本發(fā)明涉及一種氣敏傳感材料及制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步，可持續(xù)性發(fā)展的重要性已越為突出，在人們?nèi)粘Ｉ钪校瑢?duì)環(huán)境中有毒有害氣體的監(jiān)測(cè)備受關(guān)注?？諝庵谐Ｒ?jiàn)的有毒有害氣體如nox、h2s、so2、nh3、co等，其中nox是大氣中的主要?dú)鈶B(tài)污染物之一。nox是環(huán)境污染的來(lái)源，nox能夠造成酸雨和光化學(xué)煙霧，對(duì)人類造成嚴(yán)重的疾病，特別是nox易于與人血液中的血紅蛋白結(jié)合，也刺激肺，造成很多嚴(yán)重的疾病。已經(jīng)探索了大量的nox氣體傳感器，如sno2，zno，tio2，in2o3和導(dǎo)電聚合物。在某種程度上，這些氣體傳感器可以很好地檢測(cè)nox，但是它們需要較高的工作溫度，靈敏度低，選擇性差。因此，迫切需要開(kāi)發(fā)一種具有高靈敏度、良好選擇性、快速響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間并可在室溫下使用的nox氣體傳感器。二硫化鉬由于其獨(dú)特的電子特性,二維層狀結(jié)構(gòu)和比較大的比表面積等原因，導(dǎo)致其表面很容易吸附氣體分子,是很好的氣敏傳感材料。傳統(tǒng)的金屬氧化物傳感器對(duì)工作環(huán)境要求比較奇刻，因?yàn)樗鼈儗?duì)氧化性和還原性氣體十分敏感,而且工作溫度較高，對(duì)于現(xiàn)已報(bào)道的mos2氣體傳感器也存在很多問(wèn)題，如：文獻(xiàn)報(bào)道了mos2/石墨烯混合氣凝膠檢測(cè)no2，該傳感器對(duì)no2氣體的檢測(cè)結(jié)果顯示在工作溫度為200℃時(shí)較為靈敏，因此mos2/石墨烯混合氣凝膠傳感器工作溫度偏高，在室溫下無(wú)法檢測(cè)，其靈敏度幾乎為零，不利于實(shí)際應(yīng)用。目前，二硫化鉬基半導(dǎo)體氣敏傳感器的研究已經(jīng)取得了一定的成果，但仍存在著一些問(wèn)題，如在室溫下靈敏度低、響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間慢、選擇性差等問(wèn)題。如硫化鉬與貴金屬?gòu)?fù)合制備的傳感器雖然提高了靈敏度，但是卻大大增加了成本。單一的二硫化鉬制備的傳感器對(duì)100ppm的nox的靈敏度為1.83，響應(yīng)時(shí)間為7s，恢復(fù)時(shí)間為6s；且對(duì)氮氧化物和氨氣沒(méi)有很好的選擇性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明為了解決現(xiàn)有的檢測(cè)nox的敏感材料存在工作溫度需求高、靈敏度低、選擇性差、恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，提出了一種二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料及制備方法和應(yīng)用；本發(fā)明二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料由mos2和銦鹽制成；所述mos2與銦鹽的摩爾比為(1～4):(0.5～3)；所述二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料中氫氧化銦的粒徑為5～10nm；所述二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料形貌為三維的花瓣?duì)睿簧鲜龆蚧f/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的制備方法按以下步驟進(jìn)行：一、稱取含鉬材料和含硫材料做為原料；所述含鉬材料為na2moo4·2h2o或(nh4)2moo4·2h2o；所述含硫材料為ch4n2s；所述含鉬材料與含硫材料的質(zhì)量比為(0.5～1.45)：(0.3～1.90)；二、將步驟一稱取的原料溶解去離子水中，然后超聲處理0.5～1h，最后攪拌0.5～3h得到混合液；所述步驟一稱取的原料的質(zhì)量與去離子水的體積比為(0.85～3.35)g：(50～70)ml；三、將步驟二得到的混合液置于水熱釜中，在150～200℃下進(jìn)行水熱反應(yīng)10～30h，過(guò)濾得到固體產(chǎn)物；四、依次用離子水和乙醇洗滌步驟三得到的固體產(chǎn)物，然后真空干燥洗滌后的固體產(chǎn)物即得到長(zhǎng)度為100～200nm的mos2納米片；所述真空干燥的溫度為50～70℃，真空干燥的時(shí)間為5～15h；五、稱取步驟四得到的mos2納米片，并置于去離子水中超聲分散0.5～1h得到mos2懸浮液；所述稱取的步驟四得到的mos2納米的質(zhì)量與去離子水的體積比為(0.01～0.5)g：(50～100)ml；六、向步驟五得到的mos2懸浮液中依次加入銦鹽和堿溶液，并攪拌10～60min，得到反應(yīng)液；所述銦鹽與堿溶液的質(zhì)量比為(0.01～1.90)：(0.05～1)；所述銦鹽為incl3或in(no3)3；所述堿溶液為naoh溶液或氨水；所述naoh溶液的濃度為0.001～0.05mol/l；所述氨水的濃度為0.001～0.05mol/l；七、將反應(yīng)液置于反應(yīng)