有界波環(huán)境下電子設備電磁環(huán)境效應實驗方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及電磁干擾測試方法技術(shù)領域，尤其涉及一種有界波環(huán)境下電子設備電磁環(huán)境效應實驗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有界波模擬器又稱平行板傳輸線式橫電磁波室(PPTC)，是上世紀60年代出現(xiàn)的一種廣泛應用于電磁兼容/電磁干擾(EMC/EMI)的實驗裝置，當把連續(xù)波或脈沖波信號源施加在模擬器的一端，另一端接上負載時，模擬器內(nèi)部就建立起垂直極化電場，可供各種效應實驗之用。俄羅斯國防部自70年代中期以來建成了許多超大規(guī)模的有界波模擬器。SEMP-12-1和SEMP-12-3有界波模擬器建在圣彼得堡附近的科學研宄中心，IEMP — 6有界波模擬器建在莫斯科附近Sergiev Posad的物理技術(shù)中心研宄所(CIPT)。建在圣彼得堡附近的有界波模擬器SEMP-12-1用于源區(qū)核電磁脈沖環(huán)境(SREMP)的模擬，SEMP-12-3用于高空核電磁脈沖環(huán)境(HEMP)的模擬。20世紀80年代以來，這種類型的有界波模擬器風行歐洲，法國于70年代末期為了測試戰(zhàn)略導彈而建立了 SIEM-2型有界波模擬器，隨后德國、瑞士、意大利、以色列以及波蘭等都建立了幾何結(jié)構(gòu)類似于SIEM-2的有界波模擬器。如:德國的DIESES模擬器、瑞典的SAPIENS模擬器、意大利的INSIEME模擬器、以色列的RAFAEL模擬器、瑞士的VEPES模擬器等。國內(nèi)在有界波模擬器方面也進行了比較深入地研宄，西北核技術(shù)研宄所建立了一臺工作空間為6mX5mX5m的“春雷號”有界波模擬器，航天部北京電子系統(tǒng)工程研宄所建成了 DM-1200有界波模擬器，中國人民解放軍軍械工程學院建成了工作空間為20mX60mX6m的大型有界波模擬器，能夠產(chǎn)生強場電磁環(huán)境，最大脈沖場強高于100kV/m，能夠滿足對較大電子系統(tǒng)或分系統(tǒng)進行電磁環(huán)境效應試驗、生存能力評估和電磁防護加固技術(shù)研宄的需要。
[0003]我國于2006年首次提出了對電子設備系統(tǒng)級電磁環(huán)境效應的接口要求，對確保我國電子設備在復雜電磁環(huán)境下能夠正常工作有很大的促進作用。然而國內(nèi)的電子設備系統(tǒng)級電磁環(huán)境效應研宄剛剛起步，尚未形成系統(tǒng)的、可靠的理論和方法。國內(nèi)研宄的現(xiàn)狀是目前僅有試驗要求，沒有合適的試驗方法來確保系統(tǒng)級電磁環(huán)境效應的規(guī)范性和合理性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種有界波環(huán)境下電子設備電磁環(huán)境效應實驗方法，所述實驗方法確保了電子設備系統(tǒng)級電磁環(huán)境效應測試的規(guī)范性和合理性，提高了電子設備電磁環(huán)境效應測試的準確性。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:一種有界波環(huán)境下電子設備電磁環(huán)境效應實驗方法，其特征在于所述實驗方法包括以下步驟:
(1)將被測試的電子設備放置在有界波模擬器內(nèi)的試驗臺上，示波器放置在有界波模擬器外，示波器通過同軸電纜與被測試電子設備的信號輸出端連接；
(2)按照電磁強度由低到高將有界波模擬器的內(nèi)部分為若干個區(qū)域，分別為測試一區(qū)、測試二區(qū)、測試三區(qū)…依次類推；
(3)首先將被測試的電子設備放置在測試一區(qū)內(nèi)，將測試一區(qū)作為起始測試區(qū)域，使其與地面平行，控制有界波模擬器以一定電場強度輻照若干次，通過示波器記錄每次的輻照波形和電磁環(huán)境效應現(xiàn)象，按照電磁強度由低到高改變被測試電子設備所在的測試區(qū)域，直到電子設備出現(xiàn)電磁環(huán)境效應為止，如無電磁環(huán)境效應則進入步驟(4);
(4)將測試一區(qū)作為起始測試區(qū)域，改變電子設備與地面水平夾角，控制有界波模擬器以一定電場強度輻照若干次，通過示波器記錄每次的輻照波形和電磁環(huán)境效應現(xiàn)象，按照電磁強度由低到高改變被測試電子設備所在的測試區(qū)域，直到電子設備出現(xiàn)電磁環(huán)境效應為止，如無電磁環(huán)境效應，則進入步驟(5);
(5)將測試二區(qū)作為起始測試區(qū)域，重復步驟(3)和步驟(4)中的測試步驟，直到電子設備出現(xiàn)電磁環(huán)境效應為止，如無電磁環(huán)境效應，則進入步驟(6);
(6)將測試三區(qū)作為起始測試區(qū)域，重復步驟(3)和步驟(4)中的測試步驟，直到電子設備出現(xiàn)電磁環(huán)境效應為止，如無電磁環(huán)境效應，則進入步驟(7 );
(7)依次類推，將測試η區(qū)作為起始測試區(qū)域，重復步驟(3)和步驟(4)中的測試步驟，直到電子設備出現(xiàn)電磁環(huán)境效應為止，η為大于3的自然數(shù)。
[0006]進一步的技術(shù)方案在于:所述步驟(3)和步驟(4)中輻照次數(shù)為3次。
[0007]進一步的技術(shù)方案在于:所述步驟(4)中改變電子設備與地面水平夾角分別為10。 、20。 、30。 、40。 、50。 、60。 、70。 、80。 、90。。
[0008]進一步的技術(shù)方案在于:測試設備在有界波模擬器外，用于控制電子設備工作，距離有界波模擬器不少于20米。
[0009]進一步的技術(shù)方案在于:所述電子設備置于實驗臺上，距地面不低于80cm。
[0010]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:所述實驗方法確保了電子設備系統(tǒng)級電磁環(huán)境效應測試的規(guī)范性和合理性，提高了電子設備電磁環(huán)境效應測試的準確性。
【附圖說明】
[0011]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0012]圖1是本發(fā)明所述方法中有界波模擬器內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0014]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在