本發(fā)明涉及發(fā)光二極管，特別是涉及一種單絕緣交流發(fā)光二極管的應用、交流電檢測系統(tǒng)。

背景技術：

1、交流電作為人們?nèi)粘Ｉ畋夭豢缮俚尿寗幽茉矗瑤缀醣椴际澜绲拿總€角落，對于交流電壓的檢測，常用的方法有電壓法、適配器法、示波器法以及平均值法等，然而，這些方法或是需要復雜的電路設計，或是檢測精度和響應速度有限。

2、由此，亟需研究一種交流電的電壓和頻率檢測方法，以解決上述問題。

技術實現(xiàn)思路

1、為解決或部分解決背景技術所述的問題，本發(fā)明提供一種單絕緣交流發(fā)光二極管的應用、交流電檢測裝置。

2、本發(fā)明的第一方面，提供了一種單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，將所述單絕緣交流發(fā)光二極管的兩極分別接入交流電路的兩端，并獲取所述單絕緣交流發(fā)光二極管的瞬態(tài)發(fā)光光譜；

3、基于所述瞬態(tài)發(fā)光光譜，確定所述交流電路的電參數(shù)；其中，所述電參數(shù)包括電壓、頻率、電壓變化值或頻率變化值中的至少一者；

4、其中，所述單絕緣交流發(fā)光二極管包括：透明基底，以及層疊設置于所述透明基底一側的第一電極、空穴注入層、空穴產(chǎn)生層、發(fā)光層、電子產(chǎn)生層、絕緣層以及第二電極。

5、示例性地，所述基于所述瞬態(tài)發(fā)光光譜，確定所述交流電路的電參數(shù)，包括：

6、預先建立所述瞬態(tài)發(fā)光光譜的發(fā)光峰位置變化值與電壓變化值、頻率變化值之間的第一對應關系，以及所述單絕緣交流發(fā)光二極管的發(fā)光亮度與電壓之間的第二對應關系；

7、根據(jù)所述瞬態(tài)發(fā)光光譜、所述第一對應關系和所述第二對應關系，確定所述電參數(shù)。

8、示例性地，所述透明基底為硬質基底或者柔性基底；所述硬質基底包括二氧化硅和石英中的任意一種，所述柔性基底的組成材質包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚酰亞胺中的任意一種；所述透明基底的厚度為1.1mm。

9、示例性地，所述第一電極的組成材質為氧化銦錫，所述第一電極的厚度為120nm；所述第二電極的組成材質為金、銀以及鋁中的任意一種，所述第二電極的厚度為100-150nm。

10、示例性地，所述空穴注入層的組成材質為聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽，所述空穴注入層的厚度為30-50nm。

11、示例性地，所述空穴傳輸層的組成材質為聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、4-丁基-n,n-二苯基苯胺均聚物、1,2,4,5-四(三氟甲基)苯、聚乙烯基咔唑、聚((9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-alt-(9-(2-乙基己基)-咔唑-3,6-二基))中的任意一種，所述空穴傳輸層的厚度為10-100nm。

12、示例性地，所述發(fā)光層包括cdse、cds、cdsb、inp量子點中的任意一種，所述發(fā)光層的厚度為10-100nm。

13、示例性地，所述電子產(chǎn)生層的組成材質為zno或者znmgo，所述電子產(chǎn)生層的厚度為10-100nm。

14、示例性地，所述絕緣層包括聚偏二氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯以及偏二氟乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯的共聚物中的任意一種，所述透明絕緣層的厚度為300-800nm。

15、本發(fā)明的第二方面，提供一種交流電檢測系統(tǒng)，包括：

16、如上述第一方面所述的單絕緣交流發(fā)光二極管，用于與交流電路連接，并將所述交流電路的電信號轉換為光信號；

17、瞬態(tài)發(fā)光檢測儀器，與所述單絕緣交流發(fā)光二極管相對設置，用于接收所述單絕緣交流發(fā)光二極管的光信號，并根據(jù)所述光信號分析得到所述單絕緣交流發(fā)光二極管對應的瞬態(tài)發(fā)光光譜；

18、分析裝置，與所述瞬態(tài)發(fā)光檢測儀器連接，用于預先建立所述瞬態(tài)發(fā)光光譜的發(fā)光峰位置變化值與電壓變化值、頻率變化值之間的第一對應關系，以及所述單絕緣交流發(fā)光二極管的發(fā)光亮度與電壓之間的第二對應關系；還用于根據(jù)所述瞬態(tài)發(fā)光光譜、所述第一對應關系和所述第二對應關系，確定所述電參數(shù)。

