專利名稱：測氧探子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造玻璃的熔融金屬浴的測氧探子及其應(yīng)用方法。
在用熔融錫或其合金浴支持前進(jìn)的玻璃帶的浮法玻璃工藝中氧為主要雜質(zhì)，據(jù)信氧可以幾種方式直接或間接降低玻璃質(zhì)量，其中可能導(dǎo)致低質(zhì)表面層，CO氣泡，錫斑缺陷及吸錫缺陷。
在浮法玻璃生產(chǎn)工藝中浴氣氛要進(jìn)行控制，其中一般是保持氮和氫氣氛，但實(shí)際上不可能完全從浴中排除氧，其中氧可從多種途徑進(jìn)入浴中，如經(jīng)出口密封處，經(jīng)觀察窗和側(cè)面密封處的縫隙進(jìn)入作為氣氛進(jìn)料雜質(zhì)或與玻璃本身成為溶解氧化物(如SO2和H2O)，然后與氣氛中氫，錫和玻璃本身發(fā)生系列反應(yīng)，而試圖將雜質(zhì)降到特定值以下又不經(jīng)濟(jì)，不過可將進(jìn)入量降到一定水平，使其破壞作用幾乎不出現(xiàn)或完全不出現(xiàn)。
很顯然，重要的是知道存在的氧量，從而在其上升時(shí)采取適當(dāng)步驟以防止進(jìn)一步污染，而受污染的玻璃及其污染程度又易于鑒別。
錫的氧量可用常見分析方法測定，其中取出樣品，將其與碳真空反應(yīng)測定生成的一氧化碳量，但此過程太長，若要達(dá)到要求精確程度需要極其小心并要求極熟練操作，因此很少進(jìn)行這種測定。
浴受氧污染的化學(xué)狀態(tài)也可定期監(jiān)測，其中采用間接裝置如大氣提取技術(shù)，測定錫量或表面層品級(jí)。提取技術(shù)表明大氣污染程度，但不一定能示出錫中污染程度的任何情況。而且，提取技術(shù)中取樣管易受阻。而錫量和表層品級(jí)是用玻璃進(jìn)行的測定，可表明表面中存在的錫量，該量又與氧污染程度直接有關(guān)。由于這些試驗(yàn)用產(chǎn)品進(jìn)行，所以肯定有時(shí)間滯后并且結(jié)果幾乎不顯示浴中污染分布狀況。
已知的就地測定熔融錫中氧量的技術(shù)應(yīng)用位于浴中的測氧探子伸入熔融錫中，可參見US3625026，其中包括管狀氧化鋯體，其中已摻雜以誘使氧離子導(dǎo)電并因此構(gòu)成固體電解質(zhì)。管內(nèi)部通電并直接通到熔融錫中，錫作為導(dǎo)體構(gòu)成與管外部相通的通電途徑。因此可有效地建立起電解池，是錫管內(nèi)部氧濃度形成的，其中采用了固體氧化鋯電解質(zhì)，并且與熔融電解池中氧濃度分開，其中emf表明了探子外側(cè)的氧濃度。向管內(nèi)部供入恒定氧濃度的氣體可從管外測得氧濃度絕對(duì)值。
但該探子還有許多問題，其中氧化鋯探測體極易脆并且對(duì)探子插入溫度常為700℃的熔融錫時(shí)帶來的熱沖擊很敏感，而且氧化鋯熱膨脹系數(shù)高，因此在將其插入時(shí)在其體內(nèi)會(huì)形成很大的應(yīng)力，使探子易裂。此外還有另一熱效應(yīng)，即探子長期應(yīng)用時(shí)也可使其破裂。加摻雜劑使氧化鋯穩(wěn)定化可使氧化鋯成為特定結(jié)晶形式(尤其是立體四方晶形)。雖然這種形式在熔融錫溫度，在低于約400℃的低溫下穩(wěn)定，但氧化鋯的穩(wěn)定形式為不同的晶形(特別是立體單斜晶形)，長期應(yīng)用時(shí)可過渡成這種晶形。應(yīng)用時(shí)沿探子長度存在很顯著的溫度梯度，其中第二晶形的穩(wěn)定晶形的溫度條件一般可存在于探子中遠(yuǎn)離熔融錫的區(qū)域。這種晶體結(jié)構(gòu)的變化包含體積變化，從而使兩種氧化鋯形式間的連續(xù)區(qū)成為氧化鋯體易裂的特殊應(yīng)力點(diǎn)。
