Vin，所述開關管Ql的第二端連接所述電感LI的一端和所述穩(wěn)壓二極管Dl的陰極。所述開關管Ql可以為NMOS晶體管，所述開關管Ql的控制端為NMOS晶體管的柵極，所述開關管Ql的第一端為NMOS晶體管的漏極，所述開關管Ql的第二端為NMOS晶體管的源極。所述開關管Ql也可以為NPN晶體管，所述開關管Ql的控制端為NPN晶體管的基極，所述開關管Ql的第一端為NPN晶體管的集電極，所述開關管Ql的第二端為NPN晶體管的發(fā)射極。
[0017]所述電感LI的另一端連接所述第二電阻R2的另一端、所述第三電阻R3的一端和所述第一儲能電容Cl的一端并適于輸出第一電源電壓，所述第三電阻R3的另一端連接所述第四電阻R4的一端、所述TL431集成電路Ul的陰極以及所述第二儲能電容C2的一端并適于輸出第二電源電壓，所述第四電阻R4的另一端連接所述第五電阻R5的一端和所述TL431集成電路Ul的基準極，所述第一電阻Rl的另一端、所述第二儲能電容C2的另一端、所述TL431集成電路Ul的陽極、所述第五電阻R5的另一端、所述第一儲能電容Cl的另一端以及所述穩(wěn)壓二極管Dl的陽極接地。
[0018]本發(fā)明實施例提供的兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源，由所述電壓比較器B1、所述振蕩器11、所述放大器Al、所述開關管Q1、所述電感L1、所述穩(wěn)壓二極管D1、所述第一儲能電容Cl、所述第一電阻Rl以及所述第二電阻R2構成的開關式穩(wěn)壓電源產生所述第一電源電壓，為智能變送器的液晶顯示模塊供電，所述第一電源電壓通常為5V;由所述TL431集成電路U1、所述第二儲能電容C2、所述第四電阻R4以及所述第五電阻R5構成的線性穩(wěn)壓電源產生所述第二電源電壓，為智能變送器的其他芯片供電，所述第二電源電壓通常為3V。
[0019]具體地，所述第一電阻Rl和所述第二電阻R2將所述第一電源電壓反饋至所述電壓比較器BI，所述電壓比較器BI將反饋電壓與所述參考電壓Vr進行比較，輸出比較結果控制所述振蕩器11的振蕩頻率，從而改變所述放大器Al輸出的驅動信號的占空比，調節(jié)所述開關管Ql的導通時間和截止時間，控制所述電池電壓Vin為所述電感LI充電，獲得穩(wěn)定的第一電源電壓。所述第四電阻R4以及所述第五電阻R5輸出所述TL431集成電路Ul所需的參考電壓，所述TL431集成電路Ul控制輸出穩(wěn)定的第二電源電壓。
[0020]為了避免高頻電壓信號產生干擾，本發(fā)明實施例的兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源還包括第一濾波電容、第二濾波電容以及第三濾波電容。所述第一濾波電容的一端連接所述開關管Ql的第一端，所述第二濾波電容的一端連接所述電感LI的另一端，所述第三濾波電容的一端連接所述第二儲能電容C2的一端，所述第一濾波電容的另一端、所述第二濾波電容的另一端以及所述第三濾波電容的另一端接地。
[0021]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例，并非對本發(fā)明做任何形式上的限制，凡是依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化，均落入本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源，其特征在于，包括電壓比較器、振蕩器、放大器、開關管、電感、穩(wěn)壓二極管、TL431集成電路、第一儲能電容、第二儲能電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻以及第五電阻； 所述電壓比較器的第一輸入端適于接收參考電壓，所述電壓比較器的第二輸入端連接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端，所述電壓比較器的輸出端連接所述振蕩器的輸入端，所述振蕩器的輸出端連接所述放大器的輸入端，所述放大器的輸出端連接所述開關管的控制端，所述開關管的第一端適于接收電池電壓，所述開關管的第二端連接所述電感的一端和所述穩(wěn)壓二極管的陰極，所述電感的另一端連接所述第二電阻的另一端、所述第三電阻的一端和所述第一儲能電容的一端并適于輸出第一電源電壓，所述第三電阻的另一端連接所述第四電阻的一端、所述TL431集成電路的陰極以及所述第二儲能電容的一端并適于輸出第二電源電壓，所述第四電阻的另一端連接所述第五電阻的一端和所述TL431集成電路的基準極，所述第一電阻的另一端、所述第二儲能電容的另一端、所述TL431集成電路的陽極、所述第五電阻的另一端、所述第一儲能電容的另一端以及所述穩(wěn)壓二極管的陽極接地。2.根據權利要求1所述的兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源，其特征在于，還包括適于產生所述參考電壓的參考電壓產生電路，所述參考電壓產生電路包括第六電阻和第七電阻； 所述第六電阻的一端適于接收所述電池電壓，所述第六電阻的另一端連接所述第七電阻的一端并適于輸出所述參考電壓，所述第七電阻的另一端接地。3.根據權利要求1所述的兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源，其特征在于，所述開關管為NMOS晶體管； 所述開關管的控制端為NMOS晶體管的柵極，所述開關管的第一端為NMOS晶體管的漏極，所述開關管的第二端為NMOS晶體管的源極。4.根據權利要求1所述的兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源，其特征在于，所述開關管為NPN晶體管； 所述開關管的控制端為NPN晶體管的基極，所述開關管的第一端為NPN晶體管的集電極，所述開關管的第二端為NPN晶體管的發(fā)射極。5.根據權利要求1所述的兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源，其特征在于，還包括第一濾波電容、第二濾波電容以及第三濾波電容； 所述第一濾波電容的一端連接所述開關管的第一端，所述第二濾波電容的一端連接所述電感的另一端，所述第三濾波電容的一端連接所述第二儲能電容的一端，所述第一濾波電容的另一端、所述第二濾波電容的另一端以及所述第三濾波電容的另一端接地。
【專利摘要】一種兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源，包括電壓比較器、振蕩器、放大器、開關管、電感、穩(wěn)壓二極管、TL431集成電路、第一儲能電容、第二儲能電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻以及第五電阻。本發(fā)明提供的兩級穩(wěn)壓的智能變送器電源，輸出電壓紋波很小、精度高，適合要求低功耗、多功能、負載適應性強的HART總線智能變送器。
【IPC分類】G01D5/00
【公開號】CN105157731
【申請?zhí)枴緾N201510588353
【發(fā)明人】李強, 彭恩文, 張建清
【申請人】成都眾山科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年9月16日