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用于磁力監(jiān)視系統(tǒng)的磁致伸縮元件的制作方法

文檔序號:6134459閱讀:181來源:國知局
專利名稱:用于磁力監(jiān)視系統(tǒng)的磁致伸縮元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁力(magnetomechanical)物品監(jiān)視系統(tǒng),更具體地涉及用于這種系統(tǒng)的非晶態(tài)金屬合金磁致伸縮元件。
背景技術(shù)
授予Anderson等人的美國專利No.4,510,489公開了一種磁力電子物品監(jiān)視(EAS)系統(tǒng),其中與磁致伸縮激活元件結(jié)合在一起的標(biāo)記被固定在物品上以防止被盜竊。激活元件由軟磁性材料構(gòu)成,且標(biāo)記中還包括控制元件,該控制元件被偏磁化或磁化到預(yù)定程度,以提供可使激活元件以預(yù)定頻率機(jī)械諧振的偏磁場。通過以預(yù)定諧振頻率產(chǎn)生交變磁場的詢問信號產(chǎn)生裝置對標(biāo)記進(jìn)行檢測,并由接收裝置檢測機(jī)械諧振造成的信號。
根據(jù)在Anderson等人的發(fā)明中公開的一個實施方案,詢問信號被通斷,或“脈動”,并在對每個詢問脈沖信號進(jìn)行檢測后,由激活元件產(chǎn)生“振鈴”信號。
通常,通過對控制元件消磁處理可使磁力標(biāo)記去激活。從而從激活元件上去除偏磁場,由此造成激活元件諧振頻率的大量偏移。
Anderson等人的專利公開了許多可用作激活元件的材料,還描述了用于處理這些材料的技術(shù)。被公開的技術(shù)包括在飽和磁場中對非晶態(tài)材料進(jìn)行熱處理(退火)。Anderson等人的專利的公開內(nèi)容在此引作參考。
授予Martis的美國專利No.5,252,144進(jìn)一步公開了適合用于磁力EAS標(biāo)記的激活元件的材料,以及用于材料的退火工藝(不施加磁場)。
上面引述的共同未決申請′651公開了一種工藝,其中在有飽和橫磁場的前提下對批量非晶態(tài)金屬合金的預(yù)切條帶進(jìn)行退火處理。得到的退火條帶適于用作磁力標(biāo)記激活元件的材料,且振鈴性能有提高,這種性能可改善脈動磁力EAS系統(tǒng)的行為。而且,獲得的激活元件的磁滯回線特性可消除或減少因在諧波EAS系統(tǒng)中暴露而產(chǎn)生的錯誤警報。在′651申請中公開的工藝可制作在長度方向較扁平的激活元件,從而可以制作結(jié)合在這種激活元件上的非常薄的標(biāo)記。上述序列號為08/269,651的申請的公開內(nèi)容在此引作參考。
上面引述的共同未決申請′757公開了′651申請中技術(shù)的一種用途,其中,采用了連續(xù)工藝,使非晶態(tài)金屬合金的連續(xù)條帶以卷軸傳遞方式逐次通過爐子,在爐中進(jìn)行橫向磁場退火。然后,退火結(jié)束后把連續(xù)條帶切成分離的條帶。這種連續(xù)退火工藝克服了將預(yù)切條帶送入送出爐子時的不便。
在共同未決的申請′651和′757中公開的技術(shù)代表了對現(xiàn)有技術(shù)的改進(jìn)。但是,仍需對這兩個共同未決申請的內(nèi)容進(jìn)一步改進(jìn)以提供用于具有諧振頻率的EAS標(biāo)記的激活元件,該元件對偏磁場的波動相對地不敏感。
根據(jù)本發(fā)明提供一種用于磁力物品監(jiān)視標(biāo)記的磁致伸縮元件,其中該元件是通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的,該合金包含鐵和原子百分比為約5-45%的鈷。
還有,根據(jù)本發(fā)明提供一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)的標(biāo)記,其中包含通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的磁致伸縮條帶,該合金包含鐵和原子百分比為約5-45%的鈷。
還有,根據(jù)本發(fā)明提供一種磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),包括在詢問區(qū)產(chǎn)生以選定頻率交變的電磁場的產(chǎn)生裝置;標(biāo)記,其中包含通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的磁致伸縮條帶,和當(dāng)暴露在交變磁場中時使磁致伸縮條帶機(jī)械諧振的偏壓元件,該合金包含鐵和原子百分比為約5-45%的鈷;以及用來檢測所述磁致伸縮條帶的所述機(jī)械諧振的檢測裝置。
根據(jù)本發(fā)明提供具有平坦卷軸廓且不易于在諧波EAS系統(tǒng)中產(chǎn)生錯誤警報的EAS標(biāo)記激活元件。根據(jù)本發(fā)明提供的EAS標(biāo)記激活元件對所施加的偏磁場的波動的不敏感性提高。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供一種用于電子物品監(jiān)視系統(tǒng)的標(biāo)記的制造方法,包含如下步驟對非晶態(tài)金屬合金在施加與條帶長度方向相交的橫磁場的情況下進(jìn)行第一次退火,使得第一次退火結(jié)束后,當(dāng)條帶暴露在以諧振頻率交變的磁場中時,條帶產(chǎn)生機(jī)械諧振,且諧振頻率隨偏磁場的變化而變化,該方法進(jìn)一步包括此后在沒有飽和磁場的情況下對條帶進(jìn)行第二次退火的步驟,以減小諧振頻率隨偏磁場變化而變化的比率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)的標(biāo)記的制造方法,包括步驟在飽和磁場下對磁致伸縮材料條帶進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)的磁致伸縮元件的制造方法,包括步驟提供非晶態(tài)金屬的連續(xù)條帶;傳送該非晶態(tài)合金連續(xù)條帶通過一退火區(qū),在該退火區(qū)中對非晶態(tài)金屬合金加熱并施加飽和磁場以對連續(xù)合金帶進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火;以及在傳送和第二次退火后,將退火帶切割成具有預(yù)定長度的分離的條帶。