技術(shù)特征：

1.一種基于FBG構(gòu)建非本征F-P諧振腔和磁流體的磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：由寬帶光源(1)，單模光纖(2)，第一光纖光柵(3)，第二光纖光柵(4)，毛細(xì)石英玻璃管(5)，磁流體(6)，環(huán)氧樹(shù)脂(7)，微位移平臺(tái)(8)，磁場(chǎng)發(fā)生器(9)，光譜儀(10)組成；寬帶光源(1)通過(guò)單模光纖(2)與第一光纖光柵(3)左端相連；第一光纖光柵(3)，第二光纖光柵(4)，毛細(xì)石英玻璃管(5)，磁流體(6)和環(huán)氧樹(shù)脂(7)共同構(gòu)成了磁敏感探頭，其中第一光纖光柵(3)右端與第二光纖光柵(4)左端軸向?qū)?zhǔn)后設(shè)置微米量級(jí)的間隔置于毛細(xì)石英玻璃管(5)內(nèi)形成非本征F-P諧振腔，毛細(xì)石英玻璃管(5)內(nèi)部填充磁流體(6)兩端通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂(7)密封；磁敏感探頭夾持在微位移平臺(tái)(8)上，水平置于磁場(chǎng)發(fā)生器(9)中部，并通過(guò)單模光纖(2)與光譜儀(10)相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于FBG構(gòu)建非本征F-P諧振腔和磁流體的磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：所述的第一光纖光柵(3)和第二光纖光柵(4)由柵區(qū)長(zhǎng)度10mm～12mm，中心波長(zhǎng)為1548nm～1552nm，光柵反射率大于85％，3dB帶寬小于0.25nm，邊模抑制比大于12dB的光纖光柵等分切割形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于FBG構(gòu)建非本征F-P諧振腔和磁流體的磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：所述的第一光纖光柵(3)和第二光纖光柵(4)端面之間的間距為10μm～30μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于FBG構(gòu)建非本征F-P諧振腔和磁流體的磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：所述的磁流體(6)的基液為H₂O，納米Fe₃O₄顆粒的平均半徑為10nm，濃度為1％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于FBG構(gòu)建非本征F-P諧振腔和磁流體的磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：所述的毛細(xì)石英玻璃管(5)的內(nèi)徑為127μm～150μm。