本實用新型是涉及一種檢測用的工件，特別是涉及一種檢測用的面板結構以及檢測系統(tǒng)。

背景技術：

電子產品在制作、包裝、測試、搬運乃至最終裝配和使用時，隨時都有遭受靜電放電的破壞而造成無法正常運作的可能。因此，需多電子產品上會設置靜電防護相關的結構或是元件。然而，電子產品的制作過程包括許多的程序與步驟，在部分的程序與步驟中，半成品或成品上不一定有靜電防護結構或是元件的保護，這導致制作過程中的靜電破壞現(xiàn)象無法有效被防止。有時，基于制作程序與機臺設備的限制，不一定可以在每一個制作程序后立即安排檢測步驟以檢測靜電放電的損壞是否發(fā)生。因此，在靜電放電的損壞發(fā)生之后直到檢測到損壞的期間，可能已繼續(xù)進行了部分的程序，這導致成本與制作工藝時間上的損耗。此外，即便是存在有靜電防護結構或是元件，制作過程中最好仍是將靜電累積現(xiàn)象控制在安全的范圍，才得以確保制作工藝良率。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種面板結構，用以檢測制作工藝環(huán)境中的靜電產生情形。

本實用新型的再一目的在于提供一種檢測系統(tǒng)，可監(jiān)控制作工藝環(huán)境中的靜電產生情形以反饋給制作工藝條件的調整與控制，用于降低靜電造成的損壞現(xiàn)象。

為達上述目的，本實用新型提供一種面板結構，其包括第一基板、檢測構件以及信號傳輸單元。檢測構件配置于第一基板上，且檢測構件彼此獨立地位于不同檢測面積中。各檢測構件包括以一介電結構分隔的一第一檢測電極以及一第二檢測電極，且各檢測構件的第一檢測電極與第二檢測電極在對應的檢測面積內重疊設置。信號傳輸單元電連通于檢測構件，以記錄檢測構件的電信號。

在本實用新型的一實施例中，上述的各檢測構件所包括的第一檢測電極與第二檢測電極實質上彼此平行。

在本實用新型的一實施例中，上述的介電結構包括多個獨立的介電層單元。各介電層單元設置于其中一個檢測構件的第一檢測電極與第二檢測電極之間并獨立于其他介電層單元。

在本實用新型的一實施例中，上述的介電結構包括一介電層。檢測構件的個別第一檢測電極設置于介電層的一第一表面，且檢測構件的個別第二檢測電極設置于介電層的一第二表面。第一表面與第二表面彼此相對。

在本實用新型的一實施例中，上述的面板結構還包括多個功能構件，其中功能構件設置于第一基板上，位于一功能區(qū)內。檢測構件位于功能區(qū)周邊。

在本實用新型的一實施例中，上述的功能構件包括顯示元件、發(fā)光元件、觸控元件、感測元件或其組合。

在本實用新型的一實施例中，上述的各檢測構件的第一檢測電極與第二檢測電極各自為金屬層。

在本實用新型的一實施例中，上述的面板結構還包括一第二基板。檢測構件設置于第一基板與第二基板之間。

本實用新型還提供一種檢測系統(tǒng)，其包括前述的面板結構以及信號處理裝置。面板結構中的信號傳輸單元將所記錄的檢測構件的電信號傳輸給信號處理裝置，供信號處理裝置分析檢測構件的電信號。

在本實用新型的一實施例中，上述的信號傳輸單元與信號處理裝置以無線傳輸方式傳輸檢測構件的電信號。

基于上述，本實用新型的優(yōu)點在于，采用設置有多個檢測構件的面板結構來檢測生產制作過程中發(fā)生的靜電累積現(xiàn)象。將檢測系統(tǒng)的檢測結果反饋至制作條件的調整，有助于降低靜電在制作過程中過度累積造成靜電放電而損壞構件的機率。