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)的磁致伸縮元件的制造方法,包括步驟提供非晶態(tài)金屬的連續(xù)條帶;傳送該非晶態(tài)合金連續(xù)條帶通過一退火區(qū),在該退火區(qū)中對非晶態(tài)金屬合金加熱并施加飽和磁場以對連續(xù)合金帶進(jìn)行第一次退火,然后將退火帶切割成具有預(yù)定長度的分離的條帶,以及在沒有飽和磁場的情況下對分離條帶進(jìn)行第二次退火。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種用于對非晶態(tài)合金的連續(xù)條帶進(jìn)行退火的設(shè)備,包括爐子;磁場元件,該磁場元件形成的磁場使得在整個第一區(qū)A基本上都有磁場,而爐中的第二區(qū)B基本上沒有磁場;以及將連續(xù)條帶傳送通過爐的第一區(qū)和第二區(qū)的傳送機(jī)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的上一方面,傳送裝置對連續(xù)條帶朝著第二區(qū)傳送通過第一區(qū)。仍然根據(jù)本發(fā)明的這一方面,該設(shè)備包括位于爐一側(cè)的供應(yīng)卷軸,連續(xù)條帶從該供應(yīng)卷軸上展開以送入爐中;位于爐中與供應(yīng)卷軸相對側(cè)的收卷卷軸,連續(xù)條帶通過爐后被收卷在該收卷卷軸上。
而且,傳送機(jī)構(gòu)可包括都位于爐和收卷卷軸之間的絞盤和夾緊卷軸,連續(xù)條帶置于絞盤和夾緊卷軸之間,并被絞盤沿從供應(yīng)卷軸到收卷卷軸的方向驅(qū)動。而且,形成磁場的磁場元件的方向與通過爐的方向相交,在爐內(nèi)形成的磁場至少為800Oe。還有,連續(xù)條帶(strip)可以是連續(xù)帶(ribbon)的形式,設(shè)備可進(jìn)一步包括位于爐中的固定裝置,帶被拉拔通過固定裝置,被賦予所期望的橫截面形狀。另外,固定裝置也可具有平坦導(dǎo)引夾面,以賦予帶基本平坦的橫截面形狀。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,還提供用于對非晶態(tài)合金的連續(xù)條帶進(jìn)行退火的一種設(shè)備,包括形成第一加熱區(qū)的元件;形成整個第一加熱區(qū)上基本上都有的磁場的磁場元件;形成其上基本上無磁場的第二加熱區(qū)的元件;以及將連續(xù)條帶傳送依次通過第一區(qū)和第二區(qū)的傳送機(jī)構(gòu)。形成第一加熱區(qū)的元件可以是第一爐子,形成第二加熱區(qū)的元件可是以與第一爐子不同的第二爐子。另外,也可以采用包含形成第一加熱區(qū)的元件和形成第二加熱區(qū)的元件的一個爐子。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供一種用于磁力電子物品監(jiān)視標(biāo)記的磁致伸縮元件,該元件是通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的。進(jìn)行第二次退火的條件可以是溫度為450℃以下,時間是≤5分鐘。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供一種用于磁力電子物品監(jiān)視標(biāo)記的磁致伸縮元件,該元件是通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火,然后,把兩次退火后的連續(xù)條帶切成分離的條帶而形成的。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供一種用于磁力電子物品監(jiān)視系統(tǒng)的標(biāo)記,該元件包括通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的分離的非晶態(tài)磁致伸縮條帶。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)的標(biāo)記,該元件包括通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火,并將兩次退火后的連續(xù)條帶切割而形成的分離的非晶態(tài)磁致伸縮條帶。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供一種磁力電子物品監(jiān)視系統(tǒng),包括在詢問區(qū)產(chǎn)生以選定頻率交變的電磁場的產(chǎn)生電路,該產(chǎn)生電路包括產(chǎn)生線圈;固定在待通過詢問區(qū)的物品上的標(biāo)記,該標(biāo)記包含通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的磁致伸縮元件,該標(biāo)記還包括與磁致伸縮元件相鄰的偏磁元件,該偏磁元件暴露在交變磁場中時使磁致伸縮元件產(chǎn)生機(jī)械諧振;以及用來檢測所述磁致伸縮條帶的所述機(jī)械諧振的檢測裝置。