專利名稱:熔斷器分?jǐn)嗄芰y(cè)量?jī)x的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
一種專用測(cè)量?jī)x器,特別是用于檢測(cè)小型熔斷器電參數(shù)分?jǐn)嗄芰Φ臏y(cè)量?jī)x。
目前,國(guó)內(nèi)檢測(cè)熔斷器分?jǐn)嗄芰?shù)是采用低壓交流電源,有的采用直流100V電源。這兩種檢測(cè)手段均不符合國(guó)際規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)。國(guó)外文獻(xiàn),對(duì)采用可控硅電子開(kāi)關(guān)做分?jǐn)嗄芰y(cè)試儀未曾有過(guò)報(bào)道,蘇聯(lián)專利502416是采用機(jī)械凸輪裝置。
本實(shí)用新型的目的是改變傳統(tǒng)的用直流檢測(cè)的手段,提供一種符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)熔斷器分?jǐn)嗄芰Φ膬x器。
本實(shí)用新型的方案是采用可控硅做電子開(kāi)關(guān),采用可靠的觸發(fā)電路,使其在正向30°導(dǎo)通,本實(shí)用新型的誤差為±1°,熔斷器分?jǐn)嗪蟊3?0秒。如果使每個(gè)正半波都在30°導(dǎo)通,或者正負(fù)半波都在30°導(dǎo)通是容易辦到的,本實(shí)用新型的關(guān)鍵是在正向30°導(dǎo)通后,輸出連續(xù)的不間斷的正弦波。
圖1為本實(shí)用新型的組成框圖。其中①是主回路部分;②是保證電路系統(tǒng);③是觸發(fā)記憶電路部分;④是延時(shí)控制部分;⑤表示虛線框內(nèi)②、③、④共同組成控制電路部分。
圖2是主回路電路原理。輸入端接250V50Hz交流電源,R1是限流電阻,BT1是雙向可控硅,在這里做電子開(kāi)關(guān),⑤是BT1的觸發(fā)控制電路。a、b是熔斷器測(cè)試端。R2與a、b測(cè)試端并聯(lián),串聯(lián)在BT1主回路中,起端電壓保持作用。當(dāng)被測(cè)熔斷器分?jǐn)嗪?,由于R2的存在維持BT1繼續(xù)導(dǎo)通。因?yàn)镽2阻值足夠大,回路電流較小,故電阻兩端的電壓近似等于電源電壓。
下面詳細(xì)敘述控制電路的最佳方案。
為了確保每次啟動(dòng)都在正向30°輸出,專門設(shè)計(jì)了保證電路系統(tǒng)。保證電路系統(tǒng)由光耦合器N1(G0121)、雙單穩(wěn)集成電路CD1(T1123)、繼電器J1組成,見(jiàn)圖3。K1是啟動(dòng)開(kāi)關(guān),N1與K1、D1、R3串聯(lián),通過(guò)R1接到測(cè)試電源兩端,即A、C端。按下K1,二極管D1將正弦波整流為正向半波,將此半波電流通過(guò)R3限流電阻引入光耦合器N1,N1輸出相應(yīng)的方波。這個(gè)方波加到集成電路CD1輸入端,調(diào)整R5、C1、R6、C2使雙單穩(wěn)電路的輸出波形在兩個(gè)半波中間位置。此波形加到三極管BG1基極,BG1導(dǎo)通,繼電器J1吸合,繼電器J1的常開(kāi)接點(diǎn)是30°角觸發(fā)回路的開(kāi)關(guān),J1吸合將觸發(fā)電路接通。
圖4是觸發(fā)記憶系統(tǒng)原理。由可控硅BT2組成30°角觸發(fā)電路,BT2與J1、D3、R8、N2(G0121)串聯(lián),接到A、C端。由可控硅BT8和繼電器J2串聯(lián)組成記憶電路,由可控硅BT4和可控硅BT5復(fù)合組成推動(dòng)電路,控制主回路BT1。J1吸合后,正向半波通過(guò)D3、R8、W1、C2、D4定時(shí)網(wǎng)絡(luò),使可控硅BT2在30°時(shí)導(dǎo)通。導(dǎo)通電壓經(jīng)R2加入光耦合器N2輸入端,此時(shí)N2輸出端產(chǎn)生負(fù)跳變,經(jīng)反相器集成電路CD2(T1006)反相變?yōu)檎?,正跳變信?hào)通過(guò)電阻R11加到BT3控制極,BT3即刻導(dǎo)通,繼電器J2隨即吸合,接通了主回路的觸發(fā)電路。BT4和BT5組成復(fù)合推動(dòng)級(jí),推動(dòng)大功率可控硅BT1。這時(shí)BT1的負(fù)載上,就得到了正向30°起始連續(xù)的正弦波電壓。
