度方向時(shí)，壓電電阻系數(shù)最小。在本實(shí)施例中，在Si結(jié)晶軸的〈100〉方向16上配置擴(kuò)散電阻體15的長度方向，因此，能夠減小因產(chǎn)生應(yīng)變而導(dǎo)致的電阻值的變化，LSI的輸出變化受到抑制，流量測定精度提高。
[0030](實(shí)施例2)
[0031]說明熱式空氣流量計(jì)的第2實(shí)施例。此外，傳感器組件10和殼體11的結(jié)構(gòu)為與上述實(shí)施例1相同的結(jié)構(gòu)。
[0032]圖5是表示保持部13和LSI3的內(nèi)部的擴(kuò)散電阻體15的位置關(guān)系的概要圖。LSI3的內(nèi)部的擴(kuò)散電阻體15是例如A/D轉(zhuǎn)換電路這樣的輸出被電路內(nèi)電阻的比所控制的電路17所具有的電阻體。A/D轉(zhuǎn)換電路是將由傳感器芯片4得到的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的電路，使得能夠在LSI3內(nèi)進(jìn)行處理，由整數(shù)倍的電阻體、數(shù)個(gè)構(gòu)成。該擴(kuò)散電阻體15以下述方式配置:殼體11所具有的保持部13的端部a與擴(kuò)散電阻體15的各個(gè)端部的距離為相等距離L，保持部13的端部a與擴(kuò)散電阻體15的另一方的各個(gè)端部的距離為相等距離L’。進(jìn)而，利用相同長度的電阻體制作整數(shù)倍的電阻體。
[0033]接著，說明熱式空氣流量計(jì)的第2實(shí)施例的效果。在LSI3的內(nèi)部的擴(kuò)散電阻體15產(chǎn)生因第I樹脂與第2樹脂的線膨脹系數(shù)差導(dǎo)致的熱應(yīng)力，或者因樹脂收縮差導(dǎo)致的收縮應(yīng)力。在擴(kuò)散電阻體15產(chǎn)生因壓電效應(yīng)導(dǎo)致的電阻值變動，該電阻變動是壓電電阻系數(shù)和在電阻體產(chǎn)生產(chǎn)生的應(yīng)變的函數(shù)。在第2實(shí)施例中，擴(kuò)散電阻體15位于距作為應(yīng)力產(chǎn)生源的保持部13的端部a相等距離的位置，在各電阻體產(chǎn)生的熱應(yīng)變分布是一樣的。另外，利用相同長度的電阻體制作整數(shù)倍的電阻體。因此，壓電效應(yīng)導(dǎo)致的擴(kuò)散電阻體15各自的電阻值變動相同，輸出由電阻值的比控制的A/D轉(zhuǎn)換電路等中，能夠使熱應(yīng)力的影響相互抵消。因此，能夠降低在LSI3產(chǎn)生的熱應(yīng)力的影響，能夠提高空氣流量的測定精度。此外，如圖6所示，擴(kuò)散電阻體15在本實(shí)施例中，在與Si結(jié)晶軸的〈100〉方向16平行的方向上配置長度方向時(shí)，能夠進(jìn)一步降低熱應(yīng)力的影響，這是當(dāng)然的。
[0034](實(shí)施例3)
[0035]說明熱式空氣流量計(jì)的第3實(shí)施例。傳感器組件10和殼體11的結(jié)構(gòu)是與上述實(shí)施例I相同的結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例3中，如圖7所示，將LSI3內(nèi)部的擴(kuò)散電阻體改變?yōu)槎嗑Ч桦娮?8。
[0036]接著，說明熱式空氣流量計(jì)的第3實(shí)施例的效果。Si的壓電電阻系數(shù)在〈110〉結(jié)晶方向上較大，在〈100〉結(jié)晶方向上最小。當(dāng)由多晶硅膜形成電阻體時(shí)，多晶硅膜中的晶粒在各個(gè)方向上生長，因此壓電電阻系數(shù)被平均化。因此，與擴(kuò)散電阻體的長度方向?yàn)椤?10〉結(jié)晶方向的結(jié)構(gòu)相比，壓電電阻系數(shù)變小。如以上所說明的那樣，能夠降低在LSI3產(chǎn)生的熱應(yīng)力的影響，能夠提高該空氣流量的測定精度。