釜內(nèi)，在120～250℃下進(jìn)行水熱合成反應(yīng)10h～48h，然后過(guò)濾得到固體產(chǎn)物；八、將步驟七得到的固體產(chǎn)物依次進(jìn)行洗滌處理和干燥處理，得到二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料；所述洗滌處理所用的洗滌液為質(zhì)量分?jǐn)?shù)10～50％的乙醇溶液；所述干燥的工藝為：在50～70℃下干燥6～24h；上述二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料作為敏感材料在制備氣敏元件中的應(yīng)用；所述制備氣敏元件的方法為：將二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料超聲分散于5～7倍體積的乙醇溶液中，得到分散均勻的懸濁液，然后將懸濁液旋涂在au叉指電極上，在室溫下晾干，即得到氣敏元件；以二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料作為敏感材料制備氣敏元件于溫度為20～35℃和濕度為20～40％的條件下對(duì)nox進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明具備以下有益效果：1、本發(fā)明制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料，mos2為片層結(jié)構(gòu)、in(oh)3為薄晶體粒子的多晶物質(zhì)，mos2本身呈片層結(jié)構(gòu)，不僅可以有效地防止聚集，還增加了更多的接觸位點(diǎn)，而in(oh)3納米顆粒分散于納米片上，增加了氣體的催化位點(diǎn)，有助于氣體的吸脫附，提高了復(fù)合材料的靈敏度；2、采用本發(fā)明制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)空氣中nox進(jìn)行檢測(cè)過(guò)程中不需要加熱，可以在室溫即為25℃、濕度為25％的條件下進(jìn)行，可以檢出的nox的摩爾濃度最低為0.1ppm，檢測(cè)時(shí)響應(yīng)和恢復(fù)響應(yīng)時(shí)間僅為0.7s和0.8s。3、在室溫下與nh3和co相比，統(tǒng)一注入濃度為100ppm，本發(fā)明制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)nox的靈敏度達(dá)到14～16，而對(duì)于nh3和co的靈敏度小于2，因此本發(fā)明制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)nox具有非常突出的選擇性。4、本發(fā)明制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件在nox濃度為0.1～100ppm范圍內(nèi)，相應(yīng)時(shí)間為0.2～0.8s，恢復(fù)時(shí)間為0.8～2.8s；5、本發(fā)明制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件與二硫化鉬與貴金屬?gòu)?fù)合制備的傳感器相比可以降低成本；附圖說(shuō)明：圖1是測(cè)試實(shí)施例1制備的氣敏元件檢測(cè)nox的靈敏度曲線圖；其中曲線1～7依次對(duì)應(yīng)的是濃度為100ppm、50ppm、30ppm、10ppm、5ppm、3ppm和1ppm的nox；圖2為實(shí)施例1得到的二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的x射線衍射圖；圖3為實(shí)施例1得到的二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料透射電鏡圖；圖4為實(shí)施例1得到二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的比表面積測(cè)試圖；圖中曲線1為脫附曲線，曲線2為脫附曲線；圖5是在室溫下對(duì)實(shí)施例1制備的的氣敏元件進(jìn)行的氣體選擇性測(cè)試圖，其中測(cè)試氣體包括：nh3、nox和co。具體實(shí)施方式：本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉具體實(shí)施方式，還包括各具體實(shí)施方式間的任意合理組合。具體實(shí)施方式一：本實(shí)施方式一種二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料，該復(fù)合氣敏傳感材料由mos2和銦鹽制成；所述mos2與銦鹽的摩爾比為(1～4):(0.5～3)。本實(shí)施方式具備以下有益效果：1、本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料，mos2為片層結(jié)構(gòu)、in(oh)3為薄晶體粒子的多晶物質(zhì)，mos2本身呈片層結(jié)構(gòu)，不僅可以有效地防止聚集，還增加了更多的接觸位點(diǎn)，而in(oh)3納米顆粒分散于納米片上，增加了氣體的催化位點(diǎn)，有助于氣體的吸脫附，提高了復(fù)合材料的靈敏度；2、采用本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)空氣中nox進(jìn)行檢測(cè)過(guò)程中不需要加熱，可以在室溫即為25℃、濕度為25％的條件下進(jìn)行，可以檢出的nox的摩爾濃度最低為0.1ppm，檢測(cè)時(shí)響應(yīng)和恢復(fù)響應(yīng)時(shí)間僅為0.7s和0.8s。