交叉引用和優(yōu)先權(quán)要求
本專利申請(qǐng)要求2016年2月9日提交的名稱為“methodandapparatusformanipulatingelectropermanentmagnetsformagneticresonanceimagingandimageguidedtherapy”的第62/292,945號(hào)美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)以及2016年4月29日提交的名稱為“methodandapparatusformanipulatingelectropermanentmagnetsformagneticresonanceimagingandimageguidedtherapy”的第62/329,521號(hào)美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),這兩個(gè)申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用方式全部并入本文。
本公開的實(shí)施方式提供操作用于磁共振成像和圖像引導(dǎo)治療的電永磁鐵的方法和設(shè)備。
背景技術(shù):
磁共振(mr)成像系統(tǒng)使用主磁場(chǎng)b0以在影響這些對(duì)齊的質(zhì)子或電子的凈磁化的程序之前對(duì)齊這些質(zhì)子或電子。該對(duì)齊磁場(chǎng)的強(qiáng)度和空間均勻性說明成像體積且較大程度地確定圖像的信噪比。為了簡(jiǎn)化脈沖序列設(shè)計(jì)和提高信號(hào)強(qiáng)度,該主磁場(chǎng)b0被設(shè)計(jì)成在成像體積內(nèi)盡可能地均勻和強(qiáng)烈。為了實(shí)現(xiàn)該技術(shù),常規(guī)的mr系統(tǒng)通常使用在圍繞成像孔的螺線管中布置的超導(dǎo)電磁鐵。其他類型的mr系統(tǒng)已經(jīng)采用電阻式電磁鐵或者永磁鐵來創(chuàng)建主磁場(chǎng)。
通常,利用常規(guī)的mri系統(tǒng),關(guān)閉主磁場(chǎng)是困難的且有時(shí)是危險(xiǎn)的。由于需要大量的能量來抵消其剩磁,源自于硬磁材料的永磁源在臨床環(huán)境下未消磁。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本公開的實(shí)施方式提供用于在包括可磁化部件的一個(gè)或多個(gè)陣列的感興趣區(qū)域內(nèi)創(chuàng)建或改變磁場(chǎng)的設(shè)備和方法,其中,至少一個(gè)可磁化部件具有大量的剩磁,通過在靠近一個(gè)或多個(gè)可磁化部件定位的導(dǎo)電部件中施加電流,該剩磁的水平在空間和/或時(shí)間上是可控制的且是可變的。
本發(fā)明提供了以下技術(shù)方案:
(1)一種用于在感興趣區(qū)域內(nèi)創(chuàng)建或改變磁場(chǎng)的設(shè)備,所述設(shè)備包括:
可磁化部件的一個(gè)或多個(gè)陣列,在所述一個(gè)或多個(gè)陣列中,至少一個(gè)所述可磁化部件具有大量的剩磁,其中,所述一個(gè)或多個(gè)陣列還包括靠近一個(gè)或多個(gè)所述可磁化部件定位的導(dǎo)電部件;和用于控制所述剩磁的控制器,其中,通過在靠近一個(gè)或多個(gè)所述可磁化部件定位的所述導(dǎo)電部件中施加電流,所述剩磁在空間和/或時(shí)間上變化以控制所述感興趣區(qū)域內(nèi)的所述磁場(chǎng)。
(2)根據(jù)(1)所述的設(shè)備,其中,所述控制器在時(shí)間和/或空間上控制所述感興趣區(qū)域內(nèi)的所述磁場(chǎng)。
(3)根據(jù)(1)所述的設(shè)備,其中,所述設(shè)備設(shè)置在所述感興趣區(qū)域的僅一側(cè)上。
附圖說明
具體說明特別參考附圖,附圖中:
圖1示出公開的實(shí)施方式,其中由可磁化材料制成的部件設(shè)置成非??拷鼘?dǎo)電材料以創(chuàng)建電永磁組件。
圖2示出公開的實(shí)施方式,其中由軟磁材料制成的部件至少部分地被導(dǎo)電材料環(huán)繞。