為讓本實用新型能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為本實用新型一實施例的檢測系統(tǒng)的示意圖；

圖2為本實用新型的一實施例的檢測方法；

圖3為本實用新型另一實施例的面板結構的示意圖；

圖4為本實用新型的一實施例的面板結構的局部剖面示意圖；

圖5為本實用新型的另一實施例的面板結構的局部剖面示意圖；

圖6為本實用新型的再一實施例的面板結構的局部剖面示意圖；

圖7為本實用新型的又一實施例的面板結構的局部剖面示意圖。

符號說明

10：檢測系統(tǒng)

100、100’、100A、100B、100C、100D：面板結構

110、150：基板

120：檢測構件

122：第一檢測電極

124：第二檢測電極

130：信號傳輸單元

140：功能構件

200：信號處理裝置

AA：功能區(qū)

I1、I2：介電結構

IA：檢測面積

P1：第一表面

P2：第二表面

PO：外側表面

S1～S3：步驟

W：傳輸線

具體實施方式

圖1為本實用新型一實施例的檢測系統(tǒng)的示意圖。請參照圖1，檢測系統(tǒng)10包括面板結構100以及信號處理裝置200，且面板結構100以及信號處理裝置200彼此信號連通。面板結構100包括基板110、多個檢測構件120 以及信號傳輸單元130。多個檢測構件120與信號傳輸單元130都配置于基板110上。另外，信號傳輸單元130電連通于檢測構件120，以記錄檢測構件120的電信號。面板結構100的信號傳輸單元130會將所記錄的檢測構件120的電信號傳輸給信號處理裝置200，供信號處理裝置200分析個別檢測構件120的電信號。在一實施例中，信號傳輸單元130與信號處理裝置200可采用無線傳輸方式傳輸檢測構件120的電信號，也可選擇以有線傳輸方式來傳輸。

在圖1中，以斜線填滿的面積來表示多個檢測面積IA，且檢測構件120彼此獨立地位于不同檢測面積IA中。在此，每個檢測面積IA中設置一個檢測構件120，或是每個檢測面積IA可以視為單個檢測構件120的面積范圍。檢測面積IA彼此不重疊以獨立地在基板110的不同位置處執(zhí)行檢測功能。檢測構件120可以采N排M列的方式排列在基板110上，其中N與M都是正整數(shù)。不過，在其他的實施例中，檢測構件120可采其他的方式排列，例如相鄰兩列彼此錯移一距離、放射狀的排列方式、不規(guī)律的排列方式、沿著螺旋路徑排列的方式、沿著折曲(zigzag)路徑排列的方式等。也就是說，多個檢測構件120的排列方式可以依照不同的需求調整。圖1中所表示的陣列排列方式僅是舉例說明之用，并非用以限定本實用新型。

以本實施例來說，檢測構件120可以通過各自的傳輸線W連接至信號傳輸單元130，使得產生于個別檢測構件120上的電信號可獨立地紀錄于信號傳輸單元130中。檢測構件120不會被輸入特定的電信號。檢測構件120的電信號主要相關于其所在位置處的靜電累積現(xiàn)象，因此可以用以檢測靜電累積現(xiàn)象。具體來說，信號傳輸單元130不對檢測構件120輸入特定信號而僅讀取與記錄個別檢測構件120的電信號。記錄于信號傳輸單元130中的電信號則可傳輸給信號處理裝置200且經信號處理裝置200分析后來獲得整個面板結構100的靜電累積分布情形。由此執(zhí)行靜電累積現(xiàn)象的檢測。

