本發(fā)明涉及電池管理系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種BMS均衡MOS管檢測(cè)方法及裝置。

背景技術(shù)：

隨著新能源電動(dòng)汽車的推廣和應(yīng)用，電池管理系統(tǒng)(Battery Management System，BMS)需求在不斷提高。在日常的BMS生產(chǎn)測(cè)試、電池包的組裝生產(chǎn)、裝車調(diào)試等過程中，如果出現(xiàn)電芯電壓采集線束的線順序錯(cuò)誤，短路，靜電等情況，很容易將BMS的均衡MOS管擊穿，從而使電芯電壓采集不準(zhǔn)確、不能對(duì)電芯電壓進(jìn)行均衡等一系列的問題。但是，在現(xiàn)有的電池管理系統(tǒng)中，一般都沒有均衡MOS管檢測(cè)的相關(guān)功能。這樣將導(dǎo)致在生產(chǎn)過程中不合格品的外流，調(diào)試、維修困難等各種各樣的問題，浪費(fèi)人力、物力，增加生產(chǎn)、售后等各環(huán)節(jié)的成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種BMS均衡MOS管檢測(cè)方法及裝置，以改善上述問題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種BMS均衡MOS管檢測(cè)方法，所述BMS用于管理電池組，所述電池組包括N節(jié)電池，每節(jié)所述電池對(duì)應(yīng)有均衡電路，所述方法包括：在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓；在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓；根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置，所述BMS用于管理電池組，所述電池組包括N節(jié)電池，每節(jié)所述電池對(duì)應(yīng)有均衡電路，所述裝置包括：第一獲取單元，用于在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓；第二獲取單元，用于在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓；第三獲取單元，用于根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；對(duì)比單元，用于將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的BMS均衡檢測(cè)方法及裝置，通過在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓；在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓；根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)，以此實(shí)現(xiàn)對(duì)電池管理系統(tǒng)中電池的MOS管的檢測(cè)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為一種可應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例中的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)框圖；

圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法的流程圖；

圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法的流程圖；

圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)框圖；

圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)框圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計(jì)。

因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

請(qǐng)參閱圖1，圖1示出了一種可應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例中的電子設(shè)備100的結(jié)構(gòu)框圖。該電子設(shè)備100可以作為用戶終端，也可以是計(jì)算機(jī)或服務(wù)器，所述用戶終端可以為手機(jī)、平板電腦或車載終端。如圖1所示，電子設(shè)備100可以包括存儲(chǔ)器110、存儲(chǔ)控制器111、處理器112和BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置。

存儲(chǔ)器110、存儲(chǔ)控制器111、處理器112各元件之間直接或間接地電連接，以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸或交互。例如，這些元件之間可以通過一條或多條通訊總線或信號(hào)總線實(shí)現(xiàn)電連接。BMS均衡MOS管檢測(cè)方法分別包括至少一個(gè)可以以軟件或固件(firmware)的形式存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器110中的軟件功能模塊，例如所述BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置包括的軟件功能模塊或計(jì)算機(jī)程序。

存儲(chǔ)器110可以存儲(chǔ)各種軟件程序以及模塊，如本申請(qǐng)實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法及裝置對(duì)應(yīng)的程序指令/模塊。處理器112通過運(yùn)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器110中的軟件程序以及模塊，從而執(zhí)行各種功能應(yīng)用以及數(shù)據(jù)處理，即實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例中的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法。存儲(chǔ)器110可以包括但不限于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory，RAM)，只讀存儲(chǔ)器(Read Only Memory，ROM)，可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable Read-Only Memory，PROM)，可擦除只讀存儲(chǔ)器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)，電可擦除只讀存儲(chǔ)器(Electric Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)等。

處理器112可以是一種集成電路芯片，具有信號(hào)處理能力。上述處理器可以是通用處理器，包括中央處理器(Central Processing Unit，簡(jiǎn)稱CPU)、網(wǎng)絡(luò)處理器(Network Processor，簡(jiǎn)稱NP)等；還可以是數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)成可編程門陣列(FPGA)或者其他可編程邏輯器件、分立門或者晶體管邏輯器件、分立硬件組件。其可以實(shí)現(xiàn)或者執(zhí)行本申請(qǐng)實(shí)施例中的公開的各方法、步驟及邏輯框圖。通用處理器可以是微處理器或者該處理器也可以是任何常規(guī)的處理器等。