3、在室溫下與nh3和co相比，統(tǒng)一注入濃度為100ppm，本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)nox的靈敏度達(dá)到14～16，而對(duì)于nh3和co的靈敏度小于2，因此本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)nox具有非常突出的選擇性。4、本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件在nox濃度為0.1～100ppm范圍內(nèi)，相應(yīng)時(shí)間為0.2～0.8s，恢復(fù)時(shí)間為0.8～2.8s；5、本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件與二硫化鉬與貴金屬?gòu)?fù)合制備的傳感器相比可以降低成本；具體實(shí)施方式二：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一不同的是：所述二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料中氫氧化銦的粒徑為5～10nm。其他步驟和參數(shù)與具體實(shí)施方式一相同。具體實(shí)施方式三：本實(shí)施方式一種二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的制備方法，該制備方法按以下步驟進(jìn)行：一、稱取含鉬材料和含硫材料做為原料；所述含鉬材料為na2moo4·2h2o或(nh4)2moo4·2h2o；所述含硫材料為ch4n2s；所述含鉬材料與含硫材料的質(zhì)量比為(0.5～1.45)：(0.3～1.90)；二、將步驟一稱取的原料溶解去離子水中，然后超聲處理0.5～1h，最后攪拌0.5～3h得到混合液；所述步驟一稱取的原料的質(zhì)量與去離子水的體積比為(0.85～3.35)g：(50～70)ml；三、將步驟二得到的混合液置于水熱釜中，在150～200℃下進(jìn)行水熱反應(yīng)10～30h，過(guò)濾得到固體產(chǎn)物；四、依次用離子水和乙醇洗滌步驟三得到的固體產(chǎn)物，然后真空干燥洗滌后的固體產(chǎn)物即得到長(zhǎng)度為100～200nm的mos2納米片；所述真空干燥的溫度為50～70℃，真空干燥的時(shí)間為5～15h；五、稱取步驟四得到的mos2納米片，并置于去離子水中超聲分散0.5～1h得到mos2懸浮液；所述稱取的步驟四得到的mos2納米的質(zhì)量與去離子水的體積比為(0.01～0.5)g：(50～100)ml；六、向步驟五得到的mos2懸浮液中依次加入銦鹽和堿溶液，并攪拌10～60min，得到反應(yīng)液；所述銦鹽與堿溶液的質(zhì)量比為(0.01～1.90)：(0.05～1)；七、將反應(yīng)液置于反應(yīng)釜內(nèi)，在120～250℃下進(jìn)行水熱合成反應(yīng)10h～48h，然后過(guò)濾得到固體產(chǎn)物；八、將步驟七得到的固體產(chǎn)物依次進(jìn)行洗滌處理和干燥處理，得到二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料。本實(shí)施方式具備以下有益效果：1、本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料，mos2為片層結(jié)構(gòu)、in(oh)3為薄晶體粒子的多晶物質(zhì)，mos2本身呈片層結(jié)構(gòu)，不僅可以有效地防止聚集，還增加了更多的接觸位點(diǎn)，而in(oh)3納米顆粒分散于納米片上，增加了氣體的催化位點(diǎn)，有助于氣體的吸脫附，提高了復(fù)合材料的靈敏度；2、采用本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)空氣中nox進(jìn)行檢測(cè)過(guò)程中不需要加熱，可以在室溫即為25℃、濕度為25％的條件下進(jìn)行，可以檢出的nox的摩爾濃度最低為0.1ppm，檢測(cè)時(shí)響應(yīng)和恢復(fù)響應(yīng)時(shí)間僅為0.7s和0.8s。3、在室溫下與nh3和co相比，統(tǒng)一注入濃度為100ppm，本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)nox的靈敏度達(dá)到14～16，而對(duì)于nh3和co的靈敏度小于2，因此本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)nox具有非常突出的選擇性。4、本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件在nox濃度為0.1～100ppm范圍內(nèi)，相應(yīng)時(shí)間為0.2～0.8s，恢復(fù)時(shí)間為0.8～2.8s；5、本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件與二硫化鉬與貴金屬?gòu)?fù)合制備的傳感器相比可以降低成本；具體實(shí)施方式四：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式三不同的是：步驟八所述洗滌處理所用的洗滌液為質(zhì)量分?jǐn)?shù)10～50％的乙醇溶液。