本說明書涉及晶體測量，特別涉及一種晶體測量裝置。

背景技術：

1、閃爍晶體(如lyso閃爍晶體)由于其具有高密度、高光輸出、快衰減等穩(wěn)定的物理化學特性與優(yōu)良的閃爍性能，已成為輻射探測領域的重要材料，廣泛應用于高能物理實驗、醫(yī)學pet-ct成像、環(huán)境檢測等領域。光輸出是閃爍晶體最重要的技術指標之一，它標志著閃爍晶體將高能粒子轉換為可見光的能力，并決定了與其搭配的光電器件(如光導管等)的特性參數。光輸出高的閃爍晶體所組成的閃爍探測系統(tǒng)在應用于輻射物理時，可以在實驗中有效減少統(tǒng)計漲落，提高實驗精度，降低實驗測量的不確定度。

2、但由于閃爍晶體在實際應用中，通常會涉及到溫度的變化。溫度的變化可能導致晶體內部的原子或電子狀態(tài)發(fā)生變化，進而影響到可見光的產生和發(fā)射，最終導致光輸出的數量或強度發(fā)生變化。

3、因此，有必要提供一種晶體測量裝置，以使用戶掌握溫度變化對閃爍晶體的光輸出特性的影響。

技術實現思路

1、本說明書一個或多個實施例提供一種晶體測量裝置，所述裝置包括測量模塊，所述測量模塊包括用于放置待測晶體與放射源的測量腔室；溫度控制模塊，所述溫度控制模塊與所述測量腔室內的環(huán)境熱導通，被配置為控制所述測量腔室內的環(huán)境溫度。

2、在一些實施例中，所述溫度控制模塊包括制冷器和/或加熱器；所述制冷器被配置為降低所述測量腔室內的環(huán)境溫度；所述加熱器被配置為提升所述測量腔室內的環(huán)境溫度。

3、在一些實施例中，所述制冷器為兩級半導體制冷器，所述制冷器的控溫范圍為-40℃～當前環(huán)境溫度。

4、在一些實施例中，所述加熱器為鎳鉻絲加熱器，所述加熱器的控溫范圍為當前環(huán)境溫度～200℃。

5、在一些實施例中，所述測量模塊還包括測量艙、光導組件以及測量主機；所述測量艙包括艙壁，所述艙壁合圍形成所述測量腔室；所述光導組件的一端設置于所述測量腔室內，另一端設置于所述測量主機內，所述光導組件被配置為將所述待測晶體發(fā)出的光線導入所述測量主機。

6、在一些實施例中，所述艙壁或所述測量腔室內還設置有溫度測量組件，所述溫度測量組件被配置為檢測所述測量腔室內的環(huán)境溫度。

7、在一些實施例中，所述測量艙與所述測量主機之間設置有隔熱層，所述隔熱層由隔熱材料制成。

8、在一些實施例中，所述測量主機包括感光器件與測試電路，所述感光器件被配置為接收所述光導組件導出的所述光線；所述感光器件與第一電源電連接，所述測試電路與第二電源電連接。

9、在一些實施例中，所述光導組件包括光導管與光電倍增管，所述光導管的一端設置于所述測量腔室內，另一端與所述光電倍增管連接；所述光電倍增管遠離所述光導管的一端與所述感光器件連接。

10、在一些實施例中，所述測量主機還包括光電倍增管冷卻組件，被配置為調節(jié)所述光電倍增管的溫度。

技術特征：

1.一種晶體測量裝置，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述溫度控制模塊包括制冷器和/或加熱器；

3.如權利要求2所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述制冷器為兩級半導體制冷器，所述制冷器的控溫范圍為-40℃～當前環(huán)境溫度。

4.如權利要求2所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述加熱器為鎳鉻絲加熱器，所述加熱器的控溫范圍為當前環(huán)境溫度～200℃。

5.如權利要求1～4任一所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述測量模塊還包括測量艙、光導組件以及測量主機；

6.如權利要求5所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述艙壁或所述測量腔室內還設置有溫度測量組件，所述溫度測量組件被配置為檢測所述測量腔室內的環(huán)境溫度。

7.如權利要求5所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述測量艙與所述測量主機之間設置有隔熱層，所述隔熱層由隔熱材料制成。

8.如權利要求5所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述測量主機包括感光器件與測試電路，所述感光器件被配置為接收所述光導組件導出的所述光線；

9.如權利要求8所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述光導組件包括光導管與光電倍增管，所述光導管的一端設置于所述測量腔室內，另一端與所述光電倍增管連接；所述光電倍增管遠離所述光導管的一端與所述感光器件連接。

10.如權利要求9所述的晶體測量裝置，其特征在于，所述測量主機還包括光電倍增管冷卻組件，被配置為調節(jié)所述光電倍增管的溫度。

技術總結
本說明書實施例提供一種晶體測量裝置，該裝置包括測量模塊與溫度控制模塊。其中，測量模塊包括用于放置待測晶體與放射源的測量腔室；溫度控制模塊與測量腔室內的環(huán)境熱導通，被配置為控制測量腔室內的環(huán)境溫度。

技術研發(fā)人員：王宇,郭洪生,官偉明
受保護的技術使用者：眉山博雅新材料股份有限公司
技術研發(fā)日：20240517
技術公布日：2024/12/23