本實(shí)用新型涉及電力電子電路，是一種硅元件檢測(cè)用高頻信號(hào)電路。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)只能通過(guò)計(jì)算機(jī)的串行口通訊方式來(lái)監(jiān)測(cè)可控硅的工作狀態(tài)，但這種方式抗強(qiáng)磁干擾性很差，而且設(shè)備連線繁雜。迄今為止，未見(jiàn)有關(guān)通過(guò)向硅元件兩端輸入高頻信號(hào)，使連接于硅元件上的供電變壓器的供電線圈在不帶電的狀態(tài)下產(chǎn)生足夠的感抗來(lái)極大地減少檢測(cè)電路的工作電流，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅元件工作狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)的文獻(xiàn)報(bào)道和實(shí)際應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是，提供一種硅元件檢測(cè)用高頻信號(hào)電路，所述的高頻信號(hào)電路通過(guò)向硅元件兩端輸入高頻信號(hào)，使連接于硅元件上的供電變壓器的供電線圈在不帶電的狀態(tài)下產(chǎn)生足夠的感抗來(lái)極大地減少檢測(cè)電路的工作電流，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅元件工作狀態(tài)的檢測(cè)。

實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的采用的技術(shù)方案是，一種硅元件檢測(cè)用高頻信號(hào)電路，其特征是，它包括：高頻信號(hào)產(chǎn)生電路與硅元件工作狀態(tài)檢測(cè)和報(bào)警電路電連接，所述高頻信號(hào)產(chǎn)生電路包括電阻R1、R2、R3、R8、電容C1、C2、C3與時(shí)基電路U1電連接；所述硅元件工作狀態(tài)檢測(cè)和報(bào)警電路包括電阻R4、R5、R6、R7、二極管D1、D2、D3、發(fā)光二極管L1、L2、三極管T1、電容C4、C5與可控硅S1電連接。

本實(shí)用新型的一種硅元件檢測(cè)用高頻信號(hào)電路，通過(guò)向硅元件兩端輸入高頻信號(hào)，使連接于硅元件上的供電變壓器的供電線圈在不帶電的狀態(tài)下產(chǎn)生足夠的感抗來(lái)極大地減少檢測(cè)電路的工作電流，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅元件工作狀態(tài)的檢測(cè)。具有電路簡(jiǎn)單，性能可靠，簡(jiǎn)便易行的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為一種硅元件檢測(cè)用高頻信號(hào)電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面利用附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型的一種硅元件檢測(cè)用高頻信號(hào)電路，包括：高頻信號(hào)產(chǎn)生電路1、硅元件工作狀態(tài)檢測(cè)和報(bào)警電路2。高頻信號(hào)產(chǎn)生電路1包括電阻R1、R2、R3、R8、電容C1、C2、C3與時(shí)基電路U1電連接；其中電阻R2、R3、電容C2、C3和時(shí)基電路U1組成典型的多諧振蕩器，從時(shí)基電路U1的3號(hào)腳輸出57KHZ的高頻振蕩信號(hào)，由于硅元件供電變壓器的線圈感抗差別很大，該振蕩頻率范圍為10KHZ—100KHZ時(shí)能使時(shí)基電路U1消耗的直流電流小于5毫安，經(jīng)電阻R1和電容C1輸出到硅元件兩端A1和A2；電容C1是57KHZ高頻振蕩信號(hào)的耦合電容；電阻R1起限流作用；電阻R8在高頻信號(hào)低電平期間給電容C1提供放電回路；為減小時(shí)基電路U1的自身功率消耗，時(shí)基電路U1選擇CMOS 工藝生產(chǎn)的TLC555CP時(shí)基電路，該時(shí)基電路自身的直流電流消耗小于1毫安，而常用的NE555時(shí)基電路自身消耗的直流電流在10毫安左右。硅元件工作狀態(tài)檢測(cè)和報(bào)警電路2包括電阻R4、R5、R6、R7、二極管D1、D2、D3、發(fā)光二極管L1、L2、三極管T1、電容C4、C5與可控硅S1電連接。