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供一種磁力電子物品監(jiān)視系統(tǒng),包括在詢問區(qū)產(chǎn)生以選定頻率交變的電磁場的產(chǎn)生電路,該產(chǎn)生電路包括產(chǎn)生線圈;固定在待通過詢問區(qū)的物品上的標(biāo)記,該標(biāo)記包含通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火,并將兩次退火后的連續(xù)條帶切割而形成的分離的條帶而形成的磁致伸縮元件,該標(biāo)記還包括與磁致伸縮元件相鄰的偏磁元件,該偏磁元件暴露在交變磁場中時使磁致伸縮元件產(chǎn)生機(jī)械諧振;以及用來檢測所述磁致伸縮條帶的所述機(jī)械諧振的檢測電路。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)的標(biāo)記,該標(biāo)記包括非晶態(tài)磁致伸縮元件和與之相鄰的偏磁元件,該磁致伸縮元件的具有的磁滯回線特性使得在交變磁場中磁致伸縮元件不產(chǎn)生大的可檢測到的諧波頻率,該磁致伸縮元件還具有在偏磁場為5-7Oe時小于700Hz/Oe的諧振頻率—偏磁場斜率。還根據(jù)本發(fā)明的這一方面,在偏磁場為5-7Oe時,諧振頻率/偏磁場斜率可以是小于500Hz/Oe。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)的標(biāo)記,該標(biāo)記包括磁致伸縮元件,該磁致伸縮元件在偏磁場為5-7Oe時,諧振頻率—偏磁場斜率小于700Hz/Oe,該標(biāo)記的總厚度為小于0.065英寸。
仍然根據(jù)本發(fā)明的這一方面,磁致伸縮元件的諧振頻率—偏磁場斜率小于500Hz/Oe,該標(biāo)記的總厚度為小于0.030英寸,可以為0.005英寸左右。
通過下面的對本發(fā)明優(yōu)選實施方案的詳述,本發(fā)明的其它目的、優(yōu)點和應(yīng)用將更加易見。
附圖簡述

圖1是根據(jù)本發(fā)明提供的處理設(shè)備的側(cè)視圖;圖2是圖1中設(shè)備的俯視圖;圖3是在圖1和圖2所示的處理設(shè)備中使用的卷繞固定裝置的立體圖;圖3A是可用于處理設(shè)備中的另一固定裝置的立體圖,它可以向在處理設(shè)備中處理的金屬帶賦予扁平的截面形狀;圖4示出在進(jìn)行過一次退火的非晶態(tài)金屬合金上施加的偏磁場變化時,諧振頻率的波動和輸出信號的大??;圖5示出在進(jìn)行過根據(jù)本發(fā)明的兩階段退火的非晶態(tài)金屬合金上施加的偏磁場變化時,諧振頻率的波動和輸出信號的大?。?br> 圖6示出在進(jìn)行過根據(jù)本發(fā)明工藝的另一實施例的非晶態(tài)金屬合金上施加的偏磁場變化時,諧振頻率的波動和輸出信號的大?。粓D7示出在非晶態(tài)金屬合金進(jìn)行兩步退火時第二步退火的溫度變化時,諧振頻率的波動和輸出信號的大小;圖8示出在非晶態(tài)金屬合金進(jìn)行兩步退火時第二步退火的溫度變化時,諧振頻率對偏磁場變化的敏感性和諧振頻率偏移總量;圖9示出在根據(jù)本發(fā)明工藝的另一實施例形成的非晶態(tài)金屬合金上施加的偏磁場變化時,諧振頻率的波動和輸出信號的大?。粓D10示出根據(jù)本發(fā)明上一實施例的工藝形成的金屬合金帶的M-H回線特性。
圖11是采用了磁力標(biāo)記的電子物品監(jiān)視系統(tǒng)的示意框圖,該標(biāo)記結(jié)合有根據(jù)本發(fā)明形成的激活元件;圖12示出實施例5的合金的消磁曲線;圖13是實施例5的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖14是實施例5的合金的A1時的幅度—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖15是實施例5的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—縱向磁場的關(guān)系圖;圖16是實施例5的合金的A1時的幅度—縱向磁場的關(guān)系圖;圖17是實施例6的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖18是實施例6的合金的A1時的幅度—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖19是實施例6的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—縱向磁場的關(guān)系圖;圖20是實施例6的合金的A1時的幅度—縱向磁場的關(guān)系圖;圖21是實施例7的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—第二階段退火溫度的關(guān)系圖22是實施例7的合金的A1時的幅度—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖23是實施例8的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖24是實施例8的合金的A1時的幅度—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖25是實施例8的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—縱向磁場的關(guān)系圖;圖26是實施例8的合金的A1時的幅度—縱向磁場的關(guān)系圖;圖27是實施例9的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖28是實施例9的合金的A1時的幅度—第二階段退火溫度的關(guān)系圖;圖29是實施例9的合金的諧振頻率斜率和諧振頻率偏移—縱向磁場的關(guān)系圖;圖30是實施例9的合金的A1時的幅度—縱向磁場的關(guān)系圖。
優(yōu)選實施方案詳述現(xiàn)在,首先參照圖1和2描述用于形成磁力EAS標(biāo)記的根據(jù)本發(fā)明的方法和設(shè)備,其中采用兩步退火工藝,該工藝可生產(chǎn)其諧振頻率對所施加的偏磁場的波動相對地不敏感的激活元件。應(yīng)當(dāng)指出,圖1是設(shè)備的側(cè)視圖,圖2是設(shè)備的俯視圖。
