本實(shí)用新型涉及傳感技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

光電探測(cè)器是利用具有光電效應(yīng)的材料制成的將光輻射信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)的傳感器，光照強(qiáng)度越大其光電流越大，無(wú)光照時(shí)其幾乎是一個(gè)絕緣體。目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、智能穿戴、導(dǎo)彈制導(dǎo)、光測(cè)量和探測(cè)、火焰探測(cè)、通信等各個(gè)領(lǐng)域。

傳統(tǒng)的探測(cè)器測(cè)試裝置主要由光源系統(tǒng)、光路系統(tǒng)和測(cè)試裝置組成。由于光源采用的是汞燈等激發(fā)光源，出射的光譜包含了紫外至紅外光譜，對(duì)測(cè)試條件要求高，待測(cè)探測(cè)器需要進(jìn)行封裝后才能測(cè)試。測(cè)試時(shí)使用的是汞燈等寬光譜的光源作為其發(fā)射光源，由于測(cè)試過(guò)程中是全光譜測(cè)試，因此測(cè)試過(guò)程中要根據(jù)測(cè)試需求，選用不同的濾光片，測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)，需要后期對(duì)探測(cè)器產(chǎn)品進(jìn)行模擬校正才能保證產(chǎn)品一致性，所以現(xiàn)有技術(shù)測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng)，測(cè)試成本高。所以一種提高光電探測(cè)器的測(cè)試效率、降低測(cè)試成本的測(cè)試裝置尤其重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)測(cè)試效率低、測(cè)試成本高的問(wèn)題。

為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置，包括，機(jī)械控制裝置（1）、測(cè)試裝置（3）和LED光源（4），其中，機(jī)械控制裝置（1）包括掃描控制模塊和機(jī)械控制臺(tái)，掃描控制模塊定位機(jī)械控制臺(tái)上待測(cè)芯片（2）的位置，機(jī)械控制臺(tái)位于向下照射的LED光源（4）下方，LED光源（4）包括環(huán)狀的底座和置于底座上的紫外LED燈，LED光源（4）為紫外光源或紅外光源的一種，上方有環(huán)狀的散熱器，大小與所述底座相適配；測(cè)試裝置包括電源控制模塊、電流測(cè)試模塊和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊，所述電源控制模塊通過(guò)導(dǎo)線、探針（5）與待測(cè)芯片（2）連接構(gòu)成回路，并在待測(cè)芯片（2）兩端加載穩(wěn)定電壓，電流測(cè)試模塊測(cè)定回路中的電流，并根據(jù)測(cè)得的電流通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊對(duì)待測(cè)芯片（2）的好壞進(jìn)行分類，測(cè)試數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊將測(cè)得的電流作為對(duì)待測(cè)芯片好壞進(jìn)行分類的依據(jù)。

作為優(yōu)選的，LED光源（4）包括間隔設(shè)于環(huán)上的紫外或紅外光源和白光光源。

作為優(yōu)選的，所述LED光源上方有顯微鏡，顯微鏡的物鏡通過(guò)環(huán)狀LED光源中間的通道觀察待測(cè)芯片。

作為優(yōu)選的，待測(cè)芯片粘在藍(lán)膜表面，置于機(jī)械臺(tái)上。

本實(shí)用新型一種光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置的工作原理是，掃描控制模塊首先完成探測(cè)器待測(cè)芯片的掃描定位，然后根據(jù)掃描得到的待測(cè)芯片坐標(biāo)，控制機(jī)械控制臺(tái)將臺(tái)上待測(cè)芯片與探針連接，探針上加有電壓，與待測(cè)芯片形成閉合回路。由于暗電流和光電流是探測(cè)器最重要的參數(shù)，將暗電流和光電流的大小作為測(cè)試數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊判定探測(cè)器待測(cè)芯片本身優(yōu)劣的依據(jù)，并將待測(cè)芯片由好至壞分級(jí)。該實(shí)用新型測(cè)試裝置就是快速測(cè)試探測(cè)器待測(cè)芯片的光電流和暗電流的測(cè)試裝置，將次品探測(cè)器挑出，對(duì)良品按照性能的優(yōu)劣進(jìn)行分類。開(kāi)始測(cè)試時(shí)LED光源點(diǎn)亮，照射在探測(cè)器待測(cè)芯片上，經(jīng)測(cè)試裝置得到光電流；關(guān)閉LED光源，經(jīng)測(cè)試裝置得到暗電流。測(cè)試結(jié)束后，將測(cè)得的光電流和暗電流作為判斷待測(cè)芯片是否合格的基礎(chǔ)，完成測(cè)試，將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔儲(chǔ)存。機(jī)械臺(tái)在控制裝置的控制下移至下一顆探測(cè)器待測(cè)芯片，重復(fù)之前測(cè)試。由于LED光源響應(yīng)時(shí)間為納秒級(jí)，且探測(cè)器響應(yīng)時(shí)間為皮秒級(jí)，因此從原理上其測(cè)試一顆芯片只需要不到1納秒就能完成，測(cè)試的時(shí)間主要為測(cè)試控制臺(tái)移動(dòng)的時(shí)間，測(cè)試效率極高。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果至少是如下之一：

