溫度傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種適合測(cè)定復(fù)印機(jī)或打印機(jī)等的加熱漉的溫度的溫度傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002] 通常，復(fù)印機(jī)或打印機(jī)中所使用的加熱漉中，為了測(cè)定其溫度，溫度傳感器設(shè)置成 接觸狀態(tài)。作為該種溫度傳感器，例如專利文獻(xiàn)1及2中提出一種溫度傳感器，其具有：一 對(duì)引線框架；熱敏元件，配設(shè)在該些引線框架之間并連接；保持部，形成在一對(duì)引線框架的 端部；及薄膜片，設(shè)置在引線框架及熱敏元件的單面并與加熱漉接觸。
[0003] 該種溫度傳感器利用引線框架的彈力與加熱漉的表面接觸，由此進(jìn)行溫度檢測(cè)。
[0004] 另外，上述專利文獻(xiàn)1中，采用球狀熱敏電阻或巧片熱敏電阻作為熱敏元件，而專 利文獻(xiàn)2中，采用在氧化侶等絕緣基板的一面形成熱敏膜的薄膜熱敏電阻作為熱敏元件。 該薄膜熱敏電阻由形成在絕緣基板的一面上的熱敏膜、連接該熱敏膜與一對(duì)引線框架的一 對(duì)引線部、及覆蓋熱敏膜的保護(hù)膜構(gòu)成。
[0005] 專利文獻(xiàn)1 ;日本專利公開(kāi)平6-29793號(hào)公報(bào)
[0006] 專利文獻(xiàn)2 ;日本專利公開(kāi)2000-74752號(hào)公報(bào)
[0007] 專利文獻(xiàn)3 ;日本專利公開(kāi)2004-319737號(hào)公報(bào) [000引上述現(xiàn)有技術(shù)中留有W下課題。
[0009] 目P，專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)中，雖然使用球狀熱敏電阻等作為熱敏元件，但在該 種情況下，由于其為約1mm左右的球狀或楠圓狀，因此與加熱漉進(jìn)行點(diǎn)接觸，很難進(jìn)行準(zhǔn)確 的溫度檢測(cè)。并且，熱敏元件具有較大的體積，因此存在響應(yīng)性差的不良情況。而且，由于 進(jìn)行點(diǎn)接觸，因此還可能會(huì)損傷旋轉(zhuǎn)的漉表面。
[0010] 并且，專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)中，由于使用薄膜熱敏電阻作為熱敏元件，因此能 夠與加熱漉進(jìn)行面接觸，但是若包括構(gòu)成薄膜熱敏電阻的絕緣基板和引線部，則還是具有 體積，因此存在響應(yīng)性差的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種與加熱漉等接觸來(lái)檢測(cè)溫 度時(shí)，高精度且響應(yīng)性優(yōu)異的同時(shí)不容易扭曲的溫度傳感器。
[0012] 本發(fā)明為了解決上述課題，采用W下結(jié)構(gòu)。目P，第1發(fā)明所設(shè)及的溫度傳感器具 備：一對(duì)引線框架；傳感器部，與所述一對(duì)引線框架連接；及絕緣性的保持部，固定在所述 一對(duì)引線框架上并保持所述引線框架，所述傳感器部具備；帶狀的絕緣性薄膜；薄膜熱敏 電阻部，在所述絕緣性薄膜的表面W熱敏電阻材料形成圖案；一對(duì)梳狀電極，在所述薄膜熱 敏電阻部的上方及下方的至少一方具有多個(gè)梳齒部并相互對(duì)置地形成圖案；及一對(duì)圖案電 極，一端與所述一對(duì)梳狀電極連接，并且另一端與所述一對(duì)引線框架連接，并在所述絕緣性 薄膜的表面形成圖案，所述引線框架具有：沿著所述絕緣性薄膜延伸的主引線部；W及由 所述主引線部的基端側(cè)往所述絕緣性薄膜的基端部延伸而接合于所述基端部的基端側(cè)接 合部，只有所述一對(duì)引線框架中的一方具有由所述主引線部的前端側(cè)往所述絕緣性薄膜的 前端部延伸而接合于所述前端部的前端側(cè)接合部。
