申請其他實施方案的有益效果:
[0040]本申請的激光干涉儀，不僅能夠確定最強相長干涉的位置，而且還能夠確定最弱相消干涉的位置及I/η波長干涉位置，提高測量精度，并且本申請的測量方法與磁性微位移平臺相配合，進一步的提高了測量精度。
【附圖說明】
:
[0041]圖1為本發(fā)明激光干涉儀結構的光路示意圖；
[0042]圖2為微動平面反射鏡移動后的光路示意圖；
[0043]圖3為磁性微位移平臺的結構示意圖，
[0044]圖中標記:
[0045]1-激光源，2-微動平面反射鏡，3-移動平面反射鏡，4-干涉測量光電探測器，5-分光鏡組，6-反射測量光電探測器，7-第一激光束，8-第二激光束，9-反射激光束，10-磁性微位移平臺，51-第一分光鏡，52-第二分光鏡，101-支撐平臺，102-位移裝置，103-第一位移件，104-斜面，105-第二位移件，106-約束裝置，107-磁性件，11-處理系統(tǒng)。
【具體實施方式】
[0046]下面結合試驗例及【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步的詳細描述。但不應將此理解為本發(fā)明上述主題的范圍僅限于以下的實施例，凡基于本
【發(fā)明內容】
所實現(xiàn)的技術均屬于本發(fā)明的范圍。
[0047]實施例1，磁性微位移平臺式平面反射鏡激光干涉儀，包括有激光源1、微動平面反射鏡2、干涉測量光電探測器4、移動平面反射鏡3、分光鏡組5和磁性微位移平臺10，所述微動平面反射鏡2設置在所述磁性微位移平臺10上，所述激光源I射出的激光束經所述分光鏡組5后分為第一激光束7和第二激光束8，第一激光束7射向所述微動平面反射鏡2，經所述微動平面反射鏡2反射后再次射向所述分光鏡組5，再經分光鏡組5后射向所述干涉測量光電探測器4，第二激光束8射向所述移動平面反射鏡3，經所述移動平面反射鏡3反射后再次射向所述分光鏡組5，經分光鏡組5后射向所述干涉測量光電探測器4，第一激光束7與第二激光束8在射向所述干涉測量光電探測器4時發(fā)生干涉，所述激光干涉儀還包括有反射測量光電探測器6，所述第二激光束8在由所述移動平面反射鏡3射向所述分光鏡組5后還形成有反射激光束9，所述反射激光束9射向所述反射測量光電探測器6 ;
[0048]所述磁性微位移平臺10，包括有支撐平臺101和設置在所述支撐平臺101上的位移裝置102，所述支撐平臺101上設置有第一位移件103，所述第一位移件103與所述位移裝置102連接，所述位移裝置102帶動所述第一位移件103沿所述支撐平臺101運動，所述第一位移件103具有一相對于其位移方向傾斜的斜面104，所述第一位移件103的斜面104上滑動設置有第二位移件105，所述第一位移件103與第二位移件105之間貼緊配合，所述支撐平臺101上還設置有約束裝置106，所述約束裝置106限制所述第二位移件105沿所述第一位移件103位移方向上的運動，使得當?shù)谝晃灰萍?03被所述位移裝置102帶動而產生位移時，所述第二位移件105被所述第一位移件103帶動而產生位移，所述第二位移件105的位移方向與所述第一位移件103的位移方向相垂直，所述第一位移件103的斜面104與其位移方向的夾角為A度，O > A > 45，所述第一位移件103與所述支撐平臺101之間還設置有具有磁性的磁性件107，所述第二位移件105具有磁性，所述第二位移件105與所述磁性件107為異性相吸狀態(tài)，所述微動平面反射鏡2設置在所述第二位移件105上，隨第二位移件105運動。
[0049]作為本實施例的優(yōu)選方案，所述分光鏡組5包括有第一分光鏡51和第二分光鏡52，所述激光源I射出的激光束先射到第一分光鏡51，經第一分光鏡51反射形成第一激光束7，經第一分光鏡51透射形成第二激光束8，第一激光束7射向所述微動平面反射鏡2，經反射后再次射向所述第一分光鏡51，然后再透射過所述第一分光鏡51，所述第二激光束8射向所述第二分光鏡52，經所述第二分光鏡52透射后射向所述移動平面反射鏡3，經所述移動平面反射鏡3反射后再射向所述第二分光鏡52，經所述第二分光鏡52透射后射向所述第一分光鏡51，并且與從所述第一分光鏡51透射出的第一激光束7發(fā)生干涉，形成干涉光束后射向所述干涉測量光電探測器4，由所述移動平面反射鏡3射向所述第二分光鏡52的所述第二激光束8還被所述第二分光鏡52反射形成所述反射激光束9。