圖2為本實用新型的一實施例的檢測方法。請參照圖1與圖2，前述實施例的檢測系統(tǒng)10進行檢測的方法可以包括以下步驟。首先，如步驟S1所述，將面板結構100放置于制作工藝環(huán)境中。此處所記載的制作工藝環(huán)境是指欲執(zhí)行的制作工藝步驟的制作工藝機臺內或是制作工藝站位上。舉例而言，當欲執(zhí)行的制作工藝步驟為鍍膜制作工藝時，制作工藝環(huán)境為鍍膜機臺的鍍膜腔室內。當欲執(zhí)行的制作工藝步驟為蝕刻制作工藝時，制作工藝環(huán)境為蝕刻機臺的蝕刻腔室內。在本實施例中，可以使用面板結構100直接在制作工藝環(huán)境中執(zhí)行靜電累積現(xiàn)象的檢測。

接著，如步驟S2所述，執(zhí)行欲進行的制作工藝。此外，如步驟S3所述，可以讀取與分析來自面板結構100的電信號，而得到面板結構100在這樣的制作工藝步驟中所受到的靜電累積現(xiàn)象。也就是說，本實施例將面板結構100放置于制作工藝環(huán)境中直接進行要執(zhí)行的制作工藝。如此一來，面板結構100受到的靜電累積現(xiàn)象可以作為以相同制作工藝來制作產品時，半成品所受到的靜電累積情形。

步驟S2與步驟S3可以同時進行。在一實施例中，信號傳輸單元130與信號處理裝置200可采用無線傳輸方式傳輸電信號。因此，制作工藝環(huán)境是封閉的腔室時，信號傳輸單元130所記錄的電信號仍可以傳輸至信號處理裝置200，從而即時的分析出面板結構200在制作工藝環(huán)境內受到的靜電累積情形。如此一來，當信號處理裝置200分析的結果顯示出面板結構100的某個位置處發(fā)生靜電累積現(xiàn)象超過預設程度時，可以即時地終止制作工藝，或是調整制作工藝條件。

另外，可選擇在步驟S2完成后才進行步驟S3。在一實施例中，面板結構100上的信號傳輸單元130可包括存儲器或類似的存儲介質，因此執(zhí)行步驟S2過程中，信號傳輸單元130可以持續(xù)地記錄并存儲各個檢測構件120上的電信號。完成步驟S2后，再將面板結構100上的信號傳輸單元130與信號處理裝置200電訊連通，使得信號處理裝置200接收信號傳輸單元130所記錄的電信號。在此，可將面板結構100自制作工藝環(huán)境中取出，再使信號傳輸單元130與信號處理裝置200電訊連通。此時，信號傳輸單元130與信號處理裝置200的電訊連通可以是通過有線式的傳輸技術也可以通過無線式的傳輸技術來實現(xiàn)。不過，也可選擇在完成對應的制作工藝步驟后，將面板結構100留在制作工藝環(huán)境中，并使信號傳輸單元130與信號處理裝置200以無線方式電訊連通。

信號處理裝置200接著分析取得的電信號后，操作者或是制造設備(機臺)即可利用分析結果判別步驟S2的制作工藝執(zhí)行過程中是否有某些位置發(fā)生了不希望的靜電累積情形。由此分析結果來判斷制作工藝條件是否需要調整。舉例來說，步驟S2中所執(zhí)行的制作工藝為鍍膜制作工藝時，若某些位置發(fā)生了不希望的靜電累積，可選擇調整鍍膜腔室內的氣體的流速、調整鍍膜速度、調整面板結構100的移動方式或調整其他制作工藝條件來降低局部區(qū)域中靜電累積異常的情形。經過這樣的檢測以及依據(jù)檢測結果來調整制作工藝條件，可以有效的避免制作過程中因不當?shù)撵o電累積導致構件損壞的情形。當然，上述調整方式僅是舉例說明之用，不需以此為限。

