本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備(gas-insulatedmetal-enclosedswitchgear，以下簡(jiǎn)稱gis)是將斷路器、隔離開關(guān)、接地開關(guān)、母線、互感器和避雷器等元件裝入密封的金屬容器內(nèi)，并將該金屬容器內(nèi)所充的絕緣氣體作為絕緣及滅弧介質(zhì)的封閉式開關(guān)設(shè)備。gis因其具有體積小、占地面積小、環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)、運(yùn)行可靠性高、安全性強(qiáng)和維護(hù)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于發(fā)電廠和變電站。

gis在發(fā)電廠和變電站中主要起到電力系統(tǒng)的通斷控制和保護(hù)作用，因此如果gis出現(xiàn)運(yùn)行故障，將會(huì)影響發(fā)電廠和變電站供電的連續(xù)性、穩(wěn)定性，造成經(jīng)濟(jì)損失。而gis出現(xiàn)運(yùn)行故障通常是因?yàn)樵谥圃靏is的過(guò)程中，由充有絕緣氣體的金屬容器構(gòu)成的絕緣腔內(nèi)部會(huì)存在高壓導(dǎo)體尖刺、殼體尖刺、自由導(dǎo)電微粒、盆式絕緣子附著異物等絕緣缺陷。當(dāng)有高壓施加于gis時(shí)，這些絕緣缺陷的存在就會(huì)導(dǎo)致gis絕緣腔內(nèi)存在這些絕緣缺陷位置的局部電場(chǎng)強(qiáng)度增大，而出現(xiàn)局部放電，進(jìn)而導(dǎo)致gis出現(xiàn)運(yùn)行故障。一般情況下，gis出現(xiàn)局部放電時(shí)都會(huì)伴隨出現(xiàn)脈沖電流、超聲波和電磁波等信號(hào)，通過(guò)對(duì)這些信號(hào)中的一種進(jìn)行檢測(cè)可以得出gis的局部放電特性。

常用的gis局部放電特性的檢測(cè)方法有脈沖電流法和特高頻檢測(cè)法。但是，使用脈沖電流法對(duì)gis的局部放電產(chǎn)生的脈沖電流時(shí)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，其測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行信號(hào)收集時(shí)無(wú)法辨別與多種電磁信號(hào)混雜在一起的局部放電信號(hào)，因此采用這種方法，如果不借助其他檢測(cè)工具，則不能準(zhǔn)確檢測(cè)出gis的局部放電特性。而特高頻檢測(cè)法檢測(cè)的是gis的局部放電時(shí)產(chǎn)生的電磁波，雖然其抗干擾能力較強(qiáng)，但其檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)的為高頻段電磁波(檢測(cè)頻段為0.3ghz-3ghz)，而gis產(chǎn)生的電磁波包括低頻段和高頻段，因此無(wú)法覆蓋gis產(chǎn)生的低頻段電磁波，從而無(wú)法覆蓋整個(gè)電磁波頻段，進(jìn)而其檢測(cè)系統(tǒng)無(wú)法完成對(duì)電磁波的有效采集，因此通過(guò)該方法不能準(zhǔn)確檢測(cè)出gis的局部放電特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)及方法，用于準(zhǔn)確檢測(cè)gis局部放電特性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)，采用如下技術(shù)方案：

該gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)包括：相互并聯(lián)的gis絕緣缺陷模擬裝置、交流電壓源和直流電壓源，以及與所述gis絕緣缺陷模擬裝置配合使用的局部放電測(cè)量裝置；其中，

所述gis絕緣缺陷模擬裝置用于逐次模擬gis的不同絕緣缺陷，當(dāng)所述直流電壓源和所述交流電壓源同時(shí)為所述gis絕緣缺陷模擬裝置供電時(shí)，所述gis絕緣缺陷模擬裝置根據(jù)其逐次模擬的gis的不同絕緣缺陷，對(duì)應(yīng)的生成不同的局部放電信號(hào)；

所述局部放電測(cè)量裝置對(duì)所述局部放電信號(hào)進(jìn)行處理，生成gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)具有如下有益效果：