其他步驟和參數(shù)與具體實(shí)施方式三相同。具體實(shí)施方式五：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式三或四不同的是：步驟八所述干燥的工藝為：在50～70℃下干燥6～24h。其他步驟和參數(shù)與具體實(shí)施方式三或四相同。具體實(shí)施方式六：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式三至五之一不同的是：步驟六所述銦鹽為incl3或in(no3)3。其他步驟和參數(shù)與具體實(shí)施方式三至五之一相同。具體實(shí)施方式七：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式三至六之一不同的是：步驟六所述堿溶液為naoh溶液或氨水；所述naoh溶液的濃度為0.001～0.05mol/l；所述氨水的濃度為0.001～0.05mol/l。其他步驟和參數(shù)與具體實(shí)施方式三至六之一相同。具體實(shí)施方式八：本實(shí)施方式所述的二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料作為敏感材料在制備氣敏元件中的應(yīng)用。一種二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的應(yīng)用，將二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料作為敏感材料制備氣敏元件，然后將制備的氣敏元件置于溫度為20～35℃和濕度為20～40％的條件下對(duì)nox進(jìn)行檢測(cè)。本實(shí)施方式具備以下有益效果：1、采用本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)空氣中nox進(jìn)行檢測(cè)過(guò)程中不需要加熱，可以在室溫即為25℃、濕度為25％的條件下進(jìn)行，可以檢出的nox的摩爾濃度最低為0.1ppm，檢測(cè)時(shí)響應(yīng)和恢復(fù)響應(yīng)時(shí)間僅為0.7s和0.8s。2、在室溫下與nh3和co相比，統(tǒng)一注入濃度為100ppm，本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)nox的靈敏度達(dá)到14～16，而對(duì)于nh3和co的靈敏度小于2，因此本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件對(duì)nox具有非常突出的選擇性。3、本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件在nox濃度為0.1～100ppm范圍內(nèi)，相應(yīng)時(shí)間為0.2～0.8s，恢復(fù)時(shí)間為0.8～2.8s；5、本實(shí)施方式制備的mos2/in(oh)3復(fù)合材料作為敏感材料制備的氣敏元件與二硫化鉬與貴金屬?gòu)?fù)合制備的傳感器相比可以降低成本；具體實(shí)施方式九：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式八不同的是：所述制備氣敏元件的方法為：將二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料超聲分散于5～7倍體積的乙醇溶液中，得到分散均勻的懸濁液，然后將懸濁液旋涂在au叉指電極上，在室溫下晾干，即得到氣敏元件。其他步驟和參數(shù)與具體實(shí)施方式八相同。具體實(shí)施方式十：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式八或九不同的是：以二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料作為敏感材料制備氣敏元件于溫度為20～35℃和濕度為20～40％的條件下對(duì)nox進(jìn)行檢測(cè)。其他步驟和參數(shù)與具體實(shí)施方式八或九相同。采用以下實(shí)施例驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果：實(shí)施例1：本實(shí)施例一種二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的制備方法按以下步驟進(jìn)行：一、稱取1.45g含鉬材料和1.90g含硫材料做為原料；所述含鉬材料為na2moo4·2h2o；所述含硫材料為ch4n2s；二、將步驟一稱取的原料溶解70ml去離子水中，然后超聲處理1h，最后攪拌3h得到混合液；三、將步驟二得到的混合液置于水熱釜中，在200℃下進(jìn)行水熱反應(yīng)30h，過(guò)濾得到固體產(chǎn)物；四、依次用離子水和乙醇洗滌步驟三得到的固體產(chǎn)物，然后在70℃下真空干燥洗滌后的固體產(chǎn)物15h，即得到長(zhǎng)度為200nm的mos2納米片；五、稱取0.5g步