本實(shí)用新型涉及醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域，尤其涉及一種用于磁共振成像的磁體裝置以及多模態(tài)成像設(shè)備。

背景技術(shù)：

在磁共振成像設(shè)備中，由于鳥籠線圈有很好的場(chǎng)均勻性，普遍使用在體發(fā)射線圈設(shè)計(jì)中，鳥籠線圈基本可分為低通型、高通型和高低通混合型三類。鳥籠型線圈形似鳥籠，由兩端金屬環(huán)形和中間N根金屬腿組成。低通型鳥籠線圈的電容加載位于每條腿的中間；高通型鳥籠線圈的電容加載位于兩端的金屬環(huán)上；高低通混合型鳥籠線圈的電容加載在腿間和端環(huán)上都可存在。高通型鳥籠線圈比起低通型有著饋電方便的優(yōu)點(diǎn)。

高通鳥籠線圈，電容主要集中在兩端環(huán)上，加之端環(huán)上有環(huán)向電流會(huì)對(duì)鳥籠式體發(fā)射線圈產(chǎn)生以下不利影響。

1)一方面因?yàn)殡娙菥哂袇R集電荷的作用，因此端環(huán)上上電荷集中，周圍電場(chǎng)很大，往往是造成局部SAR值超標(biāo)的罪魁禍?zhǔn)祝?/p>

2)由于端環(huán)環(huán)向電流的存在，會(huì)在體發(fā)射線圈中產(chǎn)生一個(gè)沿著軸向的磁場(chǎng)，這是造成體發(fā)射線圈磁場(chǎng)不均勻的主要原因；

3)由于端環(huán)周圍電磁場(chǎng)很大，與局部表面接收線圈聯(lián)合使用的時(shí)候，距離端環(huán)比較近的接收線圈，與發(fā)射線圈耦合強(qiáng)烈，這一方面會(huì)造成體發(fā)射線圈工作狀態(tài)發(fā)生變化，另一個(gè)方面會(huì)造成接收線圈的毀壞。

另外，在PET-MR設(shè)計(jì)中需要在鳥籠式發(fā)射線圈振子和屏蔽之間增加PET探測(cè)器模塊，這樣就破壞了線圈空間上的對(duì)稱性。也有技術(shù)方案，把PET探測(cè)器模塊添加在射頻屏蔽層和梯度線圈之間，但我們認(rèn)為這樣需要添加一層額外用于黏貼射頻屏蔽層的套筒，一方面會(huì)造成空間上的浪費(fèi)，另外一方面這層額外添加的套筒在空間固定方面都很難解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提出了一種用于磁共振成像的磁體裝置。

一種用于磁共振成像的磁體裝置，包括主磁場(chǎng)線圈、梯度線圈以及體發(fā)射線圈，所述梯度線圈設(shè)置于所述主磁場(chǎng)線圈內(nèi)側(cè)、所述體發(fā)射線圈設(shè)置于所述梯度線圈內(nèi)側(cè)，在所述梯度線圈與所述體發(fā)射線圈之間設(shè)置有第一屏蔽層以及第二屏蔽層，所述第一屏蔽層靠近所述體發(fā)射線圈，所述第二屏蔽層靠近所述梯度線圈；所述體發(fā)射線圈包括兩個(gè)端環(huán)以及設(shè)置于兩個(gè)端環(huán)之間導(dǎo)線，所述兩個(gè)端環(huán)被布置于第一屏蔽層、第二屏蔽層之間。

優(yōu)選地，所述端環(huán)至所述體發(fā)射線圈中心軸線的距離大于所述導(dǎo)線至所述體發(fā)射線圈中心軸線的距離，所述第一屏蔽層將所述端環(huán)與所述導(dǎo)線進(jìn)行物理分隔。

優(yōu)選地，所述端環(huán)上設(shè)置有一個(gè)或數(shù)個(gè)的端環(huán)電容。

優(yōu)選地，所述第一屏蔽層的長(zhǎng)度大于或等于所述體發(fā)射線圈的長(zhǎng)度。

優(yōu)選地，所述第一屏蔽層鄰近所述端環(huán)的位置上設(shè)置有開(kāi)孔，所述開(kāi)孔用于容納所述端環(huán)與所述導(dǎo)線的連接線。

優(yōu)選地，包括支撐塊，所述支撐塊貼于所述第一屏蔽層，所述端環(huán)設(shè)置于所述支撐塊上表面。

優(yōu)選地，包括射頻線纜以及射頻饋電端口，設(shè)置于所述支撐塊上表面，用于給所述端環(huán)供電。

優(yōu)選地，所述第二屏蔽層貼于所述梯度線圈的內(nèi)壁。

優(yōu)選地，所述第一屏蔽層的軸向長(zhǎng)度小于第二屏蔽層的軸向長(zhǎng)度。

本實(shí)用新型還提供了一種多模態(tài)成像設(shè)備。所述多模態(tài)成像設(shè)備包括如上所述的用于磁共振成像的磁體裝置，進(jìn)一步，還包括正電子發(fā)射斷層顯示探測(cè)器模塊，所述正電子發(fā)射斷層顯示探測(cè)器模塊設(shè)置于所述第一屏蔽層與第二屏蔽層之間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

