1.一種高靈敏薄膜熱電偶傳感器芯片，其特征在于，包括殼體，殼體內(nèi)部設(shè)置放置合金薄膜的腔體(5)和放置石墨烯的環(huán)形孔(6)；環(huán)形孔(6)位于腔體(5)外周；
腔體(5)內(nèi)設(shè)有一層合金薄膜制成薄膜熱電偶，環(huán)形孔(6)內(nèi)設(shè)有石墨烯；
殼體包括三段：測(cè)試探頭(1)、中間圓臺(tái)(2)和引線端(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏薄膜熱電偶傳感器芯片，其特征在于，測(cè)試探頭外部為直徑為3mm，高度為3mm的圓柱；中間圓臺(tái)為一圓臺(tái)，上底面直徑3mm，下底面直徑為4mm，高為7mm；引線端為兩個(gè)空心圓柱，外圓直徑1mm，內(nèi)圓直徑0.5mm，高度為1mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏薄膜熱電偶傳感器芯片，其特征在于，殼體包括零件A和零件B兩部分，兩部分連接配合，實(shí)現(xiàn)合金薄膜的封閉。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高靈敏薄膜熱電偶傳感器芯片，其特征在于，零件A和零件B通過(guò)銷釘與孔配合實(shí)現(xiàn)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏薄膜熱電偶傳感器芯片，其特征在于，所述殼體為冷壓制陶瓷殼體。
6.權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的一種高靈敏薄膜熱電偶傳感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)將碳化硅粉末使用等靜壓成型技術(shù)工藝制作為傳感器殼體；
2)在殼體腔內(nèi)采用原子沉積技術(shù)生長(zhǎng)納米級(jí)厚度的合金薄膜；
3)使用氧化石墨烯還原在環(huán)形孔中制備石墨烯；
4)在真空環(huán)境下完成殼體安裝并接線。
7.權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，步驟1)中在傳感器殼體上打環(huán)形孔；打孔位置根據(jù)殼體一階振型模態(tài)測(cè)試結(jié)果，選擇應(yīng)變最高處，孔徑0.2mm。
8.權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，步驟3)中先通過(guò)氧化石墨烯還原法制備膠體溶液，再通過(guò)LB膜技術(shù)制備GO薄膜，最后通過(guò)熱還原法得到增強(qiáng)石墨烯。