專利名稱:帶電粒子探測(cè)器的制作方法
本發(fā)明所述的探測(cè)器，可用作質(zhì)譜儀等測(cè)量?jī)x器中的探測(cè)器，用來(lái)探測(cè)正離子、負(fù)離子等。
在質(zhì)譜儀中，通常使用二次電子倍增管作為探測(cè)器。
也使用如圖-10所示的Daly型二次離子探測(cè)器。在圖-10中，2是質(zhì)譜儀的收集器狹縫，4是離子-電子轉(zhuǎn)換器。如果以探測(cè)正離子時(shí)為例，則在離子-電子轉(zhuǎn)換器4上加上負(fù)的高電壓(例如15kv)，由收集器狹縫2入射的離子撞擊在離子-電子轉(zhuǎn)換器4上，從離子-電子轉(zhuǎn)換器4的表面上發(fā)出二次電子。6是光導(dǎo)管，它的一端構(gòu)成閃爍器8;在閃爍器8的表面上有金屬膜10，它是鋁的蒸鍍膜。光導(dǎo)管6的另一端與光電倍增管12相連接。由于光導(dǎo)管6上的閃爍器8正對(duì)著離子-電子轉(zhuǎn)換器4，同時(shí)由于金屬膜10，使得閃爍器8上相對(duì)于離子-電子轉(zhuǎn)換器加上了一個(gè)高電壓(例如接地電位)。
由離子-電子轉(zhuǎn)換器4產(chǎn)生的電子，受到閃爍器8與離子-電子轉(zhuǎn)換器4之間電場(chǎng)的吸引，撞擊在閃爍器8上;由閃爍器8發(fā)出的光通過(guò)光導(dǎo)管6，被光電倍增管12檢出。
另外，已報(bào)導(dǎo)過(guò)下述一種探測(cè)器，即在收集器狹縫與二次電子倍增管之間再插入一個(gè)二次電子倍增管，使通過(guò)收集器狹縫的離子被二次電子倍增管加速，從而提高了靈敏度。(參照《マス·スパクトロスコピ》(質(zhì)譜學(xué))雜志第33卷，第2號(hào)，第145～147頁(yè)(1985))。
按照這篇報(bào)導(dǎo)，使用這種探測(cè)器，可以使靈敏度達(dá)到采用普通二次電子倍增管的探測(cè)器的靈敏度的3倍。
當(dāng)使用這些探測(cè)器進(jìn)行生物體成份分析或公害分析等微量分析時(shí)探測(cè)靈敏度會(huì)受到限制，如被限制在Pg/1μl的程度。
使用二次電子倍增管時(shí)，如果提高二極管上所加的電壓，則可提高增益;但由于噪聲也隨信號(hào)一起被放大，S/N比(信噪比)并沒(méi)有改善，因而靈敏度也沒(méi)有提高。
本發(fā)明的目的在于提供一種探測(cè)器，與已有的二次電子倍增管相比，這種探測(cè)器的靈敏度能提高約10倍，從而能大幅度地提高探測(cè)極限。
以下參照?qǐng)D-1所示實(shí)施例加以說(shuō)明。在本發(fā)明所述的探測(cè)器中倍增器(14)將入射粒子轉(zhuǎn)換為二次電子，并將二次電子放大;閃爍器(22)將由倍增器(14)的末級(jí)二極管或輸出端口發(fā)出的二次電子轉(zhuǎn)換為光信號(hào);由閃爍器(22)發(fā)出的光信號(hào)被光電倍增管(30)接收。
當(dāng)帶電粒子或中性粒子射入倍增器(14)中時(shí)，倍增器(14)產(chǎn)生二次電子，并由倍增器加以放大;然后，這些電子射入閃爍器(22)。閃爍器(22)伴隨由倍增器(14)產(chǎn)生的二次電子的入射而發(fā)出光信號(hào)。閃爍器(22)發(fā)出的光信號(hào)由光電倍增管(30)檢出。
由倍增器(14)產(chǎn)生的二次電子經(jīng)閃爍器(22)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，會(huì)使噪聲減小，信噪比S/N得到提高。
圖1所示是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。