本發(fā)明尋求可克服這些缺點(diǎn)的測氧探子。
為了準(zhǔn)確測定氧濃度，除獲得電解池值emf外，還要求電解池溫度值，還可通過單獨(dú)測定熔融金屬溫度而得到，還提出用探子內(nèi)熱電偶延伸部分的方式測定探子溫度，但這種辦法中沒有一種可保證能準(zhǔn)確測定電解池溫度。
本發(fā)明一方面提出用于制造玻璃過程中的熔融金屬浴的測氧探子，其中包括管狀探測體，由與其相連的單獨(dú)頂端封閉的細(xì)長管件構(gòu)成，該頂端由構(gòu)成氧離子可通過的固體電解質(zhì)的穩(wěn)定氧化鋯制成，而管件又由不同于氧化鋯的耐熱材料制成;以及測定應(yīng)用中氧化鋯頂端內(nèi)外表面間產(chǎn)生的emf的emf測定裝置，其中設(shè)置測定氧化鋯頂端溫度的熱電偶并使其與氧化鋯頂端內(nèi)表面接觸。
通過設(shè)置與氧化鋯頂端接觸的熱電偶可直接測定實(shí)際電解池溫度，而且僅通過設(shè)置氧化鋯頂部又可使其在熔融浴中或之上的部分迅速完全達(dá)到高溫，從而降低熱沖擊帶來的失效危險(xiǎn)。此外在探子插入熔融金屬并使整個(gè)頂端被浸入時(shí)，則頂端全部保持在晶體形式可發(fā)生變化的溫度以上。
本發(fā)明探子結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)在于組裝前氧化鋯頂端內(nèi)表面易接近，而已知探子的氧化鋯整體很長并且很薄，極難于接近頂部內(nèi)側(cè)，因此很難將電極連到頂端內(nèi)表面上。
出現(xiàn)的另一困難在于難于將電極固定在氧化鋯頂端內(nèi)表面上，并且另外提供熱電偶時(shí)對(duì)于熱電偶導(dǎo)線也會(huì)出現(xiàn)同樣的問題。優(yōu)選的是，emf測定裝置及熱電偶包含與氧化鋯頂端內(nèi)表面相連的金屬導(dǎo)線形式普通電極，而且熱電偶還包括另外與頂端上的第一電極相連而形成熱電偶連接件的不同組成熱電偶導(dǎo)線。
本發(fā)明探子中第一電極線和另外的熱電偶線優(yōu)選用以糊狀形式涂成的鉑層連到氧化鋯頂端內(nèi)表面上，這可達(dá)到與氧化鋯頂端特別穩(wěn)固并有效的電和熱接觸。普通電極可由鉑制成并且另外的熱電偶線可由鉑合金制成。
在特別宜于測定錫浴以上氣氛中氧濃度的方案中，emf測定裝置中包括與氧化鋯頂端內(nèi)表面相連的第一電極，與該頂端外表面相連的第二電極及連在第一和第二電極間的電壓表，這種情況下第一和第二電極均用糊狀鉑涂層固定在頂端上。
已知探子遇到的另一問題在于必須直接伸入熔融錫中達(dá)到電連接，這可先用端部焊有錸線的鉑線完成，其中僅將錸線伸入熔融錫中。應(yīng)用錸的原因是，與鉑不同，錸不會(huì)受熔融錫侵蝕，并且在浮法玻璃浴中一般存在的氧濃度下相當(dāng)穩(wěn)定，但若出現(xiàn)嚴(yán)重污染，也可能使錸氧化而導(dǎo)致電連接中斷。
本發(fā)明另一方面是提出可用于玻璃制造過程中的熔融金屬浴的測氧探子，其中包括其測量端封閉以插入熔融金屬的細(xì)長管件，其測量端的至少一部分由構(gòu)成可使氧離子通過的固體電解質(zhì)的穩(wěn)定氧化鋯制成，與氧化鋯段內(nèi)表面相連的第一電極，宜于與熔融金屬接觸的接地端相連的接地裝置以及與第一電極和所說接地裝置相連的電壓測定裝置。