圖3示出根據(jù)公開的實(shí)施方式執(zhí)行的用于施加和控制感興趣區(qū)域中生成的磁場(chǎng)的方法的示例。
具體實(shí)施方式
如上所述,常規(guī)的mr系統(tǒng)具有在成像區(qū)域內(nèi)存在的永遠(yuǎn)開啟的高磁場(chǎng)。該情況創(chuàng)建對(duì)于臨床環(huán)境的安全性關(guān)注,且阻礙同一mr系統(tǒng)用以執(zhí)行成像同時(shí)執(zhí)行可磁化材料的磁圖像引導(dǎo)的能力。公開的實(shí)施方式解決了這些問題且提供了一種技術(shù)方式來操作電永磁鐵用于磁共振成像和圖像引導(dǎo)治療。
被稱作“電永磁鐵”的保持其磁化的磁性材料(例如鐵磁材料、抗磁材料和反鐵磁材料)和電磁鐵的組合,已經(jīng)在微型機(jī)器人組件中用作可切換的鏈接,如來自麻省理工學(xué)院(massachusettsinstituteoftechnology)的由a.n.knaian在的名稱為“electropermanentmagneticconnectorsandactuators:devicesandtheirapplicationinprogrammablematter”的博士論文(2010)中教導(dǎo)的(其通過引用全部并入文中)。
電永磁鐵具有以下性能:一旦通過電流激活,則電永磁鐵具有剩磁直到相反的電流被引入來改變剩磁。電永磁鐵已經(jīng)被構(gòu)造成接通的或關(guān)閉的(即,完全磁化或者消磁-電子開關(guān)),在該兩個(gè)狀態(tài)之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度不需要連續(xù)。
出于本說明書公開的目的,術(shù)語(yǔ)“剩磁”被定義為不再受到外部磁場(chǎng)影響的先前已磁化的材料的磁化。出于本說明書公開的目的,術(shù)語(yǔ)“軟磁材料”被定義為其剩磁通過施加外部磁場(chǎng)是可易于變化的材料。同樣,出于本說明書公開的目的,術(shù)語(yǔ)“硬磁材料”指在類似的外部磁場(chǎng)中剩磁比“軟磁材料”變化小的材料。
出于本說明書公開的目的,代表性的軟磁材料是磁鋼(alnico),以及代表性的硬磁材料是ndfeb。出于本說明書公開的目的,術(shù)語(yǔ)“電永磁組件”被定義為導(dǎo)電的且可磁化的部件和/或材料的組件,該導(dǎo)電的且可磁化的部件和/或材料在電流在導(dǎo)電部件中已停止后仍保持大量的(例如,最大10%)的磁化。出于本說明書公開的目的,術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)電的”包括導(dǎo)電材料和超導(dǎo)材料。出于本說明書公開的目的,術(shù)語(yǔ)“感興趣區(qū)域”被定義為用戶可獲得圖像和/或操作可磁化材料(例如粒子)的體積空間。
出于本說明書公開的目的,短語(yǔ)“在感興趣區(qū)域內(nèi)成像”包括在該感興趣區(qū)域內(nèi)使用材料的電性能或磁性能以提供關(guān)于這些材料的位置或狀態(tài)的信息?!霸诟信d趣區(qū)域內(nèi)成像”的示例包括磁共振成像、磁性粒子成像或者其他方法,諸如非磁性相關(guān)的成像方法,如計(jì)算機(jī)斷層掃描(ct)。這些圖像可使用核、電子、其他材料的磁共振成像或者借助磁性粒子成像而獲得。感興趣區(qū)域可是單個(gè)體積空間或者由多個(gè)體積構(gòu)成,該多個(gè)體積可以是連續(xù)的或者可以不是連續(xù)的。
公開的實(shí)施方式利用一個(gè)或多個(gè)陣列,其中,至少一個(gè)陣列包含一個(gè)或多個(gè)電永磁組件。
圖1示出創(chuàng)新型構(gòu)思的一個(gè)公開的實(shí)施方式,其中,部件100由可磁化材料制成。部件100可非??拷鼘?dǎo)電材料110以創(chuàng)建電永磁組件120。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,該靠近可小于1厘米。