14是用作倍增器的二次電子倍增管，共裝有7只二極管Dy1～Dy7，在二極管Dy1～Dy7之間加有電壓，以便將各只二極管發(fā)出的二次電子放大。二極管Dy1～Dy7的材料應(yīng)選用二次電子發(fā)生率高、并且發(fā)生率不隨時(shí)間而變的材料。這種材料可以是Cu-Be合金，或是在其表面上蒸鍍Be的薄銅板，或是Ag-Mg等。
二次電子倍增管14應(yīng)加以適當(dāng)?shù)钠帘?，以阻止散射離子混入二極管Dy1～Dy7，不致使S/N變壞。
16是偏向板，用來(lái)控制射入第1只二極管Dy1的帶電粒子的方向;18也是偏向板，用來(lái)控制由最后一只二極管Dy7產(chǎn)生的二次電子的方向，并將這些電子引入閃爍器22。
二次電子倍增管14的輸出端口處裝有閃爍器22。閃爍器22可以是在例如玻璃板20的表面上形成的，在閃爍器22的表面上有金屬膜24。金屬膜24可以是由例如鋁蒸鍍而成。帶有金屬膜24的閃爍器22裝在二次電子倍增管14的輸出端口上，且金屬膜朝向二次電子倍增管14的內(nèi)部，通過(guò)絕緣體26與二次電子倍增管14固定為一體。閃爍器22可用各種已知材料制成。例如，用RMA(無(wú)線電制造商協(xié)會(huì))的編號(hào)為P46的熒光體Y3Al5O12Ce即可。
形成閃爍器22的玻璃板20的反面，通過(guò)光導(dǎo)管28，與光電倍增管30連接。
光導(dǎo)管28由合成樹(shù)脂或石英玻璃等制成，它的結(jié)構(gòu)能使光有效地通過(guò)。
當(dāng)帶電粒子或中性粒子射入二次電子倍增管14的第1級(jí)二極管Dy1時(shí)，二極管Dy1將產(chǎn)生二次電子。這些二次電子經(jīng)由第2級(jí)二極管Dy2放大;被放大的二次電子又被第3級(jí)二極管Dy3放大;如此再依次被Dy4、Dy5、Dy6、Dy7二極管放大;由末級(jí)二極管Dy7產(chǎn)生的二次電子射入閃爍器22內(nèi)。由閃爍器22產(chǎn)生的光信號(hào)，經(jīng)光導(dǎo)管28，導(dǎo)入光電倍增管30，并被檢出。
以下結(jié)合圖2，說(shuō)明將本實(shí)施例中的探測(cè)器用作質(zhì)譜儀中的探測(cè)器，探測(cè)正離子的情況。
圖中的32是離子源，34是離子源狹縫，36是用來(lái)產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁鐵，38是用來(lái)產(chǎn)生電場(chǎng)的電極，40是收集器狹縫。由收集器40射出的離子，被偏向板16引入二次電子倍增管14的第1級(jí)二極管Dy1。
合為一體的探測(cè)器的二次電子倍增管14和閃爍器22裝在質(zhì)譜儀的真空部分，光電倍增管30裝在質(zhì)譜儀的常壓部分。42是質(zhì)譜儀真空裝置的隔板;光導(dǎo)管28穿過(guò)這個(gè)隔板42，將真空裝置內(nèi)的閃爍器22與常壓部分的光電倍增管30連接起來(lái)。由光電倍增管330輸出的信號(hào)被送入前置放大器中進(jìn)行信號(hào)處理。
在探測(cè)正離子時(shí)，二次電子倍增管的二極管Dy1～Dy7與閃爍器22上加有電壓，圖-2給出了范例。質(zhì)譜儀的加速電壓為+3kv。在第1級(jí)二級(jí)管Dy1處加-4kv電壓，在末級(jí)二極管Dy7處加-3kv電壓，如圖所示，處于第1級(jí)與末級(jí)之間的二極管Dy2～Dy6上的電壓是用電阻分壓的方法分別加上去的。另外，閃爍器22通過(guò)表面的金屬膜24加有+5kv電壓。
圖3給出了探測(cè)負(fù)離子時(shí)，二次電子倍增管的二極管Dy1～Dy7與閃爍器22上施加電壓的范例。通過(guò)收集器狹縫40的負(fù)離子的加速電壓為-3kv。在二次電子倍增管14的第1級(jí)二極管Dy1處加有+3kv電壓，在末級(jí)二極管Dy7處加有+4kv電壓;與圖2的情況相同，處于第1級(jí)與末級(jí)之間的二極管Dy2～Dy6上的電壓是用電阻分壓的方法加上去的。另外，閃爍器22通過(guò)表面的金屬膜24加有+12kv電壓。
