1.一種MSM光電檢測裝置，其特征在于，包括多個檢測單元，任一檢測單元包括：至少一個第一MSM結(jié)構(gòu)、至少一個第二MSM結(jié)構(gòu)、第一控制單元、第二控制單元、第三控制單元、閾值比較單元以及儲能單元；
所述第一MSM結(jié)構(gòu)的第一金屬層連接第一節(jié)點，所述第一MSM結(jié)構(gòu)的第二金屬層連接第一電平端；
所述第二MSM結(jié)構(gòu)的第一金屬層連接第二控制單元以及所述第三控制單元，所述第二MSM結(jié)構(gòu)的第二金屬層連接第一電平端；
所述第一控制單元連接輸出/復(fù)位信號端、第一控制信號端以及所述第一節(jié)點，用于在所述第一控制信號端的第一控制信號的控制下將所述輸出/復(fù)位信號端與所述第一節(jié)點導(dǎo)通或斷開；
所述第二控制單元還連接第二控制信號端和所述第一節(jié)點，用于在所述第二控制信號端的第二控制信號的控制下將所述第一節(jié)點與所述第二MSM結(jié)構(gòu)的第一金屬層導(dǎo)通或斷開；
所述閾值比較單元連接所述輸出/復(fù)位信號端和第三控制信號端，用在所述輸出/復(fù)位信號端的電壓大于閾值電壓時在第三控制信號端輸出導(dǎo)通控制信號，在所述輸出/復(fù)位信號端輸出的電壓小于或等于閾值電壓時在第三控制信號端輸出關(guān)斷控制信號；
所述第三控制單元還連接所述三控制信號端和所述第一節(jié)點，用于在所述第三控制信號端輸出的導(dǎo)通控制信號的控制下將所述第一節(jié)點與所述第二MSM結(jié)構(gòu)的第一金屬層導(dǎo)通，或者在所述第三控制信號端輸出的關(guān)斷控制信號的控制下將所述第一節(jié)點與所述第二MSM結(jié)構(gòu)的第一金屬層斷開；
所述儲能單元連接所述第一節(jié)點以及所述第一電平端，用于存儲電荷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一控制單元包括：第一晶體管；
所述第一晶體管的第一極連接所述輸出/復(fù)位信號端，所述第一晶體管的第二極連接所述第一節(jié)點，所述第一晶體管的柵極連接所述第一控制信號端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二控制單元包括：第二晶體管；
所述第二晶體管的第一極連接所述第一節(jié)點，所述第二晶體管的第二極連接所述第二MSM結(jié)構(gòu)的第一金屬層，所述第二晶體管的柵極連接所述第二控制信號端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第三控制單元包括：第三晶體管；
所述第三晶體管的第一極連接所述第一節(jié)點，所述第三晶體管的第二極連接所述第二MSM結(jié)構(gòu)的第一金屬層，所述第三晶體管的柵極連接所述第三控制信號端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述閾值比較單元包括：電壓比較器；
所述電壓比較器的第一輸入端連接所述輸出/復(fù)位信號端，所述電壓比較器的第二輸入端輸入掃描信號，所述電壓比較器的輸出端連接所述第三控制信號端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述儲能單元包括：第一電容；
所述第一電容的第一極連接所述第一節(jié)點，所述第一電容的第二極連所述第一電平端。
7.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項所述的裝置，其特征在于，晶體管均為N型晶體管；或者晶體管均為P型晶體管。
8.一種X射線探測器，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項所述的MSM光電檢測裝置。