電子設(shè)備100還可以包括電芯電壓采集模塊113。電芯電壓采集模塊113與處理器112電連接。電芯電壓采集模塊113用于采集電池組中每節(jié)電池的電芯電壓并傳遞給所述處理器112。電芯電壓采集模塊113包括多路電芯電壓采集電路。電池組內(nèi)有N節(jié)電池，相應(yīng)地則有N路電芯電壓采集電路。每節(jié)電池對(duì)應(yīng)有一路電芯電壓采集電路。

第一實(shí)施例

請(qǐng)參照?qǐng)D2，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種BMS均衡MOS管檢測(cè)方法，所述BMS用于管理電池組，所述電池組包括N節(jié)電池，每節(jié)所述電池對(duì)應(yīng)有均衡電路，所述方法包括：

步驟S200：在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓；在檢測(cè)到均衡電路未開啟條件下，該均衡電路所對(duì)應(yīng)的電芯電壓采集電路采集該電池的電芯電壓，為該電池的第一電芯電壓。同理可以得到N節(jié)電池各自的第一電芯電壓。處理器112獲取到各路電芯電壓采集電路采集到的第一電芯電壓。

步驟S210：在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓；

在檢測(cè)到均衡電路開啟條件下，該均衡電路所對(duì)應(yīng)的電芯電壓采集電路采集該電池的電芯電壓，為該電池的第二電芯電壓。同理可以得到N節(jié)電池各自的第二電芯電壓。處理器112獲取到各路電芯電壓采集電路采集到的第二電芯電壓。

步驟S220：根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；

步驟S230：將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)。

將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果，判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管是否工作正常或損壞。

本發(fā)明實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法，所述方法通過在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓；在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓；根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)，以此實(shí)現(xiàn)對(duì)電池管理系統(tǒng)中電池的MOS管的檢測(cè)。

第二實(shí)施例

請(qǐng)參照?qǐng)D3，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種BMS均衡MOS管檢測(cè)方法，所述BMS用于管理電池組，所述電池組包括N節(jié)電池，每節(jié)所述電池對(duì)應(yīng)有均衡電路，所述方法包括：

步驟S300：關(guān)閉預(yù)設(shè)進(jìn)程任務(wù)以外的電芯電壓采集進(jìn)程任務(wù)；

為了提高所述方法的準(zhǔn)確性，需要關(guān)閉預(yù)設(shè)進(jìn)程任務(wù)以外的電芯電壓采集進(jìn)程任務(wù)。預(yù)設(shè)進(jìn)程任務(wù)定義為預(yù)先設(shè)置的電池的電芯電壓的采集進(jìn)程。這個(gè)可以按照用戶的需求，預(yù)先選擇N節(jié)電池的某電池的電芯電壓的采集。例如，可以分別對(duì)這N節(jié)電池進(jìn)行編號(hào)，B₁、B₂、B₃......B_N，可以選擇對(duì)B₂電池的電芯電壓采集電路進(jìn)行電芯電壓采集，應(yīng)該關(guān)閉除對(duì)B₂以外的所有的電芯電壓采集電路。此條件下，如果有多個(gè)采集電路同條件下對(duì)B₁、B₃......或B_N的電芯電壓進(jìn)行采集，會(huì)對(duì)采集結(jié)果產(chǎn)生很大影響，這樣獲取到的電芯電壓也有影響，從而影響最終的判斷結(jié)果。

在本實(shí)施例中，所述BMS均衡MOS管檢測(cè)方法是在uC/OS-II的環(huán)境下實(shí)現(xiàn)的。作為一種實(shí)施方式，可以調(diào)用函數(shù)OSTmrStop()，表示關(guān)閉除MOS檢測(cè)方法進(jìn)程以外所有可能電芯電壓采集任務(wù)的系統(tǒng)條件下鐘，從而關(guān)閉除MOS檢測(cè)方法進(jìn)程以外所有可能存在的電芯電壓采集進(jìn)程。

步驟S310：在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓；

作為一種實(shí)施方式，在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，逐一獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓。