[0037]在本實(shí)施例中，將LSI3的內(nèi)部的擴(kuò)散電阻體改變?yōu)槎嗑Ч桦娮?8，但是，在距保持部13遠(yuǎn)的位置幾乎沒有應(yīng)變的影響，因此當(dāng)然也可以由多晶硅電阻形成LSI3內(nèi)所有的電阻。此外，像實(shí)施例2所示的那樣將A/D轉(zhuǎn)換電路的擴(kuò)散電阻體15由多晶硅膜形成，當(dāng)然也能夠降低應(yīng)力的影響。
[0038]附圖標(biāo)記說明
[0039]1......引線架
[0040]2……玻璃板
[0041]3......LSI
[0042]4......傳感器芯片
[0043]5……樹脂膜
[0044]6……樹脂膜
[0045]7......第I樹脂
[0046]8......金屬線
[0047]9......金屬線
[0048]10......傳感器組件
[0049]11......殼體
[0050]12......副通路槽
[0051]13……傳感器組件保持部
[0052]14……引線架保持部
[0053]15......擴(kuò)散電阻體
[0054]16......Si 結(jié)晶軸〈100〉方向
[0055]17......電路
[0056]18......多晶硅電阻。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種熱式空氣流量計(jì)，其特征在于，包括: 流量檢測部；用于配置所述流量檢測部的副通路；和被輸入從所述流量檢測部得到的信號，且向外部輸出信號的LSI， 所述副通路的側(cè)壁配置在所述流量檢測部與所述LSI之間或者配置在所述LSI上， 設(shè)置在所述LSI的內(nèi)部的擴(kuò)散電阻的長度方向與單晶硅的〈100〉軸平行。2.一種熱式空氣流量計(jì)，其特征在于，包括: 流量檢測部；用于配置所述流量檢測部的副通路；和被輸入從所述流量檢測部得到的信號，且向外部輸出信號的LSI， 所述副通路的側(cè)壁配置在所述流量檢測部與所述LSI之間或者配置在所述LSI上， 設(shè)置在所述LSI的內(nèi)部的擴(kuò)散電阻中的一部分或者全部由多晶硅形成。3.一種熱式空氣流量計(jì)，其特征在于，包括: 流量檢測部；用于配置所述流量檢測部的副通路；和被輸入從所述流量檢測部得到的信號，且向外部輸出信號的LSI， 所述副通路的側(cè)壁配置在所述流量檢測部與所述LSI之間或者配置在所述LSI上， 構(gòu)成所述LSI的內(nèi)部的A/D轉(zhuǎn)換電路的電阻配置在從所述副通路的側(cè)壁起一定距離的位置。4.如權(quán)利要求3所述的熱式空氣流量計(jì)，其特征在于: 設(shè)置在所述LSI內(nèi)部的擴(kuò)散電阻的長度方向與單晶硅的〈100〉軸平行。5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的熱式空氣流量計(jì)，其特征在于: 所述流量檢測部和所述LSI被樹脂覆蓋。6.如權(quán)利要求4所述的熱式空氣流量計(jì)，其特征在于: 所述樹脂為熱固化性樹脂。7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的熱式空氣流量計(jì)，其特征在于: 所述副通路由熱可塑性樹脂成形。
【專利摘要】為了提供測量精度高的熱式流量計(jì)，采用以下結(jié)構(gòu)：具有流量檢測部、用于配置上述流量檢測部的副通路和被輸入從上述流量檢測部得到的信號且向外部輸出信號的LSI，上述副通路的側(cè)壁配置在上述流量檢測部與上述LSI之間或者配置在上述LSI上，設(shè)置在上述LSI的內(nèi)部的擴(kuò)散電阻的長度方向與單晶硅的<100>軸平行。
【IPC分類】G01F1/68, G01F1/684
【公開號】CN105008868
【申請?zhí)枴緾N201380074118
【發(fā)明人】緒方公俊, 石塚典男, 松本昌大
【申請人】日立汽車系統(tǒng)株式會社
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2013年12月13日
【公告號】WO2014136347A1