處理設(shè)備總是用圖號20表示。處理設(shè)備包括爐22、在爐22兩相對側(cè)設(shè)置的供應(yīng)卷軸24和收卷卷軸26。非晶態(tài)金屬的連續(xù)帶28從供應(yīng)卷軸24展開,沿途徑P傳送通過爐22,然后卷到收卷卷軸26上。帶28設(shè)置在使盤30和位于爐22和收卷卷軸26之間的夾緊卷軸32之間。依盤30和夾緊卷軸32相結(jié)合,沿途徑P拉引帶28通過爐22。
沿爐22設(shè)置永磁體陣列33以在爐22中產(chǎn)生磁場,該磁場方向與帶28的長軸方向相交??梢钥闯?,永磁體陣列33并不延伸到爐22的全長。而且,陣列33的設(shè)置使得爐22中的整個第一區(qū)A基本上都有磁場,而爐22中的第二區(qū)B基本上沒有磁體陣列33產(chǎn)生的磁場。區(qū)B相對于區(qū)A位于沿行進(jìn)途徑P的上游。
應(yīng)當(dāng)理解,磁陣列33相對于爐22的上述設(shè)置導(dǎo)致帶28經(jīng)受了兩步退火工藝,即第一步是在有橫向磁場的情況下對帶退火,而第二步是在沒有橫向磁場的情況下對帶28繼續(xù)退火。
由磁體陣列33產(chǎn)生的磁場應(yīng)當(dāng)足夠強(qiáng),使得在區(qū)A處形成的磁場對構(gòu)成帶28的材料來說是飽和的。根據(jù)所采用的材料,優(yōu)選的磁場最好是大于800Oe,要實現(xiàn)飽和磁場強(qiáng)度則需要大于1000Oe。
爐22可以是常規(guī)類型,最好具有使區(qū)A和B保持不同溫度的能力。分別根據(jù)第二步和第一步退火所需的時間確定帶28在第二區(qū)和第一區(qū)中的行程長度。每一步退火的時間是兩個參數(shù)(即在每個區(qū)的行程長度和帶28通過爐22的傳送速度)的商值。根據(jù)設(shè)備20的一個優(yōu)選設(shè)置,通過爐22的整個行程總長是約231.1cm。盡管在同一個爐子中設(shè)置區(qū)A(橫向磁場退火)和區(qū)B(第二階段退火,不加磁場)是最方便的,但是也可以考慮在第一個爐子中設(shè)置區(qū)A,在與第一爐分離并設(shè)置在其下游的第二爐中設(shè)置區(qū)B。
為了使帶28橫向卷曲,可以在爐22中選擇性地設(shè)置卷繞固定裝置34。從圖3可以清楚地看出,固定裝置34具有卷曲表面36,該表面在橫向方向上從低升高并又降低。如果有固定裝置34,可以放在爐22中的區(qū)A,沿區(qū)A長度方向基本上位于其中間。另外,固定裝置34也可以放在區(qū)B,或放在區(qū)A和區(qū)B之間。帶28沿長度方向受拉通過固定裝置34,在帶28通過固定裝置34時向其施加熱使帶28與曲面36共形,由此使帶28具有了橫向彎曲。處理的結(jié)果使得由帶28制作的切割條帶具有與其長度方向相交的與曲面36對應(yīng)的曲面。橫向彎曲的條帶可以減小或避免吸附作用,否則當(dāng)激活元件安裝在EAS標(biāo)記上靠近磁偏元件時就會產(chǎn)生這種作用。
如果使用了曲面36,最好它的曲面是浮凸的,使其在最凸處比帶28的橫向邊緣高0.0127-0.0254cm。
作為圖3所示的固定裝置34的替代物,還可提供其導(dǎo)引面37是平坦面而非曲面的固定裝置34′(見圖3A),從而獲得的激活元件具有從帶28切割的基本平坦的截面。如上述′651申請中所述,在平坦表面上對材料退火可以消除激活元件在長度方向上的彎曲,從而可以減小EAS標(biāo)記的總高度。
分別為供應(yīng)卷軸24和收卷卷軸26設(shè)置卷軸馬達(dá)(未示出)。使收卷卷軸的馬達(dá)開動以把帶28從該盤30和夾緊卷軸32以很小或沒有松馳和一定量的張力收卷起來,還要使供應(yīng)卷軸的馬達(dá)開動以在通過爐22時減小帶28中的松馳和張力。可通過手動操作器或提供自動控制系統(tǒng)以控制卷軸馬達(dá)的運轉(zhuǎn)速度。
圖1和圖2所示的兩步退火工藝結(jié)束后,用常規(guī)方法把兩次退火后的連續(xù)條帶切成條帶。但是,由根據(jù)本發(fā)明的退火工藝獲得的磁學(xué)性能比傳統(tǒng)鑄態(tài)(as-cast)非晶態(tài)帶的性能更均勻,所以無須象切割鑄態(tài)非晶態(tài)帶時常要求的那樣需要測量材料的磁學(xué)性能和調(diào)整條帶的切割長度。
在敘述本發(fā)明的新穎的兩步退火工藝的應(yīng)用實例前,應(yīng)當(dāng)指出根據(jù)本發(fā)明的兩步退火不一定需要用連續(xù)工藝來進(jìn)行。換言之,無論是第二步退火,還是第一和第二步退火一起,都可以對預(yù)先切割的分離的條帶而不是連續(xù)帶施用。
下面描述本新穎工藝的特定實例。實施例1在飽和橫磁場中對成分為Fe32Co18Ni32Bi13Si5(原子比)的連續(xù)非晶態(tài)帶進(jìn)行400℃×22秒的退火。該帶寬約12.7mm,厚度約為0.025mm。在第一步(橫磁場)退火后,將帶切成長為37.75mm的條帶,并在另一分離的爐中保持靜止的位置進(jìn)行340℃×1分鐘的退火。在第二步退火時不加飽和磁場,但是由于地磁場的作用,在沿條帶的長度方向有大約為0.7Oe的環(huán)境磁場。
圖4示出在施加第二步退火之前,由第一步(橫磁場)退火獲得的切割條帶隨偏磁場變化的磁力特性。圖5示出由兩步工藝獲得的條帶的磁力特性—偏磁場關(guān)系圖。在圖4和圖5中實線曲線表示諧振頻率隨偏磁場的變化;短虛線曲線表示在詢問信號脈沖的緊靠末端的位置的輸出信號幅度隨偏磁場的變化;圓點虛線曲線表示在詢問信號脈沖末端后的1毫秒時的輸出信號的幅度隨偏磁場的變化;點劃線曲線表示在詢問信號脈沖末端后的2毫秒時的輸出信號幅度隨偏磁場的變化。