所述N節(jié)電池對(duì)應(yīng)有N路均衡電路，每節(jié)電池對(duì)應(yīng)一路均衡電路。例如，在實(shí)際使用情況下，N可以為48。優(yōu)選地，為了提高獲取的每節(jié)電池的第一電芯電壓的準(zhǔn)確性，在檢測(cè)到N路均衡電路都未開啟條件下，每次只采集電池的電芯電壓，此條件下該電池的電芯電壓定義為該電池的第一電芯電壓。這樣，一次獲取一個(gè)電池的電芯電壓，直到獲取到所有N節(jié)電池的電芯電壓。如此，均衡電路未開啟條件下下，逐一獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓。在本實(shí)施例中，在uC/OS-II的環(huán)境下實(shí)現(xiàn)的，獲取到了N節(jié)電池各自的第一電芯電壓i＝1,2,……N；將N節(jié)電池各自的第一電芯電壓的值放在數(shù)組Vol_Base_Result[][]中。

步驟S320：在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓；

作為一種實(shí)施方式，在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，逐一獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓。

為了提高所述N節(jié)電池的第二電芯電壓的準(zhǔn)確性，每路均衡電路開啟條件下的電池的電芯電壓必須獨(dú)立采集，即均衡一路采集一路。均衡電路的開啟必須是單獨(dú)開啟每節(jié)電池的均衡電路，并采集開啟所述均衡電路的該電池的電芯電壓。優(yōu)選地，在檢測(cè)到僅有一路均衡電路開啟條件下，而其他均衡電路均未開啟條件下，采集該電池的電芯電壓，此均衡電路開啟條件下采集的該電池的電芯電壓定義為該電池的第二電芯電壓。如此，每次在僅有一路均衡電路開啟條件下，獲取該電池的第二電芯電壓，直到逐一獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓。

在本實(shí)施例中，在uC/OS-II的環(huán)境下實(shí)現(xiàn)的，在以上均衡一路采集一路的原則下，獲取到了N節(jié)電池各自的第二電芯電壓U_bi，i＝1,2,……N；將N節(jié)電池各自的第二電芯電壓U_bi的值放在數(shù)組Vol_Balance_Result[][]中。

步驟S330：根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；

具體地，根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述U_bi，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值ΔU_i＝U_bi-U_ni，i＝1,2,……N。需要說明的是，在電池管理系統(tǒng)中，電池的均衡電路開啟后，均衡電路的MOS管導(dǎo)通，會(huì)有均衡電流流過，一般情況下，采集到電池的第二電芯電壓U_bi會(huì)高于該電池的第一電芯電壓U_ni。若存在U_ni高于U_bi情況下，則電池的電芯電壓的差值可以為ΔU_i＝U_ni-U_bi，其中，i＝1,2,……N。

在本實(shí)施中，在uC/OS-II的環(huán)境下實(shí)現(xiàn)的，將獲取的兩組電芯電壓Vol_Base_Result[][]和Vol_Balance_Result[][]依次做差，將結(jié)果放入數(shù)組Vol_Cahzhi[][]中。

步驟S340：將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)。

作為一種實(shí)施方式，若所述電池的電芯電壓的差值不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管被擊穿。具體地，若所述電池的電芯電壓的差值ΔU_i不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池B_i對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管被擊穿；若所述電池的電芯電壓的差值ΔU_i大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池B_i對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管未被擊穿即正常。其中，所述預(yù)設(shè)閾值是一個(gè)很小的值，或者可以為0。需要說明的是，所述不大于所述預(yù)設(shè)閾值包括小于或等于所述預(yù)設(shè)閾值；預(yù)設(shè)閾值可以按照用戶實(shí)際需要設(shè)定。

在本實(shí)施中，在uC/OS-II的環(huán)境下實(shí)現(xiàn)的，預(yù)設(shè)閾值設(shè)定為10，將數(shù)組Vol_Cahzhi[][]中的值，依次與預(yù)設(shè)閥值10進(jìn)行比較，如果數(shù)組Vol_Cahzhi[][]中的值不大于預(yù)設(shè)閾值10，則數(shù)組Mos_Short[][]的相應(yīng)位置為1，否則相應(yīng)位置為0。1表示該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管擊穿或損壞；0表示該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管工作正常。

