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一種GIS外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型的制作方法

文檔序號:11261061閱讀:385來源:國知局
一種GIS外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型的制造方法與工藝

本發(fā)明屬于氣體絕緣組合電器(gasinsulatedswitchgear,gis)觸頭溫度在線監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)、gis隔離開關(guān)外殼、環(huán)境傳感器的布置以及gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測算法。



背景技術(shù):

氣體絕緣組合電器(gasinsulatedswitchgear,gis)以其不受環(huán)境影響、施工安裝時(shí)間短、施工費(fèi)用低、運(yùn)行安全可靠、維護(hù)工作量少、運(yùn)行費(fèi)用省、不受無線電干擾、占地面積小等優(yōu)點(diǎn)迅速發(fā)展并廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)的高壓和超/特高壓領(lǐng)域,并且在今后會(huì)得到更大規(guī)模的應(yīng)用。

然而gis設(shè)備中大量使用的接頭(如隔離開關(guān)、母線、斷路器中的接頭)常常因制造工藝的不足,不同廠家間裝配工藝的差別,運(yùn)輸和安裝過程中出現(xiàn)差錯(cuò),從而出現(xiàn)鍍銀層不均、鍍銀層脫落或者觸頭表面形成氧化層等問題,使得觸頭處出現(xiàn)接觸不良從而造成接觸電阻過大,即使在通過正常電流的情況下也可能導(dǎo)致發(fā)熱嚴(yán)重,破壞局部熱平衡,誘發(fā)局部過熱性故障。gis設(shè)備的使用壽命和運(yùn)行可靠性不僅取決于設(shè)備的材料和結(jié)構(gòu),還與運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱程度有關(guān),研究表明在投設(shè)備若運(yùn)行時(shí)導(dǎo)體溫升過高,將導(dǎo)致金屬材料的機(jī)械強(qiáng)度大大降低,金屬氧化以及絕緣材料老化的進(jìn)程加快甚至最終電介質(zhì)強(qiáng)度降低而被擊穿。

gis設(shè)備中接頭是產(chǎn)生局部過熱故障的“高?!辈课?,其故障往往帶來嚴(yán)重的后果,輕則減負(fù)荷、部分設(shè)備斷電,重則導(dǎo)致設(shè)備損壞甚至引發(fā)短路故障,從而威脅整個(gè)gis設(shè)備系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),國內(nèi)外投入運(yùn)行的gis設(shè)備,或多或少都因其母線、電纜、隔離開關(guān)接頭的接觸不良而出現(xiàn)過熱現(xiàn)象并引發(fā)事故,帶來了嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)社會(huì)損失。觸頭溫度是反應(yīng)觸頭熱故障信息最直接的指標(biāo),因此實(shí)時(shí)在線監(jiān)測gis設(shè)備觸頭溫度,將其溫度作為直觀反映gis運(yùn)行狀態(tài)的重要參數(shù),以便運(yùn)行工作人員提早發(fā)現(xiàn)故障,并及時(shí)采取有效措施,對電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行具有十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。

目前無法實(shí)現(xiàn)直接在觸頭上布置傳感器來監(jiān)測其溫度,對gis觸頭溫度監(jiān)測的相關(guān)研究較少。有學(xué)者提出利用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對母線觸頭溫升和外殼單點(diǎn)溫升的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行最小二乘擬合,進(jìn)而利用外殼單點(diǎn)溫升來反推母線觸頭溫升,這為非接觸式測溫的觸頭溫度監(jiān)測提供了一種新思路,但監(jiān)測精度和準(zhǔn)確性還很難滿足工程實(shí)際運(yùn)用的要求。也有學(xué)者通過實(shí)驗(yàn)測得多點(diǎn)外殼溫度、環(huán)境溫度以及隔離開關(guān)觸頭溫度,利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)擬合環(huán)境溫度、外殼溫度和隔離開關(guān)觸頭溫度的關(guān)系,從而利用環(huán)境溫度和外殼溫度來間接監(jiān)測隔離開關(guān)觸頭溫度,由于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)有限,而神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練網(wǎng)絡(luò)適用于大樣本數(shù)據(jù),而且其計(jì)算往往只能得到局部最優(yōu)解而不是全局最優(yōu)解,因此仍需探尋更優(yōu)良的方法來監(jiān)測觸頭溫度。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測技術(shù)的不足,提供一種基于gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,其能基于gis外殼和環(huán)境測溫來實(shí)現(xiàn)隔離開關(guān)觸頭溫度的非接觸式測量,為氣體絕緣組合電器在線監(jiān)測和絕緣狀態(tài)評估打下基礎(chǔ)。