[0050]本實施例的激光干涉儀，由于反射測量光電探測器6可以測量移動平面反射鏡3反射激光束的強度，根據反射激光束的強度確定激光干涉光束的干涉狀態(tài)，如此實現(xiàn)抗環(huán)境干擾的目的；
[0051]并且，在本實施例中，微動平面反射鏡2設置在磁性微位移平臺10上，支撐平臺101上設置位移裝置102和第一位移件103，位移裝置102帶動第一位移件103運動，第一位移件103具有一相對于其位移方向傾斜的斜面104，當位移裝置102提供一定的位移值帶動第一位移件103時，由于約束裝置106的存在，此時，第二位移件105在垂直于第一位移件103位移方向上將產生一定的位移值，第二位移件105的位移值與位移裝置102提供的位移值相關，還與第一位移件103斜面104的傾斜程度相關，即，設第一位移件103的斜面104與其位移方向的夾角為A度，當位移裝置102提供的位移值為X時，第二位移件105產生的位移值即為Y = Xtan(A)，第二位移件105的位移方向與第一位移件103的位移方向相垂直，如此，當夾角A小于45度時，將得到一個小于X值的位移值，當進一步的減小夾角A時，位移值Y也隨之減小，如此，使得在本實施例的方案中，通過以行程換精度的方式，最終得到一個小于位移裝置102輸出位移值的第二位移件105的位移值，直接提高了本實施例磁性微位移平臺的精度，也就直接提高了微動平面反射鏡2的移動精度，進而提高了本申請激光干涉儀的測量精度。
[0052]作為進一步的優(yōu)選方案，所述位移裝置102為壓電陶瓷型位移裝置。壓電陶瓷能夠將機械能和電能互相轉換的功能陶瓷材料，其在電場作用下產生的形變量很小，最多不超過本身尺寸的千萬分之一的微位移，具有良好的往復形變恢復能力，穩(wěn)定性好、精度高，如此使得本申請的位移裝置102能夠提供足夠小的X值，進一步提高了本申請微位移平臺10的精度，提高本申請激光干涉儀的測量精度。
[0053]作為進一步的優(yōu)選方案，所述激光干涉儀還包括有處理系統(tǒng)11，所述處理系統(tǒng)11與所述干涉測量光電探測器4和反射測量光電探測器6電連接，通過所述處理系統(tǒng)11控制所述干涉測量光電探測器4和反射測量光電探測器6的啟動和停止，并且使所述干涉測量光電探測器4數(shù)據和反射測量光電探測器6數(shù)據存儲在所述處理系統(tǒng)11內，所述處理系統(tǒng)11還與所述磁性微位移平臺10的位移裝置102電連接，通過所述處理系統(tǒng)11控制所述位移裝置102的啟動和停止，所述處理系統(tǒng)11還與所述激光源I電連接，通過所述處理系統(tǒng)11控制所述激光源I的啟動和停止。在本申請中，通過設置處理系統(tǒng)11，對干涉測量光電探測器4的數(shù)據和反射測量光電探測器6的數(shù)據進行儲存，生成標定數(shù)據庫，在實際測量過程中通過實時的數(shù)據與標定數(shù)據庫的數(shù)據進行比對，進而判斷出當前光路的干涉情況；處理系統(tǒng)11還與磁性微位移平臺10的位移裝置102電連接，根據實時的測量結果控制位移裝置102的輸出位移，進而實現(xiàn)對微動平面反射鏡2位置的協(xié)調控制，提高本申請的激光干涉儀的適應性。
[0054]作為進一步的優(yōu)選方案，在所述激光源1、微動平面反射鏡2、干涉測量光電探測器4、分光鏡組5、反射測量光電探測器6中任意兩個之間的激光束設置在封閉空間內而不與外部環(huán)境空間接觸。在本申請中，激光源1、微動平面反射鏡2、干涉測量光電探測器4、分光鏡組5和反射測量光電探測器6這些部件任意兩個之間的激光束設置在封閉空間內，使得在進行測量的過程中，上述這些部件之間的激光束并不會受到環(huán)境因素的影響，進而保證了本