圖5是延時(shí)系統(tǒng)電路原理。延時(shí)系統(tǒng)由光耦合器N3(G0121),反相器集成電路CD3(T1006)、振蕩集成電路CD4(5C702)、與門集成電路CD5(T4022),繼電器J3組成。二極管D6與電阻R12、光耦合器N3輸入端串聯(lián),跨接在測(cè)試夾具兩端,這一部分稱為取樣電路。B、C端呈低電平時(shí),光耦合器N3輸出端保持高電位,經(jīng)過(guò)C5、R14、C6、R15濾波,CD3兩級(jí)反相,輸出仍然是高電位,秒振蕩電路CD4停振。當(dāng)熔斷器分?jǐn)嗪?,B、C端呈高電平,經(jīng)二極管D6整流的半波。通過(guò)限流電阻R12加到光耦合器N3輸入端,N3輸出端輸出方波信號(hào),經(jīng)C5、R14、C6、R15濾波變?yōu)榈椭抵绷麟娖剑?jīng)CD3兩級(jí)反相,輸出為“O”V低電位,秒振蕩電路CD4起振,輸出秒信號(hào)。CL1和CL2是計(jì)數(shù)、編碼、釋碼、驅(qū)動(dòng)、顯示五合一電路組件,本電路采用兩位數(shù)。當(dāng)計(jì)到“30”時(shí),通過(guò)集成電路CD5使計(jì)數(shù)電路鎖存,同時(shí)輸出信號(hào)使三級(jí)管BG2導(dǎo)通,繼電器J3吸合。J3的常閉觸點(diǎn)將BT3陰極接地構(gòu)成回路,J3吸合時(shí)將BT3開(kāi)路,迫使導(dǎo)通的BT3截止,于是主回路BT1截止。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于采用了先進(jìn)的電子器件,實(shí)現(xiàn)了30°相位角開(kāi)啟的準(zhǔn)確性和開(kāi)啟后的連續(xù)性,同時(shí)也確保了延遲時(shí)間的準(zhǔn)確性。
權(quán)利要求1.一種熔斷器分?jǐn)嗄芰y(cè)量?jī)x,其特征是A、采用可控硅BT1做電子開(kāi)關(guān),電阻R2與a、b測(cè)試端并聯(lián),串聯(lián)在BT1主回路中,B、由光耦合器N1、雙單穩(wěn)集成電路CD1、繼電器J1組成保證系統(tǒng)。N1與K1、R3串聯(lián),通過(guò)R1接到測(cè)試電源兩端,即A、C端,C、由可控硅BT2組成觸發(fā)電路,BT2與J1、D3、R0、N2串聯(lián),通過(guò)R1接到A、C端。由可控硅BT3和繼電器J2串聯(lián)組成記憶電路。由可控硅BT4和可控硅BT5復(fù)合組成推動(dòng)電路,控制主回路BT1,D、由光耦合器N3,反相集成電路CD3、振蕩集成電路CD4、與門電路CD3、繼電器J3組成延時(shí)控制系統(tǒng),二極管D6與電阻R12、光耦合器N2輸入端串聯(lián),跨接在測(cè)試夾具兩端。
專利摘要一種小型熔斷器分?jǐn)嗄芰y(cè)量?jī)x,用于檢測(cè)熔斷器(保險(xiǎn)絲管)電參數(shù)分?jǐn)嗄芰Φ膶S脙x器。本實(shí)用新型采用可控硅做電子開(kāi)關(guān),控制電路具有定相位和定時(shí)間的功能。整機(jī)輸出信號(hào)是起始于正向30°持續(xù)30秒連續(xù)的正弦波。優(yōu)點(diǎn)是相位角開(kāi)啟準(zhǔn)確,開(kāi)啟后連續(xù),延遲時(shí)間準(zhǔn)確。
文檔編號(hào)G01R31/00GK2030327SQ87211090
公開(kāi)日1989年1月4日 申請(qǐng)日期1987年7月30日 優(yōu)先權(quán)日1987年7月30日
發(fā)明者劉玉勝 申請(qǐng)人:遼寧丹東市無(wú)線電十八廠