專利名稱：高壓電子鋁箔{100}織構(gòu)占有率的檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種檢測｛100｝面織構(gòu)占率的定量檢測方法。
高壓電子鋁箔要求｛100｝晶面盡可能多地平行于箔面，因此，測量和計(jì)算｛100｝晶面平行于箔面的晶粒體積占鋁箔體積的百分?jǐn)?shù)(簡稱｛100｝面織構(gòu)的占有率)是生產(chǎn)高壓電子鋁箔過程中的必要檢測手段。80年代初，Lücke.K等人用ODF方法計(jì)算織構(gòu)的體積占有率(Lücke.KetalActaMet.Vol29(1981)P.167)，這種方法所要求的測量工作量和計(jì)算工作量很大，不宜用于生產(chǎn)現(xiàn)場在線檢測。
目前，我國高壓電子鋁箔基本依靠進(jìn)口，現(xiàn)正積極研制和開發(fā)生產(chǎn)，這相應(yīng)地要求提供一種簡便的檢測高壓電子鋁箔｛100｝面織構(gòu)占有率的方法。
本發(fā)明的目的在于解決高壓電子鋁箔生產(chǎn)中的有關(guān)問題，提供一種檢測計(jì)算｛100｝面織構(gòu)占有率的簡便方法。
本發(fā)明的構(gòu)成如下①選取用X線測得的、并經(jīng)去背底和修正過的衍射強(qiáng)度分布數(shù)據(jù)Shoo(α，β)、Shho(α，β)或Shhh(α，β)，其中α是探測方向與箔面法線的夾角，β是以軋制方向?yàn)槠鹗嘉恢?，繞箔面法線轉(zhuǎn)動(dòng)的角度。hoo、hho、hhh表示參加衍射的晶面指數(shù)，h為任意整數(shù)。
②確定峰值方向和附近方向(α，β)間的夾角θθ=Cos-1h′SinaCosβ+k′Sinβ+1′Cosah′2+k′2+1′2---(1)]]>其中h′k′和l′是對應(yīng)所選擇的參加衍射的晶面指數(shù)｛hoo｝、｛hho｝或｛hhh｝。用(1)式把S(α，β)表示為S(θ)。
③根據(jù)研究分析，構(gòu)想衍射強(qiáng)度峰分布S(θ)符合如下關(guān)系
其中So和b是常數(shù)，K是歸一化因子。
K＝ (2π)/(Σ S(α，β)Sinα△α△β) (3)α＝0～ (π)/2β＝0～2π△α和△β分別是α與β角的實(shí)測步長。根據(jù)θ和S(θ)的數(shù)據(jù)及(2)式，用最小二乘法計(jì)算出So和b。
④｛100｝面織構(gòu)的占有率為
對應(yīng)｛hoo｝，｛hho｝和｛hhh｝N分別是3，6和4。衍射強(qiáng)度峰的散布寬度θh為θh=2b]]>(5)⑤若計(jì)算的衍射強(qiáng)度峰有其它織構(gòu)組分重疊，應(yīng)扣除這些組分的衍射強(qiáng)度。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于①所需測試的數(shù)據(jù)少，計(jì)算簡單，便于現(xiàn)場生產(chǎn)在線檢驗(yàn)。
②同時(shí)給出｛100｝面織構(gòu)占有率V%和衍射強(qiáng)度峰的散布寬度θh。
實(shí)施例子對經(jīng)兩種不同退火工藝退火的高壓電子鋁箔按本方法檢測其｛100｝面織構(gòu)占有率的結(jié)果列于下表。
權(quán)利要求
1.采用X線測得的Shoo(α，β)、Shho(α，β)或Shhh(α，β)數(shù)據(jù)中反映{100}面織構(gòu)的衍射強(qiáng)度峰按下式
K= (2π)/(ΣS(α，β)SinαΔαΔβ)α=o～ (π)/2β=o～2π用最小二乘法求出So和b常數(shù)。{100}面織構(gòu)占有率
衍射強(qiáng)度峰的散布寬度θh= 2b]]>
全文摘要
本發(fā)明提供一種對高壓電子鋁箔{100}面織構(gòu)占有率的定量檢測方法。根據(jù)X線測得的S
文檔編號(hào)G01N23/20GK1081511SQ9310714
公開日1994年2月2日 申請日期1993年6月22日 優(yōu)先權(quán)日1993年6月22日
發(fā)明者毛衛(wèi)民, 余永寧 申請人:烏魯木齊鋁廠, 北京科技大學(xué)