這種方案中不考慮與熔融金屬的直接電連接，其中考慮到熔融金屬可有效在成為接地端，測定探子電極和直接接地端間的emf可有效地等同于探子電極和與氧化鋯外側(cè)接觸的熔融金屬間的測定，再進(jìn)行接地端接頭產(chǎn)生的任何emf校正。這種改進(jìn)方案還簡化了結(jié)構(gòu)并降低了探子成本。
探子管狀體優(yōu)選包括細(xì)長管件，其測量端由單獨(dú)的穩(wěn)定氧化鋯頂部封閉并使管狀件密封，該管狀件由不同于氧化鋯的耐熱材料制成。
細(xì)長管件優(yōu)選由氧化鋁制成，并且氧化鋯頂部由熱膨脹系數(shù)處于氧化鋁和氧化鋯之間的玻璃陶瓷材料與氧化鋁管封接在一起。應(yīng)用熱膨脹性很匹配的玻璃陶瓷材料可達(dá)到有效的無孔密封，能在一定程度上吸收剛插入或其位置鄰近熔融金屬時(shí)氧化鋯頭的熱膨脹。
優(yōu)選的是，氧化鋯頂部包括處于管件端部內(nèi)的基本上環(huán)狀部分，管件頭內(nèi)頂部與細(xì)長管件密封連接，并且有一相當(dāng)短的中空外部凸出的部分連在其上。外凸部分一般基本上呈錐形，第一電極的連接處于其頂部區(qū)域的頂段內(nèi)。氧化鋯頂端的長短和內(nèi)部形狀促使鉑糊和電極在探子結(jié)構(gòu)上處于合適的位置。
探子還優(yōu)選包括將含氧對(duì)比氣體導(dǎo)送到氧化鋯頂端內(nèi)表面的裝置。在探子頂部保持已知氧濃度在要求探子外側(cè)氧濃度絕對(duì)值情況下是必不可少的。
本發(fā)明又一方面在于提出用上述探子測定熔融金屬內(nèi)氧濃度的方法，其中將探子插入熔融金屬并將所說接地裝置與接觸熔融金屬的接地端相連。
以下參見附圖并借助非限制性實(shí)施例詳述本發(fā)明。


圖1為本發(fā)明中宜于測定熔融錫中氧濃度的測氧探子第一方案示意圖。
圖2為本發(fā)明中宜于測定熔融錫浴上的氣氛中氧濃度的測氧探子示意圖。
參見圖1，其中示出了測氧探子2的第一方案，該探子包括一端封閉的探子管狀體4，該端構(gòu)成測氧端，應(yīng)用時(shí)將其浸入浮法玻璃浴的熔融錫浴中。探子管狀體4包括柱狀管件6，后者由耐火材料制成，如用氧化鋁制成，其下端用氧化鋯制成的頂端8封閉。氧化鋯中已按已知方法加入CaO，MgO和Y2O3中的一或多種而穩(wěn)定化，從而可使氧化鋯構(gòu)成能通過氧離子的固體電解質(zhì)。而氧化鋯頂部8包括將該頂段8連到管狀件6上的環(huán)狀部分10以及其中連接的基本上錐形中空部分12。
頂部8用玻璃陶瓷物料14與管件6相連，該物料可在兩者間形成無孔密封層，玻璃陶瓷材料熱膨脹系數(shù)介于氧化鋯和氧化鋁之間，這樣配合的膨脹玻璃陶瓷密封方法已見于Rogers，Butler和Steele在J.Sci.Inst.(J.PhysicsE)1969Ser.2Volume2page102中所述方法，當(dāng)然在本發(fā)明情況下在氧化鋁和氧化鋯之間，而不是象該對(duì)比文獻(xiàn)那樣在氧化鋁和金屬間形成密封層。
參考電極16包括線，優(yōu)選由鉑制成，沿探子管狀體長度伸入探子管狀體4中，并且與頂部8內(nèi)頂表面電和熱連通。
特別有效連接可用鉑(圖號(hào)17處)將電極與氧化鋯頂粘連起來而達(dá)到，所說糊中包括鉑懸浮在粘性有機(jī)介質(zhì)中，再將其涂在頂部內(nèi)側(cè)，其中埋有電極，最后燒制而使有機(jī)介質(zhì)蒸發(fā)，留下電極與頂端結(jié)合起來。
在探子結(jié)構(gòu)中，可有目的地將鉑線電極16與頂端8連接，然后再將頂端8與管件6連接起來，因?yàn)檫@樣易于接近。