實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:

一種gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,其特征在于,

gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)回路:用于給gis隔離開關(guān)提供實(shí)驗(yàn)大電流,包括依次連接的大電流發(fā)生器,母線1,斷路器、母線2,所述大電流發(fā)生器,母線1,斷路器、母線2串接后在連接有g(shù)is隔離開關(guān)構(gòu)成實(shí)驗(yàn)回路;

gis隔離開關(guān):包括gis隔離開關(guān)以及設(shè)置在gis隔離開關(guān)外的屏蔽罩;

傳感器:設(shè)置在gis隔離開關(guān)外殼表面,用于測試實(shí)驗(yàn)時(shí)的外殼溫度。

在上述的一種gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,gis隔離開關(guān)包括gis設(shè)備外殼,設(shè)置在gis設(shè)備外殼內(nèi)的屏蔽罩,設(shè)置在屏蔽罩內(nèi)的動(dòng)觸頭和靜觸頭、以及與靜觸頭連通的導(dǎo)電桿。

在上述的一種gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,所述的gis隔離開關(guān)氣室長度為1000mm,導(dǎo)電桿的半徑為40mm;所述的外殼外徑為280mm,外殼內(nèi)徑為260mm;所述屏蔽罩內(nèi)徑為98.5mm,屏蔽罩外徑為105mm,屏蔽罩間隙為40mm;所述端蓋面半徑為340mm,端蓋面厚度為26mm;所述觀察窗內(nèi)徑為38mm,觀察窗外徑為58mm;所述動(dòng)觸頭側(cè)屏蔽罩為560mm,靜觸頭側(cè)屏蔽罩為140mm;所述動(dòng)觸頭側(cè)導(dǎo)體長為660mm,靜觸頭側(cè)導(dǎo)體長為100mm;所述觸頭半徑為60mm,觸頭厚度為40mm。

在上述的一種gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)回路中,調(diào)壓控制臺(tái)的輸入端通過導(dǎo)線與220v/50hz的市電連接,其輸出端通過導(dǎo)線連接到大電流發(fā)生器的輸入端,通過大電流發(fā)生器1為溫升實(shí)驗(yàn)回路加載大電流。

在上述的一種gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)回路中,打開溫度自動(dòng)采集設(shè)備,控制調(diào)壓器使實(shí)驗(yàn)電流達(dá)到預(yù)定值,若1h內(nèi)靜觸頭溫升變化在1k以內(nèi),則認(rèn)為隔離開關(guān)溫升達(dá)到穩(wěn)態(tài),記錄下此時(shí)的靜觸頭、外殼及環(huán)境溫度;進(jìn)行不同工況下的溫升試驗(yàn),并記錄下穩(wěn)態(tài)時(shí)的靜觸頭、外殼及環(huán)境溫度。

在上述的一種gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,gis隔離開關(guān)外殼表面?zhèn)鞲衅鞑季职ㄔ谕鈿け砻嬖O(shè)置了a~c共3個(gè)測量截面,其中外殼傳感器b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8安裝在觸頭所處截面,傳感器之間夾角45°,同時(shí)在外殼上距離觸頭截面一定距離分別設(shè)置了a測量截面a、測量截面c;測量截面a處于屏蔽罩間隙區(qū)域;并且測量截面a和測量截面c分別置于觸頭截面兩側(cè);a、c測量截面同樣布置8個(gè)測溫點(diǎn)(測溫點(diǎn)布置類似于b1-b8);為了使環(huán)境溫度傳感器免受溫升試驗(yàn)的影響,將環(huán)境溫度傳感器e安裝在距離隔離開關(guān)氣室2m處。