驟四得到的mos2納米片，并置于100ml去離子水中超聲分散1h得到mos2懸浮液；六、向步驟五得到的mos2懸浮液中依次加入1.90g銦鹽和1g堿溶液，并攪拌60min，得到反應(yīng)液；所述銦鹽為incl3；所述堿溶液為naoh溶液；所述naoh溶液的濃度為0.001～0.05mol/l；七、將反應(yīng)液置于反應(yīng)釜內(nèi)，在250℃下進(jìn)行水熱合成反應(yīng)48h，然后過(guò)濾的到固體產(chǎn)物；八、將步驟七得到的固體產(chǎn)物依次進(jìn)行洗滌處理和干燥處理，得到二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料；所述洗滌處理所用的洗滌液為質(zhì)量分?jǐn)?shù)50％的乙醇溶液；所述干燥的工藝為：在70℃下干燥24h；上述二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的應(yīng)用按以下步驟進(jìn)行：將二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料作為敏感材料制備氣敏元件，然后將制備的氣敏元件置于溫度為35℃和濕度為40％的條件下對(duì)nox進(jìn)行檢測(cè)；所述制備氣敏元件的方法為：將二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料超聲分散于5～7倍體積的乙醇溶液中，得到分散均勻的懸濁液，然后將懸濁液旋涂在au叉指電極上，在室溫下晾干，即得到氣敏元件。圖1是測(cè)試實(shí)施例1制備的氣敏元件檢測(cè)nox的靈敏度曲線圖；其中曲線1～7依次對(duì)應(yīng)的是濃度為100ppm、50ppm、30ppm、10ppm、5ppm、3ppm和1ppm的nox；從圖1可知，從圖可以看出，當(dāng)nox的濃度為100ppm時(shí)實(shí)施例1制備的氣敏元件的靈敏度高達(dá)15.39，當(dāng)nox的濃度為0.1ppm時(shí)實(shí)施例1制備的氣敏元件的靈敏度大于1.38，并且從注入nox氣體后氣敏元件的電阻開(kāi)始變化到完全穩(wěn)定所用的時(shí)間小于1秒，說(shuō)明實(shí)施例1制備的氣敏元件響應(yīng)速度快、吸附可逆性好；圖2為實(shí)施例1得到的二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的x射線衍射圖；從圖2中可以看出，圖中2θ角值為14.3°,30.3°,33.3°,39.4°和58.7°對(duì)應(yīng)mos2(002),(004),(101),(102),(103),(110)晶面。(200),(220),(310),(222)和(420)對(duì)應(yīng)立方晶系in(oh)3；圖3為實(shí)施例1得到的二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料透射電鏡圖；從圖2中可以看出，二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料是由片層狀mos2和顆粒狀的in(oh)3組成的，in(oh)3納米顆粒分散于mos2納米片上，增加了mos2的催化位點(diǎn)，提高了二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的靈敏度；并且從圖中能夠看出二硫化鉬納米片的長(zhǎng)度為100～200nm，氫氧化銦納米顆粒的粒徑為5-10nm；圖4為實(shí)施例1得到二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合氣敏傳感材料的比表面積測(cè)試圖；圖中曲線1為脫附曲線，曲線2為脫附曲線，從圖中可以得知二硫化鉬/氫氧化銦復(fù)合材料具有較大的比表面積，比表面積為54.684m2/g，大的比表面積有助于氣體快速的吸脫附，進(jìn)而能夠提高了它的氣敏性能；圖5是在室溫下對(duì)實(shí)施例1制備的的氣敏元件進(jìn)行的氣體選擇性測(cè)試圖，其中測(cè)試氣體包括nh3、nox和co，統(tǒng)一注入濃度為100ppm。從圖5結(jié)果可知，實(shí)施例1制備的氣敏元件在室溫下對(duì)nox具有非常突出的選擇性。表1為測(cè)試實(shí)施例1制備的氣敏元件在不同nox濃度下的靈敏度和響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間，從表1可以看出，當(dāng)?shù)趸餄舛葹?00ppm時(shí)，靈敏度高達(dá)15.39，并且擁有快速的響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為0.3s和2.8s；即該氣敏元件對(duì)氮氧化物擁有很好的響應(yīng)和恢復(fù)特性，靈敏度較高，其中靈敏度s＝ra/rg，中ra為氣敏元件的初始電阻，rg為nox氣氛下氣敏元件的電阻；表1nox濃度.(ppm)1005030105310.50.20.1靈敏度(ra/rg)15.398.828.194.993.743.372.862.491.51.38響應(yīng)時(shí)間(s)0.30.40.20.130.60.60.70.80.40.7恢復(fù)響應(yīng)時(shí)間(s)2.81.82.82.21.81.6111.20.8當(dāng)前第1頁(yè)12