在本發(fā)明提供的gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)中，不僅包括相互并聯(lián)的gis絕緣缺陷模擬裝置、交流電壓源和直流電壓源，還包括與gis絕緣缺陷模擬裝置配合使用的局部放電測(cè)量裝置，這就使得在檢測(cè)gis局部放電特性的過(guò)程中，就能夠利用該gis絕緣缺陷模擬裝置逐次模擬gis的不同絕緣缺陷，然后通過(guò)交流電壓源和直流電壓源，在該gis絕緣缺陷模擬裝置上疊加施加直流電壓和交流電壓之后，即可通過(guò)局部放電測(cè)量裝置處理gis絕緣缺陷模擬裝置逐次模擬的gis的不同絕緣缺陷，所對(duì)應(yīng)的生成不同的局部放電信號(hào)，從而生成gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形，技術(shù)人員就能夠根據(jù)gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形進(jìn)行綜合分析，獲得gis在發(fā)生不同絕緣缺陷時(shí)的局部放電特性，進(jìn)而可根據(jù)gis在發(fā)生不同絕緣缺陷時(shí)的局部放電特性，準(zhǔn)確檢測(cè)出整個(gè)gis的局部放電特性。

本發(fā)明還提供一種gis局部放電特性的檢測(cè)方法，采用如下技術(shù)方案：

該gis局部放電特性的檢測(cè)方法使用上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行檢測(cè)，所述gis局部放電特性的檢測(cè)方法包括：

利用gis絕緣缺陷模擬裝置模擬gis的絕緣缺陷；

對(duì)所述gis絕緣缺陷模擬裝置施加直流電壓和交流電壓，獲得gis的絕緣缺陷的局部放電信號(hào)；

根據(jù)所述gis的絕緣缺陷的局部放電信號(hào)，獲得gis的局部放電特性。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的gis局部放電特性的檢測(cè)方法的有益效果與上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)的有益效果相同，故此處不再贅述。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的gis局部放電特性的檢測(cè)方法的流程圖。

附圖標(biāo)記：

1—gis絕緣缺陷模擬裝置，2—交流電壓源，

3—直流電壓源，4—局部放電測(cè)量裝置，

5—交流電壓源保護(hù)裝置，51—交流電壓源保護(hù)電阻，

52—交流電壓源保護(hù)電容，6—直流電壓源保護(hù)裝置，

7—交流電壓測(cè)量裝置，8—直流電壓測(cè)量裝置，

9—交流疊加直流電壓測(cè)量裝置。

具體實(shí)施方式

為便于理解，下面結(jié)合說(shuō)明書附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：相互并聯(lián)的gis絕緣缺陷模擬裝置1、交流電壓源2和直流電壓源3，以及與gis絕緣缺陷模擬裝置1配合使用的局部放電測(cè)量裝置4。其中，gis絕緣缺陷模擬裝置1用于逐次模擬gis的不同絕緣缺陷，當(dāng)直流電壓源2和交流電壓源3同時(shí)為gis絕緣缺陷模擬裝置供電時(shí)，gis絕緣缺陷模擬裝置根據(jù)其逐次模擬的gis的不同絕緣缺陷，對(duì)應(yīng)的生成不同的局部放電信號(hào)；局部放電測(cè)量裝置4對(duì)生成的局部放電信號(hào)進(jìn)行處理，生成gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形。

示例性地，在使用上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)gis局部放電特性時(shí)，可先利用gis絕緣缺陷模擬裝置1逐次模擬gis的不同絕緣缺陷，然后通過(guò)交流電壓源2和直流電壓源3，在該gis絕緣缺陷模擬裝置1上施加直流電壓和交流電壓之后，即可通過(guò)局部放電測(cè)量裝置4處理gis絕緣缺陷模擬裝置1逐次模擬的gis的不同絕緣缺陷，對(duì)應(yīng)生成不同絕緣缺陷下的局部放電信號(hào)，再根據(jù)不同絕緣缺陷下的局部放電信號(hào)生成gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形，此時(shí)，技術(shù)人員就能夠根據(jù)gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形進(jìn)行綜合分析，獲得gis在發(fā)生不同絕緣缺陷時(shí)的局部放電特性，進(jìn)而可根據(jù)gis在發(fā)生不同絕緣缺陷時(shí)的局部放電特性，準(zhǔn)確檢測(cè)出整個(gè)gis的局部放電特性。

在本發(fā)明提供的gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)中，不僅包括相互并聯(lián)的gis絕緣缺陷模擬裝置1、交流電壓源2和直流電壓源3，還包括與gis絕緣缺陷模擬裝置1配合使用的局部放電測(cè)量裝置4，這就使得在檢測(cè)gis局部放電特性的過(guò)程中，就能夠利用該gis絕緣缺陷模擬裝置1逐次模擬gis的不同絕緣缺陷，然后通過(guò)交流電壓源2和直流電壓源3，在該gis絕緣缺陷模擬裝置1上疊加施加直流電壓和交流電壓之后，即可通過(guò)局部放電測(cè)量裝置4處理gis絕緣缺陷模擬裝置1逐次模擬的gis的不同絕緣缺陷，所對(duì)應(yīng)的生成不同的局部放電信號(hào)，從而生成gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形，技術(shù)人員就能夠根據(jù)gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形進(jìn)行綜合分析，獲得gis在發(fā)生不同絕緣缺陷時(shí)的局部放電特性，進(jìn)而可根據(jù)gis在發(fā)生不同絕緣缺陷時(shí)的局部放電特性，準(zhǔn)確檢測(cè)出整個(gè)gis的局部放電特性。

