本實(shí)用新型涉及光電二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種封帽對(duì)中比對(duì)管。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的光電二極管在封裝封帽時(shí)，需要保證透鏡帽和芯片同心±30um內(nèi)，但是，目前的檢測(cè)工具結(jié)構(gòu)復(fù)雜、使用繁瑣且效率低，不適合大批量的抽檢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型主要是解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的技術(shù)問(wèn)題，從而提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、適合的大批量的抽檢的封帽對(duì)中比對(duì)管。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)問(wèn)題主要是通過(guò)下述技術(shù)方案得以解決的：

本實(shí)用新型提供的封帽對(duì)中比對(duì)管，其包括比對(duì)管本體，所述比對(duì)管本體上自外向內(nèi)依次開(kāi)設(shè)有相互同心的第一比對(duì)孔和第二比對(duì)孔，所述第一比對(duì)孔的內(nèi)表面與光電二極管的底座外圓面相匹配，所述光電二極管的底座上設(shè)有芯片，所述芯片的出光面與所述底座相互同心，且所述芯片的外部還套設(shè)有透鏡帽，所述透鏡帽的外圓面與所述第二比對(duì)孔相匹配。

進(jìn)一步地，所述第一比對(duì)孔的深度等于所述底座的厚度。

進(jìn)一步地，所述第二比對(duì)孔的深度大于所述透鏡帽的高度。

進(jìn)一步地，所述比對(duì)管本體采用透明材質(zhì)制作而成。

本實(shí)用新型的有益效果在于：通過(guò)在比對(duì)管本體上自外向內(nèi)依次開(kāi)設(shè)相互同心的第一比對(duì)孔和第二比對(duì)孔，利用第一比對(duì)孔和第二比對(duì)孔對(duì)光電二極管的底座和透鏡帽的同心度進(jìn)行檢測(cè)，而芯片的出光面與底座的相互同心，從而可以換算出透鏡帽和芯片的同心度，其不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便而且能適合的大批量的抽檢。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型的封帽對(duì)中比對(duì)管的使用狀態(tài)圖；

圖2是本實(shí)用新型的封帽對(duì)中比對(duì)管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

參閱圖1-2所示，本實(shí)用新型的封帽對(duì)中比對(duì)管，其包括比對(duì)管本體1，比對(duì)管本體1上自外向內(nèi)依次開(kāi)設(shè)有相互同心的第一比對(duì)孔2和第二比對(duì)孔3，第一比對(duì)孔2的內(nèi)表面與光電二極管4的底座5外圓面相匹配，光電二極管4的底座5上設(shè)有芯片6，芯片6的出光面與底座5相互同心，且芯片6的外部還套設(shè)有透鏡帽7，透鏡帽7的外圓面與第二比對(duì)孔3的內(nèi)表面相匹配。

本實(shí)用新型通過(guò)在比對(duì)管本體1上自外向內(nèi)依次開(kāi)設(shè)相互同心的第一比對(duì)孔2和第二比對(duì)孔3，利用第一比對(duì)孔2和第二比對(duì)孔3對(duì)光電二極管4的底座5和透鏡帽7的同心度進(jìn)行檢測(cè)，而芯片6的出光面與底座5的相互同心，從而可以換算出透鏡帽7和芯片6的同心度，其不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便而且能適合的大批量的抽檢。

較佳地，第一比對(duì)孔2的深度等于底座5的厚度，在檢測(cè)過(guò)程中，通過(guò)觀(guān)測(cè)底座5的底部與比對(duì)管本體1的底部是否齊平，就可對(duì)底座5的厚度是否合格進(jìn)行初步判斷，從而提升了光電二極管4的產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)效率和效果。

本實(shí)施中，為了避免第二比對(duì)孔3的底部與透鏡帽7相干涉，第二比對(duì)孔3的深度大于透鏡帽7的高度。

優(yōu)選地，為了方便觀(guān)測(cè)光電二極管4在第一比對(duì)孔2和第二比對(duì)孔3內(nèi)的狀態(tài)，比對(duì)管本體1采用透明材質(zhì)制作而成。

以上，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書(shū)所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。