根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,一個(gè)或多個(gè)電永磁組件可布置成陣列結(jié)構(gòu)130,靠近感興趣區(qū)域140,例如小于1米。
如在圖1中所示的實(shí)施方式中說明的,公開的實(shí)施方式可提供和利用一個(gè)或多個(gè)由磁性部件100構(gòu)成的電永磁組件120,該磁性部件100可被導(dǎo)電材料110環(huán)繞。磁性部件100可由軟磁材料構(gòu)成??蛇x地,導(dǎo)電材料110可以是在部件100附近放置的一個(gè)或多個(gè)電線、或者銅或銀的一個(gè)或多個(gè)通道、或其他導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)通道。
根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,這些電永磁組件120中的一個(gè)或多個(gè)的集合可布置成電永磁陣列130。
在操作中,電流可被發(fā)送通過導(dǎo)體110以將軟磁部件100磁化至規(guī)定的磁化強(qiáng)度。一旦磁性材料100已經(jīng)達(dá)到所需的磁化強(qiáng)度,則由部件100和部件110構(gòu)成的電永磁組件120可被斷電(通過從導(dǎo)體中去除電流源),從而使得磁性部件100內(nèi)的磁化降低至所需的剩磁水平。
根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,由導(dǎo)電材料110產(chǎn)生的電磁場(chǎng)可被用戶(經(jīng)由控制設(shè)備)調(diào)整或者通過計(jì)算機(jī)(提供自動(dòng)化的或者半自動(dòng)化的控制器)的自動(dòng)化算法調(diào)整,以便精確地控制感興趣區(qū)域內(nèi)的剩磁和所得到的磁場(chǎng)。關(guān)于磁性部件100內(nèi)的磁性材料的b-h響應(yīng)曲線的信息可被合并到調(diào)整算法中。
圖2示出創(chuàng)新型構(gòu)思的另一公開的實(shí)施方式,其中,在此由軟磁材料制成的部件200至少部分地被導(dǎo)電材料210環(huán)繞,并且其中硬磁材料部件220鄰近軟磁材料部件200??蛇x地,該鄰近可小于15cm。
殼體230穩(wěn)定或者以其他方式物理地保持部件210、220、200。殼體230可包括一個(gè)或多個(gè)冷卻路徑240,液態(tài)冷卻劑或氣態(tài)冷卻劑可在該一個(gè)或多個(gè)冷卻路徑中流動(dòng),或者通過該一個(gè)或多個(gè)冷卻路徑可經(jīng)由導(dǎo)熱材料傳送熱量。
這些軟磁材料和硬磁材料與導(dǎo)電材料的組合創(chuàng)建電永磁組件250。一個(gè)或多個(gè)電永磁組件250可被組合成陣列260。
殼體與硬磁部件和軟磁部件的組合可包括電永磁組件250,其中,一個(gè)或多個(gè)組件250可被構(gòu)造成一個(gè)或多個(gè)陣列260以在感興趣區(qū)域270內(nèi)生成磁場(chǎng)。因?yàn)橐粋€(gè)或多個(gè)軟磁部件200可被定位成靠近一個(gè)或多個(gè)硬磁部件220,故硬磁部件220可增強(qiáng)、增加、或者以其他方式影響部件200內(nèi)的磁場(chǎng)。
殼體230內(nèi)的冷卻通道240可被用于使導(dǎo)電材料210散熱和/或冷卻以便減小導(dǎo)電元件的電阻率(包括至超導(dǎo)點(diǎn),即無電阻),或者以增加磁性部件200和/或磁性部件220的磁化。
該陣列可定位在感興趣區(qū)域的單一側(cè)或者可環(huán)繞在多個(gè)側(cè)上的相關(guān)聯(lián)的區(qū)域。陣列可產(chǎn)生磁場(chǎng),其方向可與陣列的最近的面不平行(例如垂直)。
電永磁組件的一個(gè)或多個(gè)陣列260可在感興趣區(qū)域內(nèi)創(chuàng)建適合于磁共振成像的磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)可布置在任意方向上,包括但不限于與陣列260的最近的面垂直的方向。例如,該磁場(chǎng)可與陣列的面不平行。