步驟S1至步驟S3所示的檢測方法可以在執(zhí)行個別制作工藝的過程當中即時進行檢測，或是在執(zhí)行完個別制作工藝步驟后即檢測出是否有不想要的靜電累積情形。一但有不想要的靜電累積情形發(fā)生可以立即地調整制作工藝條件，而得到合適的制作工藝條件。之后，采用調整過的制作工藝條件進行實際產品的制作生產，則可降低制作實際產品的過程中因為靜電放電而損壞構件的情形。也就是說，本實施例采用面板結構100作為檢測工件，以獲得安全性較高的制作工藝參數(shù)與條件，并且采用調整后的制作工藝參數(shù)與條件來執(zhí)行實際產品的生產制作。如此，可以有效防止制作過程中的靜電放電損壞。

另外，可以使用同一個面板結構100于不同制作工藝步驟中重復執(zhí)行步驟S1至步驟S3所示的檢測方法，以獲得合適的制作工藝。舉例而言，制作產品需要執(zhí)行的制作工藝步驟包括依序進行鍍膜制作工藝與蝕刻制作工藝等步驟時，可以先使用面板結構100于鍍膜機臺(或鍍膜設備)中進行步驟S1至步驟S3而調整出鍍膜制作工藝的合適條件。接著，再以同一個面板結構100于蝕刻機臺(或蝕刻設備)中進行步驟S1至步驟S3而調整出蝕刻制作工藝的合適條件。因此，面板結構100可以重復使用。

另外，面板結構100也可以應用于實際制造的產品上。圖3為本實用新型另一實施例的面板結構的示意圖。請參照圖3，面板結構100’包括基板110、多個檢測構件120、信號傳輸單元130以及多個功能構件140。在本實施例中，多個檢測構件120、信號傳輸單元130與功能構件140都配置于基板110上，且基板110、多個檢測構件120與信號傳輸單元130的配置關系與電連接關系可以參照圖1的相關說明。另外，基板110具有一功能區(qū)AA，其中功能構件140都位于功能區(qū)AA內，而檢測構件120位于功能區(qū)AA周邊。在本實施例中，功能構件140包括顯示元件、發(fā)光元件、觸控元件、感測元件或其組合。功能構件140是指用來實現(xiàn)電子產品所需要的功能的構件。當電子產品是顯示裝置或是需要顯示功能時，功能構件140可為顯示元件。當電子產品是觸控感測裝置或是需要觸控感測功能時，功能構件140即為觸控感測元件。在此實施例中，檢測構件120可以保留于最終的電子產品上，但不以此為限。

面板結構100’可以應用于圖1的檢測系統(tǒng)中也可以執(zhí)行如圖2的檢測方法。也就是說，面板結構100’的作用可參照面板結構100。以面板結構100’執(zhí)行如圖2的檢測方法時，會同時地進行功能構件140的個別構件的制作。因此，面板結構100’上的檢測構件120可用來即時監(jiān)測功能構件140的制作過程中，在制作工藝環(huán)境內是否有不想要的靜電累積情形產生。如有，可以即時調整制作工藝條件，避免功能構件140在制作過程中受到靜電放電損壞。若無，則繼續(xù)進行預定的制作工藝步驟以將功能構件140制作出來。

圖4為本實用新型的一實施例的面板結構的局部剖面示意圖，其中圖4呈現(xiàn)出面板結構的基板、檢測構件與信號傳輸單元。請參照圖4，面板結構100A可以作為前述面板結構100或100’的剖面結構的實施方式。因此，面板結構100A中有部分構件的標注符號相同于前述的面板結構100或100’的對應構件，而可視為具有相同或近似的結構與功能。具體而言，面板結構100A包括基板110、多個檢測構件120、信號傳輸單元130以及介電結構I1。在本實施例中，檢測構件120彼此獨立地位于不同檢測面積IA中，且各檢測構件120包括以一介電結構I1分隔的一第一檢測電極122以及一第二檢測電極124。各檢測構件120的第一檢測電極122與第二檢測電極124在對應的檢測面積IA內重疊設置。