在圖1的實(shí)施例中，二次電子倍增管14的輸入端口裝有偏向板16，在探測(cè)例如帶電粒子時(shí)，通過(guò)在偏向板16上加適當(dāng)?shù)碾妷旱姆椒?，可使入射的帶電粒子被有效地引入?級(jí)二極管Dy1。如考慮其它各種應(yīng)用領(lǐng)域，通過(guò)在偏向板16上加電壓的方法，也可阻止帶電粒子射入第1級(jí)二極管Dy1。這時(shí)，只有中性粒子才能射入二次電子倍增管14，因此，這種探測(cè)器可用作中性粒子探測(cè)器。
通過(guò)裝在末級(jí)二極管Dy7與閃爍器22之間的偏向板18，能使由二極管Dy7產(chǎn)生的二次電子被有效地引入閃爍器22。反之，也可通過(guò)調(diào)節(jié)偏向板18上的施加電壓，減少射入閃爍器22的二次電子的數(shù)量，以便對(duì)閃爍器22進(jìn)行保護(hù)。
如果在閃爍器22表面上的金屬膜24上，相對(duì)于二極管Dy7加一高電壓，使由二極管Dy7產(chǎn)生的二次電子加速地射入閃爍器22，則增益就會(huì)隨閃爍器22的發(fā)光強(qiáng)度的增大而增大。
通過(guò)改變二次電子倍增管14中的二極管Dy1～Dy7上的施加電壓，可以改變?cè)鲆?與此同時(shí)，也可以通過(guò)改變閃爍器22上的施加電壓來(lái)改變?cè)鲆?因此，增益可通過(guò)二次電子倍增管14與閃爍器22兩處進(jìn)行調(diào)整。
因裝有光導(dǎo)管28，例如圖2所示的情況，二次電子倍增管14和閃爍器22裝在真空裝置內(nèi)，光電倍增管30裝在常壓部分，這可大大提高裝置設(shè)計(jì)的自由度。另外，這樣作還可以在閃爍器22上加有高電壓時(shí)防止發(fā)生放電。
在圖1所示的實(shí)施例中，雖然閃爍器22與二次電子倍增管14結(jié)為一體，但也可以使閃爍器22與二次電子倍增管分離，而使閃爍器22、光導(dǎo)管28及光電倍增管30結(jié)為一體。
圖4是在圖1所示的實(shí)施例的輸入端口裝上離子-電子轉(zhuǎn)換器43的實(shí)施例。
制作離子-電子轉(zhuǎn)換器所用的材料，是當(dāng)其受到高速離子撞擊時(shí)，能產(chǎn)生大量的二次電子的材料;例如Al或Cu-Be合金等金屬。
以下就用質(zhì)譜儀探測(cè)正離子的情況進(jìn)行說(shuō)明，正離子在通常條件下用正的數(shù)干伏的電壓加速。由于離子-電子轉(zhuǎn)換器43上加有干伏的負(fù)高壓，正離子高速地撞擊離子-電子轉(zhuǎn)換器43的表面，產(chǎn)生二次電子。產(chǎn)生的二次電子，由二次電子倍增管14的輸入端口處的偏向板16有效地引入第1級(jí)二極管Dy1。在二極管Dy1上施加一能吸引由離子-電子轉(zhuǎn)換器43產(chǎn)生的二次電子的電壓。
在探測(cè)負(fù)離子時(shí)，負(fù)離子受到負(fù)的數(shù)干伏電壓的加速，因而要在離子-電子轉(zhuǎn)換器43上加正的數(shù)干伏的高電壓。
圖5是將二次電子倍增管與閃爍器合為一體，裝入圓筒狀玻璃管內(nèi)的實(shí)施例。該圖中(A)是縱向剖面圖，(B)是(A)的右視圖。
玻璃管44的一端(圖5(A)中的左側(cè))是開(kāi)口的，另一端是封閉的。在封閉的一端的玻璃板20上形成了閃爍器22。在閃爍器22上有金屬膜24，用來(lái)加電壓。