1、將端環(huán)設(shè)置在兩個(gè)屏蔽層之間，其一解決了端環(huán)電容對(duì)于SAR值的影響；其二解決了端環(huán)產(chǎn)生的磁場(chǎng)對(duì)軸向場(chǎng)的不均勻性的影響；其三解決了在聯(lián)合使用狀態(tài)下，對(duì)部分靠近端環(huán)的接收線圈的不利影響。

2、在多模態(tài)成像中，將PET模塊設(shè)置在兩個(gè)屏蔽層之間，解決了現(xiàn)有技術(shù)中PET模塊對(duì)體發(fā)射線圈的干擾，改善體發(fā)射場(chǎng)的均勻性，同時(shí)也很大程度上屏蔽了體發(fā)射線圈的電磁場(chǎng)對(duì)PET模塊的干擾。

附圖說(shuō)明

圖1為用于磁共振成像的磁體裝置的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為用于磁共振成像的磁體裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為用于磁共振成像的磁體裝置的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為一種多模態(tài)成像設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。

其次，本實(shí)用新型利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供了一種用于磁共振成像的磁體裝置，包括主磁場(chǎng)線圈(圖未示)、梯度線圈31以及體發(fā)射線圈32，所述梯度線圈31設(shè)置于所述主磁場(chǎng)線圈內(nèi)側(cè)、所述體發(fā)射線圈32設(shè)置于所述梯度線圈31的內(nèi)側(cè)，在所述梯度線圈31與所述體發(fā)射線圈32之間設(shè)置有第一屏蔽層35以及第二屏蔽層36，所述第一屏蔽層35靠近所述體發(fā)射線圈32，所述第二屏蔽層36靠近所述梯度線圈31。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二屏蔽層36貼于所述梯度線圈31的內(nèi)壁(這里特別說(shuō)明，圖1所述的磁體裝置的橫截面位于體線圈中部的位置)。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一屏蔽層的軸向長(zhǎng)度小于第二屏蔽層的軸向長(zhǎng)度。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述第一屏蔽層35的長(zhǎng)度大于或等于所述體發(fā)射線圈32的長(zhǎng)度。

如圖2所示，所述體發(fā)射線圈32包括兩個(gè)端環(huán)321、設(shè)置于兩個(gè)端環(huán)之間導(dǎo)線322，所述兩個(gè)端環(huán)321被布置于第一屏蔽層35、第二屏蔽層36之間。

所述端環(huán)321至所述體發(fā)射線圈32中心軸線的距離A大于所述導(dǎo)線322至所述體發(fā)射線圈32中心軸線的距離B。所述第一屏蔽層35將所述端環(huán)321與所述導(dǎo)線322進(jìn)行物理分隔。

如圖3所示，所述第一屏蔽層鄰近所述端環(huán)的位置上設(shè)置有開(kāi)孔40，所述開(kāi)孔40用于容納所述端環(huán)321(只示出一側(cè)的端環(huán))與所示導(dǎo)線322的連接線323。

所述磁體裝置還包括很多支撐塊37，用于支撐屏蔽層、端環(huán)以及導(dǎo)線等組件。如圖3所示，所述第一屏蔽層35設(shè)置于底部支撐塊37(1)的上表面，所述第一屏蔽層35的兩側(cè)設(shè)置有支撐塊37(2)，所述端環(huán)321設(shè)置于所述支撐塊37(2)的上表面。在一些實(shí)施例中，所述端環(huán)321上設(shè)置有一個(gè)或數(shù)個(gè)的用于調(diào)諧作用的端環(huán)電容(圖未示)。

由于采用高通鳥籠線圈，因此射頻饋電點(diǎn)在端環(huán)上，直流饋電點(diǎn)分布在所述端環(huán)之間的導(dǎo)線上。如圖3所示，在支撐塊37(2)的上表面設(shè)置有射頻饋電端口以及射頻線纜38，其與所述端環(huán)321連接，用于給所述端環(huán)321供電。在支撐塊37(1)的設(shè)置有直流供電端口以及線纜39，用于給所述導(dǎo)線供電。

如圖4所示，本實(shí)用新型還提出一種多模態(tài)成像設(shè)備，所述多模態(tài)成像設(shè)備5包括用于磁共振成像的磁體裝置，具體地包括主磁場(chǎng)線圈50(圖未示出)、梯度線圈51以及體發(fā)射線圈52，所述梯度線圈51設(shè)置于所述主磁場(chǎng)線圈50內(nèi)側(cè)、所述體發(fā)射線圈52設(shè)置于所述梯度線圈51的內(nèi)側(cè)，在所述梯度線圈51與所述發(fā)射線圈52之間設(shè)置有第一屏蔽層55以及第二屏蔽層56，所述第一屏蔽層55靠近所述體發(fā)射線圈52(圖中未示出端環(huán)部分)，所述第二屏蔽層56靠近所述梯度線圈51。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二屏蔽層56貼于所述梯度線圈51的內(nèi)壁。所述多模態(tài)設(shè)備包括進(jìn)一步地，還包括正電子發(fā)射斷層顯示(Positron Emission Tomography，PET)探測(cè)器模塊57，所述正電子發(fā)射斷層顯示探測(cè)器模塊設(shè)置于所述第一屏蔽層55與第二屏蔽層56之間。

本實(shí)用新型雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。