需要說(shuō)明的是，對(duì)上述gis的不同絕緣缺陷各自對(duì)應(yīng)的局部放電脈沖波形進(jìn)行綜合分析，獲得gis在發(fā)生不同絕緣缺陷時(shí)的局部放電特性是本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)，故此處不再進(jìn)行詳細(xì)描述。

示例性地，如圖1所示，在連接交流電壓源2與gis絕緣缺陷模擬裝置1的交流線路l1上，可設(shè)置有交流電壓源保護(hù)裝置5，從而可以限制gis絕緣缺陷模擬裝置1發(fā)生放電時(shí)的短路電流，并防止交流電壓源2受到直流電壓源3的影響而損壞，延長(zhǎng)交流電壓源2的使用壽命。

進(jìn)一步地，如圖1所示，交流電壓源保護(hù)裝置5可包括串聯(lián)設(shè)置在交流線路l1上的交流電壓源保護(hù)電阻51和交流電壓源保護(hù)電容52，其中，交流電壓源保護(hù)電阻51用于限制gis絕緣缺陷模擬裝置1發(fā)生放電時(shí)的短路電流，保護(hù)交流電壓源2，交流電壓源保護(hù)電容52用于防止交流電壓源2受到直流電壓源3的影響而損壞，進(jìn)一步地保護(hù)交流電壓源2。

類似地，如圖1所示，在連接直流電壓源3與gis絕緣缺陷模擬裝置1的直流線路l2上，可設(shè)置有直流電壓源保護(hù)裝置6，從而可以防止直流電壓源3受到交流電壓源2的影響而損壞，延長(zhǎng)直流電壓源3的使用壽命。

進(jìn)一步地，如圖1所示，直流電壓源保護(hù)裝置6可包括直流電壓源保護(hù)電阻，從而可以起到分壓作用，以保護(hù)直流電壓源3不受交流電壓源2的影響而損壞。

可選地，如圖1所示，上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)還可包括：與交流電壓源2的兩端并聯(lián)的交流電壓測(cè)量裝置7，與直流電壓源3的兩端并聯(lián)的直流電壓測(cè)量裝置8，以在檢測(cè)過(guò)程中，實(shí)時(shí)測(cè)量交流電壓源2和直流電壓源3的電壓。示例性地，交流電壓源的兩端并聯(lián)的交流電壓測(cè)量裝可以為電容分壓器，直流電壓源的兩端并聯(lián)的直流電壓測(cè)量裝置可以為電阻分壓器。

此外，如圖1所示，上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)還可包括：與gis絕緣缺陷模擬裝置1的兩端并聯(lián)的交流疊加直流電壓測(cè)量裝置9。示例性地，該交流疊加直流電壓測(cè)量裝置可以為并聯(lián)在gis絕緣缺陷模擬裝置兩端的阻容分壓器。

需要補(bǔ)充的是，如圖1所示，上述交流電壓源2、直流電壓源3和gis絕緣缺陷模擬裝置1構(gòu)成的電路接地，以防止gis絕緣缺陷模擬裝置1發(fā)生局部放電時(shí)對(duì)整個(gè)gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)造成損害。

此外，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種gis局部放電特性的檢測(cè)方法，使用上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行檢測(cè)，該gis局部放電特性的檢測(cè)方法包括：