在閃爍器22與玻璃管開(kāi)口端之間裝有兩個(gè)支撐環(huán)46和48;這兩個(gè)支撐環(huán)46和48的間距由套著絕緣子的支撐棒50決定。兩支撐環(huán)46和48之間裝有多級(jí)二極管Dy1～Dy2，在每個(gè)二極管Dy1～Dyl上加有適當(dāng)?shù)碾妷?。帶電粒子等?jīng)過(guò)偏向板16射入第1級(jí)二極管Dy1;由末級(jí)二極管Dy2產(chǎn)生的二次電子經(jīng)過(guò)偏向板18射入閃爍器22中。由閃爍器22發(fā)出的光信號(hào)經(jīng)過(guò)玻璃板20以及作為圓筒底面的玻璃板44a輸出。在玻璃板44a的后方(圖-5(A)的右側(cè))經(jīng)過(guò)光導(dǎo)管、或直接與光電倍增相接。52a，52b是引線，又兼作支撐環(huán)46，48之間的支撐構(gòu)件。
如圖5(B)所示，由玻璃板44a引出引線端子54a～54f;引線端子54a～54f與玻璃板44焊在一起，這樣使玻璃圓筒44內(nèi)部抽成真空時(shí)不會(huì)漏氣。引線端子中，54a是向閃爍器22加電壓的端子，54b是向偏轉(zhuǎn)器16加電壓的端子，54c是向第1級(jí)二極管Dy1加電壓的端子，54d是向末級(jí)二極管Dy2加電壓的端子，54e是向偏轉(zhuǎn)器18加電壓的端子，54f是向支撐環(huán)48加電壓的端子。
圖6所示的實(shí)施例，不僅與圖5一樣，二次電子倍增管與閃爍器結(jié)為一體，并且它們還與光電倍增管30也結(jié)為一體。
在這一實(shí)施例中，玻璃圓筒44的底面玻璃板上也有開(kāi)口部分，光電倍增管30的端部30a與閃爍器22的玻璃板20相接近都設(shè)置在該開(kāi)口位置;在閃爍器22與光電倍增管30之間沒(méi)有安裝獨(dú)立的光導(dǎo)管。光電倍增管30的端部的玻璃板30b兼作光導(dǎo)管。玻璃圓筒44與光電倍增管30的容器融熔在一起。引線端子54a～54f由形成一體的圓筒容器的側(cè)面引出。
如圖所示，當(dāng)將本實(shí)施例的探測(cè)器裝在質(zhì)譜儀上時(shí)，可利用O形環(huán)56將探測(cè)器固定在真空裝置的器壁42上。圖中左側(cè)為真空部分，右側(cè)為常壓部分。
按照本實(shí)施例，不需裝設(shè)獨(dú)立的光導(dǎo)管，用光電倍增管30的端部的玻璃板30b兼作光導(dǎo)管，這樣可以防止由光導(dǎo)管部分引起的光透射率的下降。
另外，由于二次電子倍增管、閃爍器及光電倍增管結(jié)為一體，使得探測(cè)器易于裝拆。
圖7是在圖-1所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，通過(guò)調(diào)節(jié)加在二次電子倍增管14中的二極管Dy1～Dy7上的和閃爍器22上的電壓，擴(kuò)展強(qiáng)度測(cè)量范圍的實(shí)施例。但閃爍器22也可與二次電子倍增管14安裝成一個(gè)整體，或者如圖所示，能將閃爍器從二次電子信增管14上卸下來(lái)。
60是電源裝置，用來(lái)向二次電子倍增管的二極管Dy1～Dy7上加電壓;62是電源裝置，用來(lái)向閃爍器22的金屬膜24加電壓。64是CPU(中央處理機(jī));CPU64根據(jù)對(duì)光電倍增管30的輸出信號(hào)進(jìn)行放大的放大器66的輸出信號(hào)，對(duì)電源裝置660，62進(jìn)行控制。
由CPU64進(jìn)行的控制是這樣實(shí)現(xiàn)的當(dāng)放大器66的輸出達(dá)到飽和時(shí)，按照預(yù)定的方式，二極管Dy1～Dy7或閃爍器22上所加電壓、或二極管Dy1～Dy7和閃爍器22兩者上所加電壓的絕對(duì)值下降，使放大器66的輸出退出飽和。