如圖1和圖2所示,電永磁組件的一個(gè)或多個(gè)陣列260可是平面的,或者曲線的,或者布置在環(huán)面、或者單平面的、雙平面、三平面或者其他構(gòu)造中,以便在感興趣區(qū)域內(nèi)創(chuàng)建所需的磁場(chǎng)。例如,單平面布置可實(shí)現(xiàn)單側(cè)mri。在許多有意義的方面,這種實(shí)現(xiàn)在技術(shù)上不同于單側(cè)的mri技術(shù),例如在p.j.prado的美國(guó)專利6977503中公開的。首先,現(xiàn)有技術(shù)中的磁場(chǎng)表面要求平行于磁鐵組件的表面,而本發(fā)明公開的實(shí)施方式并不強(qiáng)加這種方向上的要求。
其次,本發(fā)明公開的實(shí)施方式并不要求磁場(chǎng)是靜止的,如公開的實(shí)施方式中使用電永磁鐵所證實(shí)的,其具有可及時(shí)變化的磁場(chǎng)。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,由流經(jīng)導(dǎo)電材料110或210的電流所產(chǎn)生的不同水平的磁能可被存儲(chǔ)在磁性材料100或200內(nèi)。利用這些電永磁組件120或250中的一者或組合能夠創(chuàng)建充滿在感興趣區(qū)域內(nèi)適于成像的磁場(chǎng)的感興趣區(qū)域140或270。
根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,一個(gè)或多個(gè)軟磁部件100或200的磁化可通過變換一個(gè)或多個(gè)附近的硬磁部件的位置和/或物理定向而改變。一個(gè)或多個(gè)這些磁性部件的組件的集合可被布置成相當(dāng)于電永磁陣列130或260。
根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,導(dǎo)電材料110或210可被通電,使得磁性部件100或200可在方向和/或幅度上被磁化,該方向和/或幅度可由用戶(經(jīng)由控制設(shè)備)選擇或者通過計(jì)算機(jī)(其提供自動(dòng)化的或者半自動(dòng)化的控制器)的自動(dòng)化算法來選擇。在磁性部件100或200被磁化后,導(dǎo)電材料110或210可被斷電,同時(shí)材料100或200內(nèi)的磁化保持剩磁,這可由用戶(經(jīng)由控制設(shè)備)選擇或者通過計(jì)算機(jī)(其提供自動(dòng)化的或者半自動(dòng)化的控制器)的自動(dòng)化算法來選擇。
根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,在感興趣區(qū)域140內(nèi)由一個(gè)或多個(gè)陣列130產(chǎn)生的磁場(chǎng)可通過調(diào)整一個(gè)或多個(gè)電永磁組件120的磁化而減少或增加。類似地,在感興趣區(qū)域270內(nèi)由一個(gè)或多個(gè)陣列260產(chǎn)生的磁場(chǎng)可通過調(diào)整一個(gè)或多個(gè)電永磁組件250的磁化而減少或增加。
公開的實(shí)施方式可被用于生成磁場(chǎng)以用于磁共振成像和/或磁性粒子成像和/或操作可磁化材料(例如磁性粒子或納米粒子)。與如knaian(上文引用)教導(dǎo)的現(xiàn)有技術(shù)不同,在該現(xiàn)有技術(shù)中,電永磁組件意圖用于完全磁化狀態(tài)或消磁狀態(tài),而本發(fā)明允許電永磁組件具有剩磁梯度,剩磁的程度可被用戶(經(jīng)由控制設(shè)備)修改或者可通過計(jì)算機(jī)(其提供自動(dòng)化的或者半自動(dòng)化的控制器)的自動(dòng)化算法修改。
