技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種基于對稱三波導定向耦合器結構的TE模檢偏器，該檢偏器由下至上依次為硅基襯底(9)、掩埋氧化層(10)、檢偏部件(15)和上包層(11)，其中掩埋氧化層(10)生長于硅基襯底(9)的上表面，上包層(11)覆蓋掩埋氧化層(10)的上表面，檢偏部件(15)水平生長于掩埋氧化層(10)的上表面，并被上包層(11)覆蓋；所述檢偏部件(15)包括輸入通道(1)、中路直通通道(2)、左路直通通道(4)、左路C型彎曲通道(5)、右路直通通道(6)、右路C型彎曲通道(7)、輸出通道(3)；該TE模檢偏器具有低插入損耗、高消光比、大工作帶寬且結構緊湊的優(yōu)點。

技術研發(fā)人員：肖金標;倪斌
受保護的技術使用者：東南大學
技術研發(fā)日：2017.03.17
技術公布日：2017.07.18