1）本實(shí)用新型一種光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置是利用LED光源對(duì)光電探測(cè)器的光電流和暗電流進(jìn)行檢測(cè)試的一種方法，可以大大縮短探測(cè)器芯片光電流和暗電流的測(cè)試時(shí)間，目前該裝置測(cè)試光電流的速度可達(dá)到2萬(wàn)顆/小時(shí)以上。而傳統(tǒng)光源的汞燈，響應(yīng)速度較慢，每次使用需要半小時(shí)至一小時(shí)的預(yù)熱時(shí)間才能達(dá)到穩(wěn)定的光輸出，除了進(jìn)行前期的封裝等加工工藝外，僅測(cè)試光電流和暗電流的就只能達(dá)到15顆/小時(shí)。因此本實(shí)用新型光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置極大的提高了光電探測(cè)器芯片的測(cè)試效率。

2）本實(shí)用新型一種光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置可以直接對(duì)光探測(cè)器的芯片進(jìn)行測(cè)試，較少了封裝后再測(cè)試時(shí)，次品探測(cè)器的封裝成本。

3）本實(shí)用新型一種光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置根據(jù)待測(cè)芯片的不同，選擇紅外或LED光源照射待測(cè)光電探測(cè)器芯片，不需要使用濾光裝置，降低成本。

4）本實(shí)用新型一種光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置通過(guò)測(cè)試裝置和機(jī)械系統(tǒng)的信號(hào)傳遞進(jìn)行自動(dòng)化、連續(xù)生產(chǎn)，提高測(cè)試效率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置LED光源的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

實(shí)施例1：

圖1和圖2為本實(shí)施例提供的光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置，包括，機(jī)械控制裝置1、測(cè)試裝置3和紫外LED光源4，其中，機(jī)械控制裝置1包括掃描控制模塊和機(jī)械控制臺(tái)，掃描控制模塊定位機(jī)械控制臺(tái)上待測(cè)芯片2的位置，機(jī)械控制臺(tái)位于向下照射的紫外LED光源4下方，紫外LED光源4包括環(huán)狀的底座和置于底座上的紫外LED燈，紫外LED光源4上方有環(huán)狀的散熱器，大小與所述底座相適配；測(cè)試裝置3包括電源控制模塊、電流測(cè)試模塊和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊，所述電源控制模塊通過(guò)導(dǎo)線、探針5與待測(cè)芯片2連接構(gòu)成回路，并在待測(cè)芯片2兩端加載穩(wěn)定電壓，電流測(cè)試模塊測(cè)定回路中的電流，并根據(jù)測(cè)得的電流通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊對(duì)待測(cè)芯片2的好壞進(jìn)行分類。

本實(shí)施例提供的光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置工作時(shí)，掃描控制模塊首先完成探測(cè)器待測(cè)芯片2的掃描定位，將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綑C(jī)械控制臺(tái)，機(jī)械控制臺(tái)將待測(cè)芯片2與探針5連接，探針5上加有5V的電壓，與待測(cè)芯片2形成閉合回路。由于暗電流和光電流是探測(cè)器最重要的參數(shù)，根據(jù)暗電流和光電流的大小，能夠直接判定探測(cè)器本身的優(yōu)劣。該實(shí)用新型測(cè)試裝置就是快速測(cè)試紫外探測(cè)器芯片的光電流和暗電流的測(cè)試裝置，將次品探測(cè)器挑出，對(duì)良品按照性能的優(yōu)劣進(jìn)行分類。開(kāi)始測(cè)試時(shí)紫外LED光源4點(diǎn)亮，照射在紫外探測(cè)器芯片2上，通過(guò)測(cè)試裝置得到光電流；關(guān)閉紫外LED光源4，通過(guò)測(cè)試裝置得到暗電流。測(cè)試結(jié)束后，測(cè)得的光電流和暗電流數(shù)據(jù)會(huì)傳送到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊，合格芯片的光電流應(yīng)在10^-5-10^-7A之間，合格芯片的暗電流小于10^-12應(yīng)在之間，控制裝置判斷芯片是否合格，并對(duì)合格芯片分級(jí)，完成測(cè)試。機(jī)械臺(tái)在控制裝置的控制下移至下一顆探測(cè)器芯片，重復(fù)之前測(cè)試，完成測(cè)試，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