本發(fā)明采用上述技術(shù)方案后,主要有以下效果:1.本發(fā)明利用svr構(gòu)建gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,訓(xùn)練多點(diǎn)外殼溫度、環(huán)境溫度和隔離開關(guān)觸頭溫度的對應(yīng)關(guān)系,然后利用多點(diǎn)外殼溫度、環(huán)境溫度來監(jiān)測gis隔離開關(guān)觸頭溫度以實(shí)現(xiàn)隔離開關(guān)觸頭溫度的間接監(jiān)測,彌補(bǔ)了現(xiàn)有sf6氣體絕緣電氣設(shè)備中內(nèi)部觸頭溫度無法直接監(jiān)測的不足。2.本發(fā)明能基于gis隔離開關(guān)多物理場仿真的結(jié)果確定外殼溫度傳感器、環(huán)境溫度傳感器的布置方案,為完善gis設(shè)備的測溫方案,以及為后期sf6氣體絕緣電氣設(shè)備的溫升實(shí)驗(yàn)打下基礎(chǔ)。3.本發(fā)明進(jìn)行了不同工況下的gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn),為完善gis隔離開關(guān)在不同工況下的溫升特性,以及為sf6氣體絕緣電氣設(shè)備的狀態(tài)監(jiān)測和故障診斷打下實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。4.本發(fā)明裝置以真實(shí)的500kvgis隔離開關(guān)為研究對象,進(jìn)行了不同工況下的溫升實(shí)驗(yàn),能很好地反應(yīng)gis隔離開關(guān)的溫度場分布情況。5.本發(fā)明選定的核函數(shù)類型為徑向基核函數(shù),結(jié)合最優(yōu)參數(shù)并利用訓(xùn)練函數(shù)和監(jiān)測函數(shù)對回歸模型進(jìn)行訓(xùn)練和監(jiān)測,結(jié)果表明利用gis外殼多點(diǎn)溫度與環(huán)境溫度對gis隔離開關(guān)觸頭溫度進(jìn)行擬合監(jiān)測的效果優(yōu)越,監(jiān)測的各項(xiàng)誤差均較小,平均相對監(jiān)測誤差僅為0.47%,并且整個(gè)仿真計(jì)算過程耗時(shí)較少,操作較為簡便。本發(fā)明可廣泛用于基于gis隔離開關(guān)外殼和環(huán)境測溫的gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測,為gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測研究提供了一種簡單易用的方法。

附圖說明

圖1為本發(fā)明裝置的gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)回路接線原理框圖;

圖2為本發(fā)明裝置的有屏蔽罩結(jié)構(gòu)的gis隔離開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3為gis隔離開關(guān)氣室物理模型的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4a為本發(fā)明裝置的gis隔離開關(guān)外殼表面?zhèn)鞲衅鞑季种饕暯Y(jié)構(gòu)示意圖。

圖4b為圖1的左視結(jié)構(gòu)示意圖

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施方式,進(jìn)一步說明本發(fā)明。

圖中:1、大電流發(fā)生器,2、母線,3、斷路器,4、隔離開關(guān),5、gis設(shè)備外殼,6、屏蔽罩,7、動(dòng)觸頭,8、靜觸頭,9、導(dǎo)電桿,10、觀察窗,11、sf6氣體,12、觸頭,13、盆式絕緣子。

首先,介紹一下本發(fā)明的裝置結(jié)構(gòu),gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備有500kvgis隔離開關(guān)、回路電阻測試儀(量程為2000μω)、5000a大電流發(fā)生器。gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)的溫度測量系統(tǒng)中,gis隔離開關(guān)觸頭溫度主要由k型熱電偶監(jiān)測,熱電偶溫度數(shù)字顯示儀顯示;而外殼及環(huán)境溫度的測量系統(tǒng)主要由光纖光柵溫度傳感器、數(shù)據(jù)采集裝置、解調(diào)儀和pc機(jī)等組成,其測量精度為±0.5℃,以上測溫設(shè)備均能實(shí)現(xiàn)溫度自動(dòng)記錄并實(shí)時(shí)保存。gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)回路主要由5000a大電流發(fā)生器、母線、斷路器、隔離開關(guān)等通過串聯(lián)方式構(gòu)成。