公開的實(shí)施方式可使用電永磁組件的一個(gè)或多個(gè)陣列以便在感興趣區(qū)域內(nèi)在陣列附近提供創(chuàng)建或修改陣列磁場(chǎng)的構(gòu)件,其中所述磁場(chǎng)的空間特性可在時(shí)空上變化。公開的實(shí)施方式可被采用以選擇用于磁共振成像或磁性粒子成像的感興趣區(qū)域、或者在感興趣區(qū)域內(nèi)建立磁場(chǎng)的高度均勻性、或者推進(jìn)感興趣區(qū)域內(nèi)的粒子。由電永磁組件構(gòu)成的陣列可被關(guān)閉或者作為安全性特征減少(以阻止可磁化材料被所述陣列吸引),或者允許不同物質(zhì)(例如,不同的原子核、磁性粒子類型或者電子)的成像序列的交錯(cuò)、或者允許與推進(jìn)脈沖序列交錯(cuò)成像(利用可通過電永磁陣列或者其他磁場(chǎng)源建立的梯度)。
電永磁組件的一個(gè)或多個(gè)陣列(例如,上文描述的130或260)可通過施加穿過導(dǎo)電部件110或210的電流再磁化以在感興趣區(qū)域140或270內(nèi)創(chuàng)建適于成像的磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)可在時(shí)間和空間上變化用于磁引導(dǎo)和/或推進(jìn)可磁化粒子,通過吸引所述粒子或者經(jīng)由臨時(shí)排斥(如a.nacev,p.y.stepanov和i.n.weinberg在雜志nanoletters中發(fā)表的論文(2015)“dynamicmagneticinversionconcentrates鐵磁rodstocentraltargets”中教導(dǎo)的,其通過引用全部并入文中)。
應(yīng)理解到,傳感器可存在于感興趣區(qū)域140或270中或者在感興趣區(qū)域140或270附近,以便實(shí)施反饋控制算法??商孢x地,可從mr信號(hào)獲得反饋。用于常規(guī)mri系統(tǒng)的反饋回路已經(jīng)被用于提高所需的磁場(chǎng)構(gòu)型的時(shí)間和空間的同質(zhì)性,如由s.afach在雜志“journalofappliedphysics”中發(fā)表的名稱為“dynamicstabilizationofthemagneticfieldsurroundingtheneutronelectricdipolemomentspectrometeratthepaulscherrerinstitute”的論文(2014)中教導(dǎo)的(通過引用全部并入文中)。
當(dāng)龐大的或者尖銳的可磁化物體在附近時(shí),能夠關(guān)閉或者顯著地減少感興趣區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)對(duì)于安全性是有用的。應(yīng)理解,由于感興趣區(qū)域140或270內(nèi)的磁場(chǎng)變化的結(jié)果而獲得的磁共振信號(hào)的變化可被檢測(cè)到以確定附近的可磁化材料的存在,從而出于安全性原因充當(dāng)用以消磁或者顯著地減少設(shè)備附近的磁場(chǎng)的觸發(fā)器。
盡管上述討論關(guān)于使用所述設(shè)備創(chuàng)建主磁場(chǎng)b0,但是該設(shè)備可實(shí)施傳統(tǒng)的mr或磁性粒子成像系統(tǒng)的其他功能部件,包括但不限于勻場(chǎng)磁鐵和磁場(chǎng)梯度線圈。在傳統(tǒng)的mr系統(tǒng)中,分隔的梯度線圈被用于將梯度磁場(chǎng)(其幅度和方向通常在空間和時(shí)間上變化)添加到主磁場(chǎng)b0(其通常在感興趣區(qū)域內(nèi)在空間和時(shí)間上是均勻的)以便實(shí)現(xiàn)有效磁場(chǎng)(其在空間和時(shí)間上變化)。該設(shè)備可有效地生成會(huì)在空間和時(shí)間上變化的磁場(chǎng),而無需額外的電磁梯度線圈。應(yīng)理解,本發(fā)明實(shí)施的快速磁場(chǎng)變化可足夠快以免會(huì)導(dǎo)致神經(jīng)刺激,如由i.n.weinberg在美國(guó)專利第8,154,286號(hào)以及優(yōu)先權(quán)所涉及的其他專利或?qū)@暾?qǐng)中教導(dǎo)的(通過引用全部并入文中)。