當(dāng)硅元件主回路不帶電時(shí)，在高頻信號(hào)的高電平期間，無(wú)論硅元件是否與供電變壓器的供電線圈相連，只要硅元件沒(méi)被擊穿，則57KHZ的高頻信號(hào)經(jīng)電阻R1、電容C1、電阻R4、二極管D2和發(fā)光二極管L1形成回路（根據(jù)電力變換電路的不同，該高頻信號(hào)還可能流經(jīng)供電變壓器的供電線圈），在二極管D2和發(fā)光二極管L1上必然產(chǎn)生約2.5伏的電壓降（二極管D2導(dǎo)通時(shí)的壓降為0.7伏，發(fā)光二極管L1的導(dǎo)通壓降為1.8伏，兩者之和為2.5伏），該電壓使三極管T1飽和導(dǎo)通，三極管T1的集電極C的電位低于0.2伏；在高頻信號(hào)的低電平期間，二極管D2和發(fā)光二極管L1不導(dǎo)通，其上的電壓降為0伏，三極管T1截止，此時(shí)12伏電源正極經(jīng)電阻R6向電容C4充電，但由于電容C4的充電延遲功能使其上的充電電壓在接著的高頻信號(hào)高電平到來(lái)之前還不到0.3伏就被三極管T1迅速放掉，此狀態(tài)下可控硅S1不能被觸發(fā)導(dǎo)通，發(fā)光二極管L2不亮而L1點(diǎn)亮發(fā)光，指示硅元件未被擊穿，處于完好狀態(tài)；電阻R5為限流電阻；當(dāng)硅元件被擊穿，則57KHZ的高頻信號(hào)經(jīng)電阻R1、電容C1和被擊穿的硅元件直接形成回路而不流經(jīng)電阻R4、二極管D2和發(fā)光二極管L1，則二極管D2和發(fā)光二極管L1上的電壓降始終為0伏，三極管T1截止，此時(shí)12伏電源正極經(jīng)電阻R6向電容C4充電，約經(jīng)過(guò)20毫秒，電容C4上的電壓超過(guò)3.3伏時(shí)（二極管D1導(dǎo)通時(shí)的壓降為0.7伏，發(fā)光二極管L2導(dǎo)通時(shí)的壓降為1.8伏，可控硅S1的觸發(fā)電壓為0.8伏，三者之和為3.3伏）立即可靠地觸發(fā)可控硅S1導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)直至自復(fù)位按鍵開(kāi)關(guān)FA被按下才解除導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)發(fā)光二極管L1不亮L2點(diǎn)亮發(fā)光，指示硅元件已被擊穿，同時(shí)通過(guò)可控硅S1的陰極K可向其它報(bào)警電路輸出報(bào)警信號(hào)；二極管D1、D2和D3起單向?qū)щ娮饔?；電阻R5和R7起限流作用；電阻R4的阻值和功率根據(jù)硅元件A1-A2之間的電壓大小決定；電容C5起抗干擾作用，防止可控硅S1被誤觸發(fā)；調(diào)整電容C4的容量可改變可控硅S1的導(dǎo)通反應(yīng)時(shí)間，但同時(shí)也改變了它的工作可靠性，應(yīng)適當(dāng)選擇電容C4的容量；當(dāng)硅元件主回路帶電而未被擊穿時(shí)，在硅元件兩端A1-A2承受正向電壓期間，A1-A2的電壓和57KHZ的高頻信號(hào)同時(shí)施加在電阻R4、二極管D2和發(fā)光二極管L1上，在二極管D2和發(fā)光二極管L1上必然產(chǎn)生約2.5伏的電壓降，該電壓使三極管T1導(dǎo)通，電容C4上儲(chǔ)存的電荷被迅速放掉，在A1-A2的反向電壓期間，由于二極管D2的反向截止作用使A1-A2的反向電壓不能通過(guò)電阻R4、二極管D2和發(fā)光二極管L1形成回路，三極管T1截止，此時(shí)12伏電源正極經(jīng)電阻R6向電容C4充電，但由于電容C4的充電延遲功能使其上的充電電壓在接著的A1-A2轉(zhuǎn)為正向電壓到來(lái)之前還不到2伏就被三極管T1迅速放掉，可控硅S1不能被觸發(fā)導(dǎo)通，發(fā)光二極管L2不亮；此種狀態(tài)下，發(fā)光二極管L1點(diǎn)亮發(fā)光（由于主電路電壓高，發(fā)光二極管L1明顯更亮，更適合于遠(yuǎn)距離安全觀察），指示硅元件未被擊穿，處于完好狀態(tài)；當(dāng)硅元件被擊穿，A1-A2之間的電壓立即消失，57KHZ的高頻信號(hào)經(jīng)電阻R1、電容C1和被擊穿的硅元件直接形成回路而不流經(jīng)電阻R4、二極管D2和發(fā)光二極管L1，二極管D2和發(fā)光二極管L1上的電壓降為0伏，三極管T1截止，此時(shí)12伏電源的正極經(jīng)電阻R6向電容C4充電，約經(jīng)過(guò)20毫秒，電容C4上的電壓超過(guò)3.3伏時(shí)立即可靠地觸發(fā)可控硅S1導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)直至自復(fù)位按鍵開(kāi)關(guān)FA被按下才解除導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)發(fā)光二極管L1不亮L2點(diǎn)亮發(fā)光，指示硅元件已被擊穿，同時(shí)通過(guò)可控硅S1的陰極K可向其它報(bào)警電路輸出報(bào)警信號(hào)（配套的紅外線接收電路接收到報(bào)警信號(hào)后可立即切斷主電路電源，防止事故擴(kuò)大）；該檢測(cè)電路能確保硅元件在帶電和不帶電狀態(tài)下的全狀態(tài)檢測(cè)，并同時(shí)保留故障信號(hào)和發(fā)出報(bào)警信號(hào)。輸入到硅元件兩端的測(cè)試信號(hào)必須是高頻信號(hào)（高頻交流信號(hào)或高頻方波信號(hào)）才能使硅元件供電變壓器在不帶電的情況下使供電變壓器的供電線圈產(chǎn)生幾百歐姆以上的感抗（中大功率供電變壓器的供電線圈的直流電阻在毫歐級(jí)），使檢測(cè)電路檢測(cè)信號(hào)的電流在硅元件不帶電的情況下降低到毫安級(jí)，整個(gè)檢測(cè)電路才能小型化，從而使硅元件的全狀態(tài)檢測(cè)變得切實(shí)可行。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。