耐火材料，優(yōu)選是氧化鋁制成的內(nèi)部環(huán)狀管20繞著電極線16，該內(nèi)管20構(gòu)成含已知量氧的參照氣，一般為空氣供入頂部8內(nèi)表面的通道。在要求計(jì)算熔融錫中氧濃度絕對(duì)值時(shí)，如后續(xù)算式所示，必須在頂部內(nèi)表面維持已知氧濃度。而且在僅用emf相對(duì)變化來表明浴中氧濃度的相對(duì)變化情況下尤其要求內(nèi)部保持恒定氧濃度。管20還可保護(hù)鉑電極16不受熱影響。
另一線22伸入探子管狀體4中并在其與頂部8粘連時(shí)連到電極線16上以與電極線16形成熱電偶接頭。因此，電極線16構(gòu)成了進(jìn)行電壓測定和溫度測定的普通電極線，這簡化了設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)。線22優(yōu)選用鉑合金，如13%Rh/Pt合金制成。外部設(shè)有探子管狀體4的毫伏計(jì)23連在線16和22之間，電極線16和22間產(chǎn)生的熱電系數(shù)emf的測定可得到頂部溫度值，這是計(jì)算熔融錫中氧濃度絕對(duì)值所必須的。管20，電極16和熱電偶線22支撐在套筒(未示出)中探子殼體4上端的固定位置。
在探子管狀體4外面將參考電極16與毫伏計(jì)24相連，后者又連到測量電極26上，再將該電極接地。一般來說，浴箱金屬部分或未涂層水管提供接地端。電極26可用鉑制成，但這不是必須的。實(shí)際上，電極16的鉑可在探子頭上終止并有導(dǎo)線與不同材料儀器相連，電極26也可用不同材料制成。在毫伏計(jì)兩側(cè)的電極應(yīng)用相同電極材料就無須校正電極/毫伏計(jì)連接處測得的emf值，但因測量電極26和接地回線接頭產(chǎn)生emf，因此校正測得emf值是必須的。毫伏計(jì)為高阻抗毫伏計(jì)，如輸入電阻1013歐姆，因此可避免電解池極化。
應(yīng)用中探子與完全浸入熔融錫中的頂部8相對(duì)設(shè)置，圖1中用標(biāo)號(hào)27示出錫浴位置。因此頂部8全部保持在晶體形式發(fā)生變化的溫度以上。存在可使氧化鋯中晶形變化的溫度條件的區(qū)域已發(fā)現(xiàn)在探子中氧化鋁制成的部分，其中不發(fā)生這種變化并且沒有熱應(yīng)力問題。而且，構(gòu)成熱應(yīng)力位置的熔融錫表面處于氧化鋁管件6的區(qū)域，與氧化鋯相比，該材料很難于因熱應(yīng)力而破裂?？諝饨?jīng)管20導(dǎo)向頂部8的內(nèi)表面，并且測定值由電壓計(jì)24顯示的emf確定，該emf顯示出熔融錫中的氧濃度。
測得emf和熔融錫中氧濃度間的關(guān)系如下氧與錫按下式反應(yīng)1/2Sn(液)+1/2O2(氣) ()/() 1/2(SnO2)(溶液)根據(jù)質(zhì)量作用法則K =a(0)sna sn12· P0122]]>因此P0122=a (0)SnK · a Sn12]]>其中K＝平衡常數(shù)aSn＝錫活性，取為1
a(O)Sn＝錫中氧活性從熱力學(xué)表中查出K＝ 15317/(T) -5.63其中T＝絕對(duì)溫度而錫中氧活性定義如下a(O)Sn＝ (錫中氧濃度 C)/(錫中氧飽和濃度 Cs)錫中飽和氧濃度見于文獻(xiàn)“ThermodynamicsandSolubilityofOxygeninLiquidMetalsPart2-Tin，T.N.BelfordandC.B.AlcockTFS61，443(1965)”CS(ppm)＝1.345×10∧( (-5730+4.19)/(T) )因此將氧溶于錫期間氧分壓與氧濃度關(guān)系如下