[0013] 該溫度傳感器中，只有一對(duì)引線框架中的一方具有基端側(cè)接合部、W及由主引線 部的前端側(cè)往絕緣性薄膜的前端部延伸而接合于所述前端部的前端側(cè)接合部，因此通過(guò)一 根引線框架使絕緣性薄膜的兩端部固定，與W兩根引線框架固定兩端部的情況相比，可W 抑制扭曲。另外，一對(duì)引線框架的另一方，僅基端側(cè)接合部接合于絕緣性薄膜的基端部，但 是未接合于前端部。
[0014] 并且，通過(guò)直接形成于絕緣性薄膜的薄膜熱敏電阻部，使整體的厚度變薄，可W通 過(guò)小的體積而得到優(yōu)異的響應(yīng)性。并且，一對(duì)引線框架與一對(duì)圖案電極連接，因此薄膜熱敏 電阻部和引線框架通過(guò)直接形成在絕緣性薄膜上的圖案電極進(jìn)行連接，由此，通過(guò)形成圖 案的薄的配線，相比W引線等進(jìn)行連接的情況，可抑制其與引線框架側(cè)的熱傳導(dǎo)性的影響。 另外，接觸部分對(duì)測(cè)定對(duì)象物的平坦性高，進(jìn)行面接觸，因此可W進(jìn)行準(zhǔn)確的溫度檢測(cè)并且 不容易損傷旋轉(zhuǎn)的加熱漉等的測(cè)定對(duì)象物的表面。
[001引根據(jù)第1發(fā)明的第2發(fā)明所設(shè)及的溫度傳感器，其中，所述基端側(cè)接合部收容于所 述保持部?jī)?nèi)。
[0016] 目P，在該溫度傳感器中，基端側(cè)接合部收容于保持部?jī)?nèi)，因此可將基端側(cè)接合部保 持于保持部?jī)?nèi)而得到高的接合性，可提高可靠性。
[0017] 根據(jù)第1或第2發(fā)明的第3發(fā)明所設(shè)及的溫度傳感器，其中，具備W覆蓋所述一對(duì) 引線框架的狀態(tài)粘結(jié)于所述絕緣性薄膜的表面和背面的絕緣性的一對(duì)保護(hù)片。
[0018] 目P，在該溫度傳感器中，一對(duì)保護(hù)片W覆蓋一對(duì)引線框架的狀態(tài)粘結(jié)于絕緣性薄 膜的表面和背面，因此能夠W保護(hù)片穩(wěn)定地保持一對(duì)引線框架并且可W提高絕緣性薄膜的 剛性。
[0019] 根據(jù)第1至第3發(fā)明中的任一發(fā)明的第4發(fā)明所設(shè)及的溫度傳感器，其中，所述薄 膜熱敏電阻部配設(shè)于所述絕緣性薄膜的前端附近，所述圖案電極延伸至所述絕緣性薄膜的 基端附近，所述一對(duì)引線框架的基端側(cè)接合部在所述絕緣性薄膜的基端附近與所述圖案電 極連接。
[0020] 目P，在該溫度傳感器中，一對(duì)引線框架的基端側(cè)接合部在絕緣性薄膜的基端附近 與圖案電極連接，因此通過(guò)長(zhǎng)的圖案電極抑制往引線框架的熱傳導(dǎo)，可W提高響應(yīng)性。
[0021] 根據(jù)第1至第4發(fā)明中的任一發(fā)明的第5發(fā)明所設(shè)及的溫度傳感器，其中，所述薄 膜熱敏電阻部是由通式；TixAlyNz(；0. 70《y/"(x+y)《0. 95,0. 4《Z《0. 5，x+y+z= 1)所 表示的金屬氮化物構(gòu)成，其結(jié)晶結(jié)構(gòu)為六方晶系的纖鋒礦型的單相。
