1.一種S模式二次雷達(dá)發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于：包括第一發(fā)射組件單元(10)、第二發(fā)射組件單元(20)、第三發(fā)射組件單元(30)、第四發(fā)射組件單元(40)、第一發(fā)射電源單元(50)、第二發(fā)射電源單元(60)，所述第一發(fā)射組件單元(10)和第三發(fā)射組件單元(30)的輸入端均連接第一輸入功率信號，所述第二發(fā)射組件單元(20)和第四發(fā)射組件單元(40)的輸入端均連接第二輸入功率信號，所述第一發(fā)射電源單元(50)的輸出端分別連接第一發(fā)射組件單元(10)的輸入端、第二發(fā)射組件單元(20)的輸入端以及第一發(fā)射監(jiān)控組件單元(70)的輸入端，所述第二發(fā)射電源單元(60)的輸出端分別連接第三發(fā)射組件單元(30)的輸入端、第四發(fā)射組件單元(40)的輸入端以及第二發(fā)射監(jiān)控組件單元(80)的輸入端；所述第一發(fā)射監(jiān)控組件單元(70)的兩個輸出端分別連接第一選通開關(guān)單元(90)的輸入端、第二選通開關(guān)單元(100)的輸入端，所述第二發(fā)射監(jiān)控組件單元(80)的兩個輸出端分別連接第一選通開關(guān)單元(90)的輸入端、第二選通開關(guān)單元(100)的輸入端，所述第一選通開關(guān)單元(90)一個輸出端連接第一吸收負(fù)載單元(110)的輸入端、另一個輸出端連接第一輸出功率信號，所述第二選通開關(guān)單元(100)一個輸出端連接第二吸收負(fù)載單元(120)的輸入端、另一個輸出端連接第二輸出功率信號。
2.如權(quán)利要求1所述的一種S模式二次雷達(dá)發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于：所述第一發(fā)射組件單元(10)包括一級8W功率放大器(11)，所述一級8W功率放大器(11)的輸入端連接第一輸入功率信號，所述一級8W功率放大器(11)的輸出端連接二級60W功率放大器(12)的輸入端，所述二級60W功率放大器(12)的輸出端連接第一隔離器的輸入端，所述第一隔離器的輸出端連接三級500W功率放大器(13)的輸入端，所述三級500W功率放大器(13)的輸出端連接第二隔離器的輸入端，所述第二隔離器的輸出端連接串饋分配器的輸入端，所述串饋分配器的輸出端經(jīng)過PIN開關(guān)后連接四級500W功率放大器(14)的輸入端，所述四級500W功率放大器(14)的輸出端連接第三隔離器的輸入端，所述第三隔離器的輸出端連接串饋合成器的輸入端，所述串饋合成器的輸出端連接第一發(fā)射監(jiān)控組件單元(70)的輸入端，所述一級8W功率放大器(11)的TTL控制端、PIN開關(guān)的TTL控制端均與BITE控制電路的輸出端相連；
所述一級8W功率放大器(11)、二級60W功率放大器(12)、三級500W功率放大器(13)、PIN開關(guān)、四級500W功率放大器(14)的電源端均連接第一發(fā)射電源單元(50)的輸出端；
所述第二發(fā)射組件單元(20)、第三發(fā)射組件單元(30)、第四發(fā)射組件單元(40)均與第一發(fā)射組件單元(10)的電路結(jié)構(gòu)相同。
3.如權(quán)利要求2所述的一種S模式二次雷達(dá)發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于：所述第一發(fā)射監(jiān)控組件單元(70)包括第一雙向耦合器(71)和第二雙向耦合器(72)，所述第一雙向耦合器(71)的輸入端連接第一發(fā)射組件單元(10)的串饋合成器的輸出端，第一雙向耦合器(71)的輸出端連接第一衰減器(73)、第二衰減器(74)、第一濾波器(702)的輸入端；所述第二雙向耦合器(72)的輸入端連接第二發(fā)射組件單元(20)的串饋合成器的輸出端，第二雙向耦合器(72)的輸出端連接第三衰減器(75)、第四衰減器(76)、第二濾波器(703)的輸入端；所述第一衰減器(73)、第二衰減器(74)的輸出端分別連接第一檢波器(77)、第二檢波器(78)的輸入端，所述第三衰減器(75)、第四衰減器(76)的輸出端分別連接第三檢波器(79)、第四檢波器(701)的輸入端，所述第一檢波器(77)、第二檢波器(78)、第三檢波器(79)、第四檢波器(701)的輸出端均連接監(jiān)控電路(704)的輸入端，所述第一濾波器(702)的輸出端、第二濾波器(703)的輸出端分別連接第一選通開關(guān)單元(90)的輸入端、第二選通開關(guān)單元(100)的輸入端，所述監(jiān)控電路(704)的輸出端連接PIN開關(guān)的TTL控制端；
所述第二發(fā)射監(jiān)控組件單元(80)與第一發(fā)射監(jiān)控組件單元(70)的電路結(jié)構(gòu)相同。
4.如權(quán)利要求2所述的一種S模式二次雷達(dá)發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于：所述四級500W功率放大器(14)、PIN開關(guān)、第三隔離器的個數(shù)相同，且個數(shù)至少為六個。
5.如權(quán)利要求4所述的一種S模式二次雷達(dá)發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于：所述一級8W功率放大器(11)功率管的芯片型號為石家莊新元電子股份有限公司生產(chǎn)的PA1030，所述二級60W功率放大器(12)功率管的芯片型號為美國Microsemi公司生產(chǎn)的MDS60L，所述三級500W功率放大器(13)、四級500W功率放大器(14)功率管的芯片型號均為美國Microsemi公司生產(chǎn)的MDS500L。