(在詢問信號脈沖末端和之后顯示出的輸出信號幅度有時被稱為“振鈴”幅度)如圖4所示,對于只進(jìn)行了橫磁場退火的切割條帶,諧振頻率—偏磁場曲線(實線)在點5Oe和7Oe之間的斜率為約700Hz/Oe。該斜率標(biāo)志著諧振頻率對偏磁場導(dǎo)致變化過分敏感。這種程度的敏感性會導(dǎo)致采用單步退火的激活元件的標(biāo)記的不可靠行為。特別是,由于地磁場的作用隨標(biāo)記的方向而變化,標(biāo)記方向的變化會導(dǎo)致有效的施加的偏磁場的變化,在某些情況下這些變化足以使諧振頻率偏離磁力EAS檢測裝置的預(yù)定工作頻率。
應(yīng)當(dāng)指出,當(dāng)偏磁場從6Oe降到1Oe時,一次退火后的切割條帶的頻率偏移為約2.3kHz,而在施加的偏磁場為6Oe時,詢問信號脈沖后1毫秒的振鈴幅度為約310mV。盡管與在上述參考文獻(xiàn)′651申請中描述的富鈷材料(Fe39.5Co39.5Si2B19)相比,一次退火切割條帶的偏移的輸出幅度特性是令人滿意的,而諧振頻率—偏磁場曲線斜率也更合適,但是對于可靠的操作來說,諧振頻率對偏磁場變化的敏感性還是太大了。但是,如圖5所示,兩次退火后的切割條帶的特性中,在頻率偏移和輸出幅度特征略有下降(可接受的下降)的情況下,諧振頻率—偏磁場曲線的斜率顯著減小。具體地,在兩次退火的條帶中,點5Oe和7Oe之間的斜率減小為約420Hz/Oe。偏磁場從6Oe降至1Oe時頻率偏移為約2.0kHz,偏磁場為6Oe時,1毫秒時的振鈴幅度為275mV。
可以相信,在只有很小的環(huán)境磁場下進(jìn)行第二步退火,有助于在某種程度上分散經(jīng)橫磁場退火獲得的相當(dāng)規(guī)則的磁疇界,從而減小材料的諧振頻率隨偏磁場變化的敏感性。因此,當(dāng)被結(jié)合用作脈沖磁力EAS標(biāo)記的激活元件時,盡管有效的施加的偏磁場有不可避免的變化,二次退火的材料仍能表現(xiàn)出可以接受的可靠度。實施例2對與實施例1相同的材料采用同樣的工藝,不同之處在于第二次退火的時間是2分鐘而不是1分鐘。圖6示出兩次退火后的切割條帶的磁力特性,其中圖6的四條曲線的每一條都分別表示與圖5相同的特性。應(yīng)當(dāng)指出,在該實施例中第二步退火的時間增加造成諧振頻率—偏磁場曲線的斜率更加平緩,點5Oe和7Oe之間的斜率大約為350Hz/Oe。當(dāng)偏磁場從6Oe降至1Oe時頻率偏移減小至1.7kHz,偏磁場為6Oe時的1毫秒振鈴幅度基本不變,為280mV。實施例3對具有與實施例1描述的相同的成分和尺寸的連續(xù)條帶,用上面結(jié)合圖1和2所述的連續(xù)工藝設(shè)備進(jìn)行兩步退火。連續(xù)帶28在區(qū)A(橫磁場退火區(qū))的行程是1524cm,在區(qū)B(第二步退火,不施加磁場)的行程是78.7cm。連續(xù)帶28以每秒7cm的速度傳送,使得在第一步(橫磁場)退火的時間約為21秒。在第二步(無磁場)退火時的時間約為11秒。行程路徑P基本上是平行于東-西方向,以致于在區(qū)B真正不會有縱向的環(huán)境磁場。區(qū)A的溫度固定在380℃,但區(qū)B的溫度在320-400℃內(nèi)變化以獲得不同條件的多個試樣。進(jìn)行兩步連續(xù)退火后把連續(xù)條帶切成分離的條帶(長37.75mm)。
在圖7中,空心圓圈表示在每一個第二步退火溫度下(偏磁場為5.5Oe)獲得的諧振頻率值,實心方塊表示在第一個第二步退火溫度下(偏磁場為5.5Oe)獲得的1毫秒振鈴幅度。圖8中,空心圓圈表示諧振頻率—偏磁場的關(guān)系特性,而實心方塊表示在不同的第二步退火溫度下(當(dāng)偏磁場從6Oe降至1Oe時)的諧振頻率偏移。
如圖7所示,當(dāng)?shù)诙酵嘶鸬臏囟却笥?40℃時,5.5Oe的諧振頻率下降。當(dāng)該溫度大于360℃時,1毫秒振鈴幅度(也是在5.5Oe時)下降。圖8表明(點5-7Oe之間的)諧振頻率1偏磁場的斜率和(從6到1Oe的)頻率總偏移量如何隨第二步退火溫度變化。具體地講,當(dāng)?shù)诙酵嘶饻囟葟?20℃升至400℃,斜率從約610-650Hz/Oe降至約230Hz/Oe。頻率偏移量先是上升,當(dāng)?shù)诙酵嘶饻囟却笥?60℃時又下降。在第二步退火溫度為380℃時獲得最滿意的諧振頻率偏磁場斜率和頻率總偏移量的折衷值。此時的性能值分別為1毫秒振鈴幅-263mV,諧振頻率/偏磁場斜率-488Hz/Oe,頻率偏移量-1.970kHz。實施例4采用與實例3相同的材料和相同的兩步退火設(shè)備。合金帶傳送速度減少約1/2,并采用如下的退火參數(shù)值第一(橫磁場)步-43秒,380℃;第二(無磁場)步-22秒,360℃。在如上述實施例那樣地把兩步退火的連續(xù)帶切割成分離的條帶之后,獲得如9所示的特性值。圖9所示的四條曲線分別表示與上面討論的圖5和圖6相同的特性。應(yīng)當(dāng)指出在點5Oe和7Oe之間的諧振頻率/偏磁場曲線的斜率為約430Hz/Oe,偏磁場為6Oe時的1毫秒振鈴幅度為290mV,偏磁場從6Oe降至1Oe時的頻率偏移量為1.830kHz。獲得的兩步退火的切割條帶材料的M-H滋滯回線特性示于圖10。
可以看出,在接近原點時,M-H回線有些張開,這說明被處理的材料從某種程度上易于在諧波EAS系統(tǒng)中產(chǎn)生錯誤警報,盡管與采用鑄態(tài)(即,未退火)激活元件的常規(guī)磁力標(biāo)記相比,這種程度已經(jīng)減小。
在上述各實施例中,采用了成分相同的材料,但是,如果采用其它成分的具有5-45%原子比的鈷的材料,只要該材料也包含較大比例的鎳,相信也可以獲得滿意的結(jié)果。
而且,盡量在第二步退火中除了地磁場造成的環(huán)境磁場外不提供任何磁場是優(yōu)選的情況,但如果第二退火步驟中在連續(xù)帶或分離的條帶的長度方向上提供的磁場小于5Oe,相們也可以獲得滿意的結(jié)果。
而且還相信,如果第二步退火的溫度大于450℃或時間小于5分鐘,就不能獲得滿意的結(jié)果。
如上所述,此處公開的兩步退火工藝,尤其是在第一步飽和橫磁場退火之后,在基本不加磁場的情況下提供的第二退火步驟,可以制作其諧振頻率不會對偏磁場的微小變化過分敏感的用于磁力EAS標(biāo)記的激活元件。同時,以這種方式制造的激活元件對頻率總偏移和振鈴信號幅度來說也具有令人滿意的特性。而且制作的激活元件可以具有平坦卷軸廓和不易于在諧波EAS系統(tǒng)中產(chǎn)生錯誤警報。