根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,提供一種用于在感興趣區(qū)域內(nèi)創(chuàng)建磁場(chǎng)的方法,其中,靠近一個(gè)或多個(gè)陣列中的至少一個(gè)可磁化部件施加電流以便改變一個(gè)或多個(gè)可磁化部件的剩磁。電永磁組件的一個(gè)或多個(gè)陣列可在感興趣區(qū)域內(nèi)創(chuàng)建適于磁共振成像和/或磁性粒子成像和/或操作可磁化材料(例如,磁性粒子或納米粒子)的磁場(chǎng)。
該磁場(chǎng)可在一個(gè)或多個(gè)陣列附近被減少和/或快速變化以免引起神經(jīng)刺激,如由i.n.weinberg在美國(guó)專利第8,154,286號(hào)以及優(yōu)先權(quán)所涉及的其他專利或?qū)@暾?qǐng)中教導(dǎo)的(通過引用全部并入文中)。
此外,可使用一個(gè)或多個(gè)包含磁場(chǎng)測(cè)量的反饋控制算法執(zhí)行磁場(chǎng)調(diào)整,以調(diào)整一個(gè)或多個(gè)組件中的至少一個(gè)可磁化部件的磁化。
如在圖3中所示,這種方法可在300處開始,然后定位鄰近感興趣區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)電永磁組件,可繼續(xù)進(jìn)行305,在305處,電流可被發(fā)送通過導(dǎo)體材料以磁化電永磁組件內(nèi)的軟磁部件(參見例如圖1)至給定的磁化強(qiáng)度。一旦磁性材料100已經(jīng)達(dá)到所需的磁化強(qiáng)度(根據(jù)一個(gè)或多個(gè)傳感器測(cè)量),則可繼續(xù)進(jìn)行310,在310處,電永磁組件可被斷電(通過從導(dǎo)體中去除電流源),從而使得磁性部件內(nèi)的磁化強(qiáng)度降低至所需的剩磁水平(根據(jù)一個(gè)或多個(gè)傳感器測(cè)量)。
可繼續(xù)進(jìn)行315,在315處,導(dǎo)電材料產(chǎn)生的電磁場(chǎng)可由用戶(經(jīng)由控制設(shè)備)調(diào)整或者通過計(jì)算機(jī)(其提供自動(dòng)化的或者半自動(dòng)化的控制器)的自動(dòng)化算法來調(diào)整,以便精確地控制感興趣區(qū)域內(nèi)的剩磁和所得到的磁場(chǎng)。另外地或者替選地,一個(gè)或多個(gè)軟磁部件的磁化可通過改變一個(gè)或多個(gè)附近的硬磁部件的位置和/或物理定向來改變。
如上所述,該陣列可定位在感興趣區(qū)域的單一側(cè)或者可環(huán)繞在多個(gè)側(cè)上的相關(guān)聯(lián)的區(qū)域。陣列可產(chǎn)生磁場(chǎng),其方向可與陣列的最近的面不平行(例如垂直)。該磁場(chǎng)可布置在任意方向上,包括但不限于與陣列的最近的面垂直的方向。例如,該磁場(chǎng)可與陣列的面不平行。
公開的實(shí)施方式可使用電永磁組件的一個(gè)或多個(gè)陣列以便在感興趣區(qū)域內(nèi)在陣列附近創(chuàng)建和改變磁場(chǎng),其中,所述磁場(chǎng)的空間特性可在時(shí)空上變化。公開的實(shí)施方式可被采用以選擇用于磁共振成像或磁性粒子成像的感興趣區(qū)域、或者在感興趣區(qū)域內(nèi)建立磁場(chǎng)的高度均勻性、或者推進(jìn)感興趣區(qū)域內(nèi)的粒子。由電永磁組件構(gòu)成的陣列可被關(guān)閉或者作為安全性特征減少(以阻止可磁化材料被所述陣列吸引),或者允許不同物質(zhì)(例如,不同的原子核、磁性粒子類型或者電子)的成像序列的交錯(cuò)、或者允許與推進(jìn)脈沖序列交錯(cuò)成像(利用可通過電永磁陣列或者其他磁場(chǎng)源建立的梯度)。
電永磁組件的一個(gè)或多個(gè)陣列可通過施加穿過導(dǎo)電部件110或210的電流再磁化以在感興趣區(qū)域內(nèi)創(chuàng)建適于成像的磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)可在時(shí)間和空間上變化用于磁引導(dǎo)和/或推進(jìn)可磁化粒子,通過吸引所述粒子或者經(jīng)由臨時(shí)排斥。當(dāng)龐大的或者尖銳的可磁化物體在附近時(shí),能夠關(guān)閉或者顯著地減少感興趣區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)對(duì)于安全性是有用的。應(yīng)理解,由于感興趣區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)變化的結(jié)果而獲得的磁共振信號(hào)的變化可被檢測(cè)到以確定附近的可磁化材料的存在,從而出于安全性原因充當(dāng)用以消磁或者顯著地減少設(shè)備附近的磁場(chǎng)的觸發(fā)器。