步驟s1、利用gis絕緣缺陷模擬裝置模擬gis的絕緣缺陷。

示例性地，可利用gis絕緣缺陷模擬裝置逐次模擬gis的不同絕緣缺陷。

步驟s2、對(duì)gis絕緣缺陷模擬裝置施加直流電壓和交流電壓，獲得gis的絕緣缺陷的局部放電信號(hào)。

步驟s3、根據(jù)gis的絕緣缺陷的局部放電信號(hào)，獲得gis的局部放電特性。

使用上述gis局部放電特性的檢測(cè)方法所能達(dá)到的有益效果與上述gis局部放電特性的檢測(cè)的有益效果相同，故此處不再進(jìn)行贅述。

示例性地，gis的局部放電信號(hào)可包括第一局部放電信號(hào)、第二局部放電信號(hào)、第三局部放電信號(hào)和第四局部放電信號(hào)，其中，第一局部放電信號(hào)是在gis絕緣缺陷模擬裝置上施加一定幅值的直流電壓，經(jīng)過(guò)變化的時(shí)間長(zhǎng)度后，施加一定時(shí)間長(zhǎng)度的一定電壓幅值的交流電壓的情況下，獲得的交流疊加直流電壓下gis的局部放電信號(hào)，第二局部放電信號(hào)是在gis絕緣缺陷模擬裝置上施加電壓幅值變化的正極性直流電壓，經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間長(zhǎng)度后，施加一定時(shí)間長(zhǎng)度的一定電壓幅值的交流電壓的情況下，獲得的交流疊加直流電壓下gis的局部放電信號(hào)，第三局部放電信號(hào)是在gis絕緣缺陷模擬裝置上施加電壓幅值變化的負(fù)極性直流電壓，經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間長(zhǎng)度后，施加一定時(shí)間長(zhǎng)度的一定電壓幅值的交流電壓的情況下，獲得的交流疊加直流電壓下gis的局部放電信號(hào)，第四局部放電信號(hào)是在gis絕緣缺陷模擬裝置上一定幅值的直流電壓，經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間長(zhǎng)度后，施加一定時(shí)間長(zhǎng)度的電壓幅值變化的交流電壓的情況下，獲得的交流疊加直流電壓下gis的局部放電信號(hào)。

此時(shí)，上述步驟s2和步驟s3具體可包括以下步驟：

對(duì)gis絕緣缺陷模擬裝置施加電壓幅值為u1的直流電壓，在經(jīng)過(guò)ti時(shí)間長(zhǎng)度后，施加t時(shí)間長(zhǎng)度的電壓幅值為u2的交流電壓，斷開施加在gis絕緣缺陷模擬裝置的直流電壓和交流電壓，獲得gis的第i個(gè)第一局部放電信號(hào)，其中，u1和t均為常數(shù)，ti為變量，i＝1,2,…,n，n為大于或等于2的整數(shù)，對(duì)gis絕緣缺陷模擬裝置施加的電壓幅值為u1的直流電壓為正極性直流電壓或負(fù)極性直流電壓。

根據(jù)n個(gè)第一局部放電信號(hào)，獲得gis的第一局部放電脈沖波形。

根據(jù)第一局部放電脈沖波形，獲得gis的第一局部放電特性，該gis的第一局部放電特性即為直流電壓的預(yù)加時(shí)間對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律。

對(duì)gis絕緣缺陷模擬裝置施加電壓幅值為u1j的正極性直流電壓，在經(jīng)過(guò)t時(shí)間長(zhǎng)度后，施加t時(shí)間長(zhǎng)度的電壓幅值為u2的交流電壓，斷開施加在gis絕緣缺陷模擬裝置的直流電壓和交流電壓，獲得gis的第j個(gè)第二局部放電信號(hào)，其中t和u2均為常數(shù)，u1j為變量，j＝1,2,…,m，m為大于或等于2的整數(shù)。

根據(jù)m個(gè)第二局部放電信號(hào)，獲得gis的第二局部放電脈沖波形。

根據(jù)第二局部放電脈沖波形，獲得gis的第二局部放電特性。

對(duì)所述gis絕緣缺陷模擬裝置施加電壓幅值為u1j的負(fù)極性直流電壓，在經(jīng)過(guò)t時(shí)間長(zhǎng)度后，施加t時(shí)間長(zhǎng)度的電壓幅值為u2的交流電壓，斷開施加在gis絕緣缺陷模擬裝置的直流電壓和交流電壓，獲得gis的第j個(gè)第三局部放電信號(hào)。

根據(jù)m個(gè)第三局部放電信號(hào)，獲得gis的第三局部放電脈沖波形。

根據(jù)第三局部放電脈沖波形，獲得gis的第三局部放電特性。

示例性地，結(jié)合上述gis的第二局部放電特性和gis的第三局部放電特性即可獲得直流電壓幅值與極性對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律。

對(duì)gis絕緣缺陷模擬裝置施加電壓幅值為u1的直流電壓，在經(jīng)過(guò)t時(shí)間長(zhǎng)度后，施加t時(shí)間長(zhǎng)度的電壓幅值為u2k的交流電壓，斷開施加在gis絕緣缺陷模擬裝置的直流電壓和交流電壓，獲得gis的第k個(gè)第四局部放電信號(hào)，其中，u2k為變量，k＝1,2,…,p，p為大于或等于2的整數(shù)。

根據(jù)p個(gè)第四局部放電信號(hào)，獲得gis的第四局部放電脈沖波形。

根據(jù)第四局部放電脈沖波形，獲得gis的第四局部放電特性，該gis的第四局部放電特性即為交流電壓幅值對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律。