上傳數(shù)據(jù)，調(diào)用函數(shù)OSTmrStart()，恢復(fù)定時(shí)器。以此完成所述電池組的MOS管檢測(cè)。

作為一種實(shí)施方式，若所述電池的電芯電壓的差值的絕對(duì)值不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管被擊穿。具體地，若所述電池的電芯電壓的差值的絕對(duì)值|ΔU_i|不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池B_i對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管被擊穿；若所述電池的電芯電壓的差值|ΔU_i|小于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池B_i對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管未被擊穿即正常。其中，所述預(yù)設(shè)閾值是一個(gè)很小的值，或者可以為0。需要說明的是，所述不大于所述預(yù)設(shè)閾值包括小于或等于所述預(yù)設(shè)閾值；預(yù)設(shè)閾值可以按照用戶實(shí)際需要設(shè)定。

此外，可以理解的是，所述將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，可以不限于所述電芯電壓的差值的絕對(duì)值與所述預(yù)設(shè)閾值做比較，也可以包括電芯電壓的差值做數(shù)值運(yùn)算后的結(jié)果與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行對(duì)比，例如，數(shù)值運(yùn)算包括平方等。同理根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)。

在本實(shí)施中，在uC/OS-II的環(huán)境下實(shí)現(xiàn)的，預(yù)設(shè)閾值設(shè)定為10，將獲取的兩組電芯電壓Vol_Base_Result[][]、Vol_Balance_Result[][]依次做差，將結(jié)果取絕對(duì)值后放入數(shù)組Vol_Cahzhi[][]中。將數(shù)組Vol_Cahzhi[][]中的值，依次與預(yù)設(shè)閥值10進(jìn)行比較，如果數(shù)組Vol_Cahzhi[][]中的值不大于預(yù)設(shè)閾值10，則數(shù)組Mos_Short[][]的相應(yīng)位置為1，否則相應(yīng)位置為0。1表示該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管擊穿或損壞；0表示該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管工作正常。

上傳數(shù)據(jù)，調(diào)用函數(shù)OSTmrStart()，恢復(fù)定時(shí)器。以此完成所述電池組的MOS管檢測(cè)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法，所述方法通過在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓；在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓；根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)，以此實(shí)現(xiàn)對(duì)電池管理系統(tǒng)中電池的MOS管的檢測(cè)。

第三實(shí)施例

請(qǐng)參照?qǐng)D4，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置400，所述BMS用于管理電池組，所述電池組包括N節(jié)電池，每節(jié)所述電池對(duì)應(yīng)有均衡電路，所述裝置400包括：

第一獲取單元410，用于在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓；

第二獲取單元420，用于在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓；

第三獲取單元430，用于根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；

對(duì)比單元440，用于將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)。

需要說明的是，本實(shí)施例中的各單元可以是由軟件代碼實(shí)現(xiàn)，此條件下，上述的各單元可存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器110內(nèi)。以上各單元同樣可以由硬件例如集成電路芯片實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置，其實(shí)現(xiàn)原理及產(chǎn)生的技術(shù)效果和前述第一實(shí)施中的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法實(shí)施例相同，為簡(jiǎn)要描述，裝置實(shí)施例部分未提及之處，可參考前述方法實(shí)施例中相應(yīng)內(nèi)容。

第四實(shí)施例

請(qǐng)參照?qǐng)D5，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置500，所述BMS用于管理電池組，所述電池組包括N節(jié)電池，每節(jié)所述電池對(duì)應(yīng)有均衡電路，所述裝置500包括：

關(guān)閉單元510，用于關(guān)閉預(yù)設(shè)進(jìn)程任務(wù)以外的電芯電壓采集進(jìn)程任務(wù)。

第一獲取單元520，用于在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓。

作為一種實(shí)施方式，所述第一獲取單元520包括第一獲取子單元521。

第一獲取子單元521，用于在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，逐一獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓。

第二獲取單元530，用于在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓。

作為一種實(shí)施方式，所述第二獲取單元530包括第二獲取子單元531。

第二獲取子單元531，用于在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，逐一獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓。

第三獲取單元540，用于根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；

對(duì)比單元550，用于將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)。

作為一種實(shí)施方式，對(duì)比單元550包括第一對(duì)比單元551。

第一對(duì)比單元551，用于若所述電池的電芯電壓的差值不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管被擊穿。

具體地，第一對(duì)比單元551，用于若所述電池的電芯電壓的差值ΔU_i不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池B_i對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管被擊穿；若所述電池的電芯電壓的差值ΔU_i大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池B_i對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管未被擊穿即正常。

需要說明的是，本實(shí)施例中的各單元可以是由軟件代碼實(shí)現(xiàn)，此條件下，上述的各單元可存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器110內(nèi)。以上各單元同樣可以由硬件例如集成電路芯片實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置，其實(shí)現(xiàn)原理及產(chǎn)生的技術(shù)效果和前述第二實(shí)施例中的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法實(shí)施例相同，為簡(jiǎn)要描述，裝置實(shí)施例部分未提及之處，可參考前述方法實(shí)施例中相應(yīng)內(nèi)容。

第五實(shí)施例

請(qǐng)參照?qǐng)D6，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置600，所述BMS用于管理電池組，所述電池組包括N節(jié)電池，每節(jié)所述電池對(duì)應(yīng)有均衡電路，所述裝置600包括：

關(guān)閉單元610，用于關(guān)閉預(yù)設(shè)進(jìn)程任務(wù)以外的電芯電壓采集進(jìn)程任務(wù)。

第一獲取單元620，用于在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓。

作為一種實(shí)施方式，所述第一獲取單元620包括第一獲取子單元621。

第一獲取子單元621，用于在檢測(cè)到所述均衡電路未開啟條件下，逐一獲取所述N節(jié)電池各自的第一電芯電壓。

第二獲取單元630，用于在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，分別獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓。

作為一種實(shí)施方式，所述第二獲取單元630包括第二獲取子單元631。

第二獲取子單元631，用于在檢測(cè)到所述均衡電路開啟條件下，逐一獲取所述N節(jié)電池各自的第二電芯電壓。

第三獲取單元640，用于根據(jù)每節(jié)所述電池的第一電芯電壓和所述第二電芯電壓，獲得每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值；

對(duì)比單元650，用于將每節(jié)所述電池的電芯電壓的差值與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管的擊穿狀態(tài)。

作為一種實(shí)施方式，對(duì)比單元650包括第二對(duì)比單元651。

第二對(duì)比單元651，用于若所述電池的電芯電壓的差值的絕對(duì)值不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管被擊穿。

具體地，第二對(duì)比子單元651，用于若所述電池的電芯電壓的差值的絕對(duì)值|ΔU_i|不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池B_i對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管被擊穿；若所述電池的電芯電壓的差值|ΔU_i|小于所述預(yù)設(shè)閾值，則確定該電池B_i對(duì)應(yīng)均衡電路中MOS管未被擊穿即正常。

需要說明的是，本實(shí)施例中的各單元可以是由軟件代碼實(shí)現(xiàn)，此條件下，上述的各單元可存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器110內(nèi)。以上各單元同樣可以由硬件例如集成電路芯片實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的BMS均衡MOS管檢測(cè)裝置，其實(shí)現(xiàn)原理及產(chǎn)生的技術(shù)效果和前述第二實(shí)施例中的BMS均衡MOS管檢測(cè)方法實(shí)施例相同，為簡(jiǎn)要描述，裝置實(shí)施例部分未提及之處，可參考前述方法實(shí)施例中相應(yīng)內(nèi)容。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的裝置和方法，也可以通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，附圖中的流程圖和框圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的裝置、方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的可能實(shí)現(xiàn)的體系架構(gòu)、功能和操作。在這點(diǎn)上，流程圖或框圖中的每個(gè)方框可以代表一個(gè)模塊、程序段或代碼的一部分，所述模塊、程序段或代碼的一部分包含一個(gè)或多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)規(guī)定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。也應(yīng)當(dāng)注意，在有些作為替換的實(shí)現(xiàn)方式中，方框中所標(biāo)注的功能也可以以不同于附圖中所標(biāo)注的順序發(fā)生。例如，兩個(gè)連續(xù)的方框?qū)嶋H上可以基本并行地執(zhí)行，它們有條件下也可以按相反的順序執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。也要注意的是，框圖和/或流程圖中的每個(gè)方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合，可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或動(dòng)作的專用的基于硬件的系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)，或者可以用專用硬件與計(jì)算機(jī)指令的組合來實(shí)現(xiàn)。

另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能模塊可以集成在一起形成一個(gè)獨(dú)立的部分，也可以是各個(gè)模塊單獨(dú)存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上模塊集成形成一個(gè)獨(dú)立的部分。

所述功能如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用條件下，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。