往所述的實(shí)驗(yàn)回路系統(tǒng)中通入0.3mpasf6氣體,與實(shí)際運(yùn)行的gis設(shè)備一致,gis隔離開關(guān)內(nèi)部導(dǎo)體發(fā)熱時(shí),熱量通過sf6氣體傳遞到外殼上。

以真實(shí)的500kv單相gis某隔離開關(guān)氣室為研究對象,為了有利于建模,將gis隔離開關(guān)氣室物理模型進(jìn)行適當(dāng)簡化。廠家提供的gis隔離開關(guān)幾何模型存在不連通的區(qū)域,很難直接利用其進(jìn)行有限元仿真計(jì)算,因此在模型中需添加端蓋面,使得隔離開關(guān)氣室模型得以聯(lián)通。忽略內(nèi)部支撐絕緣子和外殼某些小部件對溫度場分布的影響,假設(shè)gis隔離開關(guān)觸頭處均勻發(fā)熱,將觸頭等效為體熱源。隔離開關(guān)氣室兩側(cè)通過盆式絕緣子與其他氣室相連,盆式絕緣子的材料為環(huán)氧樹脂,金屬外殼的導(dǎo)熱率遠(yuǎn)高于環(huán)氧樹脂,因此通過盆式絕緣子向外傳輸?shù)臒崃肯鄬^少,本模型將盆式絕緣子處設(shè)置為絕熱邊界條件。

所述的gis隔離開關(guān)氣室主要由導(dǎo)電桿、外殼、屏蔽罩、端蓋面、觀察窗、觸頭構(gòu)成。簡化模型后,所述的隔離開關(guān)氣室的主要尺寸參數(shù)如下。所述的gis隔離開關(guān)氣室長度為1000mm,導(dǎo)電桿的半徑為40mm。所述的外殼外徑為280mm,外殼內(nèi)徑為260mm。所述屏蔽罩內(nèi)徑為98.5mm,屏蔽罩外徑為105mm,屏蔽罩間隙為40mm。所述端蓋面半徑為340mm,端蓋面厚度為26mm。所述觀察窗內(nèi)徑為38mm,觀察窗外徑為58mm。所述動(dòng)觸頭側(cè)屏蔽罩為560mm,靜觸頭側(cè)屏蔽罩為140mm。所述動(dòng)觸頭側(cè)導(dǎo)體長為660mm,靜觸頭側(cè)導(dǎo)體長為100mm。所述觸頭半徑為60mm,觸頭厚度為40mm。

為了保證溫升實(shí)驗(yàn)回路中氣室的氣密性,在gis殼體上安裝了信號端子板,用耐熱材料將觸頭傳感器固定后,其引線通過定制的信號端子板引出。在光纖光柵溫度傳感器與gis隔離開關(guān)外殼表面之間涂覆導(dǎo)熱硅膠以保證良好的導(dǎo)熱性能,提高外殼測溫的準(zhǔn)確度。并且為了減少環(huán)境對溫度傳感器測溫的影響,在傳感器表面貼覆保溫棉。隔離開關(guān)外殼布置的溫度傳感器能反應(yīng)隔離開關(guān)內(nèi)部觸頭溫度的變化,為了保證gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)的有效性,外殼溫度傳感器的布置至關(guān)重要。