第一檢測電極122與第二檢測電極124可以分別是金屬層，且兩金屬層實質上彼此平行而由介電結構I1分隔開來。此時，各檢測構件120具有金屬層-介電層-金屬層(MIM)形式的電容結構。不過，第一檢測電極122與第二檢測電極124的材質可以是非金屬導電材料，例如氧化物導電材料、有機導電材料或是含碳導電材料等。氧化物導電材料包括有銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化錫、氧化鋅等。含碳導電材料包括石墨、石墨烯、奈米碳管等。

各檢測構件120的第一檢測電極122與第二檢測電極124可以分別連接至信號傳輸單元130。信號傳輸單元130可將同一檢測構件120的第一檢測電極122與第二檢測電極124的信號搭配成對而記錄為此一檢測構件120的電信號。此外，這些檢測構件120的電信號會獨立被記錄與存儲于信號傳輸單元130中，以獨立地檢測個別檢測構件120所在位置的靜電累積情形。

在本實施例中，介電結構I1為整層連續(xù)分布于這些檢測構件120之間的介電層。以介電層構成的介電結構I1具有相對的第一表面P1與第二表面P2。檢測構件120的個別第一檢測電極122設置于介電結構I1的第一表面P1，而檢測構件120的個別第二檢測電極124設置于介電結構I1的第二表面P2。

圖5為本實用新型的另一實施例的面板結構的局部剖面示意圖，其中圖5呈現(xiàn)出面板結構的基板、檢測構件與信號傳輸單元。圖5的面板結構100B相似于圖4的面板結構100A，不過，在圖5中，介電結構I2是對應于檢測構件120的獨立介電層單元。也就是說，每個檢測構件120包括第一檢測電極122、第二檢測電極124以及以介電層單元構成的介電結構I2。每個檢測構件120的介電結構I2彼此獨立。面板結構100B中的基板110、第一檢測電極122、第二檢測電極124與信號傳輸單元130可參照圖4的相關說明，而不另贅述。

圖6為本實用新型的再一實施例的面板結構的局部剖面示意圖，其中圖6呈現(xiàn)出面板結構的基板、檢測構件與信號傳輸單元。圖6的面板結構100C相似于圖4的面板結構100A，不過，在圖6中，面板結構100C還包括有另一基板150。在此，基板110可視為第一基板而基板150可視為第二基板，且檢測構件120以及介電結構I1都設置于第一基板(基板110)與第二基板(基板150)之間。當前述的面板結構100或100’采用面板結構100C的剖面結構來實施時，執(zhí)行圖2的步驟S2時，將會是在基板110或是基板150的外側表面PO執(zhí)行要進行的制作工藝(例如鍍膜、蝕刻等)，而不影響檢測構件120本身的結構。

圖7為本實用新型的又一實施例的面板結構的局部剖面示意圖，其中圖7呈現(xiàn)出面板結構的基板、檢測構件與信號傳輸單元。圖7的面板結構100D相似于圖5的面板結構100B，不過，在圖7中，面板結構100D還包括有另一基板150。在此，基板110可視為第一基板而基板150可視為第二基板，且檢測構件120以及介電結構I2都設置于第一基板(基板110)與第二基板(基板150)之間。當前述的面板結構100或100’采用面板結構100D的剖面結構來實施時，執(zhí)行圖2的步驟S2時，將會是在基板110或是基板150的外側表面PO執(zhí)行要進行的制作工藝(例如鍍膜、蝕刻等)，而不影響檢測構件120本身的結構。

綜上所述，本實用新型的實施例將多個檢測構件設置于基板上而構成檢測用的面板結構。檢測結構可用于獨立地檢測個別位置處的靜電累積情形。如此，將面板結構置入制作工藝環(huán)境中進行個別制作工藝，可即時監(jiān)測個別位置處的靜電累積情形，以作為調整制作工藝條件的參考依據(jù)并且可依照檢測結果調整出合適的制作工藝來制作產品。由此，可以提高制作工藝良率，避免制作過程中發(fā)生靜電放電導致產品中的構件損壞的情形。