10g Po2＝210g CS-3.378- 19174/(T)Nernst方程將該分壓與Emf關(guān)聯(lián)如下E=RT4F1n(P02參考)P02]]>如果E＝Emf(mv)R＝通用氣體常數(shù)F＝法拉弟常數(shù)參考?xì)怏w＝空氣Po2參考＝0.21大氣壓則氧濃度(Cs)＝10∧((0.9512+1.339 × 10-4× T-E ×10-3)( 9.922 × 10-5× T ))]]>上述關(guān)系忽略了因鉑線26/接地回線對(duì)產(chǎn)生emf帶來的任何偏差。在僅要求測定錫中氧濃度變化時(shí)，則對(duì)于該熱電emf無須校正，但這易于通過適當(dāng)改變常數(shù)而達(dá)到鉑線/接地回線對(duì)(E′)產(chǎn)生的熱電系數(shù)emf可由下式表示E′＝0.01025×T-6.45因此上列方程1中emfE可用(E+E′)代替。
對(duì)圖1測量探子作改進(jìn)可測定錫浴上氣氛中氧濃度，該改進(jìn)探子見圖2，其中相同參考號(hào)表示相同部件。這種情況下，由于構(gòu)成固體電解質(zhì)的氧化鋯頂部8未浸入熔融錫中，所以必須在頂部外表面提供電連接，而且測定電解池產(chǎn)生的emf要求直接測定氧化鋯頂部8內(nèi)外表面上的電勢(shì)。這種連接優(yōu)選用鉑線30完成，該鉑線與毫伏計(jì)24相連并且達(dá)到焊點(diǎn)34的錸線32的長度。而錸線又在36處由鉑糊粘連到氧化鋯頂部8的外表面上，這與電極16的內(nèi)部連接相對(duì)，方法如上所述并與電極16連接相關(guān)。應(yīng)用另一氧化鋁管38封閉鉑線30和錸線32上部以保護(hù)其不受大氣侵蝕。
在這種情況下可用Nernst方程將產(chǎn)生的emf與大氣中的氧濃度關(guān)聯(lián)如下式E=RTnF1n(P02參考)P02]]>如果
E＝探子產(chǎn)生的Emf(mv)R＝通用氣體常數(shù)F＝法拉弟常數(shù)T＝絕對(duì)溫度參考?xì)猓娇諝釶o2參考＝0.21大氣壓則P02(atm)=0.21 × 10∧(-E X20.16)T]]>這里，由于浴氣氛含氫，所以在探子8外表面上的鉑層可催化氫/氧反應(yīng)，并且測量探子產(chǎn)生的電壓不涉及游離氧，而只涉及平衡時(shí)的氧。
權(quán)利要求
1.用于玻璃制造過程中熔融金屬浴的測氧探子，其中包括探子管狀體，由細(xì)長管件構(gòu)成，并且用與其相連的單獨(dú)頂端封閉，頂部由構(gòu)成可使氧離子通過的固體電解質(zhì)的穩(wěn)定氧化鋯制成，該管件又由不同于氧化鋯的耐氧材料制成，以及測定應(yīng)用中氧化鋯頂端內(nèi)外表面間產(chǎn)生的emf的emf測定裝置，其中設(shè)置測定氧化鋯頂端溫度的熱電偶并使其與氧化鋯頂端內(nèi)表面接觸。
2.權(quán)利要求1的測氧探子，其中emf測定裝置和熱電偶包括呈金屬線形與氧化鋯頂端內(nèi)表面相連的普通第一電極，并且熱電偶還包括另一與頂端第一電極相連而形成熱電偶接頭的不同組成熱電偶線。
3.權(quán)利要求2的測氧探子，其中第一電極線和另一熱電偶線用以糊狀涂到頂部的鉑層固定在頂部。
4.權(quán)利要求2的測氧探子，其中第一電極包括鉑線，并且另一電極線包括鉑合金線。
5.權(quán)利要求2的測氧探子，其中emf測定裝置還包括與接觸熔融金屬的接地端相連的第二電極，以及連在第一和第二電極間的電壓計(jì)。
6.權(quán)利要求2的測氧探子，其中emf測定裝置還包括與頂端外表面相連的第二電極，以及連在第一和第二電極間的電壓計(jì)。
7.權(quán)利要求6的測氧探子，其中第二電極用糊狀鉑層固定在氧化鋯頂端上。