gis隔離開關(guān)外殼溫度傳感器、環(huán)境溫度傳感器布置利用多物理場仿真結(jié)果確定傳感器的布置方案。基于溫度場仿真結(jié)果可知,gis隔離開關(guān)外殼溫度沿徑向和軸向都呈現(xiàn)不均勻分布,屏蔽罩的遮擋作用使得屏蔽罩間隙上方外殼溫升最為明顯,外殼溫度梯度呈現(xiàn)上方大下方小,外殼呈現(xiàn)上方溫度高下方溫度低。因此,為了更加準(zhǔn)確地測量gis隔離開關(guān)外殼表面的溫度場分布,在外殼表面設(shè)置了a~c共3個(gè)測量截面,其中外殼傳感器b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8(傳感器間相距45°)安裝在觸頭所處截面,同時(shí)在外殼上距離觸頭截面一定距離分別設(shè)置了a(a截面處于屏蔽罩間隙區(qū)域)、c兩個(gè)測量截面,a、c測量截面分別置于觸頭截面兩側(cè)。a、c測量截面同樣布置8個(gè)測溫點(diǎn)(測溫點(diǎn)布置類似于b1-b8)。為了使環(huán)境溫度傳感器免受溫升試驗(yàn)的影響,將環(huán)境溫度傳感器e安裝在距離隔離開關(guān)氣室2m處。

實(shí)驗(yàn)過程中,首先打開溫度自動(dòng)采集設(shè)備,控制調(diào)壓器使實(shí)驗(yàn)電流達(dá)到預(yù)定值,若1h內(nèi)觸頭溫升變化在1k以內(nèi),則認(rèn)為隔離開關(guān)溫升達(dá)到穩(wěn)態(tài),記錄下此時(shí)的觸頭、外殼及環(huán)境溫度。進(jìn)行不同工況下的溫升試驗(yàn),并記錄下穩(wěn)態(tài)時(shí)的觸頭、外殼及環(huán)境溫度。

觸頭溫度反演算法部分,本發(fā)明通過監(jiān)測gis隔離開關(guān)外殼的溫度和環(huán)境溫度來反演計(jì)算隔離開關(guān)內(nèi)部觸頭的溫度以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部觸頭溫度的非接觸式測量。本發(fā)明采用支持向量回歸機(jī)(supportvectorregression,svr)訓(xùn)練多點(diǎn)外殼溫度、環(huán)境溫度和gis隔離開關(guān)觸頭溫度的對應(yīng)關(guān)系,然后利用多點(diǎn)外殼溫度和環(huán)境溫度的實(shí)測來反演計(jì)算gis隔離開關(guān)觸頭溫度。從實(shí)驗(yàn)所得的93組gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中,隨機(jī)選取83組作為訓(xùn)練樣本,剩余10組作為監(jiān)測樣本,選取外殼24點(diǎn)溫度值以及環(huán)境溫度值作為自變量,隔離開關(guān)觸頭溫度值作為因變量,核函數(shù)類型選擇徑向基核函數(shù),并選用均方誤差mse、平方相關(guān)系數(shù)r、最大相對監(jiān)測誤差、最小相對監(jiān)測誤差和平均相對監(jiān)測誤差作為模型的監(jiān)測指標(biāo)。本發(fā)明選用matlab中的libsvm軟件,利用svr模型建立gis隔離開關(guān)觸頭溫度的非接觸式監(jiān)測模型,能實(shí)現(xiàn)基于gis隔離開關(guān)外殼和環(huán)境測溫的gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測。

下面結(jié)合上述裝置進(jìn)行具體案例的闡述。

實(shí)施例1

如圖1~4所示,一種gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型,主要由gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)回路、有屏蔽罩結(jié)構(gòu)的gis隔離開關(guān)、gis隔離開關(guān)外殼表面?zhèn)鞲衅鞑季旨皊vr隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測算法構(gòu)成,主要包括1、大電流發(fā)生器,2、母線,3、斷路器,4、隔離開關(guān),5、gis設(shè)備外殼,6、屏蔽罩,7、動(dòng)觸頭,8、靜觸頭,9、導(dǎo)電桿,10、觀察窗,11、sf6氣體,12、觸頭,13、盆式絕緣子和svr的gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測算法。