這一動(dòng)作是按照?qǐng)D8所示的方式完成的輸入由放大器66產(chǎn)生的輸出信號(hào)(步驟S1)，如果該信號(hào)在設(shè)定值(如500000)以上，則使二極管Dy1～Dy7或閃爍器22上施加的電壓減小-確定數(shù)值(步驟S2，S3);如果由放大器66產(chǎn)生的輸出信號(hào)比設(shè)定值小，則將該信號(hào)與施加電壓一起接收(步驟S4)。
如圖9所示，二極管Dy1～Dy7上的施加電壓和閃爍器22上的施加電壓是通過(guò)比較器68控制的。將放大器66產(chǎn)生的輸出信號(hào)輸入比較器68的同相輸入端子，將設(shè)定的基準(zhǔn)電壓Vr輸入比較器68的反相輸入端子。
當(dāng)放大器66的輸出信號(hào)等于或大于設(shè)定的基準(zhǔn)電壓Vr時(shí)，比較器68的輸出信號(hào)接通，通過(guò)電源裝置60或62使二極管Dy1～Dy7或閃爍器22上的施加電壓下降一定數(shù)值。這一操作將反復(fù)進(jìn)行，直至放大器66的輸出信號(hào)小于設(shè)定的基準(zhǔn)電壓Vr時(shí)為止。
在上述各實(shí)施例中，都使用了作為倍增器的二次電子倍增管。這時(shí)，二次電子倍增管中的二極管的級(jí)數(shù)并不受所舉實(shí)施例的限制。另外，還可在二次電子倍增管與閃爍器之間再增設(shè)一個(gè)二次電子倍增管。
另外，可以用溝道晶體管代替二次電子倍增管作為倍增器。
按照本發(fā)明，入射粒子由倍增器轉(zhuǎn)換為二次電子，經(jīng)放大后再由閃爍器轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，該光信號(hào)由光電倍增管檢出;這樣可以使噪聲減小，信噪比S/N提高，靈敏度增加。當(dāng)用于例如質(zhì)譜儀等時(shí)，效果極佳。
圖11所示是用氣體包譜-質(zhì)譜學(xué)(GC/MS)中質(zhì)量生成物(MF)制圖法所得到的數(shù)據(jù)。該圖中(A)是采用市售的二次電子倍增管原有的探測(cè)器得出的，(B)是采用圖1所示的作為本發(fā)明實(shí)施例的帶電粒子探測(cè)器得出的。兩組數(shù)據(jù)都是探測(cè)由448AWU(原子質(zhì)量單位)的準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)母離子自然蛻變出來(lái)的335AMU離子的結(jié)果。圖中縱軸為檢測(cè)強(qiáng)度，橫軸為保持時(shí)間。但是，由于氣體包譜法的測(cè)量條件各不相同，保持時(shí)間在兩圖中不一致。
關(guān)于圖11所要強(qiáng)調(diào)的是，圖(A)是采用通常的氣體色譜法這時(shí)需注入試料3ng(＝3000pg)，與此相比，在采用本發(fā)明實(shí)施例的圖(B)的情況下，僅需往氣體色譜裝置中注入試料100pg，因此如果按照本發(fā)明的實(shí)施例加以實(shí)施的話，靈敏度比以前提高了20倍以上。
插圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的簡(jiǎn)略的截面圖。圖2是同一實(shí)施例用于質(zhì)譜儀探測(cè)正離子時(shí)的簡(jiǎn)略截面圖。圖3是同一實(shí)施例用于探測(cè)負(fù)離子時(shí)的簡(jiǎn)略截面圖。圖4是其它實(shí)施例的簡(jiǎn)略截面圖。圖5(A)是另一其它實(shí)施例的簡(jiǎn)略截面圖，圖5(B)是圖5(A)的右視圖。圖6是另一實(shí)施例的簡(jiǎn)略截面圖。圖7是擴(kuò)展強(qiáng)度測(cè)量范圍實(shí)施例的方框圖。圖8是圖7中的裝置的動(dòng)作的流程圖。圖9是另一個(gè)擴(kuò)展強(qiáng)度測(cè)量范圍實(shí)施例的方框圖。圖10是已有探測(cè)器的示例的簡(jiǎn)略截面圖。圖11是采用氣體色譜-質(zhì)譜學(xué)中質(zhì)量生成物制圖法所得到的數(shù)據(jù);圖中(A)是用已有探測(cè)器得出的，圖中(B)是用本發(fā)明實(shí)施例之一得出的。