應(yīng)理解,本文中所描述的操作可結(jié)合一個(gè)或多個(gè)通用計(jì)算機(jī)、或者在一個(gè)或多個(gè)通用計(jì)算機(jī)的控制下實(shí)施,該通用計(jì)算機(jī)運(yùn)行軟件算法以提供本發(fā)明公開的功能且將這些計(jì)算機(jī)轉(zhuǎn)變成專用計(jì)算機(jī)。
此外,本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到,考慮到上述教導(dǎo),上述的示例性實(shí)施方式可基于使用利用合適的計(jì)算機(jī)程序編程的一個(gè)或多個(gè)程控處理器。然而,公開的實(shí)施方式可使用諸如專用硬件和/或?qū)S锰幚砥鞯挠布M件等同物來實(shí)施。類似地,通用計(jì)算機(jī)、基于微處理器的計(jì)算機(jī)、微控制器、光學(xué)計(jì)算機(jī)、模擬計(jì)算機(jī)、專用處理器、專用電路和/或?qū)S糜策B線邏輯可被用于構(gòu)建可替選的等效實(shí)施方式。
此外,應(yīng)理解到,上文描述的組件的控制和協(xié)作可使用可被存儲(chǔ)在有形的、非暫時(shí)性存儲(chǔ)裝置中的軟件指令來提供,該非暫時(shí)性存儲(chǔ)裝置諸如存儲(chǔ)指令的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀的存儲(chǔ)裝置,當(dāng)在一個(gè)或多個(gè)程控處理器上執(zhí)行時(shí),該指令執(zhí)行上文描述的方法操作以及產(chǎn)生的功能。在這種情況下,術(shù)語(yǔ)非暫時(shí)性的指排除傳送的信號(hào)以及擴(kuò)散波,但不排除可消除的或者依賴于電源以保留信息的存儲(chǔ)裝置。
當(dāng)考慮上文教導(dǎo)時(shí),本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到用于實(shí)施上文描述的某些實(shí)施方式的程序操作和進(jìn)程以及相關(guān)的數(shù)據(jù)可使用盤存儲(chǔ)器以及其他形式的存儲(chǔ)裝置來實(shí)現(xiàn),該其他形式的存儲(chǔ)裝置包括但不限于非暫時(shí)性存儲(chǔ)介質(zhì)(其中,非暫時(shí)性的僅僅指排除擴(kuò)散信號(hào),但不排除由于其通過拔除電源或者明確的消除動(dòng)作而消除的暫時(shí)性的信號(hào)),例如只讀存儲(chǔ)器(rom)裝置、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)裝置、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器裝置、光學(xué)存儲(chǔ)元件、磁存儲(chǔ)元件、磁光存儲(chǔ)元件、閃速存儲(chǔ)器、磁芯存儲(chǔ)器和/或在不偏離某些實(shí)施方式的情況下的其他等效的易失性以及非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。這種可替選的存儲(chǔ)裝置應(yīng)被認(rèn)為是等效裝置。
盡管已經(jīng)描述某些示例性的實(shí)施方式,但是很明顯根據(jù)上文描述許多替代、修改、置換以及變型對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。因此,如上文提出的各種實(shí)施方式旨在示例性的、非限制的。在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可進(jìn)行各種變化。