圖11示出應(yīng)用了磁標(biāo)記100的脈沖詢問EAS系統(tǒng),該標(biāo)記100中結(jié)合了根據(jù)本發(fā)明制作的激活元件。圖11所示的系統(tǒng)包括同步電路200,它控制激勵電路201和接收電路202的動作。同步電路200向激勵電路201發(fā)出同步門脈沖,同步門脈沖激勵激勵電路201。供電能電路201被激勵后產(chǎn)生并在同步脈沖的時間內(nèi)向詢問線圈206發(fā)出詢問信號。響應(yīng)于該詢問信號,詢問線圈206產(chǎn)生詢問磁場,該磁場又激勵標(biāo)記100產(chǎn)生機(jī)械共振。
詢問信號脈沖結(jié)束后,同步電路200向接收電路202發(fā)送門脈沖,這一后門脈沖激勵電路202。在電路202被激勵的期間,如果在詢問磁場中具有標(biāo)記,該標(biāo)記將以標(biāo)記的機(jī)械共振頻率在接收電路202中產(chǎn)生信號。該信號被接收器202檢測,接收器202響應(yīng)于該檢測信號產(chǎn)生送往顯示器203的信號以產(chǎn)生警報之類。簡言之,接收器電路202與激勵電路201同步,使得接收電路202只在脈動詢問磁場的脈沖之間的平靜期內(nèi)激活。實施例5 Fe32.91Ni31.46Co17.98B12.67Si4.98(其中下標(biāo)是原子百分比)用上述的卷軸傳遞法對成分為Fe32.91Ni31.46Co17.98B12.67Si4.98(下標(biāo)為原子百分比)、尺寸為約12.7mm寬和約25μm厚的非晶態(tài)連續(xù)帶進(jìn)行退火(第一階段退火)。退火條件是390℃×7.5秒,然后在沿帶的寬度施加1200Oe的磁場的情況下,200℃×5秒。將帶切成長為約37.75mm的樣品條帶。用安裝有發(fā)送和接收線圈的設(shè)備測量這些樣品的磁力反應(yīng)。圖12示出諧振頻率(Fr,以千赫為單位)和信號幅度(以微伏為單位)與沿樣品長度方向施加的偏磁場的關(guān)系。在信號從發(fā)射線圈發(fā)出0毫秒(A0)、1毫秒(A1)、2毫秒(A2)后測量信號幅度。獲得如下結(jié)果偏磁場為6.5Oe時,幅度A1是403mV,諧振頻率—偏磁場斜率是750Hz/Oe;偏磁場從6.5Oe到2Oe諧振頻率偏移為2.409kHz。
從本實施例5的經(jīng)過第一階段退火的帶上切取約37.75mm長的另一批試樣條帶,并在批量爐中繼續(xù)進(jìn)行退火,即進(jìn)行第二階段退火。然而,應(yīng)當(dāng)理解,第二階段退火也可以用卷軸傳遞工藝進(jìn)行,采用批量爐只是為了使試驗更容易。圖13是6.5Oe時的諧振頻率斜率(單位是Hz/Oe)和從6.5Oe到2Oe時的諧振頻率偏移量隨第二階段退火溫度(單位是℃)的變化關(guān)系。磁場是0Oe,退火時間是1分鐘。從圖13可看出,隨退火溫度升高,揩振頻率斜率減小,并在320℃時具有最小值。諧振頻率偏移也具有相同的趨勢即隨第二階段的退火溫度增加而減小并在320℃時具有最小值。圖14表示6.5Oe時,在發(fā)射線圈斷開1毫秒時的試樣的信號幅度A1(單位mV)隨第二階段退火溫度(單位℃)的變化關(guān)系。
把相同的本實施例5的第一階段退火后的材料切成長約37.75mm的試樣條帶。把這些條帶在360℃下退火1分鐘,退火時沿試樣長度施加不同強(qiáng)度的縱向磁場。圖15示出諧振頻率(Fr)斜率(單位Hz/Oe)和諧振頻率偏移(單位kHz)隨所加磁場(單位Oe)的變化關(guān)系。從圖15可看出,當(dāng)縱向磁場在0-1.2Oe范圍內(nèi)增加時,諧振頻率斜率和諧振頻率偏移都減小。圖16示出的試驗結(jié)果表明在0-1.2Oe的磁場范圍內(nèi)幅度A1,即發(fā)射線圈斷開后1毫秒后的信號幅度有明顯的變化。實施例6 Fe40.87Co40.61B13.40Si5.12(其中下標(biāo)是原子百分比)用實施例5中描述的方法對成分為Fe40.87Co40.61B13.40Si5.12(下標(biāo)為原子百分比)、尺寸為約10mm寬和約25μm厚的非晶態(tài)連續(xù)帶進(jìn)行退火(第一階段退火)。退火條件是380℃×7.5秒,然后,200℃×5秒。將帶切成長為約37.75mm的樣品條帶。然后,把這些條帶在300~400℃下退火1分鐘,退火時沿試樣長度施加0.8Oe的縱向磁場。用如實施例5中描述的設(shè)備測量這些樣品的磁力反應(yīng)。圖17是6.5Oe時的諧振頻率斜率(單位是Hz/Oe)和從6.5Oe到2Oe時的諧振頻率偏移量隨第二階段退火溫度(單位是℃)的變化關(guān)系。從圖17可看出,隨退火溫度升高,諧振頻率斜率和諧振頻率偏移減小,并在380℃時具有最小值。圖18表示6.5Oe時,在發(fā)射線圈斷開1毫秒時的試樣的信號幅度A1(單位mV)隨第二階段退火溫度(單位℃)的變化關(guān)系。
把相同的本實施例6的第一階段退火后的材料切成長約37.75mm的試樣條帶。把這些條帶在360℃下退火1分鐘,退火時沿試樣長度施加不同強(qiáng)度的縱向磁場。圖19示出諧振頻率斜率(單位Hz/Oe)和諧振頻率偏移(單位kHz)隨所加磁場(單位Oe)的變化關(guān)系。圖20表示6.5Oe時,在發(fā)射線圈斷開1毫秒時的試樣的信號幅度A1(單位mV)隨所加磁場(單位Oe)變化的試驗結(jié)果。
實施例7 Fe37.85Ni30.29Co15.16B15.31Si1.39(下標(biāo)為原子百分比)用與實施例5中相似的方法對成分為Fe37.85Ni30.29Co15.16B15.31Si1.39、尺寸為約6mm寬和約25μm厚的非晶態(tài)連續(xù)帶進(jìn)行退火。退火條件是405℃×7.5秒,然后200℃×5秒。將帶切成長為約37.75mm的樣品條帶。然后,把這些條帶在300~400℃下退火1分鐘,退火時沿試樣長度施加0.8Oe的縱向磁場。用如實施例5中描述的設(shè)備測量這些樣品的磁力反應(yīng)。圖21是6.5Oe時的諧振頻率斜率(單位是Hz/Oe)和從6.5Oe到2Oe時的諧振頻率偏移量隨第二階段退火溫度(單位是℃)的變化關(guān)系。圖22表示6.5Oe時,在發(fā)射線圈斷開1毫秒時的試樣的信號幅度A1(單位mV)隨第二階段退火溫度(單位℃)的變化關(guān)系。