8.權(quán)利要求1的測氧探子，其中細(xì)長管件由氧化鋁制成，并且氧化鋯頂端用熱膨脹系數(shù)處于氧化鋁和氧化鋯之間的玻璃陶瓷材料與氧化鋁管封接起來。
9.權(quán)利要求1的測氧探子，其中細(xì)長管件具有環(huán)狀截面并且氧化鋯頂端包括處于管狀件端部內(nèi)的基本上環(huán)狀部分，頂端在此與細(xì)長管件封接起來，而且從此處懸接相當(dāng)短的中空外凸部分。
10.權(quán)利要求1的測氧探子，其中設(shè)置供氣裝置以將含氧參考?xì)庖蜓趸嗧敹藘?nèi)表面。
11.用于玻璃制造過程中熔融金屬浴的測氧探子，其中包括細(xì)長管件，其測量端封閉以插入熔融金屬中，測量端的至少一部分該管狀體由穩(wěn)定氧化鋯制成，這也用以構(gòu)成可使氧離子通過的固體電解質(zhì)，與氧化鋯部分內(nèi)表面相連的第一電極，宜于與接觸熔融金屬的接地端相連的接地裝置，以及與第一電極和接地裝置相連的電壓測定裝置。
12.權(quán)利要求11的測氧探子，其中從第一電極和接地裝置連到電壓測定裝置上的電連接采用相同材料。
13.權(quán)利要求11的測氧探子，其中管狀體包括細(xì)長管件，其測量端用單獨(dú)的穩(wěn)定氧化鋯頂端封閉，其中與管件封接，該管件，由不同于氧化鋯的耐熱材料制成。
14.權(quán)利要求13的測氧探子，其中細(xì)長管件由氧化鋁制成，并且氧化鋯頂端用熱膨脹系數(shù)在氧化鋁和氧化鋯之間的玻璃陶瓷材料與氧化鋁管封接。
15.權(quán)利要求13的測氧探子，其中細(xì)長管件具有環(huán)狀截面并且氧化鋯頂端包括處于管狀件端部內(nèi)的基本上環(huán)狀部分，頂端在此與細(xì)長管件封接起來，而且從此處懸接相當(dāng)短的中空外凸部分。
16.權(quán)利要求13的測氧探子，其中鉑合金線伸入管件并且在氧化鋯頂部與第一電極相連而與其形成熱電偶接頭。
17.權(quán)利要求13的測氧探子，其中第一電極用以糊狀涂在頂部的鉑層與氧化鋯頂部內(nèi)表面相連。
18.權(quán)利要求13的測氧探子，其中還包括將含氧參考?xì)鈱?dǎo)送到氧化鋯頂部內(nèi)表面的裝置。
19.用權(quán)利要求11的探子測定用于制造玻璃的熔融金屬中的氧濃度的方法，其步驟包括將探子插入熔融金屬中，將接地裝置與接觸熔融金屬的接地端相連并測定氧離子通過固體氧化鋯電解質(zhì)時(shí)第一電極和接地裝置間產(chǎn)生的電壓。
20.用權(quán)利要求1的探子測定用于制造玻璃的浴中熔融金屬內(nèi)氧濃度的方法，其步驟包括將探子插入熔融金屬中直到氧化鋯頂部完全浸入其中為止，用熱電偶測定氧化鋯頂部的溫度，并測定氧離子通過固體氧化鋯電解質(zhì)時(shí)氧化鋯頂部內(nèi)外表面間的電壓。
全文摘要
用于玻璃制造過程中熔融金屬浴的測氧探子包括由細(xì)長管件(6)構(gòu)成的探子體(4)，其一端由構(gòu)成可使氧離子通過的固體電解質(zhì)的穩(wěn)定氧化鋯制成的單獨(dú)頂端(8)封閉，該管件(6)由不同于氧化鋯的耐熱材料制成，連到氧化鋯頂端(8)內(nèi)表面上的第一電極(16)，宜于與接觸熔融金屬接地端相連的接地裝置以及連在第一電極(16)和接地裝置(26)間的電壓測定裝置(24)。
文檔編號(hào)G01N27/409GK1077286SQ9310298
公開日1993年10月13日 申請(qǐng)日期1993年3月23日 優(yōu)先權(quán)日1992年3月24日
發(fā)明者A·J·科克爾, E·C·巴徹勒 申請(qǐng)人:皮爾念頓·公共有限公司