實(shí)施例2：

圖1和圖2為本實(shí)施例提供的光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置，包括，機(jī)械控制裝置1、測(cè)試裝置3和LED光源4，其中，機(jī)械控制裝置1包括掃描控制模塊和機(jī)械控制臺(tái)，掃描控制模塊定位機(jī)械控制臺(tái)上待測(cè)芯片2的位置，機(jī)械控制臺(tái)位于向下照射的紅外LED光源4下方，紅外LED光源4包括環(huán)狀的底座和置于底座上的紅外LED燈，紅外LED光源4上方有環(huán)狀的散熱器，大小與所述底座相適配；測(cè)試裝置3包括電源控制模塊、電流測(cè)試模塊和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊，所述電源控制模塊通過(guò)導(dǎo)線、探針5與待測(cè)芯片2連接構(gòu)成回路，并在待測(cè)芯片2兩端加載穩(wěn)定電壓，電流測(cè)試模塊測(cè)定回路中的電流，并根據(jù)測(cè)得的電流通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊對(duì)待測(cè)芯片2的好壞進(jìn)行分類。

本實(shí)施例提供的光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置工作時(shí)，掃描控制模塊首先完成探測(cè)器待測(cè)芯片2的掃描定位，將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綑C(jī)械控制臺(tái)，機(jī)械控制臺(tái)將待測(cè)芯片2與探針5連接，探針5上加有5V的電壓，與待測(cè)芯片2形成閉合回路。由于暗電流和光電流是探測(cè)器最重要的參數(shù)，根據(jù)暗電流和光電流的大小，能夠直接判定探測(cè)器本身的優(yōu)劣。該實(shí)用新型測(cè)試裝置就是快速測(cè)試紅外探測(cè)器芯片的光電流和暗電流的測(cè)試裝置，將次品探測(cè)器挑出，對(duì)良品按照性能的優(yōu)劣進(jìn)行分類。開(kāi)始測(cè)試時(shí)紅外LED光源4點(diǎn)亮，照射在紅外探測(cè)器芯片2上，通過(guò)測(cè)試裝置得到光電流；關(guān)閉紅外LED光源4，通過(guò)測(cè)試裝置得到暗電流。測(cè)試結(jié)束后，測(cè)得的光電流和暗電流數(shù)據(jù)會(huì)傳送到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊，合格芯片的光電流應(yīng)在10^-5-10^-7A之間，合格芯片的暗電流小于10^-12應(yīng)在之間，控制裝置判斷芯片是否合格，并對(duì)合格芯片分級(jí)，完成測(cè)試。機(jī)械臺(tái)在控制裝置的控制下移至下一顆探測(cè)器芯片，重復(fù)之前測(cè)試，完成測(cè)試，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

實(shí)施例3：

圖1和圖2為本實(shí)施例提供的光電探測(cè)器芯片的快速測(cè)試裝置，包括，機(jī)械控制裝置1、測(cè)試裝置3和紫外LED光源4，其中，機(jī)械控制裝置1包括掃描控制模塊和機(jī)械控制臺(tái)，掃描控制模塊定位機(jī)械控制臺(tái)上待測(cè)芯片2的位置，機(jī)械控制臺(tái)位于向下照射的紫外LED光源4下方，紫外LED光源4包括環(huán)狀的底座和置于底座上的紫外LED燈，紫外LED光源4上方有環(huán)狀的散熱器，大小與所述底座相適配；測(cè)試裝置3包括電源控制模塊、電流測(cè)試模塊和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊，所述電源控制模塊通過(guò)導(dǎo)線、探針5與待測(cè)芯片2連接構(gòu)成回路，并在待測(cè)芯片2兩端加載穩(wěn)定電壓，電流測(cè)試模塊測(cè)定回路中的電流，并根據(jù)測(cè)得的電流通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)檔模塊對(duì)芯片2的好壞進(jìn)行分類。

本實(shí)施例中的紫外LED光源4如圖2所示，為圓環(huán)形狀，包括間隔設(shè)于環(huán)上的紫外光源和白光光源，光源背面有環(huán)狀散熱裝置，紫外LED光源4為中空，從上至下垂直照射在粘在置于控制臺(tái)上的藍(lán)膜表面的待測(cè)芯片2上，紫外LED光源5上方設(shè)有顯微鏡，可以通過(guò)環(huán)狀紫外LED光源5中間的通道觀察控制臺(tái)上待測(cè)芯片2測(cè)試情況，待測(cè)芯片2和加有5V電壓的探針5相連，形成閉合回路。紫外LED光源5中的白光光源照射控制臺(tái)，方便操作人員觀察測(cè)試情況；紫外光源照射待測(cè)芯片2，提供紫外光。

盡管這里參照本實(shí)用新型的多個(gè)解釋性實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了描述，但是，應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出很多其他的修改和實(shí)施方式，這些修改和實(shí)施方式將落在本申請(qǐng)公開(kāi)的原則范圍和精神之內(nèi)。更具體地說(shuō)，在本申請(qǐng)公開(kāi)、附圖和權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對(duì)主題組合布局的組成部件和/或布局進(jìn)行多種變型和改進(jìn)。除了對(duì)組成部件和/或布局進(jìn)行的變形和改進(jìn)外，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其他的用途也將是明顯的。