實施例8 Fe38.38Ni29.06Co16.10B14.89Si1.57(其中下標(biāo)是原子百分比)用與實施例5中相似的方法對成分為Fe38.38Ni29.06Co16.10B14.89Si1.57(下標(biāo)為原子百分比)、尺寸為約6mm寬和約25μm厚的非晶態(tài)連續(xù)帶進(jìn)行退火。退火條件是400℃×7.5秒,然后,200℃×5秒。將帶切成長為約37.75mm的樣品條帶。然后,把這些條帶在300~400℃下退火1分鐘,退火時沿試樣長度施加0.8Oe的縱向磁場。用如實施例5中描述的設(shè)備測量這些樣品的磁力反應(yīng)。圖23是6.5Oe時的諧振頻率斜率(單位是Hz/Oe)和從6.5Oe到2Oe時的諧振頻率偏移量隨第二階段退火溫度(單位是℃)的變化關(guān)系。圖24表示6.5Oe時,在發(fā)射線圈斷開1毫秒時的試樣的信號幅度A1(單位mV)隨第二階段退火溫度(單位℃)的變化關(guān)系。
把相同的本實施例8的第一階段退火后的材料切成長約37.75mm的試樣條帶。把這些條帶在360℃下退火1分鐘,退火時沿試樣長度施加不同強(qiáng)度的縱向磁場。圖25示出諧振頻率(Fr)斜率(單位Hz/Oe)和諧振頻率偏移(單位kHz)隨所加磁場(單位Oe)的變化關(guān)系。圖26表示6.5Oe時,在發(fā)射線圈斷開1毫秒時的試樣的信號幅度A1(單位mV)隨所加磁場(單位Oe)的變化關(guān)系。
實施例9 Fe42.62Ni30.20Co11.87B14.14Si1.17(其中下標(biāo)是原子百分比)用實施例5中描述的方法對成分為Fe38.38Ni29.06Co16.10B14.89Si1.57(下標(biāo)為原子百分比)、尺寸為約6mm寬和約25mm厚的非晶態(tài)連續(xù)條帶進(jìn)行退火。退火條件是360℃×7.5秒,然后,200℃×5秒。將帶切成長為約37.75mm的樣品條帶。然后,把這些條帶在300~400℃下退火1分鐘,退火時沿試樣長度施加0.8Oe的縱向磁場。用如實施例5中描述的設(shè)備測量這些樣品的磁力反應(yīng)。圖27是6.5Oe時的諧振頻率斜率(單位是Hz/Oe)和從6.5Oe到2Oe時的諧振頻率偏移量隨第二階段退火溫度(單位是℃)的變化關(guān)系。圖28表示6.5Oe時,在發(fā)射線圈斷開1毫秒時的試樣的信號幅度A1(單位mV)隨第二階段退火溫度(單位℃)的變化關(guān)系。
把相同的本實施例9的第一階段退火后的材料切成長約37.75mm的試樣條帶。把這些條帶在360℃下退火1分鐘,退火時沿試樣長度施加不同強(qiáng)度的縱向磁場。圖29示出諧振頻率斜率(單位Hz/Oe)和諧振頻率偏移(單位kHz)隨所加磁場(單位Oe)的變化關(guān)系。圖30表示6.5Oe時,在發(fā)射線圈斷開1毫秒時的試樣的信號幅度A1(單位mV)隨所加磁場(單位Oe)的變化關(guān)系。
本發(fā)明的磁致伸縮元件比現(xiàn)有技術(shù)中使用的常規(guī)材料如成分為Fe40Ni38Mo4B18的MetglasMB有顯著的進(jìn)步,其優(yōu)點在于本發(fā)明的磁致伸縮元件不僅諧振頻率的斜率小,而且可以做得更窄即6mm寬,而現(xiàn)有技術(shù)的材料是12.7mm寬,還可以制得平坦,由此提高了細(xì)線標(biāo)記的商業(yè)用途。
參考實施例,可以看出,由含有鐵和原子百分比約為12-41%的鈷并根據(jù)兩階段退火工藝進(jìn)行退火的合金制成的磁致伸縮元件具有較低的諧振頻率斜率,由此可提供諧振頻率隨偏磁場的變化穩(wěn)定性提高的磁致伸縮元件。基于這些結(jié)果,可以相信,含有鐵和原子百分比約為5-45%的鈷并根據(jù)兩階段退火工藝進(jìn)行退火的合金的諧振頻率隨偏場的變化具有較高的穩(wěn)定性。從實施例中還可看出,由含有鐵和原子百分比約為12-18的鈷并根據(jù)兩階段退火工藝進(jìn)行退火的合金制成的磁致伸縮元件的性能得以提高,即諧振頻率斜率可被控制在550Hz/Oe以下?;谏鲜鼋Y(jié)果可以相信,含有鐵和原子百分比約為10-25的鈷并根據(jù)兩階段退火工藝進(jìn)行退火的合金的性能得以提高。
在本發(fā)明的磁致伸縮元件的第二階段退火中,溫度優(yōu)選為約250-450℃,且退火時間為約0.05-5分鐘。第二階段退火在縱向磁場為0-約5Oe的情況下進(jìn)行。
在不脫離本發(fā)明的情況下可以對上述退火設(shè)備和上述實施作種種變更和修改。因此本發(fā)明的具體優(yōu)選方案都是示例性的,而不是限制性的。本發(fā)明的真正精神和范圍在下面的權(quán)利要求中提出。
權(quán)利要求
1.一種用于磁力物品監(jiān)視標(biāo)記的磁致伸縮元件,其中該元件是通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的,該合金包含鐵和原子百分比為約5-45%的鈷。
2.如權(quán)利要求1所述的磁致伸縮元件,其中所述飽和磁場是橫磁場。
3.如權(quán)利要求2所述的磁致伸縮元件,其中所述第二次退火在沒有縱向磁場的情況下進(jìn)行。
4.如權(quán)利要求3所述的磁致伸縮元件,其中所述縱向磁場是0-約5Oe的磁場。
5.如權(quán)利要求4所述的磁致伸縮元件,其中所述第二次退火在約250-450℃范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行,且退火時間是約0.05-5分鐘。
6.如權(quán)利要求1所述的磁致伸縮元件,其中鈷的含量是原子百分比約12-41%。