所述的gis隔離開關(guān)溫升實(shí)驗(yàn)回路由1、大電流發(fā)生器,2、母線,3、斷路器及4、隔離開關(guān)構(gòu)成。調(diào)壓控制臺(tái)(容量為50kva)(市購產(chǎn)品)的輸入端通過導(dǎo)線與220v/50hz的市電連接,其輸出端(調(diào)壓控制臺(tái)輸出電壓為0~250v)通過導(dǎo)線連接到大電流發(fā)生器1(市購產(chǎn)品,5ka/10kva)的輸入端,通過大電流發(fā)生器1為溫升實(shí)驗(yàn)回路加載大電流。打開溫度自動(dòng)采集設(shè)備,控制調(diào)壓器使實(shí)驗(yàn)電流達(dá)到預(yù)定值,若1h內(nèi)觸頭溫升變化在1k以內(nèi),則認(rèn)為隔離開關(guān)溫升達(dá)到穩(wěn)態(tài),記錄下此時(shí)的觸頭、外殼及環(huán)境溫度(外殼傳感器的布置方案如圖4a和圖4b所示)。進(jìn)行不同工況下的溫升試驗(yàn),并記錄下穩(wěn)態(tài)時(shí)的觸頭、外殼及環(huán)境溫度。

所述的有屏蔽罩結(jié)構(gòu)的gis隔離開關(guān)主要由5、gis設(shè)備外殼,6、屏蔽罩,7、動(dòng)觸頭,8、靜觸頭,9、導(dǎo)電桿構(gòu)成。所述的gis隔離開關(guān)氣室長度為1000mm,導(dǎo)電桿的半徑為40mm。所述的外殼外徑為280mm,外殼內(nèi)徑為260mm。所述屏蔽罩內(nèi)徑為98.5mm,屏蔽罩外徑為105mm,屏蔽罩間隙為40mm。所述端蓋面半徑為340mm,端蓋面厚度為26mm。所述觀察窗內(nèi)徑為38mm,觀察窗外徑為58mm。所述動(dòng)觸頭側(cè)屏蔽罩為560mm,靜觸頭側(cè)屏蔽罩為140mm。所述動(dòng)觸頭側(cè)導(dǎo)體長為660mm,靜觸頭側(cè)導(dǎo)體長為100mm。所述觸頭半徑為60mm,觸頭厚度為40mm。

所述的gis隔離開關(guān)外殼表面?zhèn)鞲衅鞑季职ㄔ谕鈿け砻嬖O(shè)置了a~c共3個(gè)測量截面,其中外殼傳感器b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8(傳感器間相距45°)安裝在觸頭所處截面,同時(shí)在外殼上距離觸頭截面一定距離分別設(shè)置了a(a截面處于屏蔽罩間隙區(qū)域)、c兩個(gè)測量截面,a、c測量截面分別置于觸頭截面兩側(cè)。a、c測量截面同樣布置8個(gè)測溫點(diǎn)(測溫點(diǎn)布置類似于b1-b8)。為了使環(huán)境溫度傳感器免受溫升試驗(yàn)的影響,將環(huán)境溫度傳感器e安裝在距離隔離開關(guān)氣室2m處。

所述的svr隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測算法包括基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)利用svr訓(xùn)練多點(diǎn)外殼溫度、環(huán)境溫度與隔離開關(guān)觸頭溫度的對應(yīng)關(guān)系,然后利用多點(diǎn)外殼溫度和環(huán)境溫度的實(shí)測來反演計(jì)算gis隔離開關(guān)觸頭溫度以實(shí)現(xiàn)觸頭溫度的非接觸式監(jiān)測。

所述的gis外殼和環(huán)境測溫的隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測模型包括外殼和環(huán)境溫度監(jiān)測系統(tǒng)和gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測系統(tǒng)兩部分。所述的外殼和環(huán)境溫度監(jiān)測系統(tǒng)采用光纖光柵溫度傳感器監(jiān)測gis隔離開關(guān)外殼和環(huán)境溫度,所述gis隔離開關(guān)觸頭溫度監(jiān)測系統(tǒng)通過svr觸頭溫度監(jiān)測算法并基于測得的gis隔離開關(guān)外殼和環(huán)境溫度,實(shí)現(xiàn)內(nèi)部觸頭溫度的反演監(jiān)測。

本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代,但并不會(huì)偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。

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