專利名稱：測量防中子輻射材料屏蔽性能的裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及測量防中子輻射屏蔽材料的屏蔽性能的裝置。
至今我們還沒有看到有關(guān)防核輻射材料屏蔽性能的測量裝置的報道。目前，為了測試材料防中子輻射的屏蔽性能，需使用核反應堆，其缺陷是因反應堆不易搬動，故測試只能在反應堆上進行；因反應堆引出中子束的準直孔一般是不可變的，這樣就對被測材料的尺寸有一定限制；又因反應堆產(chǎn)生的中子輻射受多種因素影響，故其穩(wěn)定性差。
有鑒于此，本實用新型將提供一種測量防中子輻射屏蔽材料的屏蔽性能的裝置，它可測量中子注量、中子劑量的削弱系數(shù)。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種測量防中子輻射屏蔽材料屏蔽性能的裝置由石蠟堆、同位素中子源、中子源導管、內(nèi)準直器、外準直器、影錐體和探測器組成。所說同位素中子源裝在所說中子源導管內(nèi)并插于所說石蠟堆中；所說石蠟堆有一深及所說中子源導管的開口，該開口中安放帶中心通孔的內(nèi)準直器；所說外準直器的中間開通孔，其入口對準所說內(nèi)準直器的通孔，其出口可供所說影錐體的小徑端插入；所說探測器位于所說影錐體的大徑端之后。同位素中子源2為锎中子源。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作詳細描述。


圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖中所示，本實用新型由石蠟堆1、同位素中子源2、中子源導管3、內(nèi)準直器4、圓柱形外準直器6、影錐體7和探測器8組成。為了更好地屏蔽中子和γ輻射，石蠟堆采用兩層結(jié)構(gòu)內(nèi)層是重水泥；外層由石蠟加少量硼沙組成。锎中子源裝在中子源導管3內(nèi)并插于石蠟堆1中，石蠟堆有一深及中子源導管3的開口1′，該開口中安放帶中心通孔的內(nèi)準直器4，外準直器6的中間開通孔，其入口對準內(nèi)準直器4的通孔，其出口可供影錐體7的小徑端插入，探測器8則位于影錐體7的大徑端之后。內(nèi)準直器4和外準直器6均由石蠟加少量硼沙構(gòu)成。
石蠟準直器的長度不小于500mm，其形狀也可根據(jù)被測材料的形狀而制作，為便于搬運和操作，它可由若干可拆部件組成。
平時锎中子源放于中子源導管3的下部。測量時，將锎中子源提到內(nèi)準直器4的中心通孔處，將待測材料5緊置于內(nèi)準直器4的外側(cè)，依序置內(nèi)準直器4、外準直器6和探測器8于同一軸線上，此后由探測器8可測得無屏蔽材料和有屏蔽材料時的粒子計數(shù)值N0和N，復將影錐體7的小徑端插入外準直器的出口處，則又可測得無屏蔽材料和有屏蔽材料時的本底計數(shù)值N0b和Nb。這樣由下式便可計算出中子注量或劑量的削弱系數(shù)ff＝(N0－N0b)／(N－Nb)本實用新型的優(yōu)點是1.裝置采用同位素中子源，與反應堆、加速器產(chǎn)生的中子相比，具有輻射穩(wěn)定、操作簡便、不受許多因素影響等優(yōu)點，所以測量的準確度可大大提高；所采用的锎中子源和其它的同位素中子源相比，又有比活度高、γ射線少、中子能譜已知的優(yōu)點；2.安放在石蠟堆開口中的內(nèi)準直器4可取出，因此可選用不同孔徑的內(nèi)準直器來適應待測材料的尺寸；并且若在內(nèi)準直器中加上不同厚度的慢化劑(如石蠟)，就可得到不同能譜的中子輻射場，并可用理論計算方法較確切地知道慢化后的中子輻射能譜；3.由于待測材料與探測儀器之間裝有外準直器，因此可準確地扣除本底的影響，提高測量精度。
4.根據(jù)所選用的锎中子源的大小，按防護的要求，可適當選用石蠟堆的大小，這樣便于搬動石蠟堆以實現(xiàn)現(xiàn)場測試。
權(quán)利要求1.一種測量防中子輻射材料的屏蔽性能的裝置，它有石蠟堆(1)、同位素中子源(2)和探測器(8)，其特征在于它還包括中子源導管(3)、內(nèi)準直器(4)、外準直器(6)和影錐體(7)，所說同位素中子源(2)裝在所說中子源導管(3)內(nèi)并插于所說石蠟堆(1)中，所說石蠟堆(1)有一深及所說中子源導管(3)的開口(1′)，所說內(nèi)準直器(4)開中心通孔并安放在該開口(1′)中，所說外準直器(6)的中間開通孔，其入口對準所說內(nèi)準直器(4)的中心通孔，其出口可供所說影錐體(7)的小徑端插入，所說探測器(8)位于所說影錐體(7)的大徑端之后。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量防中子輻射材料屏蔽性能的裝置，其特征在于所說的同位素中子源(2)為锎中子源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量防中子輻射材料屏蔽性能的裝置，其特征在于所說的石蠟堆(1)分為兩層，其內(nèi)層是重水泥，其外層由石蠟加硼沙組成。
專利摘要測量防中子輻射材料屏蔽性能的裝置由石蠟堆1、锎中子源、導管3、內(nèi)準直器4、外準直器6、影錐體7和探測器8組成。锎中子源裝在導管3內(nèi)并插于石蠟堆1中，石蠟堆有一深及中子源導管3的開口1′，內(nèi)準直器4開中心通孔并安放在此開口中，外準直器6的中間開通孔，其入口對準內(nèi)準直器4的中心通孔，其出口可供影錐體7的小徑端插入，探測器8位于影錐體的大徑端之后。它可用于測量中子注量、中子劑量的削弱系數(shù)。
文檔編號G01N23/09GK2194511SQ9420822
公開日1995年4月12日 申請日期1994年5月5日 優(yōu)先權(quán)日1994年5月5日
發(fā)明者鄭金美, 王炳林, 張蔭芬, 郭秀英, 尚宏忠, 寧靜, 溫琛林 申請人:北京市射線應用研究中心