7.如權(quán)利要求6所述的磁致伸縮元件,其中鈷的含量是原子百分比約10-25%。
8.如權(quán)利要求7所述的磁致伸縮元件,其中鈷的含量是原子百分比約12-18%。
9.如權(quán)利要求5所述的磁致伸縮元件,其中鈷的含量是原子百分比約12-41%。
10.如權(quán)利要求5所述的磁致伸縮元件,其中鈷的含量是原子百分比約10-25%。
11.如權(quán)利要求4所述的磁致伸縮元件,其中鈷的含量是原子百分比約12-41%。
12.如權(quán)利要求5所述的磁致伸縮元件,其中鈷的含量是原子百分比約12-18%。
13.一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)的標(biāo)記,其中包含通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的磁致伸縮條帶,該合金包含鐵和原子百分比為約5-45%的鈷。
14.如權(quán)利要求13所述的標(biāo)記,其中所述飽和磁場是橫磁場。
15.如權(quán)利要求14所述的標(biāo)記,其中所述第二次退火在沒有縱向磁場的情況下進(jìn)行。
16.如權(quán)利要求15所述的標(biāo)記,其中所述縱向磁場是0-約5Oe的磁場。
17.如權(quán)利要求16所述的標(biāo)記,其中所述所述第二次退火在約250-450℃范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行,且退火時間是約0.05-5分鐘。
18.如權(quán)利要求13所述的標(biāo)記,其中鈷的含量是原子百分比約12-41%。
19.如權(quán)利要求18所述的標(biāo)記,其中鈷的含量是原子百分比約10-25%。
20.如權(quán)利要求19所述的標(biāo)記,其中鈷的含量是原子百分比約12-18%。
21.如權(quán)利要求17所述的標(biāo)記,其中鈷的含量是原子百分比約12-41%。
22.如權(quán)利要求17所述的標(biāo)記,其中鈷的含量是原子百分比約10-25%。
23.如權(quán)利要求17所述的標(biāo)記,其中鈷的含量是原子百分比約12-18%。
24.一種磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),包括(a)在詢問區(qū)產(chǎn)生以選定頻率交變的電磁場的產(chǎn)生裝置;(b)標(biāo)記,其中包含通過對非晶態(tài)金屬合金在飽和磁場下進(jìn)行第一次退火,然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的磁致伸縮條帶;以及當(dāng)暴露在交變磁場中時使磁致伸縮條帶機(jī)械諧振的偏壓元件,其中該合金包含鐵和原子百分比為約5-45%的鈷;(c)用來檢測所述磁致伸縮條帶的所述機(jī)械諧振的檢測裝置。
25.如權(quán)利要求24所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中所述飽和磁場是橫磁場。
26.如權(quán)利要求25所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中所述第二次退火在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行。
27.如權(quán)利要求26所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中所述縱向磁場是0-約5Oe的磁場。
28.如權(quán)利要求27所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中所述所述第二次退火在約250-450℃范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行,且退火時間是約0.05-5分鐘。
29.如權(quán)利要求24所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中鈷的含量是原子百分比約12-41%。
30.如權(quán)利要求29所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中鈷的含量是原子百分比約10-25%。
31.如權(quán)利要求30所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中鈷的含量是原子百分比約12-18%。
32.如權(quán)利要求28所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中鈷的含量是原子百分比約12-41%。
33.如權(quán)利要求28所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中鈷的含量是原子百分比約10-25%。
34.如權(quán)利要求28所述的磁力物品監(jiān)視系統(tǒng),其中鈷的含量是原子百分比約12-18%。
全文摘要
一種用于磁力物品監(jiān)視系統(tǒng)標(biāo)記的磁致伸縮元件,該元件是通過對非晶態(tài)金屬合金(28)在飽和磁場(33)下進(jìn)行第一次退火(22),然后在沒有飽和磁場的情況下進(jìn)行第二次退火而形成的,其中該合金包含鐵和原子百分比為約5—45%的鈷。
文檔編號G01V15/00GK1244939SQ97199062
公開日2000年2月16日 申請日期1997年10月22日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月22日
發(fā)明者劉嫩勤 申請人:傳感電子公司
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