[0022] 通常，溫度傳感器等中所使用的熱敏電阻材料為了高精度、高靈敏度而要求較高 的B常數(shù)。W往，作為該種熱敏電阻材料一般有Mn、Co、化等過(guò)渡金屬氧化物。并且，該些 熱敏電阻材料為了得到穩(wěn)定的熱敏電阻特性，需要進(jìn)行60(TCW上的燒成。
[0023] 并且，除了上述由金屬氧化物構(gòu)成的熱敏電阻材料W外，例如專利文獻(xiàn)3中提出 由通式：M,AyNz(其中，M表示Ta、Nb、化、Ti及化的至少一種，A表示A1、Si及B的至少一 種。0. 1《X《0. 8,0 <y《0. 6,0. 1《Z《0. 8,x+y+z= 1)所表示的氮化物構(gòu)成的熱 敏電阻用材料。并且，該專利文獻(xiàn)3中，作為實(shí)施例，只記載有在化-A1-N系材料中設(shè)為 0. 5《X《0. 8,0. 1《y《0. 5,0. 2《Z《0. 7,x+y+z= 1的材料。在該h-Al-N系材料 中，將包含上述元素的材料用作祀材，在含氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行瓣射來(lái)制作。并且，根據(jù)需要，在 350~600°C下對(duì)得到的薄膜進(jìn)行熱處理。
[0024] 近年來(lái)，正研究開(kāi)發(fā)一種在樹(shù)脂薄膜上形成熱敏電阻材料的薄膜型熱敏電阻傳感 器，期望開(kāi)發(fā)一種能夠在薄膜上直接成膜的熱敏電阻材料。目P，通過(guò)使用薄膜，期待得到可 提性熱敏電阻傳感器。而且，期望開(kāi)發(fā)具有0. 1mm左右厚度的非常薄的熱敏電阻傳感器，但 W往常常使用利用氧化侶等陶瓷材料的基板材料，若厚度變薄到例如0. 1mm，則存在非常脆 且容易損壞等問(wèn)題，但期待通過(guò)使用薄膜而得到非常薄的熱敏電阻傳感器。
[0025] W往，形成由TiAlN構(gòu)成的氮化物系熱敏電阻的溫度傳感器中，在薄膜上層壓形 成由TiAlN構(gòu)成的熱敏電阻材料層和電極的情況下，在熱敏電阻材料層上成膜Au等電極 層，圖案形成為具有多個(gè)梳齒部的梳齒型。但是，該熱敏電阻材料層在曲率半徑較大且緩慢 地彎曲的情況下，不易產(chǎn)生裂紋且電阻值等電特性不變，但在曲率半徑較小且急劇地彎曲 的情況下，容易產(chǎn)生裂紋，電阻值等大幅變化，電特性的可靠性降低。尤其，使薄膜在與梳齒 部的延伸方向正交的方向上W較小的曲率半徑急劇地彎曲的情況下，與在梳齒部的延伸方 向上彎曲的情況相比，因梳狀電極與熱敏電阻材料層的應(yīng)力差，容易在電極邊緣附近產(chǎn)生 裂紋，存在電特性的可靠性降低的不良情況。
[0026] 并且，由樹(shù)脂材料構(gòu)成的薄膜通常耐熱溫度較低為150°CW下，即使是作為耐熱溫 度比較高的材料所熟知的聚酷亞胺也只具有300°C左右的耐熱性，因此在熱敏電阻材料的 形成工序中施加熱處理的情況下很難適用。上述W往的氧化物熱敏電阻材料中，為了實(shí)現(xiàn) 所需熱敏電阻特性，需要進(jìn)行600°CW上的燒成，存在無(wú)法實(shí)現(xiàn)在薄膜上直接成膜的薄膜 型熱敏電阻傳感器的問(wèn)題。因此，期望開(kāi)發(fā)一種能夠在非燒成條件下直接成膜的熱敏電阻 材料，但即使是上述專利文獻(xiàn)3所記載的熱敏電阻材料，為了得到所需熱敏電阻特性