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多通道微流控?zé)晒鈾z測裝置和方法與流程

文檔序號:11513548閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種多通道微流控?zé)晒鈾z測裝置和方法。該熒光檢測裝置包括光源、微流控芯片及光電薄膜晶體管。光電薄膜晶體管具有多個檢測陣列,每個所述檢測陣列具有多個由頂柵極、漏極、底柵極和源極構(gòu)成的雙柵極光電薄膜晶體管,且每個檢測陣列中的多個雙柵極光電薄膜晶體管呈陣列分布。該熒光檢測裝置和方法采用雙柵極光電薄膜晶體管,并將其和多通道微流控芯片集成,形成集成化和微型化的多通道的微流控?zé)晒獠杉到y(tǒng)進(jìn)行熒光信號收集和檢測,具有較高的光靈敏度和光電導(dǎo)增益,非常適用于熒光檢測,而且其制備難度和成本較低、功耗小、集成度高,適用于大面積制作,實(shí)現(xiàn)陣列化。

技術(shù)研發(fā)人員:王凱;陳藝文;何漢滔
受保護(hù)的技術(shù)使用者:廣東順德中山大學(xué)卡內(nèi)基梅隆大學(xué)國際聯(lián)合研究院;中山大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.06.16
技術(shù)公布日:2017.10.17
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