19、本發(fā)明提供的一種單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，將所述單絕緣交流發(fā)光二極管的兩極分別接入交流電路的兩端，并獲取所述單絕緣交流發(fā)光二極管的瞬態(tài)發(fā)光光譜；基于所述瞬態(tài)發(fā)光光譜，確定所述交流電路的電參數(shù)；其中，所述電參數(shù)包括電壓、頻率、電壓變化值或頻率變化值中的至少一者；其中，所述單絕緣交流發(fā)光二極管包括：透明基底，以及層疊設置于所述透明基底一側的第一電極、空穴注入層、空穴產(chǎn)生層、發(fā)光層、電子產(chǎn)生層、絕緣層以及第二電極；

20、由此，本發(fā)明通過交流發(fā)光二極管實現(xiàn)對交流電源的電壓和頻率的測量，由于交流發(fā)光二極管能夠直接與交流電源連接無需整流器，使得檢測電路簡化，提高了電壓和頻率檢測的便利性；同時，由于單絕緣交流發(fā)光二極管的瞬態(tài)發(fā)光光譜能夠通過瞬態(tài)發(fā)光檢測儀器直接測量得到，進而可以在預先確定出電壓、頻率以及電壓和頻率的變化值與光譜特征之間的對應關系的情況下，間接測量出交流電的電壓、頻率等電參數(shù)，由此，通過將電信號轉換為光信號進行檢測，提高了交流電的電壓和頻率的檢測精度、響應速度。

技術特征：

1.一種單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，將所述單絕緣交流發(fā)光二極管的兩極分別接入交流電路的兩端，并獲取所述單絕緣交流發(fā)光二極管的瞬態(tài)發(fā)光光譜；

2.根據(jù)權利要求1所述的單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，所述基于所述瞬態(tài)發(fā)光光譜，確定所述交流電路的電參數(shù)，包括：

3.根據(jù)權利要求1所述的單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，所述透明基底為硬質基底或者柔性基底；所述硬質基底包括二氧化硅和石英中的任意一種，所述柔性基底的組成材質包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚酰亞胺中的任意一種；所述透明基底的厚度為1.1mm。

4.根據(jù)權利要求1所述的單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，所述第一電極的組成材質為氧化銦錫，所述第一電極的厚度為120nm；所述第二電極的組成材質為金、銀以及鋁中的任意一種，所述第二電極的厚度為100-150nm。

5.根據(jù)權利要求1所述的單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，所述空穴注入層的組成材質為聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽，所述空穴注入層的厚度為30-50nm。

6.根據(jù)權利要求1所述的單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，所述空穴傳輸層的組成材質為聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、4-丁基-n,n-二苯基苯胺均聚物、1,2,4,5-四(三氟甲基)苯、聚乙烯基咔唑、聚((9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-alt-(9-(2-乙基己基)-咔唑-3,6-二基))中的任意一種，所述空穴傳輸層的厚度為10-100nm。

7.根據(jù)權利要求1所述的單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，所述發(fā)光層包括cdse、cds、cdsb、inp量子點中的任意一種，所述發(fā)光層的厚度為10-100nm。

8.根據(jù)權利要求1所述的單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，所述電子產(chǎn)生層的組成材質為zno或者znmgo，所述電子產(chǎn)生層的厚度為10-100nm。

9.根據(jù)權利要求1所述的單絕緣交流發(fā)光二極管的應用，其特征在于，所述絕緣層包括聚偏二氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯以及偏二氟乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯的共聚物中的任意一種，所述透明絕緣層的厚度為300-800nm。

10.一種交流電檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括：

技術總結
本發(fā)明提供了一種單絕緣交流發(fā)光二極管的應用、交流電檢測系統(tǒng)，屬于發(fā)光器件技術領域，旨在提高交流電檢測的簡便性和靈敏性，包括：將所述單絕緣交流發(fā)光二極管的兩極分別接入交流電路的兩端，并獲取所述單絕緣交流發(fā)光二極管的瞬態(tài)發(fā)光光譜；基于所述瞬態(tài)發(fā)光光譜，確定所述交流電路的電參數(shù)；其中，所述電參數(shù)包括電壓、頻率、電壓變化值或頻率變化值中的至少一者；其中，所述單絕緣交流發(fā)光二極管包括：透明基底，以及層疊設置于所述透明基底一側的第一電極、空穴注入層、空穴產(chǎn)生層、發(fā)光層、電子產(chǎn)生層、絕緣層以及第二電極。

技術研發(fā)人員：趙謖玲,劉衡,梁志琴,喬泊,宋丹丹,徐征
受保護的技術使用者：北京交通大學
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/18