根據(jù)第一局部放電特性、第二局部放電特性、第三局部放電特性和第四局部放電特性，分析對(duì)比獲得gis的局部放電特性。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于獲得上述第一局部放電特性、第二局部放電特性、第三局部放電特性和第四局部放電特性的先后順序，本發(fā)明實(shí)施例不進(jìn)行限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。

為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解與實(shí)施上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)及方法，下面本發(fā)明實(shí)施例將給出一個(gè)上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)及方法的應(yīng)用舉例：

如圖1所示，gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)包括相互并聯(lián)的gis絕緣缺陷模擬裝置1、交流電壓源2和直流電壓源3、與gis絕緣缺陷模擬裝置1配合使用的局部放電測(cè)量裝置4、交流電壓源保護(hù)裝置5、直流電壓源保護(hù)裝置6、交流電壓測(cè)量裝置7、直流電壓測(cè)量裝置8和交流疊加直流電壓測(cè)量裝置9。

其中，gis絕緣缺陷模擬裝置1為電壓等級(jí)為500kv的gis；交流電壓源2的電壓的輸出范圍為0kv～500kv，直流電壓源3的電壓的輸出范圍為0kv～600kv；交流電壓源保護(hù)裝置5中的交流電壓源保護(hù)電阻51的電阻阻值為5kω，交流電壓源保護(hù)裝置5中的交流電壓源保護(hù)電容52為隔直電容，隔直電容的電容值為30nf；直流電壓源保護(hù)裝置6的直流電壓源保護(hù)電阻61的電阻阻值為10kω。

使用上述gis局部放電特性的檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行檢測(cè)的具體步驟如下：

首先，利用gis絕緣缺陷模擬裝置模擬gis的任一絕緣缺陷，例如，高壓導(dǎo)體尖刺、殼體尖刺、懸浮電位、自由導(dǎo)電微粒、盆式絕緣子附著異物等。

其次，對(duì)gis預(yù)加直流電壓，經(jīng)過(guò)ti(令ti分別等于1min、10min、30min、60min)之后，施加交流電壓，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間，同時(shí)斷開施加在gis上的直流電壓和交流電壓，獲得四個(gè)交流疊加直流電壓下gis的第一局部放電信號(hào)，根據(jù)這4個(gè)交流疊加直流電壓下gis的第一局部放電信號(hào)，獲得gis的第一局部放電脈沖波形，并根據(jù)gis的第一局部放電脈沖波形，得到直流電壓預(yù)加時(shí)間對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律。

然后，對(duì)gis絕緣缺陷模擬裝置施加電壓幅值為u1j(令u1j分別等于100kv、200kv、300kv、400kv)的正極性直流電壓，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間，施加交流電壓，獲得4個(gè)交流疊加直流電壓下的gis的第二局部放電信號(hào)，根據(jù)4個(gè)第二局部放電信號(hào)，獲得gis的第二局部放電脈沖波形，根據(jù)該第二局部放電脈沖波形，即可獲得gis的第二局部放電特性；對(duì)gis絕緣缺陷模擬裝置施加電壓幅值為u1j(令u1j分別等于100kv、200kv、300kv、400kv)的負(fù)極性直流電壓，經(jīng)過(guò)一定時(shí)間，施加交流電壓，獲得4個(gè)交流疊加直流電壓下的gis的第三局部放電信號(hào)，根據(jù)4個(gè)第三局部放電信號(hào)，獲得gis的第三局部放電脈沖波形，根據(jù)該第三局部放電脈沖波形，即可獲得gis的第三局部放電特性；根據(jù)上述gis的第二局部放電特性和gis的第三局部放電特性即可獲得直流電壓幅值與極性對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律。

接著，對(duì)gis絕緣缺陷模擬裝置施加到一定電壓幅值的直流電壓，在經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后，施加一定時(shí)間的電壓幅值為u2k(令u2k等于100kv、200kv、300kv、400kv)的交流電壓，獲得4個(gè)交流疊加直流電壓下的gis的第四局部放電信號(hào)，根據(jù)4個(gè)交流疊加直流電壓下的gis的第四局部放電信號(hào)，獲得gis的第四局部放電脈沖波形，根據(jù)第四局部放電脈沖波形，獲得交流電壓幅值對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律。

最后，根據(jù)上述獲得的直流電壓預(yù)加時(shí)間對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律、直流電壓幅值與極性對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律，以及交流電壓幅值對(duì)交流疊加直流電壓下gis局部放電特性的影響規(guī)律，即可分析對(duì)比獲得gis的局部放電特性。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。