圖中標(biāo)號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明14-作為倍增器的二次電子倍增管16，18-偏向板22-閃爍器
24-金屬膜28-光導(dǎo)管30-光電倍增管43-離子-電子轉(zhuǎn)換器
權(quán)利要求
1.帶電粒子探測(cè)器，其特征在于具有將入射粒子轉(zhuǎn)換為二次電子并對(duì)該二次電子進(jìn)行放大的倍增器和將由這個(gè)倍增器的末級(jí)二極管或輸出端口發(fā)出的二次電子轉(zhuǎn)換為光信號(hào)的閃爍器，以及能接收由該閃爍器發(fā)出的光信號(hào)的光電倍增管。
2.權(quán)利要求
1的帶電粒子探測(cè)器的特征為在上述的閃爍器的表面上生成了一層金屬膜，在該金屬膜上加有電壓，以便將由上述的倍增器的末級(jí)二極管或輸出端口產(chǎn)生的二次電子加速，并將這些電子引入閃爍器。
3.權(quán)利要求
1或2中所述的帶電粒子探測(cè)器的特征為在上述的倍增器的輸入端口裝有將入射粒子引入倍增器的偏向板。
4.權(quán)利要求
1，2或3中所述的帶電粒子探測(cè)器的特征為在上述的倍增器的末級(jí)二極管或輸出端口與上述的閃爍器之間裝有偏向板，以便將由上述的倍增器的末級(jí)二級(jí)管或輸出端口發(fā)出的二次電子引入上述的閃爍器。
5.權(quán)利要求
1，2，3或4中所述的帶電粒子探測(cè)器的特征為在上述的閃爍器與光電倍增管之間裝有光導(dǎo)管。
6.權(quán)利要求
1，2，3，4或5中所述的帶電粒子探測(cè)器的特征為上述的倍增器與上述的閃爍器是合為一體的。
7.權(quán)利要求
1，2，3，4或5中所述的帶電粒子探測(cè)器的特征為上述的倍增器、上述的閃爍器以及上述的光電倍增管是合為一體的。
8.權(quán)利要求
1，2，3，4，5，6或7中所述的帶電粒子探測(cè)器的特征為上述的倍增器是被屏蔽起來(lái)的。
9.權(quán)利要求
1，2，3，4，5，6，7或8中所述的帶電粒子探測(cè)器的特征為可以利用改變加在上述的倍增器和/或加在上述的閃爍器上的電壓的方法，擴(kuò)展強(qiáng)度測(cè)量范圍。
10.權(quán)利要求
1，2，3，4，5，6，7，8或9中所述的帶電粒子探測(cè)器的特征為在上述的倍增器的輸入端口裝有離子一電子轉(zhuǎn)換器，將射向倍增器的入射粒子轉(zhuǎn)換為電子。
專利摘要
本發(fā)明的探測(cè)器可被用作質(zhì)譜儀等儀器中，用來(lái)探測(cè)正、負(fù)離子。本發(fā)明探測(cè)器的特征在于具有把入射粒子轉(zhuǎn)變?yōu)槎坞娮硬?duì)其進(jìn)行放大的倍增器和把該倍增器的末級(jí)二級(jí)管或輸出端發(fā)出的二次電子轉(zhuǎn)換成光信號(hào)的閃爍器，和能接收該閃爍器發(fā)出的光信號(hào)的光電倍增管。本發(fā)明的探測(cè)器能減小噪聲，提高信噪比并增加靈敏度。
文檔編號(hào)G01N30/72GK87100772SQ87100772
公開(kāi)日1988年8月31日 申請(qǐng)日期1987年2月21日
發(fā)明者竹田武弘, 藏谷雄一, 島津光三, 洼寺俊也, 御石浩三 申請(qǐng)人:株式會(huì)社島津制作所導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan