本發(fā)明涉及內(nèi)部溫度測(cè)定裝置和傳感器封裝體。

背景技術(shù)：

作為檢測(cè)從體表面流出的熱流的大小并基于該檢測(cè)結(jié)果來測(cè)定(計(jì)算)深部體溫的方法，已知具有使用圖6a所示的結(jié)構(gòu)的傳感器模塊的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)和使用圖6b所示的結(jié)構(gòu)的傳感器模塊的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。

在使用圖6a所示的傳感器模塊，即在絕熱材料的上下表面分別安裝有溫度傳感器的一個(gè)熱通量傳感器的情況下，可利用下式(1)，基于由絕熱材料的上表面?zhèn)鹊臏囟葌鞲衅鳒y(cè)定的溫度ta和由絕熱材料的下表面?zhèn)鹊臏囟葌鞲衅鳒y(cè)定的溫度tt來計(jì)算出深部體溫tb。

tb＝(tt-ta)rx/r1+tt…(1)

其中，r1、rx分別為絕熱材料的熱電阻、皮下組織的熱電阻。

即，使用圖6a所示的傳感器模塊的內(nèi)部溫度計(jì)算方法基本上使用固定值作為r1和rx的值。但是，由于rx值為存在位置上的差異、個(gè)體差異的值，因此，在使用固定值作為rx值來利用上述數(shù)式來計(jì)算出的深部體溫tb中包括與使用的rx值與實(shí)際的rx值之差相對(duì)應(yīng)的測(cè)定誤差。因此，也通過測(cè)定tt、ta的時(shí)間變化并基于測(cè)定結(jié)果來計(jì)算rx(參照專利文獻(xiàn)1)。

在使用圖6b所示的傳感器模塊來計(jì)算內(nèi)部溫度的情況下，通過絕熱材料的熱電阻不同的兩個(gè)熱通量傳感器，分別測(cè)定表示來自體表面的熱通量的溫差。若通過絕熱材料的熱電阻不同的兩個(gè)熱通量傳感器測(cè)定溫差，則能夠得到下面的兩個(gè)數(shù)式。

tb＝(tt-ta)rx/r1+tt…(2)

tb＝(tt’-ta’)rx/r2+tt’…(3)

其中，ta、ta’分別為利用圖6b中的左側(cè)、右側(cè)所示的熱通量傳感器的上表面?zhèn)鹊臏囟葌鞲衅鳒y(cè)定的溫度。tt和tt’分別為利用圖6b中的左側(cè)、右側(cè)所示的熱通量傳感器的下表面?zhèn)鹊臏囟葌鞲衅鳒y(cè)定的溫度。如圖6b所示，r1、r2為各熱通量傳感器的絕熱材料的熱電阻。

在r1和r2為已知數(shù)的情況下，上述的兩個(gè)數(shù)式中的未知數(shù)僅為rx和tb。因此，能夠基于數(shù)式(2)和(3)求出tb。在使用圖6b所示的傳感器模塊計(jì)算內(nèi)部溫度的情況下，通過該原理，能夠測(cè)定(計(jì)算)深部體溫tb。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-372464號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2007-212407號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

圖6a、圖6b所示的傳感器模塊利用多個(gè)溫度傳感器得到tb的計(jì)算所需的信息。并且，溫度傳感器的精度并不高，因此，在圖6a、圖6b所示的傳感器模塊中使用熱電阻和熱容量大的絕熱材料。因此，這些傳感器模塊為響應(yīng)性差(直至得到穩(wěn)定的深部體溫的測(cè)定結(jié)果為止所需的時(shí)間長(zhǎng))的模塊。

若將具有熱電堆的mems(microelectromechanicalsystem：微機(jī)電系統(tǒng))芯片用于測(cè)定溫差，則用于測(cè)定深部體溫的模塊的熱電阻和熱容量大大降低，因此，能夠以響應(yīng)性更好的方式測(cè)定深部體溫。因此，進(jìn)行使用mems芯片的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置的開發(fā)。但是，在現(xiàn)有內(nèi)部溫度測(cè)定裝置中所采用的在印刷布線板上配置mems芯片的結(jié)構(gòu)中，難以使mems芯片與測(cè)定對(duì)象物之間良好地進(jìn)行熱接觸。

此處，本發(fā)明的課題在于，提供能夠使mems芯片與測(cè)定對(duì)象物之間良好地進(jìn)行熱接觸的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置和用于制造這樣的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置的傳感器封裝體。

解決問題的手段

為了解決上述課題，本發(fā)明的用于對(duì)測(cè)定對(duì)象物的內(nèi)部溫度進(jìn)行測(cè)定的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置包括：

傳感器封裝體，在該傳感器封裝體的帶底筒狀的封裝部?jī)?nèi)配置有mems芯片和溫度傳感器，所述mems芯片包括用于測(cè)定通過所述封裝部的底部的一部分區(qū)域的熱通量的一個(gè)或多個(gè)熱電堆，所述溫度傳感器用于測(cè)定作為所述mems芯片的規(guī)定部分的溫度使用的基準(zhǔn)溫度，

印刷電路板，基于所述傳感器封裝體的輸出來計(jì)算測(cè)定對(duì)象物的內(nèi)部溫度；

所述傳感器封裝體的外底面具有通過設(shè)置于所述印刷電路板的貫通孔，從所述印刷電路板的板面凸出。

即，本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置為，mems芯片配置于封裝部的底部上而非配置于印刷電路板(構(gòu)成印刷電路板的印刷布線板)上的結(jié)構(gòu)，封裝部的外底面具有從印刷電路板的板面(下表面)凸出的結(jié)構(gòu)。因此，根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置，能夠使mems芯片與測(cè)定對(duì)象物(人體等)之間良好地進(jìn)行熱接觸。

此外，本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置中的“帶底筒狀的封裝部”為具有帶底圓筒狀、帶底橢圓筒狀、帶底方筒狀等的底部和圍繞該底部周圍的側(cè)壁部的封裝部即可。另外，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，“所述封裝部的所述底部包括非傳熱部和傳熱部，該傳熱部由導(dǎo)熱性比所述非傳熱部的構(gòu)成材料的導(dǎo)熱性好的材料(例如，金屬)構(gòu)成，所述mems芯片中的至少一部分位于所述傳熱部上”。

對(duì)本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，“所述傳感器封裝體的所述封裝部具有多條引線，所述多條引線貫通所述封裝部的筒狀壁，且比所述筒狀壁更靠外側(cè)的頂端部的朝向同一方向的面位于同一平面上，利用所述多條引線的所述頂端部的所述面，使所述傳感器封裝體安裝于所述印刷電路板”。此外，若對(duì)本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置采用該結(jié)構(gòu)，則與采用其他結(jié)構(gòu)的情況相比，能夠容易地制造(組裝)裝置。另外，為了進(jìn)一步提高mems芯片與測(cè)定對(duì)象物(人體等)之間的熱接觸性，也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，“所述傳感器封裝體的所述外底面具有中央部凸出的曲面形狀”。

也可以利用模具成型來形成本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置的傳感器封裝體的封裝部。若如此形成，則易于制造傳感器封裝體，因此，能夠容易地(以總工序數(shù)更少的方式)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置。

另外，為了防止從上方入射的光被傳感器封裝體的內(nèi)表面反射而向mems芯片入射的情況，為了使傳感器封裝體10內(nèi)的空氣溫度穩(wěn)定，也可以利用黑色構(gòu)件覆蓋本發(fā)明的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置的封裝部的筒狀壁的內(nèi)表面。

另外，本發(fā)明的傳感器封裝體，用于獲取在測(cè)定對(duì)象物的內(nèi)部溫度的計(jì)算中使用的數(shù)據(jù)，

該傳感器封裝體包括：

帶底筒狀的封裝部，

配置于所述封裝部?jī)?nèi)的mems芯片和溫度傳感器，所述mems芯片包括用于測(cè)定通過所述封裝部的底部的一部分區(qū)域的熱通量的一個(gè)或多個(gè)熱電堆，所述溫度傳感器用于測(cè)定作為所述mems芯片的規(guī)定部分的溫度使用的基準(zhǔn)溫度，

所述封裝部具有多條引線，所述多條引線貫通所述封裝部的筒狀壁，且比所述筒狀壁更靠外側(cè)的頂端部的朝向同一方向的面位于同一平面上。

因此，若使用本發(fā)明的傳感器封裝體，則能夠?qū)崿F(xiàn)能夠使mems芯片與測(cè)定對(duì)象物之間良好地進(jìn)行熱接觸的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠使mems芯片與測(cè)定對(duì)象物之間良好地?zé)峤佑|的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實(shí)施方式的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。

圖2是在實(shí)施方式的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置所具有的傳感器封裝體中使用的封裝部的立體圖。

圖3a是配置于封裝部?jī)?nèi)的mems芯片的一個(gè)例子的上表面圖。

圖3b是圖3a所示的mems芯片的沿圖3a中的iii-iii線的剖視圖。

圖4是實(shí)施方式的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置的使用例的說明圖。

圖5是實(shí)施方式的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置的使用例的說明圖。

圖6a是用于測(cè)定(計(jì)算)深部體溫的傳感器模塊的說明圖。

圖6b是用于測(cè)定(計(jì)算)深部體溫的傳感器模塊的說明圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。

圖1示出本發(fā)明一實(shí)施方式的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1的概略結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施方式的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1是作為用于測(cè)定人體的內(nèi)部溫度(深部體溫)的裝置而開發(fā)的。如圖所示，內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1具有傳感器封裝體10和印刷電路板30。

印刷電路板30是將運(yùn)算電路32a等各種器件32(電阻、電容器等)安裝于印刷布線板31上的單元。運(yùn)算電路32a是基于傳感器封裝體10(后述的mems芯片20、asic(applicationspecificintegratedcircuit：專用集成電路)26)測(cè)定的溫差、溫度的測(cè)定結(jié)果計(jì)算并輸出所述測(cè)定對(duì)象物的內(nèi)部溫度的電路。

如圖所示，在該印刷電路板30的印刷布線板31上設(shè)置有用于插入傳感器封裝體10的貫通孔。在該貫通孔的周圍設(shè)置有多個(gè)焊盤(省略圖示)，以使其與插入貫通孔的傳感器封裝體10的各引線13相對(duì)。

傳感器封裝體10是用于測(cè)定內(nèi)部溫度的計(jì)算所需的值(溫度和一個(gè)以上的溫差)的模塊。內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1構(gòu)成為使該傳感器封裝體10的圖1中的下側(cè)的面與人體表面接觸所使用的裝置。在下面的傳感器封裝體10、內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1的說明中，將圖1中的上、下表示為上、下。

傳感器封裝體10是將mems芯片20和asic26配置于封裝部11的內(nèi)底面的模塊。如圖1中所示，對(duì)傳感器封裝體10采用封裝部11，為了使與人體表面的熱接觸狀態(tài)變得良好，該封裝部11將其下表面形狀形成為中央部分向下方凸出的曲面形狀。

下面，對(duì)封裝部11進(jìn)一步詳細(xì)地說明。

圖2示出了封裝部11的結(jié)構(gòu)。如圖所示，封裝部11具有大致帶底四方筒狀框體12。在封裝部11的框體12的相對(duì)的側(cè)壁12a、12b分別設(shè)置有貫通側(cè)壁12a/12b的距框體12的內(nèi)底面規(guī)定高度的部分的多條引線13。各引線13的側(cè)壁12a/12b的貫通位置被設(shè)定為，在將傳感器封裝體10的底部側(cè)插入印刷布線板31的貫通孔時(shí)，傳感器封裝體10的下表面從印刷電路板30(印刷布線板31)的下表面凸出。

另外，在封裝部11的框體12的底部由高導(dǎo)熱性的材料(本實(shí)施例中為金屬)制的傳熱墊片14以及低導(dǎo)熱性的材料制的部分構(gòu)成。傳熱墊片14是為了使熱量從人體良好地傳遞到mems芯片20和asic26而設(shè)置的構(gòu)件，傳熱墊片14的形狀被設(shè)定為，能夠在其上配置mems芯片20和asic26。

框體12的側(cè)壁的構(gòu)成材料為導(dǎo)熱性較差的材料即可，框體12的底部(下面，也記載為框體底部)的除了傳熱墊片14以外的部分的構(gòu)成材料為導(dǎo)熱性比傳熱墊片14的構(gòu)成材料差的材料即可。但是，若使框體12側(cè)壁的構(gòu)成材料和框體底部的除傳熱墊片14以外的部分的構(gòu)成材料為相同的樹脂，則能夠利用模具成型(嵌入成型)制造封裝部11。因此，優(yōu)選地，使框體12的側(cè)壁的構(gòu)成材料和框體底部的除傳熱墊片14以外的部分的構(gòu)成材料為相同的樹脂。

mems芯片20(圖1)是使用mems技術(shù)制造的小型溫差傳感器(熱通量傳感器)，其具有一個(gè)以上的熱電堆，該熱電堆用于測(cè)定因經(jīng)由封裝部11的框體底部流入的熱通量而在芯片內(nèi)產(chǎn)生的溫差。

用于傳感器封裝體10的mems芯片20的具體結(jié)構(gòu)為與用于計(jì)算內(nèi)部溫度的計(jì)算方法相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)。即，如在“背景技術(shù)”部分說明的那樣，在內(nèi)部溫度的計(jì)算方法中具有需要兩個(gè)溫差(tt-ta、tt’-ta’)的方法和只需要一個(gè)溫差的方法。

在將前者的方法用于計(jì)算內(nèi)部溫度的情況下，使用mems芯片20，該mems芯片20具有用于測(cè)定δt(相當(dāng)于“tt-ta”的溫差)的一個(gè)以上的熱電堆和用于測(cè)定δt’(相當(dāng)于“tt’-ta’”的溫差)的一個(gè)以上的熱電堆。另外，在將后者的方法用于計(jì)算內(nèi)部溫度的情況下，使用具有用于測(cè)定δt(1種溫差)的一個(gè)以上的熱電堆的mems芯片20。

下面，使用圖3a和圖3b對(duì)前者的mems芯片20的一個(gè)例子即mems芯片20a進(jìn)行說明。此外，圖3a是mems芯片20a的上表面圖，圖3b是mems芯片20a的沿圖3a中的iii-iii線的剖視圖。另外，在關(guān)于mems芯片20的下面的說明中，上、下、左、右是圖3b中的上、下、左、右。

如圖3b所示，mems芯片20a具有頂面部21和支撐部22。頂面部21是使用各種半導(dǎo)體工藝(成膜、抗蝕劑圖案形成、蝕刻等)形成于硅基板上的部分。支撐部22是將形成頂面部21的硅基板從背面?zhèn)?圖3b中的下側(cè))進(jìn)行蝕刻而形成的部分。

如圖3b所示，mems芯片20a的支撐部22具有到達(dá)頂面部21的一個(gè)以上的空洞(被蝕刻的部分)。下面，將位于支撐部22的空洞上方的頂面部21的部分記載為膜部。另外，將支撐部22的圖3a所示的各點(diǎn)劃線框25內(nèi)的部分(位于熱電堆24的測(cè)溫對(duì)象的頂面部21的部分下方的支撐部22的部分)記載為腳部23。

如圖3a和圖3b所示，在mems芯片20a的頂面部21內(nèi)設(shè)置有將多個(gè)熱電偶進(jìn)行串聯(lián)連接的熱電堆24a和24b。此外，雖省略了圖示，但在mems芯片20a的頂面部21的上表面設(shè)置有用于獲取各熱電堆24的輸出的電極。

構(gòu)成熱電堆24a的各熱電偶和構(gòu)成熱電堆24b的各熱電偶為大致相同的長(zhǎng)度。如圖3a所示，構(gòu)成熱電堆24a的各熱電偶的熱接點(diǎn)、冷接點(diǎn)分別配置于mems芯片20a左側(cè)的腳部23(支撐部22的左側(cè)的點(diǎn)劃線框25內(nèi)的部分)上方、膜部?jī)?nèi)的mems芯片20a的左右方向的大致中央部分。另外，構(gòu)成熱電堆24b的各熱電偶的熱接點(diǎn)、冷接點(diǎn)分別配置于mems芯片20a的右側(cè)的腳部23上方、膜部?jī)?nèi)的mems芯片20a的左右方向的大致中央部分。

mems芯片20a的支撐部22所具有的空洞的左右方向的中心比mems芯片20a的左右方向的中心更靠左側(cè)。其結(jié)果，從mems芯片20a的左側(cè)腳部23的下表面至設(shè)置有熱電堆24a的冷接點(diǎn)組的頂面部21的部分的熱路徑的熱電阻大于從右側(cè)的腳部23的下表面至設(shè)置有熱電堆24b的冷接點(diǎn)組的頂面部21的部分的熱路徑的熱電阻。

因此，該mems芯片20a作為利用熱電堆24a測(cè)定δt，利用熱電堆24b測(cè)定δt’(＜δt)的器件發(fā)揮作用。

asic26(圖1)是輸入輸出用多個(gè)電極設(shè)置于其上表面的集成電路。asic26內(nèi)置有溫度傳感器。另外，asic26具有用于放大溫度傳感器的輸出以及mems芯片20的各熱電堆24的輸出的功能和對(duì)放大后的各輸出進(jìn)行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)化的功能。作為該asic26，例如可以使用如下的集成電路，該集成電路具有用于輸出與絕對(duì)溫度成比例的電壓的ptat(proportionaltoabsolutetemperature：與絕對(duì)溫度成比例)電壓源(即，發(fā)揮溫度計(jì)功能的電壓源)，ptat電壓源的結(jié)構(gòu)構(gòu)件具有溫度傳感器的功能。

如圖1所示，傳感器封裝體10為如下模塊：將上述那樣的asic26和mems芯片20配置于封裝部11(框體12)的傳熱墊片14上，并將mems芯片20與asic26之間和引線13與asic26之間利用引線鍵合電連接。

并且，內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1構(gòu)成為：在將具有上述結(jié)構(gòu)的傳感器封裝體10的底部插入印刷電路板30(印刷布線板31)的貫通孔的狀態(tài)下，利用引線13將傳感器封裝體10固定于印刷電路板30。

以上，如說明的那樣，本實(shí)施方式的內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1為mems芯片20配置于封裝部11的內(nèi)底面上而非印刷電路板30(作為印刷電路板30的結(jié)構(gòu)構(gòu)件的印刷布線板31)上的結(jié)構(gòu)，并且具有封裝部11的下表面(外底面)從印刷電路板30的板面(下表面)凸出的結(jié)構(gòu)。而且，內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1的傳感器封裝體10(封裝部11)的下表面具有中央部分向下方(人體側(cè))凸出的曲面形狀。因此，根據(jù)內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1，能夠使mems芯片20與人體之間良好地進(jìn)行熱接觸。

下面，對(duì)內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1補(bǔ)充幾點(diǎn)說明。

mems芯片20通常使用銀漿等導(dǎo)熱性良好的粘合劑固定于傳熱墊片14上。此時(shí)，也可以使mems芯片20的下表面的整個(gè)區(qū)域利用銀漿等固定于傳熱墊片14上。但是，這樣一來，膜部的下方的空洞成為封閉區(qū)域，因此，因溫度升高會(huì)導(dǎo)致空洞內(nèi)的空氣的壓力升高，從而膜部會(huì)破損。

因此，優(yōu)選將mems芯片20以各空洞不成為封閉區(qū)域的方式固定于傳熱墊片14上，但是在某腳部23與傳熱墊片14之間存在導(dǎo)熱性差的部分時(shí)，利用熱接點(diǎn)存在于該腳部23上的熱電堆24測(cè)定的溫差中可能包括因上述部分導(dǎo)致的誤差。并且，若僅在mems芯片20的各腳部23的下表面整個(gè)區(qū)域涂敷銀漿等，并將mems芯片20固定于傳熱墊片14上，則能夠不降低mems芯片20的性能，從而能夠抑制因空洞內(nèi)的空氣的壓力升高而產(chǎn)生膜部破損。

因此，在制造(組裝)傳感器封裝體10時(shí)，優(yōu)選地，僅在mems芯片20的各腳部23的下表面整個(gè)區(qū)域涂敷銀漿等，并將mems芯片20固定于傳熱墊片14上。但是，根據(jù)mems芯片20的結(jié)構(gòu)，在腳部23中有時(shí)也存在與傳熱墊片14之間的導(dǎo)熱性差也無妨的腳部23。對(duì)傳感器封裝體10使用這樣結(jié)構(gòu)的mems芯片20的情況下，也可以僅在需要與傳熱墊片14之間的導(dǎo)熱性良好的各腳部23的下表面整個(gè)區(qū)域涂敷銀漿等，并將mems芯片20固定于傳熱墊片14上。

將框體底部(框體12的底部)的配置有mems芯片20和asic26的部分作為高導(dǎo)熱性的傳熱墊片14(參照?qǐng)D1)是因?yàn)椋瓌t上，框體底部的厚度方向的導(dǎo)熱性越良好，則越能夠準(zhǔn)確地測(cè)定溫差。但是，在基于δt和δt’來計(jì)算內(nèi)部溫度的情況下，由于傳熱墊片14的橫向(與厚度方向垂直的方向)的導(dǎo)熱性良好，因此，有時(shí)會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部溫度的推定誤差(內(nèi)部溫度的計(jì)算結(jié)果與實(shí)際的內(nèi)部溫度之差)變大。因此，也可以不在框體底部設(shè)置傳熱墊片14，而利用導(dǎo)熱性較差的材料形成框體底部。

