橫截面為矩形，且所述矩形的四個(gè)角均采用圓弧過渡。5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其特征在于，溫敏單元采用Pt薄膜電阻實(shí)現(xiàn)。6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其特征在于，濕敏單元采用叉指電容實(shí)現(xiàn)，所述電容的兩個(gè)電極為交叉指狀的金屬條，所述電容的表面涂覆高分子材料作為濕敏介質(zhì)膜。7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其特征在于，所述的氣敏材料為SnO2、WO3、ZnO、In2O3、ZnFe2O4、以及V2O5-SnO2中的一種或多種。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片，其特征在于，所述的高分子材料為聚酰亞胺或醋酸丁酸纖維素。9.集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片的制作方法，其特征在于，該方法具體過程為: 步驟一、在N型單晶硅片的一個(gè)表面制作二氧化硅層，在所述二氧化硅層的表面制作氮化娃介質(zhì)層，所述二氧化娃層與氮化娃介質(zhì)層構(gòu)成支撐層； 步驟二、在所述支撐層上方制作多個(gè)氣敏單元的加熱電阻和溫敏單元的敏感電阻，多個(gè)加熱電阻形成MXN的陣列； 步驟三、在所述支撐層上方沉積二氧化硅或氮化硅作為第一絕緣鈍化層，然后在所述第一絕緣鈍化層上刻蝕引線孔； 步驟四、在每個(gè)氣敏單元加熱電阻上方制作氣敏單元的檢測電極和加熱電極引線，同時(shí)制作濕敏單元中電容的兩個(gè)電極以及溫敏單元中加熱電阻的引腳，所述加熱電極引線通過引線孔與加熱電阻相連接； 步驟五、沉積二氧化硅或氮化硅作為第二絕緣鈍化層，然后刻除氣敏材料和濕敏材料附著區(qū)域及電極和引腳位置的鈍化層； 步驟六、在濕敏單元上方制作高分子濕敏材料介質(zhì)層； 步驟七、對N型單晶硅片的另一個(gè)表面進(jìn)行腐蝕，完成中空硅杯、第一級熱隔離通孔以及第二級熱隔離通孔的制作，所述中空硅杯的位置與氣敏單元相對應(yīng)，所述第一級熱隔離通孔位于每個(gè)氣敏單元的相鄰兩根引線之間，所述第二級熱隔離通孔位于相鄰的兩個(gè)敏感單元之間，第一級熱隔離通孔橫截面為梯形，第二級熱隔離通孔橫截面為矩形，且第一級熱隔離通孔和第二級熱隔離通孔的四個(gè)棱角處均采用圓弧過渡； 步驟八、在每個(gè)氣敏單元上方沉積氣敏材料，完成所述芯片的制作，其中每N個(gè)氣敏單元采用一種材料，M X N個(gè)氣敏單元共采用M種氣敏材料。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成溫濕度傳感器的硅基氣體敏感芯片的制作方法，其特征在于，步驟一中，在N型單晶硅片的另一個(gè)表面也制作二氧化硅層，并在該二氧化硅層的表面制作氮化娃介質(zhì)層。
【文檔編號】G01N27/12GK105928567SQ201610551147
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年7月13日
【發(fā)明人】王成楊, 金建東, 李玉玲, 丁文波, 齊虹, 田雷, 王明偉, 夏露, 鄭麗, 王亞彬
【申請人】中國電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所