另外，在使用具有δt測(cè)定用熱電堆24和δt’測(cè)定用熱電堆24的mems芯片20(例如，圖3a和圖3b的mems芯片20a)的溫差測(cè)定裝置中，為了防止因框體底部的橫向?qū)釋?dǎo)致內(nèi)部溫度的推定誤差增大，也可以將框體底部構(gòu)成為，在mems芯片20的δt測(cè)定用熱電堆24的熱接點(diǎn)側(cè)的腳部23下和δt’測(cè)定用熱電堆24的熱接點(diǎn)側(cè)的腳部23下分別設(shè)置傳熱墊片14，并利用導(dǎo)熱性差的構(gòu)件將這些傳熱墊片14之間隔離。

另外，傳感器封裝體10為如下構(gòu)件，在測(cè)定環(huán)境為不從上方向傳感器封裝體10內(nèi)入射光(紅外線等)且傳感器封裝體10的上方的空氣溫度穩(wěn)定的環(huán)境的情況下，能夠在圖1所示的狀態(tài)，即上部不被密封的狀態(tài)下使用。但是，測(cè)定環(huán)境為如上述那樣的情況占少數(shù)。并且，在從上方向傳感器封裝體10內(nèi)入射光的情況或傳感器封裝體10上方的空氣溫度發(fā)生變化的情況下，會(huì)導(dǎo)致溫差的測(cè)定精度降低。因此，傳感器封裝體10通常如圖4中示意性所示的那樣，在利用開口部以上的尺寸的蓋部15覆蓋其開口部(上表面)的狀態(tài)下使用。

另外，傳感器封裝體10是上方的空氣溫度越低則靈敏度越高的模塊。因此，在利用蓋部15覆蓋傳感器封裝體10的開口部的情況下，如圖4所示，也可以在蓋部15的下表面設(shè)置用于吸收紅外線的構(gòu)件16。另外，作為傳感器封裝體10的蓋部15，也可以采用具有散熱性良好的形狀的構(gòu)件，例如具有散熱片的構(gòu)件、面積為傳感器封裝體10的開口部的面積的數(shù)倍的構(gòu)件。

另外，如圖5示意性地所示，也可以不設(shè)置蓋部15，而利用框體18包圍除傳感器封裝體10的下表面以外的部分。此外，在此情況下，也可以通過在框體18的傳感器封裝體10的開口部上方的部分設(shè)置用于吸收紅外線的構(gòu)件16，從而能夠提高內(nèi)部溫度測(cè)定裝置的靈敏度。

為了防止從上方入射的光被傳感器封裝體10的內(nèi)表面反射而向mems芯片20入射的情況，為了使傳感器封裝體10內(nèi)的空氣溫度穩(wěn)定，也可以利用黑色構(gòu)件，例如黑色的涂料、黑色的樹脂來覆蓋傳感器封裝體10(封裝部11、框體12)的內(nèi)表面。

另外，也可以將具有生物體適應(yīng)性的絕緣性的薄膜、樹脂構(gòu)件等固定于傳感器封裝體10的下表面。另外，也可以在傳感器封裝體10的下表面設(shè)置多個(gè)由曲面構(gòu)成的凸結(jié)構(gòu)，來替代使傳感器封裝體10的下表面成為中央部分向下方凸出的曲面狀。也可以使傳感器封裝體10的下表面成為平坦面，這樣會(huì)使該下表面與人體間的熱接觸性稍微變差。

為了能夠利用引線13將傳感器封裝體10安裝在印刷電路板30(可電連接以及物理連接)上，多條引線13的外側(cè)的頂端部的朝向同一方向(下方向或上方向)的面位于同一平面即可。因此，也可以使傳感器封裝體10的多條引線13的形狀成為鷗翼狀。另外，傳感器封裝體10的封裝部11(框體12)的形狀也可以是與上述形狀不同的形狀(除帶底四方筒狀以外的帶底方筒狀、帶底圓筒狀、帶底橢圓筒狀等)，也可以將內(nèi)部溫度測(cè)定裝置1變形為用于測(cè)定除人體以外的測(cè)定對(duì)象物內(nèi)部溫度的裝置等，這些都是理所當(dāng)然的。

附圖標(biāo)記的說明：

1內(nèi)部溫度測(cè)定裝置

10傳感器封裝體

11封裝部

12、18框體

12a、12b側(cè)壁

13引線

14傳熱墊片

15蓋部

20mems芯片

21頂面部

22支撐部

23腳部

24、24a、24b、24c熱電堆

26asic

30印刷電路板

31印刷布線板

32器件

32a運(yùn)算電路